為滿足電動(dòng)汽車市場(chǎng)的需求，英飛凌推出了全新的650V CoolMOS? SJ功率 MOSFET CFD7A系列。這一產(chǎn)品經(jīng)過專門優(yōu)化，可以滿足電動(dòng)汽車應(yīng)用 （如車載充電器、HV-LV DC-DC 轉(zhuǎn)換器和輔助電源）的要求。
2020-05-31 09:15:36
1509 科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出了650 V CoolSiCTM?MOSFET系列新產(chǎn)品。該產(chǎn)品具有高可靠性、易用性和經(jīng)濟(jì)實(shí)用等特點(diǎn)，能夠提供卓越的性能。這些SiC器件采用了英飛凌先進(jìn)的SiC溝槽工藝、緊湊的D2PAK 表面貼裝7引腳封裝和.XT互連技術(shù)
2022-03-31 18:10:574794 
新款 CoolSiC Hybrid產(chǎn)品系列結(jié)合了650 V TRENCHSTOP? 5 IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管的主要優(yōu)點(diǎn)，具備出色的開關(guān)速度和更低的開關(guān)損耗，特別適用于 DC-DC 功率變換器和PFC電路。
2021-08-06 15:40:471728 
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:421942 
有了全面的提升。 ? 性能全方面提升 ? 英飛凌在2017年正式推出了第一代溝槽柵SiC MOSFET，即CoolSiC MOSFET G1。在CoolSiC MOSFET G1中，英飛凌采用溝槽
2024-03-19 18:13:181494 
電池充電，還能作為意外停電時(shí)的備用電源，以及高效綠色能源發(fā)電設(shè)備的核心組件。該雙向逆變器搭載了英飛凌的****1200 V M1H CoolSiC? EasyPACK? 1B模塊 和采用 D2PAK
2022-08-09 15:17:41
功率密度。得益于此，英飛凌率先將40 A 650V IGBT和40 A二極管組合到D2PAK封裝中。較之競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的D2PAK封裝產(chǎn)品，這個(gè)新的產(chǎn)品家族的額定參數(shù)高于市場(chǎng)上的所有其他產(chǎn)品，其他組合封裝
2018-10-23 16:21:49
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
0前言家用逆變焊機(jī)因其體較小，操作方便，市場(chǎng)接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點(diǎn)，一般采用600V/650V規(guī)格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
可靠性是什么？充實(shí)一下這方面的知識(shí) 產(chǎn)品、系統(tǒng)在規(guī)定的條件下，規(guī)定的時(shí)間內(nèi)，完成規(guī)定功能的能力稱為可靠性?！ ∵@里的產(chǎn)品可以泛指任何系統(tǒng)、設(shè)備和元器件。產(chǎn)品可靠性定義的要素是三個(gè)“規(guī)定”：“規(guī)定
2015-08-04 11:04:27
、元器件產(chǎn)品、失效分析中如何確定環(huán)境應(yīng)力第三章 產(chǎn)品可靠性能檢驗(yàn)基礎(chǔ)知識(shí)、產(chǎn)品的壽命規(guī)律及常用分布、可靠性試驗(yàn)數(shù)據(jù)的分析與處理、常用失效分析與儀器簡(jiǎn)介、電子元器件失效率鑒定試驗(yàn)六、高級(jí)證培訓(xùn)鑒定費(fèi)用
2010-08-27 08:25:03
電子可靠性資料匯編內(nèi)容： 降額設(shè)計(jì)規(guī)范；電子工藝設(shè)計(jì)規(guī)范；電氣設(shè)備安全通用要求設(shè)計(jì)規(guī)范 ；嵌入式
2010-10-04 22:31:56
工作納入產(chǎn)品研制（生產(chǎn)）的正常的技術(shù)計(jì)劃渠道，在進(jìn)行每一項(xiàng)技術(shù)工作的同時(shí)，權(quán)衡性能與可靠性，才能把高可靠性“注入”到產(chǎn)品中去，才能最終達(dá)到性能、可靠性、進(jìn)度、經(jīng)費(fèi)的綜合最佳效果。7.3.3 可靠性
2009-05-24 16:49:57
AD7981是什么？AD7981有什么特性？AD7981有哪些應(yīng)用實(shí)例？AD7981是如何在極端溫度下實(shí)現(xiàn)突破性能和可靠性的？
2021-05-17 07:17:52
CoolMOS CFD2系列，具有快速的體二極管，低Coss，高達(dá)650V的擊穿電壓，使LLC拓?fù)溟_關(guān)電源具有更高的效率和可靠性。 參考文獻(xiàn)：1. Gary Chang “Why choose
2018-12-05 09:56:02
作者：Sandeep Bahl 最近，一位客戶問我關(guān)于氮化鎵（GaN）可靠性的問題：“JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）似乎沒把應(yīng)用條件納入到開關(guān)電源的范疇。我們將在最終產(chǎn)品里使用的任何GaN器件
2018-09-10 14:48:19
SiC MOS器件的柵極氧化物可靠性的挑戰(zhàn)是，在某些工業(yè)應(yīng)用給定的工作條件下，保證最大故障率低于1 FIT，這與今天的IGBT故障率相當(dāng)。除了性能之外，可靠性和堅(jiān)固性是SiC MOSFET討論最多
