全球領(lǐng)先的高性能功率和移動半導體解決方案供應商飛兆半導體公司(FairchildSemiconductor) 發(fā)布了非常適合功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的碳化硅(SiC)技術(shù)解決方案，進而拓展了公司在創(chuàng)新型高性能功率晶
2012-11-22 14:04:54
1021 碳化硅（SiC）功率半導體制造商UnitedSiC于3月21日宣布達成與ADI公司（Analog Devices）的戰(zhàn)略投資和長期供應協(xié)議，具體條款尚未公布。
2019-03-22 00:34:33963 10大電源管理半導體供應商面臨來自小型同業(yè)的競爭壓力日增------來源：iSuppli，2008年5月?lián)Suppli公司，由于增長放緩、價格壓力沉重和來自小型同業(yè)的競爭加劇，2007年最大的10
2008-05-26 14:38:42
極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導體材料，SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導率較高的特點，SiC
2019-10-24 14:25:15
碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強、化學穩(wěn)定性良好等特點，被認為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導體材料
2020-09-24 16:22:14
復雜的設計，功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開關(guān)碳化硅器件？ 當傳統(tǒng)硅器件在功率損耗和開關(guān)頻率方面達到極限時，碳化硅可能是合適的半導體選擇。高達 30 至 40kHz，最新一代
2023-02-20 16:29:54
半導體芯片庫存已經(jīng)上升到了一個憂心的高度，相當于營業(yè)收入的49.3%，自06年至此，已經(jīng)是一個最高水平了。我們所說的庫存水平，并不是整個半導體供應鏈里面的庫存，而僅僅是半導體芯片供應商手上的庫存的水平
2013-01-31 18:04:57
PN結(jié)器件優(yōu)越的指標是正向?qū)妷旱?，具有低的導通損耗?！ 〉栊ぬ鼗O管也有兩個缺點，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大?！ 《?、碳化硅半導體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
至半導體內(nèi)部導致失效。同樣的晶片表面鈍化層損壞后，雜質(zhì)可能遷移到晶片內(nèi)部導致失效?！ TRB試驗可以使這些失效加速呈現(xiàn)，排查出異常器件?；?b class="flag-6" style="color: red">半導體碳化硅二級管的HTRB實驗溫度為175℃，高于一般
2023-02-28 16:59:26
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
充電器、電機和太陽能逆變器，不僅可以從這些新器件中受益匪淺，不僅在效率上，而且在尺寸上，可實現(xiàn)高功率、高溫操作。但是，不僅器件的特性讓人對新設計充滿好奇，也是意法半導體的戰(zhàn)略。碳化硅（SiC）技術(shù)是意
2023-02-24 15:03:59
?！ ?b class="flag-6" style="color: red">功率半導體就是這樣。在首度商業(yè)化時，碳化硅的創(chuàng)新性和較新的顛覆性技術(shù)必然很昂貴，盡管認識到了與硅基產(chǎn)品（如IGBT和Si-MOSFET）相比的潛在優(yōu)勢，大多數(shù)工程師還是把它放在了“可有可無”的清單
2023-02-27 14:28:47
5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動化的趨勢，將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達1.8
2019-05-09 06:21:14
應用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術(shù)碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
和發(fā)電機繞組以及磁線圈中的高關(guān)斷電壓。 棒材和管材EAK碳化硅壓敏電阻 這些EAK非線性電阻壓敏電阻由碳化硅制成，具有高功率耗散和高能量吸收。該系列采用棒材和管材制造，外徑范圍為 6 至 30
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導體器件之一。根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2019年中國半導體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
碳化硅的顏色，純凈者無色透明，含雜質(zhì)(碳、硅等)時呈藍、天藍、深藍，淺綠等色，少數(shù)呈黃、黑等色。加溫至700℃時不褪色。金剛光澤。比重,具極高的折射率, 和高的雙折射，在紫外光下發(fā)黃、橙黃色光，無
2019-07-04 04:20:22
