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南亞科:?jiǎn)卧略聽I(yíng)收創(chuàng)近7個(gè)月新低

uwzt_icxinwensh ? 來源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-11-09 14:23 ? 次閱讀

10月現(xiàn)貨價(jià)格延續(xù)9月份跌勢(shì)持續(xù)走弱,由于DRAM市場(chǎng)供過于求才剛開始,不排除11 月與12 月價(jià)格將續(xù)下探,明年首季將進(jìn)入淡季,加上終端產(chǎn)品出貨量下修與庫存等因素,合約價(jià)的議定將是嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。

DRAMeXchange資深協(xié)理吳雅婷指出,現(xiàn)貨價(jià)格今年初起持續(xù)走弱,整體10月價(jià)格也延續(xù)9月份跌勢(shì)持續(xù)走弱。以最新報(bào)價(jià)來看,主流交易顆粒1G*8的現(xiàn)貨價(jià)已跌至6.946 美元,與合約價(jià)有5%價(jià)差,預(yù)告后續(xù)合約價(jià)將繼續(xù)下滑。

在各大廠已議定第4季合約價(jià)的情況下,10月合約價(jià)開始大幅滑落,主流模組4GB均價(jià)自上季的34.5 美元滑落至31 美元,跌幅10.14%;大容量模組8GB跌幅更為明顯,自上季的68 美元滑落至61 美元,跌幅為10.29%。吳雅婷認(rèn)為,由于DRAM市場(chǎng)供過于求才剛開始,不排除11月與12月價(jià)格將續(xù)下探,且由于各家廠商積極求售,8GB解決方案的跌幅預(yù)期將會(huì)持續(xù)高于4GB。

在供過于求態(tài)勢(shì)下,吳雅婷表示,廠商亟欲在價(jià)格進(jìn)一步下跌前拉抬銷量,使得PC DRAM 8GB 模組的滲透率快速攀升,在數(shù)量上提前超越4GB 模組,成為市場(chǎng)主流,因此明年初起, DRAMeXchange 合約價(jià)也將以8GB 為計(jì)算基準(zhǔn)。

展望明年首季,吳雅婷指出,首季進(jìn)入淡季,除PC 外,伺服器與智能手機(jī)等終端產(chǎn)品也將面臨出貨量下修狀況,加上DRAM 產(chǎn)業(yè)還需時(shí)間消化通路與采購端的多余庫存,明年第1 季合約價(jià)議定將會(huì)是嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。

整體而言,DRAMeXchange 預(yù)估,明年全年DRAM 平均銷售單價(jià)的跌幅可能達(dá)到2 成;對(duì)各家供應(yīng)商來說,獲利能力已在今年第3 季達(dá)到顛峰,后續(xù)取決于各廠商的成本優(yōu)化能力,獲利能力將以緩著陸的態(tài)勢(shì)逐季下修。

南亞科:?jiǎn)卧略聽I(yíng)收創(chuàng)近7個(gè)月新低

DRAM大廠南亞科昨日公布10月合并營(yíng)收67.26億元,受到平均銷售單價(jià)下滑與需求放緩影響,營(yíng)收月減15.71%,年增32.6%,為近7個(gè)月新低;前10個(gè)月累計(jì)營(yíng)收744.9億元,年增72.34%,續(xù)創(chuàng)歷年同期新高。

展望第4 季,南亞科總經(jīng)理李培瑛表示,受到美中貿(mào)易戰(zhàn)與CPU短缺影響,第4 季DRAM 需求相對(duì)前半年保守,目前現(xiàn)貨市場(chǎng)已走跌,預(yù)期第4 季平均銷售單價(jià)可能微幅下滑、約在5% 上下,惟貿(mào)易戰(zhàn)規(guī)模與延續(xù)時(shí)程尚未確定,DRAM 市場(chǎng)長(zhǎng)期走勢(shì)仍須密切觀察。

李培瑛指出,各產(chǎn)品應(yīng)用部分,PC 需求為目前唯一表現(xiàn)趨緩的應(yīng)用,且由于第3 季DRAM 供應(yīng)商增加投片量,南亞科已下修今年資本支出逾1 成,明年仍得視國(guó)際局勢(shì)變化,預(yù)期價(jià)格將在合理范圍內(nèi)緩跌。

南亞科第3 季毛利率逼近60%、達(dá)到58.9%,而營(yíng)益率突破50% 達(dá)到51%,雙雙改寫歷史新高紀(jì)錄,20 納米與DDR4 比重提升也有貢獻(xiàn),本業(yè)獲利也創(chuàng)新高,稅后純益則是季增13.8% 達(dá)到128.72 億元,每股稅后純益4.15 元;前3 季每股純益達(dá)10.23 元,大賺超過一個(gè)股本。

ICInsights:記憶體入降溫期

《IC Insights》分析報(bào)告顯示,由于記憶體市場(chǎng)開始出現(xiàn)疲軟,拖累整體IC 市場(chǎng),預(yù)估今年第四季IC 市場(chǎng)的年增率僅剩下個(gè)位數(shù),下降態(tài)勢(shì)明顯,整體產(chǎn)業(yè)將進(jìn)入「降溫」期。

在2018 年McClean 報(bào)告的11 月更新中,對(duì)IC 產(chǎn)業(yè)進(jìn)行深入分析和詳細(xì)的五年期預(yù)測(cè),該報(bào)告認(rèn)為,在經(jīng)歷了長(zhǎng)時(shí)間的強(qiáng)勁成長(zhǎng)后,從年初的23% 年增率,大幅衰退,整體IC 產(chǎn)業(yè)將進(jìn)入周期性的「降溫」期。

下圖中顯示了全球IC 市場(chǎng)從2018 年第一季到第三季的年增率以及《IC Insights》對(duì)今年第四季的預(yù)測(cè),可以看見,從2018 年上半年開始,IC 市場(chǎng)的季度年增率強(qiáng)勁。

然而,到了第三季,IC市場(chǎng)年增率下降至14%。此外,隨著記憶體市場(chǎng)的疲軟,IC Insights預(yù)估第四季IC市場(chǎng)的年增率將僅有6%。從今年第一季到第四季預(yù)測(cè),年增率共下降了17%。

今年IC 產(chǎn)業(yè)年增率呈現(xiàn)

今年第三季顯著的下降趨勢(shì)似乎證實(shí)了年增率放緩的態(tài)勢(shì)。2017 年,第三季對(duì)第二季IC 市場(chǎng)年增率幅度為11%,相比之下,今年第三季對(duì)第二季年增率幅度放緩至6%,IC 產(chǎn)業(yè)在今年第三季明顯降溫。

如上所述,記憶體市場(chǎng)走弱已經(jīng)開始為整體IC 市場(chǎng)成長(zhǎng)帶來「逆風(fēng)」。有趣的是,在2017 年,第三季對(duì)第二季的記憶體市場(chǎng)年增幅度非常強(qiáng)勁,達(dá)到18%。相比之下,2018 年第三季對(duì)第二季的記憶體市場(chǎng)年增率幅度為8%,根本不到去年的一半。

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原文標(biāo)題:存儲(chǔ)供過于求才剛剛開始,明年挑戰(zhàn)嚴(yán)峻

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