芯片的設(shè)計(jì)、制造和封測(cè)

復(fù)雜繁瑣的芯片設(shè)計(jì)流程

芯片制造的過(guò)程就如同用樂(lè)高蓋房子一樣，先有晶圓作為地基，再層層往上疊的芯片制造流程后，就可產(chǎn)出必要的 IC 芯片（這些會(huì)在后面介紹）。然而，沒有設(shè)計(jì)圖，擁有再?gòu)?qiáng)制造能力都沒有用，因此，建筑師的角色相當(dāng)重要。但是 IC 設(shè)計(jì)中的建筑師究竟是誰(shuí)呢？本文接下來(lái)要針對(duì) IC 設(shè)計(jì)做介紹。

在 IC 生產(chǎn)流程中，IC 多由專業(yè) IC 設(shè)計(jì)公司進(jìn)行規(guī)劃、設(shè)計(jì)，像是聯(lián)發(fā)科、高通、Intel 等知名大廠，都自行設(shè)計(jì)各自的 IC 芯片，提供不同規(guī)格、效能的芯片給下游廠商選擇。因?yàn)?IC 是由各廠自行設(shè)計(jì)，所以 IC 設(shè)計(jì)十分仰賴工程師的技術(shù)，工程師的素質(zhì)影響著一間企業(yè)的價(jià)值。然而，工程師們?cè)谠O(shè)計(jì)一顆 IC 芯片時(shí)，究竟有那些步驟？設(shè)計(jì)流程可以簡(jiǎn)單分成如下。

設(shè)計(jì)第一步，訂定目標(biāo)

在 IC 設(shè)計(jì)中，最重要的步驟就是規(guī)格制定。這個(gè)步驟就像是在設(shè)計(jì)建筑前，先決定要幾間房間、浴室，有什么建筑法規(guī)需要遵守，在確定好所有的功能之后在進(jìn)行設(shè)計(jì)，這樣才不用再花額外的時(shí)間進(jìn)行后續(xù)修改。IC 設(shè)計(jì)也需要經(jīng)過(guò)類似的步驟，才能確保設(shè)計(jì)出來(lái)的芯片不會(huì)有任何差錯(cuò)。

規(guī)格制定的第一步便是確定 IC 的目的、效能為何，對(duì)大方向做設(shè)定。接著是察看有哪些協(xié)定要符合，像無(wú)線網(wǎng)卡的芯片就需要符合 IEEE 802.11 等規(guī)範(fàn)，不然，這芯片將無(wú)法和市面上的產(chǎn)品相容，使它無(wú)法和其他設(shè)備連線。最后則是確立這顆 IC 的實(shí)作方法，將不同功能分配成不同的單元，并確立不同單元間連結(jié)的方法，如此便完成規(guī)格的制定。

設(shè)計(jì)完規(guī)格后，接著就是設(shè)計(jì)芯片的細(xì)節(jié)了。這個(gè)步驟就像初步記下建筑的規(guī)畫，將整體輪廓描繪出來(lái)，方便后續(xù)制圖。在 IC 芯片中，便是使用硬體描述語(yǔ)言（HDL）將電路描寫出來(lái)。常使用的 HDL 有 Verilog、VHDL 等，藉由程式碼便可輕易地將一顆 IC 地功能表達(dá)出來(lái)。接著就是檢查程式功能的正確性并持續(xù)修改，直到它滿足期望的功能為止。▲ 32 bits 加法器的 Verilog 范例。

有了電腦，事情都變得容易

有了完整規(guī)畫后，接下來(lái)便是畫出平面的設(shè)計(jì)藍(lán)圖。在 IC 設(shè)計(jì)中，邏輯合成這個(gè)步驟便是將確定無(wú)誤的 HDL code，放入電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化工具（EDA tool），讓電腦將 HDL code 轉(zhuǎn)換成邏輯電路，產(chǎn)生如下的電路圖。之后，反覆的確定此邏輯閘設(shè)計(jì)圖是否符合規(guī)格并修改，直到功能正確為止。▲ 控制單元合成后的結(jié)果。