的化學惰性? 高導熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應用，如汽車制動器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環(huán)境中工作的半導體電子設備，如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應用的領(lǐng)域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
01 碳化硅材料特點及優(yōu)勢 碳化硅作為寬禁帶半導體的代表性材料之一，其材料本征特性與硅材料相比具有諸多優(yōu)勢。以現(xiàn)階段最適合用于做功率半導體的4H型碳化硅材料為例，其禁帶寬度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場（3×106V/cm）和高導熱系數(shù)（49W/mK）使功率半導體器件效率更高，運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
，因此使用碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件的阻斷電壓比Si器件高很多。3) 低損耗一般而言，半導體器件的導通損耗與其擊穿場強成反比，故在相似的功率等級下，SiC器件的導通損耗比Si器件小很多。且使用斯
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
科技有限公司TGF2023-2-10對碳化硅器件由DC至14 GHz的離散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益為19.8 dB的飽和輸出功率。最大功率附加效率為
2018-06-12 10:22:42
通損耗一直是功率半導體行業(yè)的不懈追求?！ ∠噍^于傳統(tǒng)的硅MOSFET和硅IGBT 產(chǎn)品，基于寬禁帶碳化硅材料設計的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導通電阻低，開關(guān)損耗小的特點，可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19
項目名稱：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅(qū)動技術(shù)研究試用計劃：申請理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導體材料，近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統(tǒng)的性能
2020-04-21 16:04:04
處于領(lǐng)先地位。氮化鎵功率半導體雖然適用性極高，但依然面臨三項社會問題僅從物理特性來看，氮化鎵比碳化硅更適合做功率半導體的材料。研究人員還將碳化硅與氮化鎵的“Baliga特性指標（與硅相比，硅是1）相比
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
全球領(lǐng)先的傳感器供應商InvenSense（INVN)7日宣布收購法國運動處理技術(shù)公司Movea,旨在通過此次收購在運動傳感器和聯(lián)網(wǎng)式（GPS/WIF）數(shù)據(jù)追蹤技術(shù)方面得以提升，此項收購的規(guī)模為8100萬美元，其中現(xiàn)金部分為7500萬美元。
2020-04-28 06:14:17
，獲得華大半導體有限公司投資，創(chuàng)能動力致力于開發(fā)以硅和碳化硅為基材的功率電子器件、功率模塊，并商品化提供解決方案。碳化硅使用在氮化鎵電源中，可實現(xiàn)相比硅元器件更高的工作溫度，實現(xiàn)雙倍的功率密度，更小
2023-02-22 15:27:51
附件：嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
的功率半導體器件選型，并給出性能和成本平衡的混合碳化硅分立器件解決方案?！ ?2 圖騰柱無橋PFC拓撲分析 在正半周期（VAC大于0）的時候，T2為主開關(guān)管?！ ‘擳2開通時，電感L儲能，電流
2023-02-28 16:48:24
導 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標。為不斷提升產(chǎn)品核心競爭力，基本半導體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
可有效減小功率回路寄生電感參數(shù)，減小開關(guān)過程中的震蕩、過沖現(xiàn)象。但目前瓷片電容不耐高溫，所以并不適宜于碳化硅的高溫工作情況。驅(qū)動集成技術(shù)也逐漸引起了人們的重視，三菱、英飛凌等公司均提出了 SiC 智能
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
MOSFET更好的在系統(tǒng)中應用，需要給碳化硅MOSFET匹配合適的驅(qū)動?！ 〗酉聛斫榻B基本半導體碳化硅MOSFET及驅(qū)動產(chǎn)品 基本半導體自主研發(fā)的碳化硅 MOSFET 具有導通電阻低，開關(guān)損耗小的特點，可降低
2023-02-27 16:03:36
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
公司等為代表。四、碳化硅半導體應用碳化硅半導體器件，其高頻、高效、高溫的特性特別適合對效率或溫度要求嚴苛的應用?？蓮V泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域。原作者：大年君愛好電子
