電力電子將在未來(lái)幾年發(fā)展，尤其是對(duì)于組件，因?yàn)?WBG 半導(dǎo)體技術(shù)正變得越來(lái)越流行。高工作溫度、電壓和開關(guān)頻率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料的能力。從硅到 SiC 和 GaN 組件的過(guò)渡標(biāo)志著功率器件發(fā)展和更好地利用電力的重要一步。
2022-07-27 10:48:41
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碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化鎵 (GaN) HEMT 等寬帶隙 (WBG) 功率器件的采??用目前正在廣泛的細(xì)分市場(chǎng)中全面推進(jìn)。在許多情況下，WBG 功率器件正在取代它們的硅對(duì)應(yīng)物，并在
2022-07-29 14:09:53807 
在很寬的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)對(duì)器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認(rèn)為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對(duì)于功率器件，4H-SiC被認(rèn)為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產(chǎn)。
2022-11-22 09:59:261373 SiC 功率 MOSFET 和肖特基二極管正在快速應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體 (PECS) 應(yīng)用，例如電動(dòng)汽車充電和牽引、儲(chǔ)能系統(tǒng)和工業(yè)電源。SiC 功率 MOSFET 已在電動(dòng)汽車車載充電器中得到
2023-12-15 09:42:45950 
近年來(lái)，SiC功率器件的出現(xiàn)大大提升了半導(dǎo)體器件的性能，這對(duì)電力電子行業(yè)的發(fā)展意義重大。據(jù)Yole預(yù)測(cè)，到2023年SiC功率器件市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)14億美元，其主要的市場(chǎng)增長(zhǎng)機(jī)會(huì)在汽車領(lǐng)域，特別是
2019-07-05 11:56:2833343 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在我們談?wù)摰谌雽?dǎo)體的時(shí)候，常說(shuō)的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361220 介紹 閱讀本文的任何人都不太可能不熟悉絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。這種破壞性功率晶體管于20世紀(jì)80年代初首次商業(yè)化，對(duì)電力電子行業(yè)產(chǎn)生了巨大的積極影響，實(shí)現(xiàn)了創(chuàng)新的轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)，提高了系統(tǒng)
2023-02-27 13:48:12
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-03-14 06:20:14
面積?。蓪?shí)現(xiàn)小型封裝），而且體二極管的恢復(fù)損耗非常小?！ ≈饕獞?yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中?！ ?. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻 SiC的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚
2023-02-07 16:40:49
進(jìn)行半導(dǎo)體元器件的評(píng)估時(shí)，電氣/機(jī)械方面的規(guī)格和性能當(dāng)然是首先要考慮的，而可靠性也是非常重要的因素。尤其是功率元器件是以處理較大功率為前提的，更需要具備充分的可靠性。SiC-SBD的可靠性SiC作為
2018-11-30 11:50:49
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52
，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與Si相比，它在應(yīng)用中具有諸多優(yōu)勢(shì)。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達(dá)600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
/電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)包括消減待機(jī)功耗在內(nèi)的節(jié)能目標(biāo)。在這種背景下，削減功率轉(zhuǎn)換時(shí)產(chǎn)生的能耗是當(dāng)務(wù)之急。不用說(shuō)，必須將超過(guò)Si極限的物質(zhì)應(yīng)用于功率元器件。例如，利用SiC功率元器件可以比IGBT的開關(guān)損耗降低85
2018-11-29 14:35:23
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-03-25 06:20:09