最后，將合成完的程式碼再放入另一套 EDA tool，進(jìn)行電路布局與繞線（Place And Route）。在經(jīng)過(guò)不斷的檢測(cè)后，便會(huì)形成如下的電路圖。圖中可以看到藍(lán)、紅、綠、黃等不同顏色，每種不同的顏色就代表著一張光罩。至于光罩究竟要如何運(yùn)用呢？▲ 常用的演算芯片- FFT 芯片，完成電路布局與繞線的結(jié)果。

層層光罩，疊起一顆芯片

首先，目前已經(jīng)知道一顆 IC 會(huì)產(chǎn)生多張的光罩，這些光罩有上下層的分別，每層有各自的任務(wù)。下圖為簡(jiǎn)單的光罩例子，以積體電路中最基本的元件 CMOS 為範(fàn)例，CMOS 全名為互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體（Complementary metal–oxide–semiconductor），也就是將 NMOS 和 PMOS 兩者做結(jié)合，形成 CMOS。至于什么是金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）？這種在芯片中廣泛使用的元件比較難說(shuō)明，一般讀者也較難弄清，在這裡就不多加細(xì)究。

下圖中，左邊就是經(jīng)過(guò)電路布局與繞線后形成的電路圖，在前面已經(jīng)知道每種顏色便代表一張光罩。右邊則是將每張光罩?jǐn)傞_的樣子。制作是，便由底層開始，依循上一篇 IC 芯片的制造中所提的方法，逐層制作，最后便會(huì)產(chǎn)生期望的芯片了。至此，對(duì)于 IC 設(shè)計(jì)應(yīng)該有初步的了解，整體看來(lái)就很清楚 IC 設(shè)計(jì)是一門非常復(fù)雜的專業(yè)，也多虧了電腦輔助軟體的成熟，讓 IC 設(shè)計(jì)得以加速。IC 設(shè)計(jì)廠十分依賴工程師的智慧，這裡所述的每個(gè)步驟都有其專門的知識(shí)，皆可獨(dú)立成多門專業(yè)的課程，像是撰寫硬體描述語(yǔ)言就不單純的只需要熟悉程式語(yǔ)言，還需要了解邏輯電路是如何運(yùn)作、如何將所需的演算法轉(zhuǎn)換成程式、合成軟體是如何將程式轉(zhuǎn)換成邏輯閘等問(wèn)題。

什么是晶圓？

在半導(dǎo)體的新聞中，總是會(huì)提到以尺寸標(biāo)示的晶圓廠，如 8 寸或是 12 寸晶圓廠，然而，所謂的晶圓到底是什么東西？其中 8 寸指的是什么部分？要產(chǎn)出大尺寸的晶圓制造又有什么難度呢？以下將逐步介紹半導(dǎo)體最重要的基礎(chǔ)——「晶圓」到底是什么。

晶圓（wafer），是制造各式電腦芯片的基礎(chǔ)。我們可以將芯片制造比擬成用樂(lè)高積木蓋房子，藉由一層又一層的堆疊，完成自己期望的造型（也就是各式芯片）。然而，如果沒有良好的地基，蓋出來(lái)的房子就會(huì)歪來(lái)歪去，不合自己所意，為了做出完美的房子，便需要一個(gè)平穩(wěn)的基板。對(duì)芯片制造來(lái)說(shuō)，這個(gè)基板就是接下來(lái)將描述的晶圓。

（Souse：Flickr/Jonathan Stewart CC BY 2.0）

首先，先回想一下小時(shí)候在玩樂(lè)高積木時(shí)，積木的表面都會(huì)有一個(gè)一個(gè)小小圓型的凸出物，藉由這個(gè)構(gòu)造，我們可將兩塊積木穩(wěn)固的疊在一起，且不需使用膠水。芯片制造，也是以類似這樣的方式，將后續(xù)添加的原子和基板固定在一起。因此，我們需要尋找表面整齊的基板，以滿足后續(xù)制造所需的條件。

在固體材料中，有一種特殊的晶體結(jié)構(gòu)──單晶（Monocrystalline）。它具有原子一個(gè)接著一個(gè)緊密排列在一起的特性，可以形成一個(gè)平整的原子表層。因此，采用單晶做成晶圓，便可以滿足以上的需求。然而，該如何產(chǎn)生這樣的材料呢，主要有二個(gè)步驟，分別為純化以及拉晶，之后便能完成這樣的材料。

