0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

一次合漿和多步合漿工藝的對比分析

geQw_gh_a6b9141 ? 來源:未知 ? 作者:胡薇 ? 2018-04-04 15:23 ? 次閱讀

一次合漿工藝和多步合漿工藝不僅對漿料的性質(zhì)如粘度、動態(tài)粘彈性模量以及穩(wěn)定流動特性產(chǎn)生極大的影響,還會影響電池的阻抗、循環(huán)性能、倍率性能。

在鋰電漿料制備方式上,科研人員嘗試了不同的合漿工藝,試驗證明:分步加料的合漿工藝要遠優(yōu)于一次性的合漿工藝。本文對分步合漿工藝和一次性合漿工藝進行詳細的比較,兩種合漿工藝如圖1所示,其中(a)為一次性合漿工藝;(b)為分步合漿工藝。

圖1. 兩種不同的合漿工藝

一次合漿工藝是將粘結(jié)劑和NMP混合后攪拌半小時,然后一次性將活物質(zhì)和導電炭黑加入溶劑中進行混合。多步合漿的特點是,將溶劑的量分批次加入。一次合漿工藝和多步合漿工藝不僅對漿料的性質(zhì)如粘度、動態(tài)粘彈性模量以及穩(wěn)定流動特性產(chǎn)生極大的影響,還會影響電池的阻抗、循環(huán)性能、倍率性能。

一、漿料粘度、剪切速率以及流動性的關(guān)系

圖2表示的是粘度和剪切速率的關(guān)系曲線,可以看出無論采取一步還是分步法,漿料粘度都出現(xiàn)了隨著剪切速率升高而粘度降低的現(xiàn)象(剪切稀化)。低剪切下的漿料粘度是衡量固態(tài)顆粒沉降行為的指標,高剪切下的粘度是漿料加工性的量度。在低剪切下,兩種漿料粘度高的比較好,這是因為固體顆粒沒有明顯沉降。在高剪切下,漿料的粘度低也是一個好的特征,因為這意味著漿料混合的很均勻。

圖2. 漿料粘度和率剪切速的關(guān)系曲線

當然,即使是兩種制備工藝都有剪切稀化的現(xiàn)象,但是多步合漿法還是要優(yōu)于一步合成法,兩種漿料粘彈性隨角頻率的變化如圖3所示。

圖3. 角速率和儲能模量和損耗模量的關(guān)系

從圖中我們可以看出,首先是一步法制備的漿料粘彈性和角頻率不成關(guān)系,而多步法制備的漿料粘彈性模量和角頻率是相關(guān)的。其次,圖中G’為儲能模量G’’為損耗模量,可以看出一步法中儲能模量始終高于損耗模量,而多步法漿料是正好相反的。由此可以看出,一步法制備的漿料主要是凝膠狀態(tài),顆粒彼此團聚在一起形成體積填充式的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

顆粒集群沒有被破壞、打散,始終以低剪切速率下混合,沒有達到混合效果。多步法制備的漿料,本質(zhì)上就是一種低粘度溶膠,顆粒單元是分散均勻的,網(wǎng)絡結(jié)構(gòu)式被完整破壞分散的。分步法漿料處于良好的分散狀態(tài),呈現(xiàn)了很好的流動遲滯現(xiàn)象,可以用圖表示的遲滯流動曲線(流動性)來表示。圖4所示是剪切速率先增大后減少與剪切力的關(guān)系,可以看出多步法漿料出現(xiàn)了滯后回線。

圖4. 剪切速率和剪切力

與一步合漿相比,多步合漿工藝中,顆粒集群的不可逆網(wǎng)絡結(jié)構(gòu)破裂發(fā)生的更加頻繁,這是因為溶劑NMP是分多次加入的,初始狀態(tài)下溶劑較少,顆粒更容易在較大的剪切速率下破碎。一步合漿由于是一次性將溶劑倒入,整體粘度快速降低,顆粒之間摩擦力很小,故無法取得很好的分散狀態(tài)。