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢(shì)？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點(diǎn)有哪些？
2021-07-12 08:07:35
代表，SiC材料、器件已經(jīng)列入國(guó)家“十四五”科技規(guī)劃，其具有電壓高、損耗低、耐高溫工作等優(yōu)勢(shì)，對(duì)于電力電子裝備高效化、小型化具有重要作用?！ ?b class="flag-6" style="color: red">SiC材料的這些優(yōu)良特性，需要通過(guò)封裝來(lái)實(shí)現(xiàn)功率和信號(hào)高效
2023-02-27 14:22:06
眾多電子信息系統(tǒng)的性能。已有文獻(xiàn)報(bào)道采用SiC 功率器件制作了寬帶脈沖功率放大器， 并進(jìn)行了性能測(cè)試和環(huán)境試驗(yàn)， 證實(shí)了SiC 功率器件可靠性較高、環(huán)境適應(yīng)能力較強(qiáng)等特點(diǎn)。
2019-08-12 06:59:10
改進(jìn)控制技術(shù)來(lái)降低器件功耗，比如諧振式開關(guān)電源?？傮w來(lái)講，從耐壓、電流能力看，可控硅目前仍然是最高的，在某些特定場(chǎng)合，仍然要使用大電流、高耐壓的可控硅。但一般的工業(yè)自動(dòng)化場(chǎng)合，功率電子器件已越來(lái)越多
2018-05-08 10:08:40
半導(dǎo)體相比，損耗更低，高溫環(huán)境條件下工作特性優(yōu)異，有望成為新一代低損耗元件的“碳化硅（SiC）功率元器件”。SiC半導(dǎo)體已經(jīng)開始實(shí)際應(yīng)用，并且還應(yīng)用在對(duì)品質(zhì)可靠性要求很嚴(yán)苛的車載設(shè)備上。提起SiC，可能在
2018-11-29 14:39:47
我剛才看了《電力電子應(yīng)用技術(shù)》莫正康，發(fā)現(xiàn)電力電子基本就是使用功率二極管（電力整流管更準(zhǔn)確）和普通晶閘管。其他的器件用得很少，只是簡(jiǎn)單提提。請(qǐng)問(wèn)，電力電子元器件比信息電子元器件真的是少很多很多么？除了和信電共同的電阻、電容、電感、傳感器、變壓器等之外。
2014-06-22 22:58:53
【不懂就問(wèn)】在書上看到的說(shuō)，電力電子器件工作在開關(guān)狀態(tài)，這樣損耗很小，但是不是說(shuō)功率器件在不停開關(guān)過(guò)程中有大量損耗嗎？這個(gè)矛盾嗎？而且開關(guān)電源的功率管工作在飽和區(qū)，而線性電源的功率管工作在線性區(qū)，這個(gè)和上面又有什么關(guān)系？
2018-01-23 16:10:48
電力電子器件1.1 電力電子器件概述1.2 不可控器件——電力二極管1.3 半控型器件——晶閘管1.4 典型全控型器件 1.5 其他新型電力電子器件 小結(jié)
2009-09-16 12:09:44
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM在慕尼黑上海電子展上展出了ROHM所擅長(zhǎng)的模擬電源、以業(yè)界領(lǐng)先的SiC（碳化硅）元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子產(chǎn)品、以及能夠?yàn)镮oT（物聯(lián)網(wǎng)）的發(fā)展做出貢獻(xiàn)
2019-04-12 05:03:38
，如何提高它們的效率已成為全球性的社會(huì)問(wèn)題。而功率元器件是提高它們效率的關(guān)鍵，SiC和GaN等新材料在進(jìn)一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。ROHM和ApexMicrotechnology在功率電子和模擬
2023-03-29 15:06:13
Verilog數(shù)字VLSI設(shè)計(jì)教程_[李林 編著][電子工業(yè)出版社][2010][319頁(yè)]
2018-02-16 00:28:44
Verilog數(shù)字VLSI設(shè)計(jì)教程_[李林 編著][電子工業(yè)出版社][2010][319頁(yè)]
2018-02-21 11:31:14
本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 編輯
親愛(ài)的電子發(fā)燒友小伙伴們！羅姆作為 SiC 功率元器件的領(lǐng)先企業(yè)，自上世紀(jì) 90 年代起便著手于 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31
項(xiàng)目名稱：微電網(wǎng)結(jié)構(gòu)與控制研究試用計(jì)劃：本人從事電力電子開發(fā)與研究已有10年，目前在進(jìn)行微電網(wǎng)結(jié)構(gòu)與其控制相關(guān)項(xiàng)目，我們擁有兩電平和多電平并網(wǎng)逆變器，需要將逆變器功率器件全部更換為SiC MOS，以
2020-04-29 18:26:12
項(xiàng)目名稱：全SiC MMC實(shí)驗(yàn)平臺(tái)設(shè)計(jì)——功率子模塊驅(qū)動(dòng)選型試用計(jì)劃：申請(qǐng)理由本人在電力電子領(lǐng)域有三年多的學(xué)習(xí)和開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，曾設(shè)計(jì)過(guò)基于半橋級(jí)聯(lián)型拓?fù)涞膬?chǔ)能系統(tǒng)，通過(guò)電力電子裝置實(shí)現(xiàn)電池單元的間接