如何制造單晶的晶圓

純化分成兩個(gè)階段，第一步是冶金級(jí)純化，此一過(guò)程主要是加入碳，以氧化還原的方式，將氧化硅轉(zhuǎn)換成 98% 以上純度的硅。大部份的金屬提煉，像是鐵或銅等金屬，皆是采用這樣的方式獲得足夠純度的金屬。但是，98% 對(duì)于芯片制造來(lái)說(shuō)依舊不夠，仍需要進(jìn)一步提升。因此，將再進(jìn)一步采用西門子制程（Siemens process）作純化，如此，將獲得半導(dǎo)體制程所需的高純度多晶硅。

▲ 硅柱制造流程（Source： Wikipedia）

接著，就是拉晶的步驟。首先，將前面所獲得的高純度多晶硅融化，形成液態(tài)的硅。之后，以單晶的硅種（seed）和液體表面接觸，一邊旋轉(zhuǎn)一邊緩慢的向上拉起。至于為何需要單晶的硅種，是因?yàn)楣柙优帕芯秃腿伺抨?duì)一樣，會(huì)需要排頭讓后來(lái)的人該如何正確的排列，硅種便是重要的排頭，讓后來(lái)的原子知道該如何排隊(duì)。最后，待離開液面的硅原子凝固后，排列整齊的單晶硅柱便完成了。

▲ 單晶硅柱（Souse：Wikipedia）

然而，8寸、12寸又代表什么東西呢？他指的是我們產(chǎn)生的晶柱，長(zhǎng)得像鉛筆筆桿的部分，表面經(jīng)過(guò)處理并切成薄圓片后的直徑。至于制造大尺寸晶圓又有什么難度呢？如前面所說(shuō)，晶柱的制作過(guò)程就像是在做棉花糖一樣，一邊旋轉(zhuǎn)一邊成型。有制作過(guò)棉花糖的話，應(yīng)該都知道要做出大而且扎實(shí)的棉花糖是相當(dāng)困難的，而拉晶的過(guò)程也是一樣，旋轉(zhuǎn)拉起的速度以及溫度的控制都會(huì)影響到晶柱的品質(zhì)。也因此，尺寸愈大時(shí)，拉晶對(duì)速度與溫度的要求就更高，因此要做出高品質(zhì) 12 寸晶圓的難度就比 8 寸晶圓還來(lái)得高。

只是，一整條的硅柱并無(wú)法做成芯片制造的基板，為了產(chǎn)生一片一片的硅晶圓，接著需要以鉆石刀將硅晶柱橫向切成圓片，圓片再經(jīng)由拋光便可形成芯片制造所需的硅晶圓。經(jīng)過(guò)這么多步驟，芯片基板的制造便大功告成，下一步便是堆疊房子的步驟，也就是芯片制造。至于該如何制作芯片呢？

層層堆疊打造的芯片

在介紹過(guò)硅晶圓是什么東西后，同時(shí)，也知道制造 IC 芯片就像是用樂(lè)高積木蓋房子一樣，藉由一層又一層的堆疊，創(chuàng)造自己所期望的造型。然而，蓋房子有相當(dāng)多的步驟，IC 制造也是一樣，制造 IC 究竟有哪些步驟？本文將將就 IC 芯片制造的流程做介紹。

在開始前，我們要先認(rèn)識(shí) IC 芯片是什么。IC，全名積體電路（Integrated Circuit），由它的命名可知它是將設(shè)計(jì)好的電路，以堆疊的方式組合起來(lái)。藉由這個(gè)方法，我們可以減少連接電路時(shí)所需耗費(fèi)的面積。下圖為 IC 電路的 3D 圖，從圖中可以看出它的結(jié)構(gòu)就像房子的樑和柱，一層一層堆疊，這也就是為何會(huì)將 IC 制造比擬成蓋房子。