二、兩種不同合漿工藝對極片的影響

將兩種工藝制得的漿料制備成電極,從兩種極片的橫截面圖片中可以看出不同之初,如圖5所示。

圖5. 極片的SEM和EDS分析

(a)一步法截面(e)多步法截面,可以看出多步法漿料制備極片后顆粒接觸更加緊密,混合的狀態(tài)更好。

(b)、(f)圖分別是兩種合漿工藝極片的EDS Co元素映射圖,Co元素來源于鈷酸鋰,可以驗證多步法的混合分散效果更佳。

(c)、(g)圖分別是兩種合漿工藝極片C元素映射,C元素主要來源于PVDF和導電炭黑;

(d)、(h)圖分別是兩種合漿工藝極片氟元素映射,F(xiàn)元素來源于PVDF

多組照片的結(jié)果同樣證明,一步法漿料中的導電劑和活物質(zhì)有很多的團聚體,并沒有均勻的分散開。

三、合漿工藝對電池性能的影響

1.循環(huán)性能

兩種漿料制備的電池循環(huán)表現(xiàn)如圖6所示,經(jīng)過70次循環(huán)后,一步法和分步合漿工藝的容量分別為初始容量的60%和70%,一步法合漿工藝電池材料克容量衰減較快。原因可能是一步法合漿的電池內(nèi)阻變化引起的。

圖6. 電池的循環(huán)性能比較

2.電池內(nèi)阻隨DOD的變化

實驗采用HPPC測試電池內(nèi)阻,結(jié)果如圖7??梢缘贸鲆韵陆Y(jié)論:a.電池放電內(nèi)阻大于充電內(nèi)阻,這是因為鋰離子嵌入固體晶格的速度要慢于鋰離子的脫出速度。b.采用多步法合漿工藝的電池在各階段、各DOD條件下內(nèi)阻均低于一步法的電池。c.電池的內(nèi)阻和放電深度(D0D)是密切相關(guān)的,隨著放電深度變大,供鋰離子嵌入的空間就越來越少,導致電池阻抗也隨之變大。

圖7. 兩種電池充放電與內(nèi)阻的關(guān)系

3.兩種合漿工藝對電池倍率性能的影響

為了比較兩種極片電池的內(nèi)阻大小,使相應電池在不同的倍率下放電,放電曲線如圖8所示。

圖8. 電池倍率性能和極化大小的比較

其中,a為一步法做的電池,b為多步法做的電池,兩種電池都是在0.2C的條件下恒流充電。a圖顯示隨著放電電流增大,電池極化不斷增加,反觀多步法的電池放電曲線圖,雖然電池極化也有一定增加,但是跟a圖相比則極化比較小。出現(xiàn)這種現(xiàn)象的原因還是得追溯到漿料的制備工藝上,正如之前所說的,多步法的混料工藝能夠保證導電劑、活物質(zhì)均勻的分散開,構(gòu)成一個穩(wěn)定均一的導電網(wǎng)絡,從而活物質(zhì)和導電劑的接觸電阻大大降低,以保證了電池優(yōu)異的循環(huán)性能。

結(jié)語:

即使兩種不同合漿工藝最終的固相含量相同,漿料的流變性質(zhì)還是不一樣的。一步法合漿工藝的產(chǎn)品是凝膠狀,粉末單元在體積填充的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)內(nèi)部相連,因此會存在類固體的性質(zhì)并伴隨較高粘度。多步合漿工藝制備的產(chǎn)品屬于低粘度的溶膠,顆粒單元是彼此分散的。這是因為在初始階段,混合料中有較低的溶劑含量,顆粒之間接觸緊密,碰撞幾率大大高于一步合漿法。因此,較低的液相含量有助于顆粒團聚體的破裂和分散。導電劑活物質(zhì)的均勻分散,宏觀上表現(xiàn)的就是電池極化較低,具有更好的循環(huán)性能和倍率性能。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 阻抗
    +關(guān)注

    關(guān)注

    17

    文章

    934

    瀏覽量

    45768
  • 電池
    +關(guān)注

    關(guān)注

    84

    文章

    10342

    瀏覽量

    128297

原文標題:【誠捷智能· 高工技術(shù)π】對比分析分步合漿工藝和一次合漿工藝

文章出處:【微信號:gh_a6b91417f850,微信公眾號:高工鋰電技術(shù)與應用】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    電子封裝 | Die Bonding 芯片鍵的主要方法和工藝