2020-04-21 16:02:34
引言：前段時(shí)間，Tesla Model3的拆解分析在行業(yè)內(nèi)確實(shí)很火，現(xiàn)在我們結(jié)合最新的市場(chǎng)進(jìn)展，針對(duì)其中使用的碳化硅SiC器件，來(lái)了解一下SiC器件的未來(lái)需求。我們從前一段時(shí)間的報(bào)道了解到：目前
2021-09-15 07:42:00
元件來(lái)適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無(wú)功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力?！ 』?SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
從本文開始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
%的小型化與4kg的輕量化，與未使用SiC功率元器件的第2賽季逆變器相比，實(shí)現(xiàn)了43%的小型化和6kg的輕量化。此次文圖瑞Formula E車隊(duì)賽車逆變器所搭載的全SiC功率模塊，采用了ROHM獨(dú)有
2018-12-04 10:24:29
測(cè)量和校核開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫，是一個(gè)不可或缺的過(guò)程，功率器件的結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關(guān)。測(cè)量功率器件的結(jié)溫常用二種方法：
2021-03-11 07:53:26
（GaN）和碳化硅（SiC）晶體管等化合物半導(dǎo)體器件限制了高頻條件下的開關(guān)損耗，加速了電路越來(lái)越小的趨勢(shì)。事實(shí)上，高頻操作導(dǎo)致電子電路的收縮，這要?dú)w功于減小的磁性器件尺寸和增加的功率密度。這一點(diǎn)對(duì)于
2023-09-06 06:38:52
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)”將于7月16日在浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子
2017-07-11 14:06:55
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-03-12 03:43:18
雖然電動(dòng)和混合動(dòng)力電動(dòng)汽車（EV]從作為功率控制器件的標(biāo)準(zhǔn)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）襯底和工藝技術(shù)的FET的轉(zhuǎn)變代表了提高EV的效率和整體系統(tǒng)級(jí)特性的重要步驟
2019-08-11 15:46:45
半導(dǎo)體的低阻值，可以高速工作，高溫工作，能夠大幅度削減從電力傳輸?shù)綄?shí)際設(shè)備的各種功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中的能量損耗。SiC功率元器件在節(jié)能和小型化方面功效卓著，其產(chǎn)品已經(jīng)開始實(shí)際應(yīng)用，并且還應(yīng)用在對(duì)品質(zhì)可靠性
2017-07-22 14:12:43
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國(guó)的Cree公司和日本的ROHM公司。在國(guó)內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國(guó)內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
、陰抗匹配等系統(tǒng)級(jí)功能。PEBB最重要的特點(diǎn)就是其通用性?；谛滦筒牧系?b class="flag-6" style="color: red">電力電子器件SiC（碳化硅）是目前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料，可制作出性能更加優(yōu)異的高溫(300℃～500℃)、高頻、高功率
2017-11-07 11:11:09
已經(jīng)制造出了在26GHz頻率下工作的甚高頻MESFET；ABB公司正在研制用于工業(yè)和電力系統(tǒng)的高壓、大功率SiC整流器和其他SiC低頻功率器件。理論分析表明，SiC功率器件非常接近于理想的功率器件
2017-05-25 14:10:51
`<p><font face="Verdana">電阻電容電感(電子工業(yè)技術(shù)詞典)<
2008-06-16 09:42:18
在電力電子行業(yè)的發(fā)展過(guò)程中，半導(dǎo)體技術(shù)起到了決定性作用。其中，功率半導(dǎo)體器件一直被認(rèn)為是電力電子設(shè)備的關(guān)鍵組成部分。隨著電力電子技術(shù)在工業(yè)、醫(yī)療、交通、消費(fèi)等行業(yè)的廣泛應(yīng)用，功率半導(dǎo)體器件直接影響
2021-03-25 14:09:37
、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料?！ ≡诠?b class="flag-6" style="color: red">電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