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。但隨著半導體技術(shù)的進步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導體場效應晶體管 （MOSFET） 能夠以比 IGBT 更高的頻率進行開關(guān)，通過降低電阻和開關(guān)損耗來提高效率
2022-11-02 12:02:05
意法半導體與羅姆集團旗下的SiCrystal公司簽署一了份碳化硅（SiC）晶圓長期供應協(xié)議。
2020-01-17 09:07:481306 問題使得其應用變得撲朔迷離。碳化硅器件到底好在哪？目前主要應用領(lǐng)域？成本與硅相比差多少？發(fā)展前景如何？最近，碳化硅主要供應商羅姆半導體公司舉辦座談會，羅姆半導體(北京)有限公司技術(shù)中心所長水原德建先生就這些問
2022-12-27 18:08:19853 碳化硅半導體器件供應商致瞻科技有限公司獲得Pre-A輪融資。11月20日，毅達資本在官方微信宣布，已完成對致瞻科技的投資。依托核心團隊10余年的碳化硅功率半導體設計和驅(qū)動系統(tǒng)研發(fā)經(jīng)驗
2020-11-30 10:33:272199 SiC-碳化硅-功率半導體的介紹講解說明。
2021-04-26 10:11:32
140 7月29日，基本半導體碳化硅功率模塊裝車測試發(fā)車儀式在深圳成功舉行，搭載自主研發(fā)碳化硅模塊的測試車輛正式啟程。
2021-07-30 15:55:331835 
基本半導體是國內(nèi)比較早涉及第三代半導體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè)，率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件，為業(yè)界熟知，并得到廣泛應用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動
2021-11-29 14:54:087839 
Qorvo 已收購了總部位于新澤西州普林斯頓的碳化硅 (SiC) 功率半導體制造商 United Silicon Carbide (UnitedSiC)。收購 UnitedSiC 使 Qorvo 的業(yè)務擴展到電動汽車 (EV)、工業(yè)功率控制、可再生能源和數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)等快速增長的市場領(lǐng)域。
2021-12-22 14:15:021524 12月30日，基本半導體位于無錫市新吳區(qū)的汽車級碳化硅功率模塊制造基地正式通線運行，首批碳化硅模塊產(chǎn)品成功下線。這是目前國內(nèi)第一條汽車級碳化硅功率模塊專用產(chǎn)線，采用先進碳化硅專用封裝工藝技術(shù)，打造
2021-12-31 10:55:432796 
與普通硅相比，碳化硅可以承受更高的電壓，因此，碳化硅半導體中的電源系統(tǒng)需要更少的串聯(lián)開關(guān)，從而提供了簡化和可靠的系統(tǒng)布局。
2022-04-07 14:49:043206 在高端應用領(lǐng)域，碳化硅MOSFET已經(jīng)逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領(lǐng)銜的寬禁帶半導體發(fā)展迅猛，被認為是有可能實現(xiàn)換道超車的領(lǐng)域。
2022-07-06 12:49:161072 氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導者納微半導體宣布收購碳化硅行業(yè)先驅(qū)GeneSiC，成為唯一專注下一代功率半導體公司 ? 加利福尼亞州埃爾塞貢多，2022 年 8 月 15日訊 — 氮化鎵 (GaN) 功率芯片
2022-08-16 14:03:061759 
意法半導體將于意大利興建一座整合式碳化硅（Silicon Carbide；SiC）襯底制造廠，以支持意法半導體客戶對汽車及工業(yè)碳化硅組件與日俱增的需求，協(xié)助其向電氣化邁進并達到更高效率。新廠預計2023年開始投產(chǎn)，以實現(xiàn)碳化硅襯底的供應在對內(nèi)采購及行業(yè)供貨間達到平衡。
2022-10-08 17:04:031349 相比硅基功率半導體，碳化硅功率半導體在開關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢，隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后，更多的企業(yè)也開始落地碳化硅產(chǎn)品。
2022-10-14 17:52:065309 移動應用、基礎(chǔ)設施與航空航天、國防應用中RF 解決方案的領(lǐng)先供應商 Qorvo, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）與半導體晶圓制造商 SK Siltron CSS 今日宣布，雙方已簽署一份多年期的碳化硅 (SiC) 裸片和外延片供應協(xié)議。
2022-11-09 10:53:29549 ? ? ? 日本媒體報道稱日本羅姆（ROHM）12月將開始量產(chǎn)下一代功率半導體。原材料是碳化硅（SiC），羅姆花費約20年推進了研發(fā)。據(jù)稱，羅姆在福岡縣筑后市工廠的碳化硅功率半導體專用廠房實施量產(chǎn)
2022-11-28 16:51:24498 碳化硅 (SiC) 是一種由硅 (Si) 和碳 (C) 組成的半導體化合物，屬于寬帶隙 (WBG) 材料系列。它的物理結(jié)合力非常強，使半導體具有很高的機械、化學和熱穩(wěn)定性。寬帶隙和高熱穩(wěn)定性允許
2022-12-30 13:57:49630 
半導體屆“小紅人”——碳化硅肖特基，讓你的電源溫度低過冰墩墩
2022-12-30 17:05:47437 