▲ IC 芯片的 3D 剖面圖。（Source：Wikipedia）

從上圖中 IC 芯片的 3D 剖面圖來(lái)看，底部深藍(lán)色的部分就是上一篇介紹的晶圓，從這張圖可以更明確的知道，晶圓基板在芯片中扮演的角色是何等重要。至于紅色以及土黃色的部分，則是于 IC 制作時(shí)要完成的地方。

首先，在這裡可以將紅色的部分比擬成高樓中的一樓大廳。一樓大廳，是一棟房子的門戶，出入都由這裡，在掌握交通下通常會(huì)有較多的機(jī)能性。因此，和其他樓層相比，在興建時(shí)會(huì)比較復(fù)雜，需要較多的步驟。在 IC 電路中，這個(gè)大廳就是邏輯閘層，它是整顆 IC 中最重要的部分，藉由將多種邏輯閘組合在一起，完成功能齊全的 IC 芯片。

黃色的部分，則像是一般的樓層。和一樓相比，不會(huì)有太復(fù)雜的構(gòu)造，而且每層樓在興建時(shí)也不會(huì)有太多變化。這一層的目的，是將紅色部分的邏輯閘相連在一起。之所以需要這么多層，是因?yàn)橛刑嗑€路要連結(jié)在一起，在單層無(wú)法容納所有的線路下，就要多疊幾層來(lái)達(dá)成這個(gè)目標(biāo)了。在這之中，不同層的線路會(huì)上下相連以滿足接線的需求。

分層施工，逐層架構(gòu)

知道 IC 的構(gòu)造后，接下來(lái)要介紹該如何制作。試想一下，如果要以油漆噴罐做精細(xì)作圖時(shí)，我們需先割出圖形的遮蓋板，蓋在紙上。接著再將油漆均勻地噴在紙上，待油漆乾后，再將遮板拿開。不斷的重復(fù)這個(gè)步驟后，便可完成整齊且復(fù)雜的圖形。制造 IC 就是以類似的方式，藉由遮蓋的方式一層一層的堆疊起來(lái)。

制作 IC 時(shí)，可以簡(jiǎn)單分成以上 4 種步驟。雖然實(shí)際制造時(shí)，制造的步驟會(huì)有差異，使用的材料也有所不同，但是大體上皆采用類似的原理。這個(gè)流程和油漆作畫有些許不同，IC 制造是先涂料再加做遮蓋，油漆作畫則是先遮蓋再作畫。以下將介紹各流程。

金屬濺鍍：將欲使用的金屬材料均勻?yàn)⒃诰A片上，形成一薄膜。

涂布光阻：先將光阻材料放在晶圓片上，透過(guò)光罩（光罩原理留待下次說(shuō)明），將光束打在不要的部分上，破壞光阻材料結(jié)構(gòu)。接著，再以化學(xué)藥劑將被破壞的材料洗去。

蝕刻技術(shù)：將沒有受光阻保護(hù)的硅晶圓，以離子束蝕刻。

光阻去除：使用去光阻液皆剩下的光阻溶解掉，如此便完成一次流程。

最后便會(huì)在一整片晶圓上完成很多 IC 芯片，接下來(lái)只要將完成的方形 IC 芯片剪下，便可送到封裝廠做封裝，至于封裝廠是什么東西？就要待之后再做說(shuō)明啰。▲ 各種尺寸晶圓的比較。（Source：Wikipedia）

納米制程是什么？

三星以及臺(tái)積電在先進(jìn)半導(dǎo)體制程打得相當(dāng)火熱，彼此都想要在晶圓代工中搶得先機(jī)以爭(zhēng)取訂單，幾乎成了 14 納米與 16 納米之爭(zhēng)，然而 14 納米與 16 納米這兩個(gè)數(shù)字的究竟意義為何，指的又是哪個(gè)部位？而在縮小制程后又將來(lái)帶來(lái)什么好處與難題？以下我們將就納米制程做簡(jiǎn)單的說(shuō)明。

納米到底有多細(xì)微？

在開始之前，要先了解納米究竟是什么意思。在數(shù)學(xué)上，納米是 0.000000001 公尺，但這是個(gè)相當(dāng)差的例子，畢竟我們只看得到小數(shù)點(diǎn)后有很多個(gè)零，卻沒有實(shí)際的感覺。如果以指甲厚度做比較的話，或許會(huì)比較明顯。

