【2022年5月10日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）發(fā)布了一項全新的CoolSiC?技術(shù)，即CoolSiC? MOSFET 1200
2022-05-10 14:10:02
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瑞薩電新發(fā)表13款具備高效能之第7代絕緣閘雙極性電晶體（IGBT）系列新產(chǎn)品。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列與1250V的RJP1CS系列。新款IGBT是將系統(tǒng)中的直流電轉(zhuǎn)換為交流電的功率半導(dǎo)體裝
2012-07-31 11:34:281650 英飛凌科技發(fā)表新一代薄晶圓技術(shù)IGBT TRENCHSTOP 5 系列產(chǎn)品，其導(dǎo)通損失和切換損失均遠(yuǎn)低于目前的領(lǐng)導(dǎo)解決方案。透過這項突破性的產(chǎn)品，英飛凌為 IGBT 效能立下新標(biāo)竿，繼續(xù)在效率
2012-11-16 08:55:052343 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM新開發(fā)出兼?zhèn)錁I(yè)界頂級低傳導(dǎo)損耗※1和高速開關(guān)特性的650V耐壓IGBT※2“RGTV系列（短路耐受能力※3保持版）”和“RGW系列（高速開關(guān)版）”，共21種機型。這些產(chǎn)品
2018-04-17 12:38:467742 
與600V IGBT3一樣，新的650V IGBT4也是采用了溝槽的MOS-top-cell薄片技術(shù)和場截止的概念（如圖1 所示），但與600V IGBT3相比，芯片厚度增加了大約15%，并且MOS
2018-10-26 09:17:007600 為滿足電動汽車市場的需求，英飛凌推出了全新的650V CoolMOS? SJ功率 MOSFET CFD7A系列。這一產(chǎn)品經(jīng)過專門優(yōu)化，可以滿足電動汽車應(yīng)用 （如車載充電器、HV-LV DC-DC 轉(zhuǎn)換器和輔助電源）的要求。
2020-05-31 09:15:361509 V車規(guī)級IGBT?，包括AIKQ120N75CP2?和?AIKQ200N75CP2兩個型號。這款分立式IGBT EDT2器件采用TO-247PLUS封裝，可以提升電動汽車主逆變器和直流鏈路放電開關(guān)的性能
2022-06-10 16:53:132418 
GT30J65MRB用于空調(diào)和工業(yè)設(shè)備大型電源的功率因數(shù)校正（PFC）電路[1]的650V分立IGBT。 功率半導(dǎo)體器件經(jīng)過業(yè)界驗證，對于節(jié)能工作意義重大，其中包括助力實現(xiàn)碳中和目標(biāo)。由于在高功率
2023-03-16 14:50:59771 
Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場效應(yīng)管（GaN）市場。
2019-11-22 15:16:321787 隨著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細(xì)分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合
2020-02-26 08:26:001315 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:421942 
英飛凌科技宣布推出采用TO247PLUS封裝的全新EDT2 IGBT。該器件專門針對分立式汽車牽引逆變器進(jìn)行了優(yōu)化，進(jìn)一步豐富了英飛凌車規(guī)級分立式高壓器件的產(chǎn)品陣容。
2022-03-21 14:14:041435 
中國上海， 2023 年 3 月 9 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布推出一款用于空調(diào)和工業(yè)設(shè)備大型電源的功率因數(shù)校正（PFC）電路[1]的650V分立IGBT
2023-03-13 09:56:12662 
代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）于近日宣布推出全新的TEGRION?系列安全控制器，這是英飛凌迄今為止最廣泛的28 nm安全控制器產(chǎn)品組合。該系列安全控制器集成了全新的Integrity
2023-08-21 14:32:22515 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX：IFNNY）推出分立式650V IGBT7 H7新品，進(jìn)一步擴展其第七代TRENCHSTOP? IGBT產(chǎn)品陣容。全新器件配備尖端的EC7
2023-11-03 11:40:49644 
模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用成熟的62 mm 器件半橋拓?fù)湓O(shè)計并基于新推出的增強型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。該封裝使SiC能夠應(yīng)用于250 kW以上的中等功率等級應(yīng)用，而傳統(tǒng)
2023-12-05 17:03:49446 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術(shù)，據(jù)官方介紹，這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術(shù)，相比上一代產(chǎn)品也就是CoolSiC MOSFET G1