2022-07-12 16:18:49
家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎(chǔ)。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產(chǎn)品的路線圖奠定了基礎(chǔ)。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關(guān);性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
問題。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不會(huì)發(fā)生這類問題）ROHM通過開發(fā)不會(huì)擴(kuò)大堆垛層錯(cuò)的獨(dú)特工藝，成功地確保了體二極管通電的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品中，實(shí)施了
2018-11-30 11:30:41
進(jìn)行半導(dǎo)體元器件的評(píng)估時(shí)，電氣/機(jī)械方面的規(guī)格和性能當(dāng)然是首先要考慮的，而可靠性也是非常重要的因素。尤其是功率元器件是以處理較大功率為前提的，更需要具備充分的可靠性。SiC-SBD的可靠性SiC作為
2018-11-30 11:50:49
strcpy()函數(shù)標(biāo)準(zhǔn)該如何去實(shí)現(xiàn)呢？TCP協(xié)議如何保證可靠性呢？
2021-12-24 06:10:04
；TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請(qǐng) 點(diǎn)擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經(jīng)過100％雪崩測(cè)試改進(jìn)的dv/dt功能主要參數(shù)：應(yīng)用：高效開關(guān)模式電源，基于半橋拓?fù)涞挠性垂β室驍?shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
電子可靠性資料匯編內(nèi)容： 降額設(shè)計(jì)規(guī)范；電子工藝設(shè)計(jì)規(guī)范；電氣設(shè)備安全通用要求設(shè)計(jì)規(guī)范 ；嵌入式
2010-10-04 22:34:14
、團(tuán)隊(duì)素質(zhì)”等一系列影響因子。因此，評(píng)估PCB是否具備“高可靠性”需要深度確認(rèn)工廠的下列管控項(xiàng)目是否已經(jīng)完全受控。1.預(yù)防機(jī)制1)工程設(shè)計(jì)：客戶要求識(shí)別、信息化管理、自動(dòng)化作業(yè)、專業(yè)化技能；設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)
2020-07-03 11:09:11
。對(duì)于產(chǎn)品來說，可靠性是產(chǎn)品性能得以發(fā)揮的保證，如果產(chǎn)品不可靠，技術(shù)性能即使再好也得不到發(fā)揮。“產(chǎn)品可靠性”就等同于產(chǎn)品靠不靠譜！換言之，“高可靠性”指的是產(chǎn)品壽命更長(zhǎng)，并且在產(chǎn)品生命周期內(nèi)很少
2020-07-08 17:10:00
控“工程設(shè)計(jì)、生產(chǎn)物料、制造設(shè)備、流程工藝、品保設(shè)施、生產(chǎn)環(huán)境、管理體系、團(tuán)隊(duì)素質(zhì)”等一系列影響因子。因此，評(píng)估PCB是否具備“高可靠性”需要深度確認(rèn)工廠的下列管控項(xiàng)目是否已經(jīng)完全受控。1.預(yù)防機(jī)制1)工程設(shè)計(jì)
2020-07-03 11:18:02
一定的短路能力。下表是派恩杰半導(dǎo)體部分產(chǎn)品短路能力：表1 1200V/650V MOSFET器件短路耐量派恩杰半導(dǎo)體針對(duì)柵極的可靠性是嚴(yán)格按照AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行，在柵極分別加負(fù)壓和正壓（-4V
2022-03-29 10:58:06
基于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的可靠性測(cè)試方法企業(yè)設(shè)計(jì)的可靠性測(cè)試方法
2021-03-08 07:55:20
組成，只適用于某一領(lǐng)域中的硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)?；谟布脚_(tái)設(shè)計(jì)的應(yīng)用系統(tǒng)有基本的可靠性保證。一個(gè)良好的硬件平臺(tái)應(yīng)具備：標(biāo)準(zhǔn)化、系列化、規(guī)范化設(shè)計(jì)的電路系統(tǒng)；柔性特性的基本應(yīng)用系統(tǒng)體系結(jié)構(gòu)；豐富的軟件支持
2021-01-11 09:34:49
可靠性設(shè)計(jì)是單片機(jī)應(yīng)甩系統(tǒng)設(shè)計(jì)必不可少的設(shè)計(jì)內(nèi)容。本文從現(xiàn)代電子系統(tǒng)的可靠性出發(fā)，詳細(xì)論述了單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)的可靠性特點(diǎn)。提出了芯片選擇、電源設(shè)計(jì)、PCB制作、噪聲失敏控制、程序失控回復(fù)等集合硬件系統(tǒng)