    DieBound芯片鍵,是在封裝基板上安裝芯片的工藝方法。本文詳細介紹下幾種主要的芯片鍵的方法和工藝。什么是芯片鍵合在半導體
    的頭像 發(fā)表于 09-20 08:04 ?383次閱讀
    電子封裝 | Die Bonding 芯片鍵<b class='flag-5'>合</b>的主要方法和<b class='flag-5'>工藝</b>

    淺談梁場智能張拉及壓漿管理系統(tǒng)的功能概述

    梁場張拉壓漿管理系統(tǒng)是基于控制預制梁生產(chǎn)過程中的張拉壓漿施工工藝質(zhì)量的動態(tài)控制而研發(fā)的質(zhì)量控制系統(tǒng)。 梁場張拉壓漿管理系統(tǒng)配套遠程監(jiān)控技術(shù),形成的橋梁預應力施工質(zhì)量遠程監(jiān)控管理體系,能
    的頭像 發(fā)表于 08-26 08:00 ?121次閱讀
    淺談梁場智能張拉及壓<b class='flag-5'>漿</b>管理系統(tǒng)的功能概述

    金絲鍵工藝溫度研究:揭秘鍵質(zhì)量的奧秘!

    在微電子封裝領(lǐng)域,金絲鍵(Wire Bonding)工藝作為種關(guān)鍵的電氣互連技術(shù),扮演著至關(guān)重要的角色。該工藝通過細金屬線(主要是金絲)將芯片上的焊點與封裝基板或另
    的頭像 發(fā)表于 08-16 10:50 ?960次閱讀
    金絲鍵<b class='flag-5'>合</b><b class='flag-5'>工藝</b>溫度研究:揭秘鍵<b class='flag-5'>合</b>質(zhì)量的奧秘!

    有償求助本科畢業(yè)設計指導|引線鍵|封裝工藝

    。 通過實驗驗證和數(shù)據(jù)分析得出金絲與金鋁焊盤鍵和鎳鈀金焊盤鍵工藝窗口和關(guān)鍵參數(shù),使其能滿足在金線線弧高度小于100um、弧長小于500um的要求下,鍵
    發(fā)表于 03-10 14:14

    淺談梁場智能張拉及壓漿管理系統(tǒng)

    梁場張拉壓漿管理系統(tǒng)是基于控制預制梁生產(chǎn)過程中的張拉壓漿施工工藝質(zhì)量的動態(tài)控制而研發(fā)的質(zhì)量控制系統(tǒng)。 梁場張拉壓漿管理系統(tǒng)配套遠程監(jiān)控技術(shù),形成的橋梁預應力施工質(zhì)量遠程監(jiān)控管理體系,能
    的頭像 發(fā)表于 02-23 16:53 ?257次閱讀
    淺談梁場智能張拉及壓<b class='flag-5'>漿</b>管理系統(tǒng)

    鋁質(zhì)焊盤的鍵工藝

    超聲楔形鍵、金絲熱聲球形鍵、金絲熱壓楔形鍵。對層狀結(jié)構(gòu)的焊盤在熱聲和熱壓鍵的應力仿真對比分析,得出鍵
    的頭像 發(fā)表于 02-02 16:51 ?771次閱讀
    鋁質(zhì)焊盤的鍵<b class='flag-5'>合</b><b class='flag-5'>工藝</b>

    晶圓級封裝用半燒結(jié)型銀漿粘接工藝

    共讀好書 李志強 胡玉華 張巖 翟世杰 (中國電子科技集團公司第五十五研究所) 摘要: 選取了種半燒結(jié)型銀漿進行粘接工藝研究,通過剪切強度測試和空洞率檢測確定了合適的點膠工藝參數(shù),并
    的頭像 發(fā)表于 01-17 18:09 ?763次閱讀
    晶圓級封裝用半燒結(jié)型銀<b class='flag-5'>漿</b>粘接<b class='flag-5'>工藝</b>

