3月20日,2024年中國閃存市場峰會CFMS在深圳前海華僑城JW萬豪酒店盛大召開,三星、SK海力士、美光、鎧俠、長江存儲等內(nèi)存大廠高管紛紛發(fā)表重磅演講,深圳市閃存市場資訊有限公司總經(jīng)理邰煒先生帶來了《存儲周期 激發(fā)潛能》的主題演講,分享2023年存儲市場發(fā)展趨勢和2024年存儲市場價格和主要應用市場產(chǎn)品走向。
圖:深圳市閃存市場資訊有限公司總經(jīng)理邰煒
2024年存儲市場規(guī)模將增長42%,NAND Flash與DRAM容量需求變化
邰煒指出,存儲的市場規(guī)模在經(jīng)歷了兩年的下滑后,今年開始重新回到正軌,在加上先進技術以及新興市場的應用,預計今年市場規(guī)模相比去年將提升至少42%以上。
從存儲產(chǎn)品分類來看,2024年,NAND FLASH將超過8000億GB單量,相比去年增長20%,DRAM預計增長達15%,將達到2370億GB單量。
從原廠的利潤率來看,在去年Q1觸底后,截止到去年四季度都有可觀的業(yè)績改善。記者獲悉,美光科技業(yè)績在第二財季已經(jīng)比去年同期獲得57%的增長,2024年第1季三星電子(Samsung Electronics)營業(yè)利益預估平均值上看4.7兆韓元(約35億美元),SK海力士也呈現(xiàn)增長信號。國內(nèi)長江存儲看好QLC NAND的增長前景。
邰煒表示,2023年全球NAND Flash供應商的市占率排名中,三星第一,市場份額33%,SK海力士、鎧俠、WDC和美光分別位列第二到第五,市場份額分別為18.2%、17.8%、15%、11%。2023年全球DRAM供應商市占率排名出爐,三星高達41%,位居第一,SK海力士、美光分別列第二到第三,市場份額分別為32%、23%。
三星、SK海力士、鎧俠、長江存儲等存儲芯片原廠在市場份額的競爭上從未停歇,尤其在高利潤的產(chǎn)品線上,各家都會積極推進新技術的發(fā)展,令整個產(chǎn)業(yè)保持持續(xù)向上的發(fā)展。
AI技術和應用,激發(fā)存儲產(chǎn)品從架構到制程上的變革
從現(xiàn)貨市場價格看,2023年三季度開始三星等存儲芯片原廠減產(chǎn)并強勢拉漲價格,價格迎來全面反彈,今年第一季度再次大漲。 2024年隨著NAND Flash價格反轉,供應商的庫存水位也開始逐步降低。
邰煒預測,今年后續(xù)三個季度的價格將保持平穩(wěn)向上的趨勢。他指出,存儲是一個周期性的行業(yè),回顧2019-2023這一輪周期變化,經(jīng)歷了供過于求-疫情-缺貨-庫存-超跌等等,最后以原廠主動減產(chǎn)結束。吸取以往發(fā)展過程的教訓,展望2024年到2026年,原廠和應用廠商聚焦新技術和AI應用來激發(fā)存儲產(chǎn)品成長的潛能。
從制程上看,首先在NAND FLASH堆疊技術上,各大原廠繼續(xù)推進更高堆疊的產(chǎn)品,三星和美光最積極,預估兩家原廠于今年第四季時,200層以上的產(chǎn)品會達到40%,今年不少廠商已經(jīng)朝300層推進,意味著閃存產(chǎn)品的容量將繼續(xù)提高。
從架構上看,鍵合技術開始逐步進入主流,它具備兩大優(yōu)勢:一是這種架構的產(chǎn)品隨著堆疊層數(shù)的提升,成本將更具有優(yōu)勢;二、鍵合技術技術架構可以將更多特性設計到NAND FLASH里,有利于產(chǎn)品創(chuàng)新。
他還指出,隨著更多的產(chǎn)品對存儲的容量要求日趨增大,預計今年QLC的應用將開始加速,除了傳統(tǒng)的SSD產(chǎn)品上,其他的應用領域將開始得到全面的擴展。