電壓、電流供應(yīng)電力的電源是不可或缺的。在這種“按所需方式供應(yīng)電力”的范圍中，半導(dǎo)體也發(fā)揚(yáng)著重要的作用，從“處置電力(功率)”的含義動(dòng)身，其中心半導(dǎo)體部件被稱為功率元器件或功率半導(dǎo)體?！ ≡?b class="flag-6" style="color: red">功率元器件
2012-11-26 16:05:09
大功率的電子元器件怎么理解？大功率的電子元器件有哪些？
2019-02-15 06:36:33
本帖最后由 我愛(ài)方案網(wǎng) 于 2022-7-1 10:30 編輯
進(jìn)入低碳互聯(lián)時(shí)代，隨著可再生能源技術(shù)和電子工業(yè)的進(jìn)步，電力能源、智慧交通、數(shù)字化工廠等對(duì)系統(tǒng)高能效要求越來(lái)越重要，加之政策持續(xù)
2022-07-01 10:28:37
電子工業(yè)技術(shù)詞典-電工基礎(chǔ)
2008-09-17 21:13:10
0 1.電力電子器件一般工作在________狀態(tài)?！ ?.在通常情況下，電力電子器件功率損耗主要為________，而當(dāng)器件開關(guān)頻率較高時(shí)，功率損耗主要為________?！ ?.電力電子器件組成
2009-01-12 11:31:4662
展會(huì)名稱：
2007中國(guó)國(guó)際電子工業(yè)（蘇州）
2007-01-08 22:33:26401 國(guó)際電子工業(yè)聯(lián)接協(xié)會(huì)首個(gè)功率轉(zhuǎn)換標(biāo)準(zhǔn)IPC-9592正式發(fā)布
IPC（國(guó)際電子工業(yè)聯(lián)接協(xié)會(huì)）宣布發(fā)布首套功率轉(zhuǎn)換標(biāo)準(zhǔn)IPC-9592 —“計(jì)算機(jī)和遠(yuǎn)程通信業(yè)功率轉(zhuǎn)換設(shè)備要求”
2008-10-31 07:32:152034 電子工業(yè)的絲網(wǎng)印刷傳統(tǒng)的絲網(wǎng)印刷主要是印制一些看得見的產(chǎn)品，如Ｔ恤衫，零售攤點(diǎn)廣告牌等。然而，絲網(wǎng)印刷還有不少“看不見”
2009-07-01 14:09:201621 SiC功率器件的封裝技術(shù)要點(diǎn)
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與S
2009-11-19 08:48:432355 該講義共分7章： 第1章為靜電基本概念，主要介紹靜電的一些基礎(chǔ)知識(shí)； 第2章為電子工業(yè)中的靜電問(wèn)題，介紹了靜電對(duì)電子工業(yè)的危害及存在的靜電源、靜電敏感器件分級(jí)標(biāo)準(zhǔn)； 第3章為靜電防護(hù)原理，闡述了電子工業(yè)靜電防護(hù)的基本原理和方法； 第4章為防靜電工作
2011-02-12 17:30:590 據(jù)權(quán)威媒體分析，SiC和GaN器件將大舉進(jìn)入電力電子市場(chǎng)，預(yù)計(jì)到2020年，SiC和GaN功率器件將分別獲得14%和8%市場(chǎng)份額。未來(lái)電力電子元器件市場(chǎng)發(fā)展將更多地集中到SiC和GaN的技術(shù)創(chuàng)新上。
2013-09-18 10:13:112464 本文檔內(nèi)容介紹了基于瑞薩電子工業(yè)以太網(wǎng)通信芯片手冊(cè)。
2017-09-15 10:29:349 器件。 碳化硅（SiC）是第三代半導(dǎo)體材料，具有禁帶寬度大、臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、熱導(dǎo)率高等優(yōu)點(diǎn)，是制作高壓、大功率半導(dǎo)體器件的理想材料。碳化硅電力電子器件，特別是SiC MOSFET器件是下一代高效電力電子器件技術(shù)的核心。 碳化硅電力電子器件研究團(tuán)隊(duì)基于微電子所4英寸硅工藝平臺(tái)，
2017-11-08 15:14:3637 引言SiC功率器件已經(jīng)成為高效率、高電壓及高頻率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中Si功率器件的可行替代品。正如預(yù)期的優(yōu)越材料
2018-03-20 11:43:024444 SiC電力電子器件主要包括功率二極管和三極管（晶體管、開關(guān)管）。SiC功率器件可使電力電子系統(tǒng)的功率、溫度、頻率、抗輻射能力、效率和可靠性倍增，帶來(lái)體積、重量以及成本的大幅減低。SiC功率器件應(yīng)用領(lǐng)域可以按電壓劃分：
2018-06-05 17:21:096462 
使用SiC的新功率元器件技術(shù)
2018-06-26 17:56:005775 SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導(dǎo)率是Si的3倍，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 
隨著我國(guó)新能源汽車市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，充電樁市場(chǎng)發(fā)展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實(shí)現(xiàn)比Si基功率器件更高的開關(guān)頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-06-18 17:24:501774 
安森美半導(dǎo)體是功率電子領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者之一，在SiC功率器件領(lǐng)域的地位正在迅速攀升。