用尺規(guī)實(shí)際測(cè)量的話可以得知指甲的厚度約為 0.0001 公尺（0.1 毫米），也就是說(shuō)試著把一片指甲的側(cè)面切成 10 萬(wàn)條線，每條線就約等同于 1 納米，由此可略為想像得到 1 納米是何等的微小了。

知道納米有多小之后，還要理解縮小制程的用意，縮小電晶體的最主要目的，就是可以在更小的芯片中塞入更多的電晶體，讓芯片不會(huì)因技術(shù)提升而變得更大；其次，可以增加處理器的運(yùn)算效率；再者，減少體積也可以降低耗電量；最后，芯片體積縮小后，更容易塞入行動(dòng)裝置中，滿足未來(lái)輕薄化的需求。

再回來(lái)探究納米制程是什么，以 14 納米為例，其制程是指在芯片中，線最小可以做到 14 納米的尺寸，下圖為傳統(tǒng)電晶體的長(zhǎng)相，以此作為例子。縮小電晶體的最主要目的就是為了要減少耗電量，然而要縮小哪個(gè)部分才能達(dá)到這個(gè)目的？左下圖中的 L 就是我們期望縮小的部分。藉由縮小閘極長(zhǎng)度，電流可以用更短的路徑從 Drain 端到 Source 端（有興趣的話可以利用 Google 以 MOSFET 搜尋，會(huì)有更詳細(xì)的解釋）。

（Source：www.slideshare.net）

此外，電腦是以 0 和 1 作運(yùn)算，要如何以電晶體滿足這個(gè)目的呢？做法就是判斷電晶體是否有電流流通。當(dāng)在 Gate 端（綠色的方塊）做電壓供給，電流就會(huì)從 Drain 端到 Source 端，如果沒有供給電壓，電流就不會(huì)流動(dòng)，這樣就可以表示 1 和 0。（至于為什么要用 0 和 1 作判斷，有興趣的話可以去查布林代數(shù)，我們是使用這個(gè)方法作成電腦的）

尺寸縮小有其物理限制

不過(guò)，制程并不能無(wú)限制的縮小，當(dāng)我們將電晶體縮小到 20 納米左右時(shí)，就會(huì)遇到量子物理中的問(wèn)題，讓電晶體有漏電的現(xiàn)象，抵銷縮小 L 時(shí)獲得的效益。作為改善方式，就是導(dǎo)入 FinFET（Tri-Gate）這個(gè)概念，如右上圖。在 Intel 以前所做的解釋中，可以知道藉由導(dǎo)入這個(gè)技術(shù)，能減少因物理現(xiàn)象所導(dǎo)致的漏電現(xiàn)象。

（Source：www.slideshare.net）

更重要的是，藉由這個(gè)方法可以增加 Gate 端和下層的接觸面積。在傳統(tǒng)的做法中（左上圖），接觸面只有一個(gè)平面，但是采用 FinFET（Tri-Gate）這個(gè)技術(shù)后，接觸面將變成立體，可以輕易的增加接觸面積，這樣就可以在保持一樣的接觸面積下讓 Source-Drain 端變得更小，對(duì)縮小尺寸有相當(dāng)大的幫助。

最后，則是為什么會(huì)有人說(shuō)各大廠進(jìn)入 10 納米制程將面臨相當(dāng)嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，主因是 1 顆原子的大小大約為 0.1 納米，在 10 納米的情況下，一條線只有不到 100 顆原子，在制作上相當(dāng)困難，而且只要有一個(gè)原子的缺陷，像是在制作過(guò)程中有原子掉出或是有雜質(zhì)，就會(huì)產(chǎn)生不知名的現(xiàn)象，影響產(chǎn)品的良率。

如果無(wú)法想像這個(gè)難度，可以做個(gè)小實(shí)驗(yàn)。在桌上用 100 個(gè)小珠子排成一個(gè) 10×10 的正方形，并且剪裁一張紙蓋在珠子上，接著用小刷子把旁邊的的珠子刷掉，最后使他形成一個(gè) 10×5 的長(zhǎng)方形。這樣就可以知道各大廠所面臨到的困境，以及達(dá)成這個(gè)目標(biāo)究竟是多么艱巨。

