N溝道耗盡型MOSFET
1) N溝道耗盡型MOSFET的結(jié)構(gòu)
N
2009-09-16 09:41:4323374 MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體(S)的場
2012-04-10 11:40:4829475 從來沒有基于MOSFET內(nèi)部的微觀結(jié)構(gòu)去考慮驅(qū)動電路的設(shè)計(jì),導(dǎo)致在實(shí)際的應(yīng)用中,MOSFET產(chǎn)生一定的失效率。本文將討論這些細(xì)節(jié)的問題,從而優(yōu)化MOSFET的驅(qū)動性能,提高整個系統(tǒng)的可靠性。
2021-03-07 10:47:002511 SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu),主要有二種:平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu),如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡單,單元的一致性較好,雪崩能量比較高。但是,這種結(jié)構(gòu)
2023-02-12 16:03:093214 功率電路中常用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的MOSFET(還有橫向?qū)щ?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)的MOSFET,但很少用于耐高壓的功率電路中),如下圖是這種MOSFET的分層結(jié)構(gòu)圖。
2023-02-16 11:25:471303 現(xiàn)在所有電子產(chǎn)品中的芯片、放大器中的基本結(jié)構(gòu)就是MOSFET,學(xué)好MOSFET是理解這些芯片、放大電路的前提。
2023-02-16 11:34:052670 ),漏極(Drain)和源極(Source)。功率MOSFET為電壓型控制器件,驅(qū)動電路簡單,驅(qū)動的功率小,而且開關(guān)速度快,具有高的工作頻率。常用的MOSFET的結(jié)構(gòu)有:橫向?qū)щ婋p擴(kuò)散型場效應(yīng)晶體管LDMOS
2023-06-05 15:12:10671 當(dāng)前量產(chǎn)主流SiC MOSFET芯片元胞結(jié)構(gòu)有兩大類,是按照柵極溝道的形狀來區(qū)分的,平面型和溝槽型。
2023-06-07 10:32:074310 ),漏極( Drain )和源極( Source )。功率 MOSFET 為電壓型控制器件,驅(qū)動電路簡單,驅(qū)動的功率小,而且開關(guān)速度快,具有高的工作頻率。常用的 MOSFET 的結(jié)構(gòu)有:橫向?qū)щ婋p擴(kuò)散
2023-06-28 08:39:353665 眾所周知,由于采用了絕緣柵,功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動功率,且開關(guān)速度優(yōu)異??梢哉f具有“理想開關(guān)”的特性。其主要缺點(diǎn)是開態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42622 本文介紹了MOSFET的物理實(shí)現(xiàn)和操作理論。MOSFET由NMOS和PMOS構(gòu)成,有截止區(qū)、線性區(qū)和飽和區(qū)。圖示了NMOS和PMOS的物理結(jié)構(gòu),以及針對不同驅(qū)動電壓的電流-電壓曲線。還討論了飽和區(qū)的細(xì)節(jié),展示了NMOS和PMOS的漏極電流與漏極-源極電壓之間的關(guān)系。
2023-11-15 09:30:471436 MOS結(jié)構(gòu)加上一對背靠背的PN結(jié),就構(gòu)成一個MOSFET。如果MOS結(jié)構(gòu)在零柵壓時半導(dǎo)體表面不是反型的,此時由于PN結(jié)的反向截止效果,源漏之間不會導(dǎo)通。當(dāng)外加?xùn)艍菏拱雽?dǎo)體表面反型時,源漏之間就有
2023-11-30 15:54:49398 采用超級接面結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不僅可克服現(xiàn)有功率MOSFET結(jié)構(gòu)的缺點(diǎn),亦能達(dá)到低RDS(on)、低QG和低QGD等特性
2011-12-08 10:28:101661 ` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:54 編輯
MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理詳解`
2012-08-20 17:27:17
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 編輯
MOSFET結(jié)構(gòu)及工作原理`
2012-08-20 23:25:54
MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)
2021-02-25 06:05:27
MOSFET是指的什么?MOSFET的特性是什么?MOSFET有哪些應(yīng)用?
2021-07-09 07:45:34
MOSFET的結(jié)構(gòu)原理,漏電流等相關(guān)問題,新型MOSFET等等。
2015-03-09 18:57:08
在做電機(jī)驅(qū)動的時候很多人會用到MOSS管在這里詳細(xì)講解MOSFET管驅(qū)動電路
2016-01-20 14:15:56
請問MOSFET的internal substrate和external substrate分別是什么意思?有何區(qū)別?