在DRAM領域,DRAM技術全面進入EUV時代。三星在2021年和2022年采用1a nmEUV,2023年采用1b nm EUV,2024年預計將采用1c nm EUV推出全新DRAM產(chǎn)品。
存儲芯片在三大應用領域擴展,汽車成為存儲潛力增長市場
從行業(yè)應用來看,2024年PC、服務器、手機對內(nèi)存的需求占比不同,但是2024年三大核心應用已基本上突破了黑暗期, 隨著AI手機、AI PC、AI服務器需求持續(xù)轉暖,這三大領域終端的成長帶動相配套的存儲的產(chǎn)品增長。此外,以汽車為代表的新興市場也在快速增加。
CFM閃存市場預測,2024年手機存儲需求同比去年增長4%,PC市場存儲需求同比增長8%,服務器市場存儲需求同比增長4%。
在智能手機市場,手機UFS市占率進一步提升,UFS4.0增長更加顯著。高端機型已經(jīng)基本上進入512G以及TB時代,預計今年的手機平均容量將超過200G,在內(nèi)存上快速想更高性能的LPDDR5演進,預計全年DRAM平均容量將超過7G。
AI手機已經(jīng)成為手機新的增長點,16G的 DRAM將是AI手機的最低配置,后續(xù)將有力的推動手機存儲再升級。
在PC市場,去年整機需求下降導致消費類SSD需求下滑,今年隨著存儲價格下跌,大容量SSD的高性價受到市場關注,SSD迎來了價格甜蜜點,去年1TB PCIe4.0已基本是PC市場的主流配置。
在PC DRAM方面,由于更輕薄、長續(xù)航以及LPCAMM新形態(tài)產(chǎn)品在PC上的應用發(fā)展,預計LPDDR5將迎來迅速發(fā)展。隨著新處理器平臺的導入DDR5在2024年PC上的應用會明顯增加。
AI PC預計到2024年會迎來應用的破局,與傳統(tǒng)PC不同,AI PC最重要的是嵌入了AI芯片,形成“CPU+GPU+NPU”的異構方案。可以支持本地化AI模型,所以需要更快的數(shù)據(jù)傳輸速度、更大的存儲容量和帶寬,主要會帶動LPDDR5x和LPDDR5T產(chǎn)品的需求。
Sever SSD方面,為滿足更高容量、更好性能的應用需求,2024年server PCIe5.0 SSD的滲透率將較2023年翻倍成長,在容量上更多8TB/16TB及以上PCIe SSD在服務器市場上的應用增加。
隨著大模型的快速爆發(fā),加速了對AI服務器需求,AI服務器中搭載高容量HBM,以及對DDR5的容量需求是普通服務器的2-4倍。目前高端AI服務器GPU搭載HBM芯片已成主流。邰煒表示,HBM占據(jù)著極大的利潤空間,也是各原廠的必爭之地。根據(jù)各原廠的規(guī)劃,2024年將正式進入到HBM3e的量產(chǎn)。
據(jù)悉,今年以來,三星電子發(fā)布首款12層堆疊HBM3E 12H,成為三星目前容量最大的HBM產(chǎn)品。美光宣布已經(jīng)開始批量生產(chǎn)HBM3E解決方案,美光24GB 8H HBM3E將成為NVIDIA H200 Tensor Core GPU的一部分,這款產(chǎn)品在2024年第二季度開始發(fā)貨。三星HBM3E 12H產(chǎn)品支持全天候最高帶寬達到1280GB/s,產(chǎn)品容量達到36GB,相比8層堆疊HBM3 8H,HBM3E 12H在帶寬和容量上大幅提升50%。三星的產(chǎn)品已經(jīng)進入英偉達鑒定產(chǎn)品序列。
汽車作為下一個存儲的主力應用正發(fā)生顯著變化。ADAS進入質(zhì)變階段,伴隨著L3級及以上自動駕駛汽車在逐步落地,汽車對存儲的性能和容量的要求也將急劇加大,單車存儲容量將很快進入TB時代,另外在性能上、可靠性上汽車都會對存儲提出越來越多的要求,預計到2030年整個汽車市場規(guī)模將超過150億美元。
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