弘模半導(dǎo)體

所有投稿由技術(shù)專家委員會審核，5月28日是Abstract 提交截止日，內(nèi)容不需要多，1-2頁即可，....

模型從業(yè)者的商業(yè)模式?jīng)Q定了規(guī)模不可能大，而且是以研發(fā)為主，所以沒有國家支持是很難生存下去的。美國的C....

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈很長，每個產(chǎn)品牽涉很多知識，所以XMOD也一直通過在參與歐盟項目的同時，把那些愿意把技術(shù)....

ofics 的on-chip ESD 覆蓋目前主流工藝，應(yīng)用也非常廣泛，除了上面的人工智能，硅光電，....

在和英國IP 供應(yīng)商Moortec，和Icsense三方的合作中，Sofics 成功得在28nm, ....

半導(dǎo)體所的文章，首先回顧第一性原理（密度泛函理論）來計算納米電子，通過對二維（2D）材料為基礎(chǔ)的亞1....

對于III-V族器件， 模型的問題一直困擾者很多電路設(shè)計者，由于模型準(zhǔn)確度的局限性，很多時候，需要靠....

FinFET和FDSOI是先進(jìn)的工藝技術(shù)節(jié)點采用的新的器件創(chuàng)新來繼續(xù)保持摩爾定律。在這些器件結(jié)構(gòu)中，....

當(dāng)然，MOS-AK會議前期的培訓(xùn)部分也非常精彩，6月14日，Dr. Franz Sischka 的R....

對于電容參數(shù)的描述，ASM GaN 是應(yīng)用場效應(yīng)板來解決的。當(dāng)然，模型開發(fā)出來后，需要和真正的器件進(jìn)....

總的來說，這款LNA的芯片在NF方面的表現(xiàn)是非常不錯，對于其應(yīng)用還是非常廣泛的, 比如風(fēng)力發(fā)電中玻璃....

然而上述兩種模型為了達(dá)到大信號特性高精度，仍舊需要引入較多的擬合參數(shù)，加大了模型參數(shù)提取的難度和模型....

此芯片基于SiGe HBT BiCMOS工藝，包括了MIXER，VCO，F(xiàn)requency doub....

團隊目前已經(jīng)開發(fā)出不同頻率，寬帶的傳感器，從基帶10Ghz, 24GHz, 122GHz, 到200....

在雷達(dá)應(yīng)用這塊， 除了早已上市的77-78，79-81GHz雷達(dá)，主用于ADAS。同時94GHz雷達(dá)....

下午，主要由來自Silicon Radar的設(shè)計主管Dr. Wojciech Debski 帶來基于....

無論是0.18um CMOS還是12nm FinFet并不重要，設(shè)計公司將始終受益于更短的開發(fā)時間，....

122 GHz收發(fā)雷達(dá)前端（RFE）主要應(yīng)用領(lǐng)域是在短程/高分辨雷達(dá)系統(tǒng)，范圍高達(dá)約7米。通過使用附....

作為歐盟項目自動駕駛相關(guān)項目的活躍合作伙伴Silicon Radar, 將在6月20日的MOS-AK....

成都電子科技大學(xué)團隊的硅基磁光非互易光子器件向大家展示了團隊在這方面所做的努力和成績。在先進(jìn)節(jié)點方面....