2019-07-25 08:50:504203 通過(guò)使用SiC功率元器件，大陸集團(tuán)旗下的Vitesco將能夠進(jìn)一步提高電動(dòng)汽車用電力電子器件的效率。
2020-06-06 11:12:422875 2020年7月4日 華潤(rùn)微電子（CR MICRO）正式向市場(chǎng)投入1200V 和650V 工業(yè)級(jí)SiC肖特基二極管功率器件產(chǎn)品系列，與此同時(shí)宣布國(guó)內(nèi)首條6英寸商用SiC晶圓生產(chǎn)線正式量產(chǎn)。 華潤(rùn)微電子
2020-07-04 22:28:507770 上電力電子器件可分為電真空器件和半導(dǎo)體器件兩類。自20世紀(jì)50年代以來(lái)，真空管僅還在頻率很高（如微波）的大功率高頻電源中在使用，而電力半導(dǎo)體器件已取代了汞弧整流器
2021-01-07 15:31:1237189 電力電子器件的損耗包括哪些 電力電子器件的損耗主要包括有開通、關(guān)斷、通態(tài)損耗。 在通常情況下，電力電子器件功率損耗主要為通態(tài)損耗，而當(dāng)器件開關(guān)頻率較高時(shí)，功率損耗主要為開關(guān)損耗。另外，si的二極管
2021-01-07 15:40:0330903 的 3 倍，而且在器件制造時(shí)可以在較寬的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)必要的 P 型、N 型控制，所以被認(rèn)為是一種超越 Si 極限的用于制造功率器件的材料。SiC 存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。最適合于制造功率器件的是 4H-SiC，現(xiàn)在 4inch～6inch 的單晶晶圓已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了量產(chǎn)。
2021-04-20 16:43:0957 電子工業(yè)：嵌入式調(diào)制解調(diào)器
2021-05-17 16:34:046 前言 近年來(lái)，電力電子領(lǐng)域最重要的發(fā)展是所謂的寬禁帶（WBG）材料的興起，即碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。WBG材料的特性有望實(shí)現(xiàn)更小、更快、更高效的電力電子產(chǎn)品。 WBG功率器件已經(jīng)對(duì)從普通
2021-08-13 15:22:002206 隨著 SiC MOSFET 等新型功率晶體管越來(lái)越多地用于電力電子系統(tǒng)，使用特殊的驅(qū)動(dòng)器已成為必要。通過(guò)提供對(duì) IGBT 和 MOSFET 的可靠控制，隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器專為碳化硅 (SiC) 和氮化
2022-08-10 15:22:11813 
碳化硅（SiC）被認(rèn)為是未來(lái)功率器件的革命性半導(dǎo)體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關(guān)技術(shù)，特別是在高溫或高電場(chǎng)的惡劣環(huán)境中。
2022-11-06 18:50:471289 碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動(dòng)態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢(shì)電子和電氣系統(tǒng)。回顧了SiC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景
2022-11-11 11:06:141503 近年來(lái)，SiC功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造工藝日趨完善，已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續(xù)完善來(lái)提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場(chǎng)前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問(wèn)題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。
2022-11-24 10:05:102020 SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來(lái)將針對(duì)SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行介紹。通過(guò)將SiC應(yīng)用到功率元器件上，實(shí)現(xiàn)以往Si功率元器件無(wú)法實(shí)現(xiàn)的低損耗功率轉(zhuǎn)換。不難發(fā)現(xiàn)這是SiC使用到功率元器件上的一大理由。
2023-02-09 11:50:19448 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產(chǎn)品，都有哪些機(jī)型。
2023-02-08 13:43:21685 
業(yè)的產(chǎn)值有望超過(guò) 60 億美元。 Yole 表示，EV/混合動(dòng)力汽車市場(chǎng)將成為 SiC 功率元件的最佳市場(chǎng)，預(yù)計(jì)超過(guò) 70% 的收入將來(lái)自該領(lǐng)域。如下圖所示，根據(jù) Yole 的預(yù)測(cè)，除汽車以外，能源、交通、工業(yè)、消費(fèi)者、通信和基礎(chǔ)設(shè)施等也都將為 SiC 的發(fā)展貢獻(xiàn)力量。 總結(jié)而言，SiC 基器件擁
