01：采用GaN技術的蜂窩通訊頻段高功率射頻應用
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
恩智浦
+關注
關注
14文章
5806瀏覽量
105953 -
GaN
+關注
關注
19文章
1896瀏覽量
72328 -
蜂窩
+關注
關注
0文章
121瀏覽量
25122
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
在航空航天應用中使用AFE11612-SEP偏置GaN和LDMOS射頻功率放大器
電子發(fā)燒友網站提供《在航空航天應用中使用AFE11612-SEP偏置GaN和LDMOS射頻功率放大器.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 09-04 09:34
?0次下載
采用GaN功率IC簡化電力電子設計
早期的氮化鎵(GaN)功率器件需要復雜、昂貴且頻率受限的外部電路，以及復雜的封裝來保護和控制脆弱的柵極，這嚴重限制了市場的采用。單片集成的GaN功率
SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術挑戰(zhàn)
中產生選擇性摻雜的主要方法。將其用于寬帶隙器件處理時存在一些挑戰(zhàn)。在本文中，我們將重點介紹其中的一些，同時總結它們在GaN功率器件中的一些潛在應用。01有幾個因素決
氮化鎵(GaN)功率集成電路(IC)開發(fā)的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)
氮化鎵(GaN)功率器件以離散形式已在電源充電器的應用領域得到廣泛采用。在電源轉換應用中，GaN高遷移率電子晶體管(HEMT)的諸多材料和器件優(yōu)勢也推動了它在多樣化應用中的電源轉換使用
GaN功率HEMT制造中的缺陷及其表征方法
氮化鎵具有許多內在材料優(yōu)勢，如寬能隙和高電子遷移率。當用作橫向高電子遷移率晶體管(HEMT)器件時，這些特性可用于獲得功率轉換性能優(yōu)勢，因為其無反向恢復損失且電容相對較小。隨著這項技術
AM08012041WN-XX-R GaN MMIC 功率放大器
AMCOM的AM08012041WN-00-R/AM08012041WN-SN-R是款寬帶GaN MMIC功率放大器。AM08012041WN-00-R/AM08012041WN-SN-R在7.5到
發(fā)表于 03-15 09:36
功率GaN的多種技術路線簡析
電子發(fā)燒友網報道（文/梁浩斌）功率GaN的大規(guī)模應用，其實也只有六七年的歷史，從2018手機快速充電器上才正式吹響了普及的號角。目前，從晶體管來看，功率GaN主要的產品是HEMT（
功率GaN，炙手可熱的并購賽道？
? 電子發(fā)燒友網報道（文/梁浩斌）繼去年英飛凌收購GaN Systems之后，2024年1月，另一家汽車芯片大廠瑞薩也收購了功率GaN公司Transphorm。 ? Transphorm在2022年
射頻電容/高頻高Q電容詳細介紹
高頻高Q電容一般被用于射頻電路中，用于匹配電路，隔直電容，功放電路，因此也常被叫做射頻電容。射頻電容通常被用于射頻
低成本垂直GaN功率器件研究
隨著半導體技術的發(fā)展，垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢逐漸應用在更多的領域中。高質量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎。
GaN MEMS/NEMS應變調控諧振器研究
以GaN為代表的第三代半導體具有高擊穿電場，高電子飽和速度，高頻和高功率等特性，在射頻和電力電子
GaN HEMT為什么不能做成低壓器件
。由于這些優(yōu)勢，GaN HEMT在射頻功率放大器、微波通信、雷達、衛(wèi)星通信和電源應用等領域被廣泛采用。 然而，GaN HEMT也存在一些限制
具有高可靠性和低成本的高性能GaN功率器件技術
氮化鎵（GaN）功率器件具有高擊穿場強、高熱導率、低導通和開關損耗、射頻功率放大器、直流至直流（DC-DC）變換器、薄膜和二維
功率GaN市場增速驚人，IDM廠商產能加速擴張
GaN市場規(guī)模還高出數倍。 ? 這一筆大規(guī)模交易的背后，是對功率GaN市場發(fā)展?jié)摿Φ目春谩Ｏ啾扔赟iC的功率應用產業(yè)化較早，GaN材料最初在
氮化鎵(GaN)功率器件技術解析
使用較低的Rds（on）可以降低傳導損耗，而使用GaN可以減小芯片尺寸并降低動態(tài)損耗。當GaN與鋁基異質結構結合時形成二維電子氣體（2DEG）的能力導致了備受青睞的高電子遷移率晶體管（HEMT）
工商網監(jiān)
評論