采用GaN技術(shù)的蜂窩通訊頻段高功率產(chǎn)品應(yīng)用
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發(fā)表于 06-11 14:54
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CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的
發(fā)表于 01-19 09:27
航空航天領(lǐng)域中的GaN功率器件（下）
電源散熱技術(shù)，都有助于實(shí)現(xiàn)電源從組件到系統(tǒng)的全方位突破。因此，基于GaN功率器件來研究高頻、高效和輕量化的宇航電源，將引導(dǎo)新一代宇航電源產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)性能參數(shù)的巨大飛躍，
CGHV40180 L波段功率放大器CREE
事通訊設(shè)備產(chǎn)品規(guī)格描述：180瓦；DC-2GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管最低頻率(MHz)：0最高頻率(MHz)：2000最高值輸出功率(W)：200增益值(分貝)：24.0效率（％
發(fā)表于 01-02 12:05
低成本垂直GaN功率器件研究
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢(shì)逐漸應(yīng)用在更多的領(lǐng)域中。高質(zhì)量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎(chǔ)。
同是功率器件，為什么SiC主要是MOSFET，GaN卻是HEMT
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時(shí)候，常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（
CMPA1E1F060 Ku波段功率放大器CREE
SWaP-C解析能夠滿足新一代特殊要求。特征高線性功率和效率兼容高視頻帶寬特殊要求優(yōu)化的大數(shù)據(jù)產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域通用型數(shù)據(jù)鏈接軍工用和商用雷達(dá)探測(cè)北斗衛(wèi)星上行鏈路
發(fā)表于 12-26 09:52
見合八方1550nm高功率蝶形SOA產(chǎn)品應(yīng)用介紹
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發(fā)表于 12-19 16:10
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具有高可靠性和低成本的高性能GaN功率器件技術(shù)
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氮化鎵(GaN)功率器件技術(shù)解析
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