隨著三星以及臺(tái)積電在近期將完成 14 納米、16 納米 FinFET 的量產(chǎn)，兩者都想爭(zhēng)奪 Apple 下一代的 iPhone 芯片代工，我們將看到相當(dāng)精彩的商業(yè)競(jìng)爭(zhēng)，同時(shí)也將獲得更加省電、輕薄的手機(jī)，要感謝摩爾定律所帶來(lái)的好處呢。

告訴你什么是封裝

經(jīng)過(guò)漫長(zhǎng)的流程，從設(shè)計(jì)到制造，終于獲得一顆 IC 芯片了。然而一顆芯片相當(dāng)小且薄，如果不在外施加保護(hù)，會(huì)被輕易的刮傷損壞。此外，因?yàn)樾酒某叽缥⑿?，如果不用一個(gè)較大尺寸的外殼，將不易以人工安置在電路板上。因此，本文接下來(lái)要針對(duì)封裝加以描述介紹。

目前常見的封裝有兩種，一種是電動(dòng)玩具內(nèi)常見的，黑色長(zhǎng)得像蜈蚣的 DIP 封裝，另一為購(gòu)買盒裝 CPU 時(shí)常見的 BGA 封裝。至于其他的封裝法，還有早期 CPU 使用的 PGA（Pin Grid Array；Pin Grid Array）或是 DIP 的改良版 QFP（塑料方形扁平封裝）等。因?yàn)橛刑喾N封裝法，以下將對(duì) DIP 以及 BGA 封裝做介紹。

傳統(tǒng)封裝，歷久不衰

首先要介紹的是雙排直立式封裝（Dual Inline Package；DIP），從下圖可以看到采用此封裝的 IC 芯片在雙排接腳下，看起來(lái)會(huì)像條黑色蜈蚣，讓人印象深刻，此封裝法為最早采用的 IC 封裝技術(shù)，具有成本低廉的優(yōu)勢(shì)，適合小型且不需接太多線的芯片。但是，因?yàn)榇蠖嗖捎玫氖撬芰?，散熱效果較差，無(wú)法滿足現(xiàn)行高速芯片的要求。因此，使用此封裝的，大多是歷久不衰的芯片，如下圖中的 OP741，或是對(duì)運(yùn)作速度沒那么要求且芯片較小、接孔較少的 IC 芯片。

▲ 左圖的 IC 芯片為 OP741，是常見的電壓放大器。右圖為它的剖面圖，這個(gè)封裝是以金線將芯片接到金屬接腳（Leadframe）。（Source ：左圖 Wikipedia、右圖 Wikipedia）

至于球格陣列（Ball Grid Array，BGA）封裝，和 DIP 相比封裝體積較小，可輕易的放入體積較小的裝置中。此外，因?yàn)榻幽_位在芯片下方，和 DIP 相比，可容納更多的金屬接腳

相當(dāng)適合需要較多接點(diǎn)的芯片。然而，采用這種封裝法成本較高且連接的方法較復(fù)雜，因此大多用在高單價(jià)的產(chǎn)品上。

▲ 左圖為采用 BGA 封裝的芯片。右圖為使用覆晶封裝的 BGA 示意圖。（Source： 左圖 Wikipedia）行動(dòng)裝置興起，新技術(shù)躍上舞臺(tái)

然而，使用以上這些封裝法，會(huì)耗費(fèi)掉相當(dāng)大的體積。像現(xiàn)在的行動(dòng)裝置、穿戴裝置等，需要相當(dāng)多種元件，如果各個(gè)元件都獨(dú)立封裝，組合起來(lái)將耗費(fèi)非常大的空間，因此目前有兩種方法，可滿足縮小體積的要求，分別為 SoC（System On Chip）以及 SiP（System In Packet）。