2021-02-05 07:57:48
。 BM1Pxxx支持隔離和非隔離器件，可以更簡(jiǎn)單地設(shè)計(jì)各種類型的低功耗電氣轉(zhuǎn)換器。 BM1Pxxx內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路，可承受650V電壓，有助于降低功耗
2020-08-14 06:52:48
MOSFET 寄生特性都比硅MOSFET為好。但是，這種技術(shù)確實(shí)能夠提供許多優(yōu)勢(shì)，加上在硬開關(guān)應(yīng)用中的牢固性，使其值得在更高效電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中考慮采用。650V CoolSiC系列的推出令這些優(yōu)勢(shì)更加明顯，從而
2023-03-14 14:05:02
為了FPGA保證設(shè)計(jì)可靠性, 需要重點(diǎn)關(guān)注哪些方面？
2019-08-20 05:55:13
高可靠性系統(tǒng)設(shè)計(jì)包括使用容錯(cuò)設(shè)計(jì)方法和選擇適合的組件，以滿足預(yù)期環(huán)境條件并符合標(biāo)準(zhǔn)要求。本文專門探討實(shí)現(xiàn)高可靠性電源的半導(dǎo)體解決方案，這類電源提供冗余、電路保護(hù)和遠(yuǎn)程系統(tǒng)管理。本文將突出顯示，半導(dǎo)體技術(shù)的改進(jìn)和新的安全功能怎樣簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，并提高了組件的可靠性。
2021-03-18 07:49:20
`請(qǐng)問如何提高PCB設(shè)計(jì)焊接的可靠性？`
2020-04-08 16:34:11
PMU的原理是什么？如何提高數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的實(shí)時(shí)性與可靠性？
2021-05-12 06:45:42
。因此，硬件可靠性設(shè)計(jì)在保證元器件可靠性的基礎(chǔ)上，既要考慮單一控制單元的可靠性設(shè)計(jì)，更要考慮整個(gè)控制系統(tǒng)的可靠性設(shè)計(jì)。
2021-01-25 07:13:16
BM2P033 PWM AC / DC變換器的典型應(yīng)用電路。用于AC / DC的PWM型（BM2PXX3）為包含電源插座的所有產(chǎn)品提供了最佳系統(tǒng)。 BM2PXX3支持隔離和非隔離器件，可以更簡(jiǎn)單地設(shè)計(jì)各種類型的低功耗電氣轉(zhuǎn)換器。 BM2PXX3內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路，可承受650V電壓，有助于實(shí)現(xiàn)低功耗
2020-06-05 09:15:07
摘要：工業(yè)電器自動(dòng)化設(shè)備的限位開關(guān)、微型開關(guān)的使用漸漸趨向于靈活、方便和高薪科技的方向發(fā)展，以至于被接近開關(guān)傳感器所取代并廣泛使用。通過可靠性試驗(yàn)研究，獲得最優(yōu)化數(shù)據(jù)參數(shù)，顯示其使用的優(yōu)越性
2018-11-13 16:28:52
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
可靠性相關(guān)理論對(duì)現(xiàn)場(chǎng)返還數(shù)據(jù)進(jìn)行分解與建模分析，獲得一個(gè)融合了產(chǎn)品設(shè)計(jì)能力、使用環(huán)境、工藝水平、制造能力、檢測(cè)能力以及質(zhì)量管理水平的產(chǎn)品失效率模型，并建立了一套符合無線通信產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)過程各項(xiàng)可靠性
2019-06-19 08:24:45
用于AC/DC變換器應(yīng)用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
我想問一下高速電路設(shè)計(jì)，是不是只要做好電源完整性分析和信號(hào)完整性分析，就可以保證系統(tǒng)的穩(wěn)定了。要想達(dá)到高的可靠性，要做好哪些工作??？在網(wǎng)上找了好久，也沒有找到關(guān)于硬件可靠性的書籍。有經(jīng)驗(yàn)的望給點(diǎn)提示。
2015-10-23 14:47:17
?！ 】偨Y(jié) 與硅替代品相比，SiC MOSFET 具有一系列優(yōu)勢(shì)，再加上其在硬開關(guān)應(yīng)用中的魯棒性，使其值得在最有效的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中加以考慮。650 V CoolSiC 系列的推出使 SiC? MOSFET 技術(shù)在經(jīng)濟(jì)上更加可行，適合那些將功率轉(zhuǎn)換推向極限的用戶。
2023-02-23 17:11:32
650 V CoolSiC?混合分立器件，該器件包含一個(gè)50A TRENCHSTOP? 快速開關(guān) IGBT 和一個(gè)
CoolSiC 肖特基二極管，能夠提升性價(jià)比并
帶來高
可靠性。這種組合為硬開關(guān)拓?fù)?/div>
2021-03-29 11:00:47
剛剛接觸PCBA可靠性，感覺和IC可靠性差異蠻大，也沒有找到相應(yīng)的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。請(qǐng)問大佬們?cè)谧鯬CBA可靠性時(shí)是怎么做的，測(cè)試條件是根據(jù)什么設(shè)定？
