搬入首臺浸沒式光刻機(jī)，上海華力、長江存儲發(fā)力晶圓制造！

5月21日上午，在上海浦東新區(qū)康橋工業(yè)園南區(qū)，由華虹集團(tuán)旗下上海華力集成電路制造有限公司建設(shè)和營運(yùn)的12英寸先進(jìn)生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目（以下簡稱“華虹六廠”）實(shí)現(xiàn)首臺工藝設(shè)備——光刻機(jī)搬入。

據(jù)悉，此次搬入的首臺工藝設(shè)備為荷蘭阿斯麥公司的NXT 1980Di光刻機(jī)，是目前中國大陸集成電路生產(chǎn)線上最先進(jìn)的浸沒式光刻機(jī)。

華力12英寸先進(jìn)生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目是上海市最大的集成電路產(chǎn)業(yè)投資項(xiàng)目，總投資387億元人民幣，將建成月產(chǎn)能4萬片的12英寸集成電路芯片生產(chǎn)線，工藝覆蓋28-14納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)。項(xiàng)目計(jì)劃于2022年底建成達(dá)產(chǎn)，主要從事邏輯芯片生產(chǎn)，重點(diǎn)服務(wù)國內(nèi)設(shè)計(jì)企業(yè)先進(jìn)芯片的制造，并滿足部分事關(guān)國家信息安全的重點(diǎn)芯片制造需求。

據(jù)了解，近日陸續(xù)有多臺ASML 的設(shè)備運(yùn)入中國大陸晶圓制造廠。其中，中芯國際的已經(jīng)購入首臺價(jià)值1.2億美元的ASML EUV設(shè)備；長江存儲的首臺光刻機(jī)也已運(yùn)抵武漢天河機(jī)場，這臺光刻機(jī)為ASML的193nm浸潤式光刻機(jī)，售價(jià)7200萬美元用于14nm~20nm工藝。

ASML的光刻機(jī)安全降落武漢天河機(jī)場，正在卸貨中。

5月19日消息，當(dāng)天中午，長江存儲購買自荷蘭ASML的光刻機(jī)運(yùn)抵武漢天河機(jī)場。這是長江存儲的首臺光刻機(jī)，陸續(xù)還會有多臺運(yùn)抵。

報(bào)道稱，該設(shè)備在相關(guān)的海關(guān)、商檢及邊防口岸的相關(guān)手續(xù)辦理完成后，即可運(yùn)至長江存儲的工廠。據(jù)介紹，這臺光刻機(jī)為ASML的193nm浸潤式光刻機(jī)，售價(jià)7200萬美元（約合人民幣4.6億元），可用于14-20nm工藝。這也從側(cè)面透露了長江存儲3D NAND閃存芯片的工藝制程。

值得注意的是，這是一周以來，中國企業(yè)第二起突破芯片技術(shù)封鎖的事件。

此前，根據(jù)日媒消息報(bào)道，中芯國際耗資1.2億美元從荷蘭ASML購得世界上最先進(jìn)的EUV（極紫外線）光刻機(jī)，未來可用于生產(chǎn)7nm工藝芯片。

2016年3月，長江存儲啟動了位于武漢的國家存儲器基地的建設(shè)，總投資240億美元，計(jì)劃2018年投產(chǎn)，2020年形成月產(chǎn)能30萬片的規(guī)模。

是年12月，國家存儲器基地正式動工，計(jì)劃分三個(gè)階段，共建三座3D-NAND Flash廠房。

其中，第一階段的廠房已去年9月完成建設(shè)。

2018年4月11日，芯片生產(chǎn)機(jī)臺正式進(jìn)場安裝，這標(biāo)志著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段。

紫光集團(tuán)全球執(zhí)行副總裁暨長江存儲執(zhí)行董事長高啟全更是披露：長江存儲的3D NAND Flash已經(jīng)獲得第一筆訂單，總計(jì)10776顆芯片，將用于8GB USD存儲卡產(chǎn)品。

他在接受采訪時(shí)強(qiáng)調(diào)：“這僅是剛剛開始”。

今年底，基地就將進(jìn)行試產(chǎn)，初期投片量不超過1萬片，用于生產(chǎn)32層3D-NAND Flash產(chǎn)品，不少產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)都拿到了樣片測試。

明年，長江存儲力爭64層堆疊3D閃存實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)，單顆容量128Gb(16GB)，與世界領(lǐng)先水平差距縮短到2年之內(nèi)。

另外，紫光集團(tuán)在武漢、南京、成都三地都有300mm閃存晶圓廠，這次率先啟動的是武漢工廠，同時(shí)募集的800億元資金也已經(jīng)全部到位。

用不了多久，用戶就能看到基于國產(chǎn)閃存的智能手機(jī)、SSD固態(tài)硬盤等產(chǎn)品。