在智慧型手機(jī)剛興起時(shí)，在各大財(cái)經(jīng)雜誌上皆可發(fā)現(xiàn) SoC 這個(gè)名詞，然而 SoC 究竟是什么東西？簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，就是將原本不同功能的 IC，整合在一顆芯片中。藉由這個(gè)方法，不單可以縮小體積，還可以縮小不同 IC 間的距離，提升芯片的計(jì)算速度。至于制作方法，便是在 IC 設(shè)計(jì)階段時(shí)，將各個(gè)不同的 IC 放在一起，再透過(guò)先前介紹的設(shè)計(jì)流程，制作成一張光罩。

然而，SoC 并非只有優(yōu)點(diǎn)，要設(shè)計(jì)一顆 SoC 需要相當(dāng)多的技術(shù)配合。IC 芯片各自封裝時(shí)，各有封裝外部保護(hù)，且 IC 與 IC 間的距離較遠(yuǎn)，比較不會(huì)發(fā)生交互干擾的情形。但是，當(dāng)將所有 IC 都包裝在一起時(shí)，就是噩夢(mèng)的開始。IC 設(shè)計(jì)廠要從原先的單純?cè)O(shè)計(jì) IC，變成了解并整合各個(gè)功能的 IC，增加工程師的工作量。此外，也會(huì)遇到很多的狀況，像是通訊芯片的高頻訊號(hào)可能會(huì)影響其他功能的 IC 等情形。

此外，SoC 還需要獲得其他廠商的 IP（intellectual property）授權(quán)，才能將別人設(shè)計(jì)好的元件放到 SoC 中。因?yàn)橹谱?SoC 需要獲得整顆 IC 的設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)，才能做成完整的光罩，這同時(shí)也增加了 SoC 的設(shè)計(jì)成本?；蛟S會(huì)有人質(zhì)疑何不自己設(shè)計(jì)一顆就好了呢？因?yàn)樵O(shè)計(jì)各種 IC 需要大量和該 IC 相關(guān)的知識(shí)，只有像 Apple 這樣多金的企業(yè)，才有預(yù)算能從各知名企業(yè)挖角頂尖工程師，以設(shè)計(jì)一顆全新的 IC，透過(guò)合作授權(quán)還是比自行研發(fā)劃算多了。

折衷方案，SiP 現(xiàn)身

作為替代方案，SiP 躍上整合芯片的舞臺(tái)。和 SoC 不同，它是購(gòu)買各家的 IC，在最后一次封裝這些 IC，如此便少了 IP 授權(quán)這一步，大幅減少設(shè)計(jì)成本。此外，因?yàn)樗鼈兪歉髯元?dú)立的 IC，彼此的干擾程度大幅下降。▲ Apple Watch 采用 SiP 技術(shù)將整個(gè)電腦架構(gòu)封裝成一顆芯片，不單滿足期望的效能還縮小體積，讓手錶有更多的空間放電池。（Source：Apple 官網(wǎng)）

采用 SiP 技術(shù)的產(chǎn)品，最著名的非 Apple Watch 莫屬。因?yàn)?Watch 的內(nèi)部空間太小，它無(wú)法采用傳統(tǒng)的技術(shù)，SoC 的設(shè)計(jì)成本又太高，SiP 成了首要之選。藉由 SiP 技術(shù)，不單可縮小體積，還可拉近各個(gè) IC 間的距離，成為可行的折衷方案。下圖便是 Apple Watch 芯片的結(jié)構(gòu)圖，可以看到相當(dāng)多的 IC 包含在其中。▲ Apple Watch 中采用 SiP 封裝的 S1 芯片內(nèi)部配置圖。（Source：chipworks）

完成封裝后，便要進(jìn)入測(cè)試的階段，在這個(gè)階段便要確認(rèn)封裝完的 IC 是否有正常的運(yùn)作，正確無(wú)誤之后便可出貨給組裝廠，做成我們所見的電子產(chǎn)品。至此，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)便完成了整個(gè)生產(chǎn)的任務(wù)。

十大IDM企業(yè)：

1、英特爾(Intel)(收購(gòu)了Altera)

2、三星(Samsung)

3、海力士半導(dǎo)體(SK Hynix)

4、美光(Micron)（收購(gòu)了爾必達(dá)）

5、德州儀器(TI)（收購(gòu)了國(guó)半）

6、恩智浦(NXP)(收購(gòu)了Freescale(飛思卡爾))