2023-02-15 10:21:14
相比特性非常優(yōu)異。BUxxJA2MNVX-C系列是實(shí)現(xiàn)了近年來車載用電源IC所要求的小型、低功耗、高性能、高可靠性LDO穩(wěn)壓器。相關(guān)文章 重點(diǎn)必看安裝面積比同等產(chǎn)品少55％，支持AEC-Q100
2018-12-04 10:13:49
時(shí)間內(nèi)（由600V IGBT3的6微秒增至650V IGBT4的10微秒），該器件具備出類拔萃的開關(guān)性能和短路魯棒性。結(jié)論利用英飛凌新型650V IGBT4可開發(fā)出專用于大電流應(yīng)用的逆變器設(shè)計(jì)，以部署
2018-12-07 10:16:11
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術(shù)為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業(yè)新桿標(biāo)。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進(jìn)反向恢復(fù)過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，這些功率MOSFET改善效率和具有快速開關(guān)速度，應(yīng)用工作電壓高達(dá)650V, 電流20A。新的TK系列器件適合用于各
2010-03-30 10:37:181447 英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級(jí)結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢(shì)（如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗）與輕松控制的開關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:261672 英飛凌目前正推出另一項(xiàng)重要的創(chuàng)新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:171845 英飛凌科技股份有限公司擴(kuò)展其車用功率半導(dǎo)體系列產(chǎn)品，推出全新 650V CoolMOS CFDA。這是業(yè)界首創(chuàng)整合高速本體二極體技術(shù)的超接面 MOSFET 解決方案，符合最高的汽車認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn) AEC-Q101。
2012-04-05 09:31:021458 2015年3月2日，德國(guó)慕尼黑——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）發(fā)布了能夠讓應(yīng)用于汽車中的高速開關(guān)實(shí)現(xiàn)最高效率的高堅(jiān)固性650V IGBT系列。
2015-03-04 10:00:291443 SiC MOSFET與傳統(tǒng)硅MOSFET在短路特性上有所差異，以英飛凌CoolSiC? 系列為例，全系列SiC MOSFET具有大約3秒的短路耐受能力?？梢岳闷骷旧淼倪@一特性，在驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中考慮短路保護(hù)功能，提高系統(tǒng)可靠性。
2018-06-15 10:09:3825116 
ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(diǎn)（相比第二代）ROHM第三代設(shè)計(jì)應(yīng)用于650V和1200V產(chǎn)品之中，包括分立或模組封裝。本報(bào)告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET，并利用光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡研究復(fù)雜的碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)。
2018-08-20 17:26:299042 CoolSiC肖特基二極管650V G6系列是英飛凌不斷提高技術(shù)和流程的結(jié)果，讓碳化硅肖特基二極管的設(shè)計(jì)和開發(fā)更具價(jià)格優(yōu)勢(shì)，性能一代更比一代強(qiáng)。因此，G6是英飛凌最具有性價(jià)比的CooSiC肖特基二極管的一代，在同等價(jià)格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:523697 
在220V單相家用便攜式焊機(jī)應(yīng)用中，大部分設(shè)計(jì)是使用650V IGBT單管制作逆變電源，開關(guān)頻率最高可以到50kHz，如果采用軟開關(guān)技術(shù)，開關(guān)頻率還能更高，也有使用650V硅基MOSFET為功率器件
2020-03-31 15:32:383409 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標(biāo)志著公司進(jìn)一步增強(qiáng)了在低壓SiC領(lǐng)域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267 什么樣的MOSFET才適合儲(chǔ)能系統(tǒng)？英飛凌全新推出了碳化硅MOSFET：650V CoolSiC MOSFET產(chǎn)品系列，幫助儲(chǔ)能系統(tǒng)輕松實(shí)現(xiàn)更高效、更高功率密度以及雙向充/放電的設(shè)計(jì)。