2024-03-19 18:13:181494 
英飛凌 | CoolSiC?器件為臺達(dá)雙向逆變器提供助力英飛凌科技股份公司的CoolSiC?產(chǎn)品被總部位于臺灣的全球領(lǐng)先的電源管理及散熱解決方案提供商臺達(dá)電子選用，使得臺達(dá)電子向著利用綠色電力實現(xiàn)
2022-08-09 15:17:41
40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對功率密度
2018-10-23 16:21:49
逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率?！ ￡P(guān)斷波形圖（650V/10A產(chǎn)品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆變焊機因其體較小，操作方便，市場接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點，一般采用600V/650V規(guī)格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
IGBT英飛凌的模塊，用著怎么樣啊，求指導(dǎo)。
2018-04-17 15:27:54
二極管本器件采用了最新的半導(dǎo)體技術(shù)［1、2］：IGBT4和EmCon4二極管。英飛凌推出的全新1200V IGBT4系列，結(jié)合改進(jìn)型發(fā)射極控制二極管，針對高中低功率應(yīng)用提供了三款產(chǎn)品，可面向不同應(yīng)用滿足
2018-12-07 10:23:42
[tr][td]英飛凌IGBT應(yīng)用常見問題解答1.IGBT模塊適用于哪些產(chǎn)品？2.Easy系列模塊電壓/電流/功率范圍？3.Easy系列有哪幾種封裝？........總共23個問題，，已經(jīng)有此資料
2018-12-13 17:16:13
設(shè)計用于驅(qū)動N通道功率MOSFET或IGBT，其工作電壓最高可達(dá)650V。
特性
?650V無芯變壓器隔離驅(qū)動器IC
?軌到軌輸出
?保護(hù)功能
?浮動高側(cè)驅(qū)動
?雙通道欠壓鎖定
?3.3V和5V TTL
2023-08-24 18:21:45
羅姆(ROHM)是半導(dǎo)體和電子零部件領(lǐng)域的著名生產(chǎn)商，其近期推出了TO-247N封裝的RGSXXTS65DHR系列絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）——RGS60TS65DHR、RGS80TS65DHR
2019-04-09 06:20:10
；TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請 點擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經(jīng)過100％雪崩測試改進(jìn)的dv/dt功能主要參數(shù)：應(yīng)用：高效開關(guān)模式電源，基于半橋拓?fù)涞挠性垂β室驍?shù)校正`
2020-04-30 15:13:55
中國上海，2023年3月9日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布推出一款用于空調(diào)和工業(yè)設(shè)備大型電源的功率因數(shù)校正（PFC）電路的650V分立IGBT---“GT30J65MRB
2023-03-09 16:39:58
其授權(quán)代理商。廣大客戶現(xiàn)可通過華秋商城購買MDD品牌產(chǎn)品！產(chǎn)品簡介MDD7N65F應(yīng)用場景 ：LED驅(qū)動，適配器功能特點 ：低導(dǎo)電阻、優(yōu)異的開關(guān)性能和高雪崩能量產(chǎn)品參數(shù) ：VDSS：650V，ID
2022-11-11 11:50:23
SBD）* ? Hybrid型的IGBT* ? 顯著降低損耗* ? RGWxx65C系列* ? 650V耐壓* ? 與使用Si快速恢復(fù)二極管（Si FRD）的IGBT相比，開通損耗顯著降低
2022-07-27 10:27:04
。 BM1Pxxx支持隔離和非隔離器件，可以更簡單地設(shè)計各種類型的低功耗電氣轉(zhuǎn)換器。 BM1Pxxx內(nèi)置高壓啟動電路，可承受650V電壓，有助于降低功耗
2020-08-14 06:52:48
系列Hybrid MOS是同時具備超級結(jié)MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”）的高速開關(guān)和低電流時的低導(dǎo)通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時的低導(dǎo)通電阻這些優(yōu)異特性的新結(jié)構(gòu)MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36
并聯(lián)二極管的特性參數(shù)對比 如圖13所示，混合碳化硅分立器件的反向恢復(fù)時間Trr，反向恢復(fù)電流Irr和反向恢復(fù)損耗Err明顯降低?！ ?5 總結(jié) 基本半導(dǎo)體主要推出了650V 50A和650V
2023-02-28 16:48:24
