據(jù)悉,三星電子已針對其高帶寬存儲器(HBM)內(nèi)存部門進行重大改革,旨在提高公司在此項業(yè)務(wù)中的競爭力。
據(jù)此,現(xiàn)有的DRAM設(shè)計團隊將主要負責(zé)HBM3E內(nèi)存的開發(fā)和優(yōu)化,而今年三月份新設(shè)立的HBM產(chǎn)能與質(zhì)量提升團隊則專攻下一代技術(shù)——HBM4。
該戰(zhàn)略的核心是由DRAM開發(fā)副總裁黃成允領(lǐng)銜的全新HBM開發(fā)團隊,他們直接向存儲業(yè)務(wù)部總裁李禎培報告,同時三星已將部分人才調(diào)配至此。
作為AI計算芯片的重要組成部分,HBM內(nèi)存一直備受關(guān)注。HBM4內(nèi)存將在多方面做出創(chuàng)新,包括堆疊層數(shù)增加到12或16層,以及Base Die的定制化等,這些都將加大研發(fā)難度。
值得注意的是,SK海力士已經(jīng)將其HBM4內(nèi)存的12層堆疊版的量產(chǎn)時間提前到了2025年下半年,而三星電子則預(yù)計在2026年實現(xiàn)這一目標。
此次三星組建HBM4獨立團隊,旨在解決內(nèi)存開發(fā)難題,縮短開發(fā)周期,從而在HBM4節(jié)點重新確立競爭優(yōu)勢,并有望從SK海力士手中奪回市場份額。
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