2016-08-15 17:31:26
步進(jìn)電機(jī)詳解概述步進(jìn)電機(jī)的分類、結(jié)構(gòu)、原理單相步進(jìn)電機(jī)2相步進(jìn)電機(jī)概述根據(jù)電壓種類分類,可以分為AC和DC。根據(jù)旋轉(zhuǎn)速度以及電源頻錄之間的關(guān)系可以分為同步電機(jī)和異步電機(jī)。小型電機(jī)中步進(jìn)電機(jī)的位置如下
2021-07-08 06:46:29
ARM應(yīng)用系統(tǒng)開發(fā)詳解,本書全面介紹arm知識結(jié)構(gòu)、開發(fā)系統(tǒng)、應(yīng)用教程、指令設(shè)計(jì)和開發(fā)工具知識等。本書是廣大arm學(xué)習(xí)愛好者不可缺少的軟件編程和硬件開發(fā)設(shè)計(jì)的最佳參考手冊
2011-08-29 11:17:06
硬件設(shè)計(jì):電源設(shè)計(jì)--DC/DC工作原理及芯片詳解參考資料:DC/DC降壓電源芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)原理和結(jié)構(gòu)MP2315(DC/DC電源芯片)解讀DC/DC電源詳解第一次寫博客,不喜勿噴,謝謝?。?! DC
2021-11-11 08:49:58
說明一下,DMOS是平面型的MOSFET,是常見的結(jié)構(gòu)。Si的功率MOSFET,因其高耐壓且可降低導(dǎo)通電阻,近年來超級結(jié)(Super Junction)結(jié)構(gòu)的MOSFET(以下簡稱“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 Si材料中越是高耐壓器件,單位面積的導(dǎo)通電阻也越大(以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加),因此600V以上的電壓中主要采用IGBT(絕緣柵極雙極型晶體管)。 IGBT
2023-02-07 16:40:49
USART 初始化結(jié)構(gòu)體詳解標(biāo)準(zhǔn)庫函數(shù)對每個外設(shè)都建立了一個初始化結(jié)構(gòu)體,比如USART_InitTypeDef,結(jié)構(gòu)體成員用于設(shè)置外設(shè)工作參數(shù),并由外設(shè)初始化配置函數(shù),比如USART_Init
2022-02-22 06:08:41
cadence16.6約束規(guī)則設(shè)置詳解很全面
2015-04-18 14:27:33
`技術(shù)解讀(框架、場景案例解讀)`
2021-06-04 17:12:32
走近HarmonyOS設(shè)計(jì)背后的故事,全面介紹HarmonyOS設(shè)計(jì)指南與整體架構(gòu),解讀其設(shè)計(jì)哲學(xué)、設(shè)計(jì)原則及設(shè)計(jì)系統(tǒng)。
2021-12-01 11:22:13
1,由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大,可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強(qiáng)。2,IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點(diǎn)頻率不是太高,目前IGBT硬開關(guān)速度可以到
2019-03-06 06:30:00
二極管二極管全面詳解
2013-03-31 16:01:51
什么是MOSFET驅(qū)動器?MOSFET驅(qū)動器功耗包括哪些部分?如何計(jì)算MOSFET的功耗?
2021-04-12 06:53:00
` 本帖最后由 易飛揚(yáng)通信 于 2018-1-31 14:43 編輯
什么是HDMI AOC有源光纜?詳解HDMI 2.0 AOC結(jié)構(gòu)特性`
2017-08-28 14:02:51
無不積極研發(fā)經(jīng)濟(jì)型高性能碳化硅功率器件,例如Cascode結(jié)構(gòu)、碳化硅MOSFET平面柵結(jié)構(gòu)、碳化硅MOSFET溝槽柵結(jié)構(gòu)等。這些不同的技術(shù)對于碳化硅功率器件應(yīng)用到底有什么影響,該如何選擇呢?首先
2022-03-29 10:58:06
1 橫向雙擴(kuò)散型場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor)有三個管腳,分別為
2016-10-10 10:58:30
功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)為什么要在柵極和源極之間并聯(lián)一個電阻呢?
2021-03-10 06:19:21
`從MOSFET 物理結(jié)構(gòu)分析器件特性,想深入了解MOSFET有幫助。`
2011-03-07 23:02:53
`功率場效應(yīng)管(MOSFET)的結(jié)構(gòu),工作原理及應(yīng)用 功率場效應(yīng)管(MOSFET)的結(jié)構(gòu) 圖1是典型平面N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管(MOSFET) 的剖面圖。它用一塊P型硅半導(dǎo)體材料作襯底(圖la
2011-12-19 16:52:35
由淺入深逐步介紹示波器的原理、使用,以及各性能術(shù)語詳解。實(shí)乃不可多得的教材之一,堪稱史上最全面的示波器介紹!