MOSFET 寄生特性都比硅MOSFET為好。但是，這種技術(shù)確實能夠提供許多優(yōu)勢，加上在硬開關(guān)應(yīng)用中的牢固性，使其值得在更高效電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中考慮采用。650V CoolSiC系列的推出令這些優(yōu)勢更加明顯，從而
2023-03-14 14:05:02
來電報單 電子**現(xiàn)金高價收購廠家、,原裝外殼長期收購全新三墾igbt模塊回收長期,收購,回收 IGBT模塊回收英飛凌模塊回收嘉善回收IGBT模塊,回收西門康模塊收購可控硅西門康模塊回收,長期,高價,現(xiàn)金
2022-01-01 19:06:43
BM2P033 PWM AC / DC變換器的典型應(yīng)用電路。用于AC / DC的PWM型（BM2PXX3）為包含電源插座的所有產(chǎn)品提供了最佳系統(tǒng)。 BM2PXX3支持隔離和非隔離器件，可以更簡單地設(shè)計各種類型的低功耗電氣轉(zhuǎn)換器。 BM2PXX3內(nèi)置高壓啟動電路，可承受650V電壓，有助于實現(xiàn)低功耗
2020-06-05 09:15:07
CoolSiC 汽車 MOSFET 技術(shù)的成熟，英飛凌也成功的將該技術(shù)進(jìn)入 EasyPACK，并獲得了汽車級認(rèn)證，目前正在擴展該模塊系列的應(yīng)用范圍，旨在涵蓋具有高效率和高開關(guān)頻率需求的電動汽車的高壓應(yīng)用。其中
2021-03-27 19:40:16
650 V CoolSiC?混合
分立器件，該
器件包含一個50A TRENCHSTOP? 快速開關(guān)
IGBT 和一個
CoolSiC 肖特基二極管，能夠提升性價比并帶來高可靠性。這種組合為硬開關(guān)拓?fù)?/div>
2021-03-29 11:00:47
650V IGBT4，旨在提供更大的設(shè)計自由度。這款全新的IGBT4器件具備更好的關(guān)斷軟度，并且由于關(guān)斷電流變化率di/dt的降低，帶來了更低的關(guān)斷電壓尖峰。該器件專門設(shè)計用于中高電流應(yīng)用。相對于
2018-12-07 10:16:11
長期高價回收英飛凌IGBT模塊FF300R12KT3_E 300A,1200V,共發(fā)射極,用于矩陣開關(guān),雙向變換器等 62mm ?無錫不限量收購回收英飛凌IGBT模塊FF400R12KT3_E
2021-09-17 19:23:57
對工藝技術(shù)進(jìn)行微調(diào)。英飛凌的第三代高速IGBT系列（2010年量產(chǎn)）可支持開關(guān)頻率高達(dá)100 kHz的應(yīng)用，其關(guān)斷損耗要比前代NPT IGBT低35%。隨著生產(chǎn)成本的降低，該系列器件的樣片的定價從1.90
2018-12-03 13:47:00
電阻和高達(dá)650V的阻斷電壓。這種的器件還具備極低的反向恢復(fù)電荷和結(jié)實耐用的內(nèi)置體二極管。數(shù)據(jù)表規(guī)范中將提供全新的Qrr 和trr最大值。我們還評估了這種新器件在典型HID半橋電路應(yīng)用中的性能：省去4個
2018-12-03 13:43:55
SKII系列模塊三菱CM 系列三社，東芝，松下，等各品牌各系列模塊，長期 高價大量回收各種IGBT IPM GTR 整流條，可控硅，達(dá)林頓，場效應(yīng)等模塊?？缮祥T回收。 專業(yè)從事電子元器件回收、IC回收
2020-08-07 14:07:29
FF650R17IE4 IGBT模塊FF650R17IE4 是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊，具有溝槽結(jié)構(gòu)，并通過在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個
2023-02-07 13:59:30
英飛凌推出適用于節(jié)能家電的創(chuàng)新功率轉(zhuǎn)換器件
英飛凌科技股份公司近日推出適用于節(jié)能家用電器電機驅(qū)動裝置的功率轉(zhuǎn)換器件系列。全新的600V RC IGBT驅(qū)動系列（RC指
2010-01-25 08:44:19759 英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進(jìn)一步擴大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統(tǒng)
2010-01-26 09:22:57827 Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，這些功率MOSFET改善效率和具有快速開關(guān)速度，應(yīng)用工作電壓高達(dá)650V, 電流20A。新的TK系列器件適合用于各
2010-03-30 10:37:181447 英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢（如低導(dǎo)通電阻和低容性開關(guān)損耗）與輕松控制的開關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:261672 Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec 650V 結(jié)型肖特基勢壘 (JBS) 二極管系列，以滿足最新數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)要求。新型 JBS
2010-12-23 08:49:371290 英飛凌新一代CoolMOS CFD2器件具備最低的通態(tài)電阻和高達(dá)650V的阻斷電壓。這種的器件還具備極低的反向恢復(fù)電荷和結(jié)實耐用的內(nèi)置體二極管。數(shù)據(jù)表規(guī)范中將提供全新的Qrr和trr最大值。