2020-08-21 14:01:251014 
使用此SMD封裝從而提高應(yīng)用性能的多種方法：被動(dòng)冷卻解決方案、增大功率密度、延長(zhǎng)使用壽命等等。請(qǐng)聯(lián)系您當(dāng)?shù)氐?b class="flag-6" style="color: red">英飛凌代表，詳細(xì)了解無風(fēng)扇伺服驅(qū)動(dòng)的實(shí)現(xiàn)、機(jī)器人和自動(dòng)化行業(yè)的逆變器-電機(jī)一體化，以及低功率緊湊型充電器解決方案。 CoolSiC溝槽MOSFET技術(shù)經(jīng)過優(yōu)化，將性能與
2020-11-03 14:09:492695 效率。 了解使用此 SMD 封裝從而提高應(yīng)用性能的多種方法：被動(dòng)冷卻解決方案、增大功率密度、延長(zhǎng)使用壽命等等。 CoolSiC?溝槽 MOSFET 技術(shù)經(jīng)過優(yōu)化，將性能與可靠性相結(jié)合，并具有 3μs 的短路時(shí)間。由于采用 .XT 連接技術(shù)，其小巧封裝外形的散熱性能得到顯著改善。相比標(biāo)準(zhǔn)封裝的連接技術(shù)，
2021-03-01 12:16:022084 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（東芝）宣布，在其TOLL（TO-無引線）封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級(jí)結(jié)功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231117 
前言背景： 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管
2021-03-26 16:40:202349 
英飛凌科技股份公司將EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET模塊升級(jí)為新型氮化鋁（AIN） 陶瓷。
2021-08-06 15:25:301192 TP650H070L系列650V，72m? 氮化鎵（GaN）FET是常關(guān)器件。它們結(jié)合了最先進(jìn)的技術(shù)高壓GaN HEMT和低壓硅MOSFET提供卓越可靠性和性能的技術(shù)。
2022-03-31 15:03:35
10 650V 60mΩ SiC MOSFET主要應(yīng)用市場(chǎng)包括光伏和儲(chǔ)能、驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車及充電樁、UPS、電源等。據(jù)HIS報(bào)告，電動(dòng)汽車充電市場(chǎng)的增長(zhǎng)將非常強(qiáng)勁，高達(dá)59%。
2022-08-02 15:06:55614 
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29538 
Wolfspeed 新款車規(guī)級(jí) E-系列（E3M）650V、60 mΩ MOSFET 系列幫助設(shè)計(jì)人員滿足 EV 車載充電機(jī)應(yīng)用。采用 Wolfspeed 第三代 SiC MOSFET 技術(shù)
2022-11-07 09:59:21917 650V 快速恢復(fù) SuperFET? II MOSFET 在諧振拓?fù)渲袑?shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性
2022-11-14 21:08:360 繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后，2023年7月 森國(guó)科正式對(duì)外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品 ，相較于傳統(tǒng)的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP12N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費(fèi)下載
2022-04-29 14:06:570 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP10N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費(fèi)下載
2022-04-29 14:12:250 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP8N65C美浦森高壓MOSFET 650V 7.5A.pdf》資料免費(fèi)下載
2022-04-29 14:30:151 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP5N65C美浦森高壓MOSFET 650V 4.5A.pdf》資料免費(fèi)下載
2022-04-29 14:33:490 碳化硅MOSFET在材料與器件特性上不同于傳統(tǒng)硅，如何保證性能和可靠性的平衡是所有廠家需要面對(duì)的首要問題，英飛凌作為業(yè)界為數(shù)不多的采用溝槽柵做SiCMOSFET的企業(yè)，如何使用創(chuàng)新的非對(duì)稱溝槽
2023-11-28 08:13:57372 