?？?b class="flag-6" style="color: red">半導體（蘇州）有限公司宣布碳化硅外延片投產(chǎn)。據(jù)悉，該產(chǎn)品通過了行業(yè)權(quán)威企業(yè)歐陸埃文思材料科技（上海）有限公司和寬禁帶半導體電力電子器件國家重點實驗室的雙重檢測，具備媲美國際大廠碳化硅外延片的品質(zhì)，解決了國外產(chǎn)品的卡脖子問題，為我國碳化硅行業(yè)創(chuàng)下了一個新紀錄。
2023-01-13 10:54:281005 SiC碳化硅功率半導體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關(guān)損耗低、功率密度高等特點，被廣泛應用在電動汽車、風能發(fā)電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。 近年來，全球半導體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移。目前
2023-01-13 11:16:441230 
汽車碳化硅技術(shù)原理圖 相比硅基功率半導體，碳化硅功率半導體在開關(guān)頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優(yōu)勢，隨著特斯拉大規(guī)模量產(chǎn)碳化硅逆變器之后，更多的企業(yè)也開始落地碳化硅產(chǎn)品。 功率半導體碳化硅
2023-02-02 15:10:00467 、電源供應器等高功率應用領(lǐng)域。碳化硅應用涵蓋了新基建涉及的絕大部分領(lǐng)域，這給國內(nèi)以基本半導體為代表的碳化硅企業(yè)帶來巨大利好。
2023-02-03 14:49:52367 碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口，也是一個很大的挑戰(zhàn)，那么我們來碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么？碳化硅技術(shù)壁壘
2023-02-03 15:25:163637 
功率半導體碳化硅（SiC）技術(shù) Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅（SiC）技術(shù)的需求繼續(xù)增長，這種技術(shù)可以最大限度地提高當今電力系統(tǒng)的效率
2023-02-15 16:03:448 的方法來構(gòu)建這此關(guān)鍵元素。碳化硅(SiC)半導體不同于普通的硅半導體。當使用動力電子設備和電力系統(tǒng)時，它表現(xiàn)出有限的導熱性、在某些應用中難以改變頻率、低帶隙能量以及更多的功率損耗然而，它也有好處。以下是碳化硅
2023-02-20 15:51:550 碳化硅模塊上車高濕測試 ? 2021年碳化硅很“熱”。比亞迪 半導體 、派恩杰、中車時代電氣、基本半導體等國內(nèi)碳化硅功率器件供應商的產(chǎn)品批量應用在汽車上，浙江金華、安徽合肥等地碳化硅項目開始
2023-02-21 09:26:452 什么是第三代半導體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導體，這個是相對以硅基為核心的第二代半導體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090 Carbide (UnitedSiC) 發(fā)布，該公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家領(lǐng)先的碳化硅 (SiC) 功率半導體制造商，它的加入促使 Qorvo
2023-04-06 22:10:01233 本文介紹了激光在碳化硅（SiC）半導體晶圓制程中的應用，概括講述了激光與碳化硅相互作用的機理，并重點對碳化硅晶圓激光標記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應用進行了介紹。
2023-04-23 09:58:27712 
意法半導體（ST）宣布與采埃孚科技集團公司(ZF)簽署碳化硅器件長期供應協(xié)議。從 2025 年起，采埃孚將從意法半導體采購碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:51930 援引英飛凌科技股份公司2023年5月3日官網(wǎng)消息： 【英飛凌公司正推動其碳化硅（SiC）供應商體系多元化，并與中國碳化硅材料供應商北京天科合達半導體股份有限公司簽訂了一份長期供貨協(xié)議，以確保獲得更多
2023-05-04 14:21:06438 近期國際功率半導體巨頭英飛凌拓展碳化硅材料供應商體系，簽約國產(chǎn)碳化硅襯底頭部產(chǎn)商天岳新進、天科合達。在業(yè)內(nèi)人士看來，其重要性被業(yè)內(nèi)認為堪比消費單子廠商納入“蘋果產(chǎn)業(yè)鏈”。
2023-05-16 10:45:27505 碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業(yè)讀者喜愛，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應用市場，以及未來的發(fā)展趨勢，感謝各位
2023-05-31 09:43:20390 碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅材料的半導體器件，具有許多優(yōu)勢和廣泛的應用前景。
2023-06-28 09:58:092317 
是一家領(lǐng)先的碳化硅 (SiC) 功率半導體制造商，它的加入促使 Qorvo 將業(yè)務擴展到電動汽車 (EV)、工業(yè)電源、電路保護、可再生能源
