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本期DigiKeyDaily 向大家推薦兩款產(chǎn)品——ODU MEDI-SNAP 連接器和安森美1200V M3S系列SiC MOSFET1
產(chǎn)品一:ODU MEDI-SNAP 連接器
ODUMEDI-SNAP采用靈活、可靠并且緊湊的產(chǎn)品設(shè)計,因其型式小巧、插芯密度高、有多種角度,可在最小的安裝空間內(nèi)實現(xiàn)優(yōu)良性能。該系列全套系統(tǒng)包括插拔自鎖或易分離式連接器、帶相應(yīng)組裝的電纜,以及機械或視覺編碼定位。
01
產(chǎn)品特性
- 可達1000 V AC的高電壓解決方案
- 符合誤觸防護標(biāo)準(zhǔn)IEC 60601–1 (最多2個MOPP/2個MOOP)
- 安裝及維護的工作量極小
- 可傳輸多種介質(zhì)
- 雖有塑料外殼,仍可完全消毒
02
適用范圍
2
產(chǎn)品二:安森美1200V M3S系列SiC MOSFET
安森美M3S 1200V M3S系列SiC MOSFET針對快速開關(guān)應(yīng)用進行了優(yōu)化,并提供低22mΩ的漏極-源極導(dǎo)通電阻。M3S系列SiC MOSFET由18V柵極驅(qū)動驅(qū)動時可提供最佳性能,但也可與15V柵極驅(qū)動配合使用。該設(shè)備采用平面技術(shù),可在柵極處于負柵極電壓驅(qū)動和關(guān)斷尖峰狀態(tài)下可靠工作。安森美1200V M3S系列SiC MOSFET采用D2PAK-7L封裝,具有低共源電感。
01
產(chǎn)品特性
- 針對快速開關(guān)應(yīng)用進行了優(yōu)化
- 低開關(guān)損耗
- 在40A、800V條件下,典型接通開關(guān)損耗485μJ
- 18V,性能最佳;15V,兼容IGBT驅(qū)動器電路
- 100%經(jīng)雪崩測試
- 更高的功率密度
- 提高了對意外涌入電壓尖峰或振鈴的耐受能力
02
適用范圍
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原文標(biāo)題:一周新品推薦:ODU MEDI-SNAP連接器和安森美1200V M3S系列SiC MOSFET
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