5月21日上午,在上海浦東新區(qū)康橋工業(yè)園南區(qū),由華虹集團(tuán)旗下上海華力集成電路制造有限公司建設(shè)和營運(yùn)的12英寸先進(jìn)生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目(以下簡稱“華虹六廠”)實(shí)現(xiàn)首臺工藝設(shè)備——光刻機(jī)搬入。
據(jù)悉,此次搬入的首臺工藝設(shè)備為荷蘭阿斯麥公司的NXT 1980Di光刻機(jī),是目前中國大陸集成電路生產(chǎn)線上最先進(jìn)的浸沒式光刻機(jī)。
華力12英寸先進(jìn)生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目是上海市最大的集成電路產(chǎn)業(yè)投資項(xiàng)目,總投資387億元人民幣,將建成月產(chǎn)能4萬片的12英寸集成電路芯片生產(chǎn)線,工藝覆蓋28-14納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)。項(xiàng)目計(jì)劃于2022年底建成達(dá)產(chǎn),主要從事邏輯芯片生產(chǎn),重點(diǎn)服務(wù)國內(nèi)設(shè)計(jì)企業(yè)先進(jìn)芯片的制造,并滿足部分事關(guān)國家信息安全的重點(diǎn)芯片制造需求。
據(jù)了解,近日陸續(xù)有多臺ASML 的設(shè)備運(yùn)入中國大陸晶圓制造廠。其中,中芯國際的已經(jīng)購入首臺價(jià)值1.2億美元的ASML EUV設(shè)備;長江存儲的首臺光刻機(jī)也已運(yùn)抵武漢天河機(jī)場,這臺光刻機(jī)為ASML的193nm浸潤式光刻機(jī),售價(jià)7200萬美元用于14nm~20nm工藝。
ASML的光刻機(jī)安全降落武漢天河機(jī)場,正在卸貨中。
5月19日消息,當(dāng)天中午,長江存儲購買自荷蘭ASML的光刻機(jī)運(yùn)抵武漢天河機(jī)場。這是長江存儲的首臺光刻機(jī),陸續(xù)還會有多臺運(yùn)抵。
報(bào)道稱,該設(shè)備在相關(guān)的海關(guān)、商檢及邊防口岸的相關(guān)手續(xù)辦理完成后,即可運(yùn)至長江存儲的工廠。據(jù)介紹,這臺光刻機(jī)為ASML的193nm浸潤式光刻機(jī),售價(jià)7200萬美元(約合人民幣4.6億元),可用于14-20nm工藝。這也從側(cè)面透露了長江存儲3D NAND閃存芯片的工藝制程。
值得注意的是,這是一周以來,中國企業(yè)第二起突破芯片技術(shù)封鎖的事件。
此前,根據(jù)日媒消息報(bào)道,中芯國際耗資1.2億美元從荷蘭ASML購得世界上最先進(jìn)的EUV(極紫外線)光刻機(jī),未來可用于生產(chǎn)7nm工藝芯片。
2016年3月,長江存儲啟動了位于武漢的國家存儲器基地的建設(shè),總投資240億美元,計(jì)劃2018年投產(chǎn),2020年形成月產(chǎn)能30萬片的規(guī)模。
是年12月,國家存儲器基地正式動工,計(jì)劃分三個(gè)階段,共建三座3D-NAND Flash廠房。
其中,第一階段的廠房已去年9月完成建設(shè)。
2018年4月11日,芯片生產(chǎn)機(jī)臺正式進(jìn)場安裝,這標(biāo)志著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段。
紫光集團(tuán)全球執(zhí)行副總裁暨長江存儲執(zhí)行董事長高啟全更是披露:長江存儲的3D NAND Flash已經(jīng)獲得第一筆訂單,總計(jì)10776顆芯片,將用于8GB USD存儲卡產(chǎn)品。
他在接受采訪時(shí)強(qiáng)調(diào):“這僅是剛剛開始”。
今年底,基地就將進(jìn)行試產(chǎn),初期投片量不超過1萬片,用于生產(chǎn)32層3D-NAND Flash產(chǎn)品,不少產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)都拿到了樣片測試。
明年,長江存儲力爭64層堆疊3D閃存實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn),單顆容量128Gb(16GB),與世界領(lǐng)先水平差距縮短到2年之內(nèi)。
另外,紫光集團(tuán)在武漢、南京、成都三地都有300mm閃存晶圓廠,這次率先啟動的是武漢工廠,同時(shí)募集的800億元資金也已經(jīng)全部到位。
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原文標(biāo)題:搬入首臺光刻機(jī),上海華力、長江存儲發(fā)力晶圓制造!
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