7、東芝(Toshiba)

8、英飛凌(Infineon)(收購(gòu)了IR)

9、意法半導(dǎo)體(ST)

10、索尼(Sony)

Fabless（純?cè)O(shè)計(jì)，無(wú)晶圓廠）企業(yè)很多，如：

高通(Qualcomm)

安華高(Avago)(收購(gòu)了博通)

聯(lián)發(fā)科(MTK)

英偉達(dá)(NVIDIA)

超微(AMD)

深圳市海思

Apple

亞德諾半導(dǎo)體(ADI)(收購(gòu)Linear)

瑞薩電子(Renesas)

美滿科技(Marvell)

賽靈思(Xilinx)

展訊

安森美(ON)(收購(gòu)了Fairchild、Aptina)

羅姆半導(dǎo)體(ROHM)

聯(lián)詠(Novatek)

戴樂(lè)格半導(dǎo)體(Dialog)

瑞昱(Reltek)

奇景光電(Himax)

凌云半導(dǎo)體（Cirrus Logic）

萊迪思(Lattice)

大唐半導(dǎo)體

中國(guó)華大

奕力

敦泰

中興

瑞芯微(Rockchip)

全志(Allwinner)

珠海炬力(ACTIONS)

格科微

匯頂科技

思比科微

國(guó)芯

國(guó)民技術(shù)

君正

瀾起

盈方微

思立微

......等等很多

晶圓代工企業(yè)：

1、臺(tái)積電(TSMC)

2、格羅方德(GlobalFoundries)(合并了IBM的IC業(yè)務(wù)和新加坡特許CSM)

3、***聯(lián)華電子(UMC)

4、三星(Samsung)

5、中芯國(guó)際(SMIC)

6、Powerchip

7、Tower Jazz

8、富士通(Fujitsu)

9、先鋒半導(dǎo)體（Vanguard）

10、上海華虹宏力(HHNEC)

11、Dongbu

12、SSMC

13、WIN

14、力晶半導(dǎo)體（PSC）

15、世界先進(jìn)(VIS)

16、美格納(MagnaChip)

17、華潤(rùn)上華（CSMC）

18、天津中環(huán)（TJSemi）

19、吉林華微

20、上海華力微電子（HLMC）

21、長(zhǎng)江存儲(chǔ)（武漢新芯、紫光）

22、無(wú)錫SK海力士意法半導(dǎo)體

23、英特爾半導(dǎo)體（大連）

24、上海先進(jìn)（ASMC）

25、和艦科技（蘇州）（HJTC）

26、天水天光

27、深圳方正微

28、杭州士蘭（Silan）

29、中國(guó)南科集團(tuán)

30、茂德科技ProMOS

......

封測(cè)廠：

1、日月光(ASE)（收購(gòu)硅品科技）

2、安靠(Amkor)（收購(gòu)J-devices）

3、江蘇長(zhǎng)電科技（收購(gòu)星科金朋）

4、力成科技（收購(gòu)超豐）

5、新加坡聯(lián)合科技（UTAC）

6、南茂科技

7、頎邦科技

8、天水華天科技

9、南通富士通微電子

10、京元電子

11、Nepes

12、Unisem

13、福懋科技

14、菱生精密

15、深圳硅格

16、蘇州晶方

17、無(wú)錫華潤(rùn)安盛

8、嘉盛半導(dǎo)體

19、無(wú)錫華進(jìn)半導(dǎo)體

20、蘇州固锝

21、蘇州日月新

22、深圳佰維存儲(chǔ)

23、北京首鋼微（BSMC）

24、池州華鈦半導(dǎo)體（NationT)

25、頎中科技(蘇州)

26、寧波芯健半導(dǎo)體

27、深圳康姆科技

28、江蘇新潮科技

29、南通華達(dá)微電子

30、飛思卡爾半導(dǎo)體（中國(guó)）

31、海太半導(dǎo)體（無(wú)錫）

32、英特爾產(chǎn)品(成都)有

33、上海凱虹

34、晟碟半導(dǎo)體(上海)(SanDisk）

35、氣派科技