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合適的比例,讓效率曲線更加優(yōu)美

jf_94163784 ? 來源:jf_94163784 ? 作者:jf_94163784 ? 2023-12-12 05:14 ? 次閱讀

今天我們就為大家分享——在電源設計過程中,如何恰當選擇上下 MOS 管的比例來提高電源的工作效率。

MOS 選擇的困惑

如何選擇合適的 MOS 管內(nèi)阻值一直是電源工程師困擾的問題。

內(nèi)阻選多少才好?

上下管阻值如何分配才能是效率達到最優(yōu)?

wKgaomV3e6-AOvYiAAN9bBQXgMc242.png

芯片的設計中,MOS 管內(nèi)阻的分配也是非常重要的。往往能給 MOS 管的空間就這么大,怎么來合理地分割上下管 MOS 的大小,來優(yōu)化效率也是一件頭痛的事情。

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MOS 的結構和損耗組成

首先讓我們來了解一下 MOS 管的結構。

MOS 管是個多元集成結構,即一個器件由多個MOSFET單元并聯(lián)組成。MOS 管導通時表現(xiàn)為電阻特性,且存在三個寄生電容。所以我們可以把 MOS 單元理解為電容和電阻的并聯(lián)體。MOS 晶元體并聯(lián)數(shù)量越多,導通電阻值就會變得越小,但寄生電容卻會變得越大。小的導通電阻帶來低的導通損耗,但會讓寄生電容變得更大,從而增加開關損耗。

wKgaomV3e7CAAZhEAAKuPWhroog592.png

所以選擇 MOS 最重要的還是要弄清楚導通損耗和開關損耗,找到一個最佳平衡點。

怎么找呢?

板上測試,雖然準確,但需要非常大的工作量,并不現(xiàn)實。

建立精確的數(shù)學模型來分析損耗是一個簡單又快捷的方法。

wKgaomV3e7CAapqqAAMAu-uPPuM735.png

1.導通損耗

首先,我們計算導通損耗,導通損耗的計算相對簡單,流過 MOS 的電流并考慮紋波電流就可算出單周期上的導通損耗。為了模型的準確性,必須要考慮導通內(nèi)阻與溫度之間的修正關系。MOS 內(nèi)阻不是一個固定值,會隨著溫度的升高而變大。找元器件現(xiàn)貨上唯樣商城

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2.開關損耗中的寄生參數(shù)

開關損耗的計算相對復雜,為了得到準確的開關損耗模型,必須考慮下面的兩點因素:

一個是驅(qū)動與主回路共享的寄生電感;

一個是 MOS 寄生電容在不同 DS 電壓下的非線性容值。

wKgZomV3e7GAZzr8AAQnzWP8wy0996.png

3.開關損耗中的開通損耗

開通損耗分為三個階段:

第一階段,上管 MOS 開啟過程,上管的 DS 電壓開始下降,DS 電流開始上升的過程,直到上管 Vds(top) 電壓降到0或上管 Itop 電流上升到輸出電流 Io 值為止結束;

第二階段,反向恢復過程,這個階段到 Itop 到達峰值點結束,之后下管開始建立電壓;

第三階段,震蕩過程,直到上管 Itop 電流不再波動時結束。

wKgaomV3e7GAJRtMAAbBEd6JZM8074.png

4.開關損耗中的關斷損耗

關斷損耗分為兩個階段:

第一階段,Vds 電壓上升和 Ids 電流下降階段,直到 Ids 電流降到0時該階段結束;

第二階段,震蕩過程,直到 Vds 電壓不再震蕩為止。

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數(shù)學模型和分析驗證

了解清楚了電路工作過程的各個損耗后,我們就可以建立數(shù)學模型了。首先設定所需的電路參數(shù)值和上面分析的 MOS 管參數(shù)值及其非線性參數(shù)補償值;然后按時間軸變化描述出各個開關階段的電壓電流波形;再對電壓電流波形做積分就可得到 MOS 管的開關損耗和導通損耗。

wKgaomV3e7KAHT1WAAPwJUJuXE8680.png

模型有了,我們接下來驗證一下模型的準確性,將板子上實際測得的效率曲線和模型的計算結果做對比。計算和測試的效率誤差基本上控制在0.5個百分點以內(nèi)。模型是準確的。

wKgZomV3e7KAZxRqAARJnhhPad8659.png

基于數(shù)學模型工具的MOS選擇

在 MOS 的設計上可以放飛自我了。

我們以10個 100m?內(nèi)阻的 MOS 單晶元為整體,用模型來計算不同配比下的效率曲線,右邊的比例代表單晶元的數(shù)量比例。通過曲線的對比,我們可以很直觀的得出3:7的 MOS 管配比是最適合12V轉(zhuǎn)3.3V,10A 的應用規(guī)格。從這個效率曲線簇中我們也可以發(fā)現(xiàn),同樣單位數(shù)量的 MOS,不同的比例分配會得到不同的效率曲線,找到這個最優(yōu)配比,讓你的效率曲線最優(yōu)化。

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通過模型,我們還可以找到 MOS 管的最優(yōu)內(nèi)阻值。我們不限定 MOS 管的并聯(lián)個數(shù),直接按內(nèi)阻從小到大來計算后可得到損耗關于上下管內(nèi)阻的三維立體圖,損耗的最低點也就是我們效率的最高點。從圖中可以看出,MOS 管的內(nèi)阻并不是越小越好,不同的規(guī)格要求有不同的最優(yōu)內(nèi)阻匹配點。

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我們再做個橫向比較,同樣的輸入輸出規(guī)格,不同的輸出電流點,最優(yōu)的配比也是不一樣的。所以我們要根據(jù)電路的實際應用規(guī)格和要求來優(yōu)化自己的 MOS 配比。

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總結

MOS 的選擇對于電路效率的優(yōu)化非常重要。

精準的數(shù)學模型可以讓 MOS 管的選擇設計變的簡單。為了得到準確的模型,必須考慮電路的這三個非線性寄生參數(shù)。

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審核編輯 黃宇

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