2011-02-14 09:04:423956 
英飛凌目前正推出另一項重要的創(chuàng)新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:171845 英飛凌RC-D功率開關(guān)器件系列在單一芯片上融合了市場領(lǐng)先的英飛凌專有技術(shù)TrenchSTOP? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和續(xù)流二極管，具有很低的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗，并且減小了永磁電機驅(qū)
2011-05-31 09:00:421610 英飛凌科技股份有限公司擴展其車用功率半導(dǎo)體系列產(chǎn)品，推出全新 650V CoolMOS CFDA。這是業(yè)界首創(chuàng)整合高速本體二極體技術(shù)的超接面 MOSFET 解決方案，符合最高的汽車認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn) AEC-Q101。
2012-04-05 09:31:021458 美高森美公司宣布提供下一代650V非穿通型（NPT）絕緣柵雙極晶體管（IGBT）產(chǎn)品，備有45A、70A和95A額定電流型款。美高森美全新NPTIGBT產(chǎn)品系列專為嚴(yán)苛環(huán)境工作而設(shè)計，尤其適用于太陽能逆變器、焊接機和開關(guān)電源等工業(yè)產(chǎn)品。
2013-08-19 16:08:18862 致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC） 擴展碳化硅（SiC）肖特基產(chǎn)品系列，推出全新的650V解決方案產(chǎn)品系列，新型二極管產(chǎn)品瞄準(zhǔn)包括太陽能逆變器的大功率工業(yè)應(yīng)用。
2013-10-30 16:09:57856 英飛凌科技股份公司推出單片集成逆導(dǎo)二極管的20A 1350V器件，再次擴充逆導(dǎo)（RC） 軟開關(guān)IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）產(chǎn)品組合。新的20A RC-H5是對英飛凌性能領(lǐng)先的RC-H系列的擴展，重點關(guān)注感應(yīng)加熱應(yīng)用的系統(tǒng)效率和高可靠性要求。
2014-02-24 14:42:25827 2014年10月21日，北京——全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出多款堅固可靠的650V IRGP47xx器件，藉以擴充絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列。
2014-10-21 15:27:421975 2015年3月2日，德國慕尼黑——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）發(fā)布了能夠讓應(yīng)用于汽車中的高速開關(guān)實現(xiàn)最高效率的高堅固性650V IGBT系列。
2015-03-04 10:00:291443 英飛凌推出全新可控逆導(dǎo)型IGBT芯片，可提高牽引和工業(yè)傳動等高性能設(shè)備的可靠性
2015-06-24 18:33:292516 
意法半導(dǎo)體推出新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計人員提供一個更快捷經(jīng)濟(jì)的能效解決方案,新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計人員提供一個更快捷經(jīng)濟(jì)的能效解決方案，適用于暖通空調(diào)系統(tǒng)（HVAC
2016-11-02 17:19:431958 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進(jìn)一步壯大其薄晶圓技術(shù)TRENCHSTOP?5 IGBT產(chǎn)品陣容。新的產(chǎn)品家族可提供最高40 A 650V IGBT，它與
2018-06-04 08:31:002053 / 650V IGBT和一個NTC熱敏電阻。Q2PACK模塊采用一個分立式NPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，使用160A / 1200V IGBT、100A / 650V IGBT和一個NTC熱敏電阻。這些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)適用于更高的功率電平。
2019-03-14 06:12:004628 
意法半導(dǎo)體的HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代溝柵場截止（TFS）技術(shù)，可提高PFC轉(zhuǎn)換器、電焊機、不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器等中高速應(yīng)用設(shè)計的能效和性能。該系列還包括符合AEC-Q101 Rev. D標(biāo)準(zhǔn)的汽車級產(chǎn)品。
2019-05-14 11:38:533363 CoolSiC肖特基二極管650V G6系列是英飛凌不斷提高技術(shù)和流程的結(jié)果，讓碳化硅肖特基二極管的設(shè)計和開發(fā)更具價格優(yōu)勢，性能一代更比一代強。因此，G6是英飛凌最具有性價比的CooSiC肖特基二極管的一代，在同等價格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:523697 
