安世半導(dǎo)體再獲功率器件行業(yè)大獎！

由世紀電源主辦的第十三屆亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇在已于2月25日在深圳成功落下帷幕。在論壇同期舉辦的 2022 電源行業(yè)配套品牌頒獎晚會評選中，Nexperia（安世半導(dǎo)體）憑借高效率、高可靠性 GaN（氮化鎵）器件在市場的不俗表現(xiàn)與強大的國際競爭力，突出重圍，成功斬獲「國際功率器件行業(yè)卓越獎」大獎。

獎項介紹：2022 年度電源行業(yè)配套品牌獎項共有150家左右的企業(yè)進行申請，世紀電源網(wǎng)通過客觀、真實、公開的評選方式，經(jīng)過大眾投票與專業(yè)的評委組，篩選出實力強大、具有較高市場影響力的杰出企業(yè)進行表彰，真正助力電源行業(yè)的蓬勃發(fā)展。

GaN（氮化鎵）功率器件在各應(yīng)用中不僅可以提供出色性能，還能滿足市場對主流技術(shù)的可靠性、耐用性和可制造性的期望，服務(wù)于多個市場細分領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。

△ Nexperia 推出氮化鎵功率器件 (GaN FET)

Nexperia（安世半導(dǎo)體）一直投資和研發(fā)自有GaN（氮化鎵）工藝與創(chuàng)新型封裝技術(shù)。通過逐年的經(jīng)驗積累和技術(shù)深入，Nexperia（安世半導(dǎo)體）現(xiàn)已采用成熟的大規(guī)模生產(chǎn)技術(shù)，在自有工廠量產(chǎn) GaN（氮化鎵）器件，經(jīng)過驗證能夠滿足 AEC-Q101 器件認證的嚴苛可靠性要求。新一代的安世半導(dǎo)體氮化鎵（HEMTs），提供業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻，更高的開關(guān)穩(wěn)定性，可顯著提升動態(tài)性能。

安世半導(dǎo)體不到三年就推出三代 650 V 高功率氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET），提供從 2 kW 到 250 kW 的 GaN 應(yīng)用方案并推向更高的功率水平。此外，公司持續(xù)創(chuàng)新升級 MOSFET 產(chǎn)品，對于客戶而言使用高效的功率半導(dǎo)體比以往任何時候都重要，安世半導(dǎo)體的產(chǎn)品將為節(jié)能降耗做出更多貢獻，推動早日實現(xiàn)“碳中和”的目標。

審核編輯：湯梓紅