2023-02-20 17:05:161106 前面對(duì)SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來(lái)將針對(duì)SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行介紹。
2023-02-22 09:15:30345 
電力電子器件(Power Electronic Device)是指可直接用于處理電能的主電路中，實(shí)現(xiàn)電能的變換或控制的電子器件。廣義上電力電子器件可分為電真空器件和半導(dǎo)體器件兩類，目前往往專指電力
2023-04-04 15:31:433956 
碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術(shù)，具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應(yīng)用。此外，SiC還具有比Si更低的熱阻，這意味著它可以更有效地散熱，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469 SiC（碳化硅）功率器件以其耐高溫、耐高壓、低開關(guān)損耗等特性，能有效實(shí)現(xiàn)電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化、輕量化、高功率密度等要求，受到了新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的追捧。
2023-06-09 15:20:53502 
基于SiC器件的電力電子變流器研究
2023-06-20 09:36:23410 
范圍內(nèi)控制必要的p型、n型，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結(jié)晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為
2023-08-21 17:14:581144 
下，消費(fèi)者對(duì)電動(dòng)汽車的接受度也在不斷提高。 本文討論了在電動(dòng)汽車電力電子系統(tǒng)中快速采用碳化硅（SiC）和寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān)的好處，以及晶圓級(jí)襯底制造的價(jià)值?；?b class="flag-6" style="color: red">SiC的電力電子設(shè)備使電動(dòng)汽車能夠?qū)崿F(xiàn)更長(zhǎng)的行駛里程、更快的充電速度和更低的系
2023-09-18 09:05:48279 高速數(shù)字設(shè)計(jì)（電子工業(yè)出版社）
2022-12-30 09:22:1924 萊迪思半導(dǎo)體近日宣布榮獲電子工業(yè)獎(jiǎng)（EIA）。
2023-11-13 14:55:51304 隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子設(shè)備在我們的日常生活和工業(yè)生產(chǎn)中發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。然而，隨著電力電子設(shè)備向著更高效、更小型化以及更可靠的方向發(fā)展，傳統(tǒng)的硅基功率器件已經(jīng)逐漸暴露出其局限性。此時(shí)，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的電力電子器件，以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)逐漸受到人們的關(guān)注。
2023-12-06 09:53:18381 功率半導(dǎo)體作為半導(dǎo)體行業(yè)的重要分支，在現(xiàn)代電子工業(yè)中扮演著至關(guān)重要的角色。隨著科技的不斷進(jìn)步，功率半導(dǎo)體的應(yīng)用范圍日益廣泛，涵蓋了電力、交通、通信、家電等眾多領(lǐng)域。本文將詳細(xì)探討功率半導(dǎo)體行業(yè)的特點(diǎn)，分析行業(yè)發(fā)展的現(xiàn)狀，并預(yù)測(cè)其未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。
2024-01-25 09:51:57306 
廣州海谷電子工業(yè)儀表類產(chǎn)品手冊(cè)
2024-01-26 14:02:500 隨著現(xiàn)代科技的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體材料在電子工業(yè)中的地位日益凸顯。其中，碳化硅（SiC）因其出色的物理和化學(xué)性質(zhì)，在高溫、高頻、大功率電子器件領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。SiC晶片作為SiC器件
2024-02-05 09:37:27522 
和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點(diǎn),因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點(diǎn)同時(shí)也給SiC功率器件的互連封裝帶來(lái)了挑戰(zhàn)。
2024-03-07 14:28:43106 
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