IGBT 作為一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)節(jié)能、電動(dòng)汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護(hù)方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)，是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵难b置。瑞能的650V IGBT產(chǎn)品在電性能和可靠性等方面具備諸多優(yōu)勢(shì)，在行業(yè)內(nèi)也處于領(lǐng)先地位。
2023-12-26 13:31:35276 
近日，瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產(chǎn)品IV2Q06040D7Z通過了嚴(yán)苛的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證，該產(chǎn)品采用TO263-7貼片封裝，具有體積較小，安裝簡(jiǎn)便，損耗更低的特點(diǎn)。
2024-01-16 10:16:24770 
英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的650V軟特性發(fā)射極控制高速二極管EC7。這款二極管采用TO247-2封裝，具有2個(gè)引腳，不僅增加了安規(guī)距離，提高了可靠性，而且適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。
2024-02-01 10:50:02365 英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產(chǎn)品采用了先進(jìn)的TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ，旨在滿足高壓應(yīng)用的需求。
2024-02-01 10:51:00381 Ω規(guī)格的IV2Q06060D7Z，均成功通過了嚴(yán)苛的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證。這一認(rèn)證標(biāo)志著瞻芯電子的SiC MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)滿足了汽車行業(yè)對(duì)高可靠性、高性能的嚴(yán)格要求，為新能源汽車市場(chǎng)的高效發(fā)展注入了新的活力。
2024-03-07 09:43:18222 另外，CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合還成功實(shí)現(xiàn)了SiC MOSFET市場(chǎng)中的最低導(dǎo)通電阻值（Rdson），這大大提高了能效、功率密度，以及在電力系統(tǒng)中的可靠性，降低了零件使用數(shù)量。
2024-03-10 12:32:41502 3月8日，瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:38287 
近日，瞻芯電子宣布其研發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品成功通過了嚴(yán)格的AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證，這一里程碑式的成就標(biāo)志著瞻芯電子在功率電子領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新與技術(shù)突破。
2024-03-12 11:04:24260 瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品，這些產(chǎn)品不僅通過了嚴(yán)格的車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified），還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標(biāo)志著瞻芯電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 英飛凌最近發(fā)布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET，滿足工業(yè)和汽車領(lǐng)域?qū)Ω吣苄Ш凸β拭芏鹊牟粩嘣鲩L(zhǎng)需求。這款產(chǎn)品系列包含了專為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源
2024-03-15 16:31:45209 
英飛凌科技股份公司，作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設(shè)計(jì)人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:29126 英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，無疑為功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域帶來了革命性的進(jìn)步。與上一代產(chǎn)品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36132 CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù)，CoolSiC技術(shù)的輸出電流能力強(qiáng)，可靠性提高。
2024-03-22 14:08:3565 已全部加載完成
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