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中芯國(guó)際14納米生產(chǎn)工藝將于今年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn) 但與國(guó)際水平仍存在差距

半導(dǎo)體動(dòng)態(tài) ? 來(lái)源:工程師吳畏 ? 2019-01-28 15:05 ? 次閱讀

1月27日,上海市第十五屆人民代表大會(huì)第二次會(huì)議正式開(kāi)幕,上海市市長(zhǎng)應(yīng)勇作政府工作報(bào)告,報(bào)告中回顧了2018年上海市的發(fā)展?fàn)顩r,并對(duì)2019年的重點(diǎn)工作及任務(wù)作出規(guī)劃。上海市作為全國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)重要集聚區(qū),其2019年政府工作報(bào)告中多處提及集成電路。

應(yīng)勇在回顧2018年工作時(shí)表示,“五個(gè)中心”建設(shè)取得進(jìn)展,其中包括成立國(guó)家集成電路制造業(yè)創(chuàng)新中心等一批科研機(jī)構(gòu)。此外“四大品牌”建設(shè)全面啟動(dòng),包括深制定實(shí)施集成電路、人工智能、生物醫(yī)藥等產(chǎn)業(yè)政策,積塔半導(dǎo)體等5個(gè)投資百億元以上和15個(gè)投資十億元以上的重大產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目開(kāi)工建設(shè),工業(yè)投資增長(zhǎng)17.7%、增幅創(chuàng)近十年新高,新能源汽車、高端醫(yī)療裝備、集成電路、生物醫(yī)藥等新興行業(yè)產(chǎn)值增長(zhǎng)10%左右。

值得一提的是,應(yīng)勇在宣布上海市2019年主要任務(wù)中提出要推動(dòng)經(jīng)濟(jì)高質(zhì)量發(fā)展,其中包括鞏固提升實(shí)體經(jīng)濟(jì)能級(jí):加快落實(shí)集成電路、人工智能、生物醫(yī)藥等產(chǎn)業(yè)政策,深入實(shí)施智能網(wǎng)聯(lián)汽車等一批產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新工程,推動(dòng)中芯國(guó)際、和輝二期等重大產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目加快量產(chǎn),實(shí)現(xiàn)集成電路14納米生產(chǎn)工藝量產(chǎn),推進(jìn)昊海生物、ABB機(jī)器人、盛美半導(dǎo)體等項(xiàng)目開(kāi)工建設(shè)。

上述這段話體現(xiàn)了上海市對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重視,更值得注意的是還透露了備受業(yè)界關(guān)注的中芯國(guó)際14納米生產(chǎn)工藝之發(fā)展進(jìn)程——將于今年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

眾所周知,中芯國(guó)際近兩年來(lái)在攻堅(jiān)14納米制程,其于2017年10月延攬三星及臺(tái)積電前高管梁孟松擔(dān)任聯(lián)席首席執(zhí)行官,助力14納米制程以下先進(jìn)制程的研發(fā)量產(chǎn)。據(jù)悉,梁孟松上任后加強(qiáng)了研發(fā)隊(duì)伍建設(shè)、強(qiáng)化責(zé)任制,調(diào)整更新14納米FinFET規(guī)劃等,加快了研發(fā)步伐。

為了迎接14納米制程的量產(chǎn),2018年1月底中芯國(guó)際旗下為配合14納米及以下先進(jìn)制程建設(shè)的12英寸晶圓廠中芯南方擬增資擴(kuò)股,中芯國(guó)際聯(lián)同國(guó)家集成電路基金和上海集成電路基金共投資102.4億美元,以加快14納米及以下先進(jìn)制程研發(fā)和量產(chǎn)計(jì)劃,預(yù)計(jì)在2019年上半年投產(chǎn)。

盡管業(yè)界密切關(guān)注著中芯國(guó)際14納米制程的進(jìn)展,但中芯國(guó)際公開(kāi)對(duì)外透露的消息并不多。在2017年第四季度報(bào)中,中芯國(guó)際表示14 納米研發(fā)進(jìn)程進(jìn)展順利,預(yù)計(jì)將在2019年上半年量產(chǎn)14納米FinFET 工藝技術(shù),比原先預(yù)期提前了半年。

2018年6月中旬,業(yè)界傳聞中芯國(guó)際14納米FinFET制程已接近研發(fā)完成階段,其試產(chǎn)的良率已達(dá)95%,但中芯國(guó)際并未作出回應(yīng)。2018年8月,中芯國(guó)際在發(fā)布第二季度業(yè)界報(bào)告是表示,“我們欣喜地告訴大家,在14納米FinFET技術(shù)開(kāi)發(fā)上獲得重大進(jìn)展。第一代FinFET技術(shù)研發(fā)已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段?!边@意味著離量產(chǎn)并不遙遠(yuǎn)了。

種種跡象表明,中芯國(guó)際14納米制程將于今年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),如今上海市政府工作報(bào)告中的短短一句話更是宛如給出“定心丸”。

不過(guò),在為即將迎來(lái)14納米制程高興的同時(shí),業(yè)界仍需清醒地認(rèn)識(shí)到在集成電路制造領(lǐng)域我們與國(guó)際水平存在的差距。

如臺(tái)積電2018年已量產(chǎn)7納米制程,其EUV加強(qiáng)版7納米制程亦將于今年量產(chǎn),目前還在馬不停蹄地研發(fā)5納米、3納米;2018年10月,三星亦宣布其7nm LPP(Low Power Plus)制程已進(jìn)入量產(chǎn)階段,3納米目標(biāo)于2020年量產(chǎn);英特爾也表示2019年將量產(chǎn)10納米制程。..。..

可見(jiàn),即便是代表著中國(guó)大陸最先進(jìn)水平的中芯國(guó)際,與國(guó)際水平仍存著明顯代差,有待進(jìn)一步努力追趕。有消息稱,中芯國(guó)際量產(chǎn)14納米制程后,有可能跳過(guò)10nm直接研發(fā)7nm芯片制造工藝。

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