    功率模塊銅線鍵工藝參數(shù)優(yōu)化設計方案

    為了提高功率模塊銅線鍵性能,采用6因素5水平的正交試驗方法,結(jié)合BP(Back Propaga‐tion)神經(jīng)網(wǎng)絡與遺傳算法,提出了種銅線鍵工藝參數(shù)優(yōu)化設計方案。首先,對選定樣品
    的頭像 發(fā)表于 01-03 09:41 ?635次閱讀
    功率模塊銅線鍵<b class='flag-5'>合</b><b class='flag-5'>工藝</b>參數(shù)優(yōu)化設計方案

    晶圓鍵設備及工藝

    隨著半導體產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展,晶圓鍵設備及工藝在微電子制造領(lǐng)域扮演著越來越重要的角色。晶圓鍵技術(shù)是種將兩個或多個晶圓通過特定的工藝方法緊密
    的頭像 發(fā)表于 12-27 10:56 ?1268次閱讀
    晶圓鍵<b class='flag-5'>合</b>設備及<b class='flag-5'>工藝</b>

    HDI(盲、埋孔)板壓問題

    層厚度不均勻,如果張芯板在同面壓2會導致板翹。而用此壓方法,有效改善了盲、埋孔板熱壓過程,出現(xiàn)較大的翹曲度帶來產(chǎn)品不良的問題。
    發(fā)表于 12-25 14:09

    國內(nèi)外銅線鍵拉力試驗方法標準對比分析

    進行對比分析,并提出國內(nèi)試驗方法的修訂建議。 1?鍵拉力試驗方法標準現(xiàn)狀 半導體器件需要利用引線鍵方式實現(xiàn)芯片與基底或引線框架的電氣連接,引線鍵的質(zhì)量直接影響器件的性能和可靠性,
    的頭像 發(fā)表于 12-22 08:40 ?1113次閱讀
    國內(nèi)外銅線鍵<b class='flag-5'>合</b>拉力試驗方法標準<b class='flag-5'>對比分析</b>

    IGBT模塊銀燒結(jié)工藝引線鍵工藝研究

    方法,分別驗證并優(yōu)化了銀燒結(jié)和銅引線鍵工藝參數(shù),分析了襯板鍍層對燒結(jié)層和銅線鍵界面強度的影響,最后對試制的模塊進行浪涌能力和功率循環(huán)壽命測試。結(jié)果顯示?,?與普通模塊相比?,?搭
    的頭像 發(fā)表于 12-20 08:41 ?1577次閱讀
    IGBT模塊銀燒結(jié)<b class='flag-5'>工藝</b>引線鍵<b class='flag-5'>合</b><b class='flag-5'>工藝</b>研究

    半燒結(jié)型銀漿粘接工藝在晶圓封裝的應用

    摘要:選取了種半燒結(jié)型銀漿進行粘接工藝研究,通過剪切強度測試和空洞率檢測確定了合適的點膠工藝參數(shù),并進行了紅外熱阻測試和可靠性測試。結(jié)果表明,該半燒結(jié)型銀
    的頭像 發(fā)表于 12-04 08:09 ?1145次閱讀
    半燒結(jié)型銀<b class='flag-5'>漿</b>粘接<b class='flag-5'>工藝</b>在晶圓封裝的應用

    什么是封芯片工藝,封芯片工藝工作原理、應用場景、技術(shù)要點

    封芯片工藝種先進的芯片封裝技術(shù),將多個芯片或不同的功能的電子模塊封裝在起,從而形成個系統(tǒng)或子系統(tǒng)。
    的頭像 發(fā)表于 11-24 17:36 ?1323次閱讀

    鋁硅絲超聲鍵引線失效分析與解決

    等問題,分析其失效原因,通過試驗,確認鍵點間距是弧形狀態(tài)的重要影響因素。據(jù)此,基于鍵設備的能力特點,在芯片設計符合鍵工藝規(guī)則的前提下,
    的頭像 發(fā)表于 11-02 09:34 ?822次閱讀
    鋁硅絲超聲鍵<b class='flag-5'>合</b>引線失效<b class='flag-5'>分析</b>與解決