2023-06-30 09:35:02251 
長達 10 年的供應協(xié)議要求 Wolfspeed 自 2025 年向瑞薩電子供應規(guī)?；a(chǎn)的 150mm 碳化硅裸晶圓和外延片，這將強化公司致力于從硅向碳化硅半導體功率器件產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型的愿景。
2023-07-06 10:36:37277 羅姆收購Solar Frontier碳化硅工廠 計劃到2027碳化硅功率半導體業(yè)務達139億 羅姆一直看好碳化硅功率半導體的發(fā)展，一直在積極布局碳化硅業(yè)務。羅姆計劃到2025年拿下碳化硅市場30
2023-07-19 19:37:01724 碳化硅，也稱為SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基礎(chǔ)材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或?qū)⑵渑c鈹，硼，鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅存在許多品種和純度，但半導體級質(zhì)量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451094 SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。
在眾多的半導體器件中，碳化硅材料具有低熱導率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導體器件，具有高溫、高頻、高效等優(yōu)點，被廣泛應用于電力電子、新能源等領(lǐng)域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎(chǔ)知識。
2023-09-28 18:19:571220 業(yè)內(nèi)人士預測，今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國際功率半導體巨頭Wolfspeed和意法半導體等公司正在加速推進8英寸碳化硅技術(shù)。在國內(nèi)市場方面，碳化硅設備、襯底和外延領(lǐng)域也有突破性進展，多家行業(yè)龍頭選擇與國際功率半導體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:21967 公司之一， GeneSiC 為政府機構(gòu)開發(fā)了尖端的碳化硅技術(shù)?， 重點關(guān)注性能和穩(wěn)健性， 并發(fā)布了幾代碳化硅二極管和 MOSFET 技術(shù)，額定值高達 6.5 kV 在各種封裝中以及裸片. 2022年， 納微半導體收購了GeneSiC半導體， 創(chuàng)建了業(yè)界唯一一家專注于SiC和GaN的純下一代功率半導體公司
2023-10-25 16:32:01603 
目前汽車業(yè)仍結(jié)構(gòu)性缺芯，比如，電源類、控制類、通信類、計算類、功率類的芯片均緊缺。像碳化硅芯片項目投資建設期需18-24個月，去年有許多碳化硅項目的投資，要2025年才會釋放產(chǎn)能，預計2025年碳化硅功率半導體的緊缺狀況才會得到緩解。
2023-11-17 17:12:18664 目前，全球碳化硅產(chǎn)業(yè)處于快速發(fā)展階段。據(jù)市場研究機構(gòu)預測，未來幾年碳化硅市場將保持高速增長態(tài)勢。根據(jù)公開信息統(tǒng)計，2022年全球碳化硅市場份額約為18億美元，該數(shù)據(jù)包括多家上市公司，如意法半導體、英飛凌、Wolfspeed和安森美羅姆等。
2023-12-06 17:17:37603 
碳化硅，又稱SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅的品種和純度很多，但半導體級質(zhì)量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23438 第三代半導體碳化硅材料生產(chǎn)及研究開發(fā)企業(yè)作為中國電科集團的“12大創(chuàng)新平臺之一，山西爍科晶體有限公司聚焦碳化硅單晶襯底領(lǐng)域，已成為國內(nèi)實現(xiàn)碳化硅襯底材料供應鏈自主創(chuàng)新的供應商之一。
2023-12-11 10:46:37463 氮化鎵半導體和碳化硅半導體是兩種主要的寬禁帶半導體材料，在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實、細致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學性能以及應用領(lǐng)域等方面的差異。 一、物理特性： 氮化
2023-12-27 14:54:18327 碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數(shù)等特點，因此在高溫、高頻、大功率應用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379 近日，國內(nèi)領(lǐng)先的半導體企業(yè)芯動半導體與國際知名半導體供應商意法半導體成功簽署碳化硅（SiC）芯片戰(zhàn)略合作協(xié)議。這一協(xié)議的達成，標志著雙方在SiC功率模塊領(lǐng)域的合作邁出了堅實的一步，將共同推動SiC芯片在新能源汽車市場的廣泛應用。
2024-03-15 09:44:4399
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