在220V單相家用便攜式焊機應(yīng)用中，大部分設(shè)計是使用650V IGBT單管制作逆變電源，開關(guān)頻率最高可以到50kHz，如果采用軟開關(guān)技術(shù)，開關(guān)頻率還能更高，也有使用650V硅基MOSFET為功率器件
2020-03-31 15:32:383409 作為碳化硅技術(shù)全球領(lǐng)先企業(yè)的科銳（Cree Inc．， 美國納斯達(dá)克上市代碼：CREE）公司，于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET產(chǎn)品組合，適用于更廣闊的工業(yè)應(yīng)用，助力新一代電動汽車車載充電、數(shù)據(jù)中心和其它可再生能源系統(tǒng)應(yīng)用，提供業(yè)界領(lǐng)先的功率效率。
2020-04-02 15:37:563648 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標(biāo)志著公司進(jìn)一步增強了在低壓SiC領(lǐng)域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267 什么樣的MOSFET才適合儲能系統(tǒng)？英飛凌全新推出了碳化硅MOSFET：650V CoolSiC MOSFET產(chǎn)品系列，幫助儲能系統(tǒng)輕松實現(xiàn)更高效、更高功率密度以及雙向充/放電的設(shè)計。
2020-08-21 14:01:251014 
英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC MOSFET，導(dǎo)通電阻從30m?到350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅(qū)動器（不同的電流額定值）實現(xiàn)最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:492695 由于 IGBT反并聯(lián)SiC 肖特基勢壘二極管，在 dv/dt 和 di/dt 值幾乎不變下，CoolSiC? Hybrid IGBT能大幅降低開關(guān)損耗。
2021-02-23 10:23:021660 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（東芝）宣布，在其TOLL（TO-無引線）封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級結(jié)功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231117 
前言背景： 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管
2021-03-26 16:40:202349 
以IMD112T iMOTION? Driver， iMOTION?智能驅(qū)動器——帶功率器件驅(qū)動的電機控制器為核心的吊扇方案，功率器件：PFC采用8A 650V TRENCHSTOP?5 H5 IGBT ，逆變器采用3A 600V逆導(dǎo)型IGBT。
2022-06-15 10:06:161351 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29538 
650V 快速恢復(fù) SuperFET? II MOSFET 在諧振拓?fù)渲袑崿F(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性
2022-11-14 21:08:36
0 ROHM最近新推出650V耐壓IGBT“RGTV系列（短路耐受能力保持型）”和“RGW系列（高速開關(guān)型）”共21種機型，該系列產(chǎn)品同時實現(xiàn)了業(yè)界頂級的低傳導(dǎo)損耗和高速開關(guān)特性，并大大減少了開關(guān)時的過沖。
2023-02-09 10:19:25723 
GT30J65MRB用于空調(diào)和工業(yè)設(shè)備大型電源的功率因數(shù)校正（PFC）電路[1]的650V分立IGBT。 功率半導(dǎo)體器件經(jīng)過業(yè)界驗證，對于節(jié)能工作意義重大，其中包括助力實現(xiàn)碳中和目標(biāo)。由于在高功率
2023-03-16 14:58:09653 RJP65T54DPM-A0 數(shù)據(jù)表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-03-23 19:10:100 系列IGBT，1700V系列IGBT，Hybrid系列IGBT，中壓SGTMOS等多個系列產(chǎn)品；性能優(yōu)異，可靠性和穩(wěn)定性高，廣泛應(yīng)用于新能源電動汽車、電機驅(qū)動領(lǐng)域、高頻電源
2022-05-19 09:54:26705 
新品EVAL-IHW65R62EDS06J這塊感應(yīng)加熱半橋評估板采用新一代650V逆導(dǎo)型R6系列IGBT和SOI技術(shù)的EiceDRIVERIGBT驅(qū)動器，產(chǎn)品針對100kHz的諧振開關(guān)應(yīng)用感應(yīng)
2022-03-01 09:32:40558 
圳市森國科科技股份有限公司日前發(fā)布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）
