美光預(yù)測(cè)AI需求將大幅增長(zhǎng),計(jì)劃2025年投產(chǎn)EUV DRAM

隨著人工智能技術(shù)日益普及，從云端服務(wù)器拓展至消費(fèi)級(jí)設(shè)備，對(duì)高級(jí)內(nèi)存的需求持續(xù)攀升。鑒于此趨勢(shì)，美光科技已將其高帶寬內(nèi)存（HBM）的全部產(chǎn)能規(guī)劃至2025年。美光科技的中國(guó)臺(tái)灣業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人兼公司副總裁Donghui Lu指出，公司正積極應(yīng)對(duì)AI需求的激增，并預(yù)測(cè)到2025年，其產(chǎn)品性能將實(shí)現(xiàn)顯著提升。

Donghui Lu特別提到，大型語(yǔ)言模型的涌現(xiàn)，對(duì)內(nèi)存及存儲(chǔ)解決方案提出了前所未有的需求。作為存儲(chǔ)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)之一，美光科技完全具備把握這一增長(zhǎng)機(jī)遇的能力。盡管近期AI領(lǐng)域的投資激增，主要用于新建支持大型語(yǔ)言模型的數(shù)據(jù)中心，但這一基礎(chǔ)設(shè)施仍在逐步完善中，預(yù)計(jì)需數(shù)年時(shí)間才能全面成型。

美光科技預(yù)計(jì)，AI的下一波增長(zhǎng)將源自其在智能手機(jī)、個(gè)人電腦等消費(fèi)設(shè)備中的廣泛應(yīng)用。這一趨勢(shì)將促使存儲(chǔ)容量大幅提升，以更好地支撐AI應(yīng)用的運(yùn)行。Donghui Lu介紹稱，HBM融合了先進(jìn)封裝技術(shù)，集成了前端（晶圓制造）與后端（封裝和測(cè)試）工藝，為行業(yè)帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)。

在競(jìng)爭(zhēng)激烈的存儲(chǔ)市場(chǎng)中，企業(yè)研發(fā)與推出新產(chǎn)品的速度至關(guān)重要。Donghui Lu解釋說(shuō)，HBM的生產(chǎn)可能會(huì)對(duì)傳統(tǒng)內(nèi)存生產(chǎn)造成沖擊，因?yàn)槊總€(gè)HBM芯片都需要多個(gè)傳統(tǒng)內(nèi)存芯片，這可能會(huì)對(duì)整體行業(yè)產(chǎn)能構(gòu)成壓力。他強(qiáng)調(diào)，內(nèi)存行業(yè)供需之間的微妙平衡是亟待解決的關(guān)鍵問題，并警告稱，生產(chǎn)過(guò)剩可能引發(fā)價(jià)格戰(zhàn)，進(jìn)而導(dǎo)致行業(yè)衰退。

Donghui Lu還著重強(qiáng)調(diào)了中國(guó)臺(tái)灣在美光AI業(yè)務(wù)中的核心地位，指出公司在中國(guó)臺(tái)灣的研發(fā)團(tuán)隊(duì)與制造設(shè)施對(duì)于HBM3E的開發(fā)與生產(chǎn)具有舉足輕重的作用。美光的HBM3E產(chǎn)品通常與臺(tái)積電的CoWoS技術(shù)相結(jié)合，這種緊密合作帶來(lái)了顯著優(yōu)勢(shì)。

鑒于極紫外光刻（EUV）技術(shù)對(duì)于提升存儲(chǔ)芯片性能與密度的重要性，美光已決定推遲在1α和1β節(jié)點(diǎn)的應(yīng)用，轉(zhuǎn)而優(yōu)先關(guān)注性能與成本效益。Donghui Lu指出，EUV設(shè)備成本高昂且技術(shù)復(fù)雜，需要制造過(guò)程進(jìn)行重大調(diào)整以適應(yīng)。美光的主要目標(biāo)是以具有競(jìng)爭(zhēng)力的成本生產(chǎn)高性能存儲(chǔ)產(chǎn)品，推遲采用EUV將有助于更有效地實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。

美光一直聲稱，其8層和12層HBM3E產(chǎn)品的功耗比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手低30%。公司計(jì)劃于2025年在中國(guó)臺(tái)灣大規(guī)模生產(chǎn)采用EUV技術(shù)的1γ節(jié)點(diǎn)產(chǎn)品。此外，美光還計(jì)劃在日本廣島工廠引入EUV技術(shù)，盡管時(shí)間稍晚。