2023-07-12 17:06:27522 
繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后，2023年7月 森國科正式對外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品 ，相較于傳統(tǒng)的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638 
森國科隆重推出IGBT分立器件新品，兼具功率MOSFET易于驅(qū)動、控制簡單、開關(guān)頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運輸能力及低損耗的優(yōu)點。
2023-07-26 17:34:13355 
供應(yīng)40A、650V新能源絕緣柵雙極型晶體管SGTP40V65SDB1P7，提供SGTP40V65SDB1P7關(guān)鍵參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-01 16:18:473 供應(yīng)SGTP75V65SDS1P775A、650V光伏逆變器igbt-三相igbt逆變電源，提供SGTP75V65SDS1P7關(guān)鍵參數(shù)，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-02 17:12:195 在分立式封裝中，650 V TRENCHSTOP IGBT7 H7可輸出高達(dá)150A的電流。該產(chǎn)品系列電流等級為40A至150A，有四種不同封裝類型：TO-247-3 HCC、TO-247-4、TO-247-3 Plus和TO-247-4 Plus。
2023-11-10 15:36:22265 英飛凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品，進(jìn)一步擴展其TRENCHSTOPIGBT7產(chǎn)品陣容。全新器件配新一代發(fā)射極控制的EC7續(xù)流二極管，以滿足對環(huán)保和高效電源解決方案日益增長的需求
2023-11-21 08:14:06255 
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用新推出的增強型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:01310 IGBT 作為一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)節(jié)能、電動汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。IGBT 具有節(jié)能、安裝方便、維護(hù)方便、散熱穩(wěn)定等特點，是能量轉(zhuǎn)換和傳輸?shù)暮诵难b置。瑞能的650V IGBT產(chǎn)品在電性能和可靠性等方面具備諸多優(yōu)勢，在行業(yè)內(nèi)也處于領(lǐng)先地位。
2023-12-26 13:31:35276 
英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的650V軟特性發(fā)射極控制高速二極管EC7。這款二極管采用TO247-2封裝，具有2個引腳，不僅增加了安規(guī)距離，提高了可靠性，而且適用于多種應(yīng)用場景。
2024-02-01 10:50:02365 英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產(chǎn)品采用了先進(jìn)的TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ，旨在滿足高壓應(yīng)用的需求。
2024-02-01 10:51:00381 英飛凌新推出的IGBT7單管系列市場熱度不減，本文為大家整理針對該產(chǎn)品系列的常見問題，一看就懂，牢牢碼住!直播回放鏈接獲取IGBT7都通過了哪些可靠性測試？答：IGBT不論單管和模塊都需要通過
2024-03-05 08:17:27111 本次推出的產(chǎn)品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；
2024-03-15 14:26:07188 
英飛凌最近發(fā)布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET，滿足工業(yè)和汽車領(lǐng)域?qū)Ω吣苄Ш凸β拭芏鹊牟粩嘣鲩L需求。這款產(chǎn)品系列包含了專為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源
2024-03-15 16:31:45209 
近日，國內(nèi)半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)軍企業(yè)揚州揚杰電子科技股份有限公司（以下簡稱“揚杰科技”）再度刷新業(yè)界認(rèn)知，推出了一款專為光伏儲能充電樁等高頻應(yīng)用而設(shè)計的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產(chǎn)品
2024-03-16 10:48:19563 英飛凌科技股份公司，作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設(shè)計人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:29126 
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