2012-08-01 20:51:11
,尤其是從來沒有基于MOSFET內(nèi)部的微觀結(jié)構(gòu)去考慮驅(qū)動電路的設(shè)計(jì),導(dǎo)致在實(shí)際的應(yīng)用中,MOSFET產(chǎn)生一定的失效率。本文將討論這些細(xì)節(jié)的問題,從而優(yōu)化MOSFET的驅(qū)動性能,提高整個系統(tǒng)的可靠性。`
2011-09-27 11:25:34
混合SET/MOSFET 結(jié)構(gòu)與特性是什么?如何利用SET/MOSFET 混合結(jié)構(gòu)的傳輸特性去設(shè)計(jì)數(shù)值比較器?
2021-04-13 07:12:01
什么是間接尋址?查表的流程是怎樣的?如何對EEPROM的程序進(jìn)行解讀?
2021-10-20 07:11:21
結(jié)構(gòu) 引言 功率MOSFET以其開關(guān)速度快、驅(qū)動功率小和功耗低等優(yōu)點(diǎn)在中小容量的變流器中得到了廣泛的應(yīng)用。當(dāng)采用功率MOSFET橋式拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)時,同一橋臂上的兩個功率器件在轉(zhuǎn)換過程中,柵極驅(qū)動信號
2018-08-27 16:00:08
汽車結(jié)構(gòu)基本知識詳解(圖文)
2013-10-09 14:17:01
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET,以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中,ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
注冊表結(jié)構(gòu)詳解
2009-03-05 15:06:09
`本書介紹了功率器件MOSFET。功率MOSFET是一類導(dǎo)電溝道槽結(jié)構(gòu)特殊的場效應(yīng)管,它是繼MOSFET之后新展開起來的高效、功率開關(guān)器件。本書深入解讀了MOSFET的關(guān)鍵特性和指標(biāo),通過圖表讓讀者
2019-03-06 16:20:14
硬盤故障提示全面解讀 硬盤最常見的故障就是引導(dǎo)型故障,即硬盤不能啟動等。出現(xiàn)引導(dǎo)型故障時,系統(tǒng)會有很多錯誤提示,我們?nèi)绻x懂了這些提示,對于解決硬盤問題也是非常有幫助的. 1.錯誤提示:HDD
2011-02-27 16:39:11
MOSFET和超級結(jié)MOSFET。簡而言之,就是在功率晶體管的范圍,為超越平面結(jié)構(gòu)的極限而開發(fā)的就是超級結(jié)結(jié)構(gòu)。如下圖所示,平面結(jié)構(gòu)是平面性地構(gòu)成晶體管。這種結(jié)構(gòu)當(dāng)耐壓提高時,漂移層會增厚,存在導(dǎo)通電阻增加
2018-11-28 14:28:53
功率MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理功率MOSFET的種類:按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道。按柵極電壓幅值可分為;耗盡型;當(dāng)柵極電壓為零時漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道,增強(qiáng)型;對于N(P
2008-08-12 08:43:32103 復(fù)合量子點(diǎn)MOSFET結(jié)構(gòu)存儲器的電路模擬摘要:本文采用準(zhǔn)經(jīng)典近似的Monte Carlo 方法對復(fù)合量子點(diǎn)MOSFET結(jié)構(gòu)存儲器的等效單電子電路進(jìn)行了模擬. 研究結(jié)果表明,由于
2010-05-11 16:37:4129 V62/14609-01XE參數(shù)詳解及應(yīng)用探索當(dāng)我們深入探索電子元件的世界,會發(fā)現(xiàn)每一個小小的芯片、每一個模塊都承載著無盡的技術(shù)和智慧。今天,我們就來詳細(xì)解讀一款備受矚目的電子元件——V62
2024-01-14 21:51:10
圖所示為IR功率MOSFET的基本結(jié)構(gòu)。圖中每一個六角形是一個MOSFET的原胞(cell)。正因?yàn)樵橇切蔚模╤exangular),因而IR常把它稱為HEXFET。功率MOSFET通常由許多個MOSFET原胞
2009-07-27 09:42:422963 全面解讀集線器
如果我們經(jīng)常接觸網(wǎng)絡(luò),對作為構(gòu)建局域網(wǎng)的基礎(chǔ)設(shè)備集線器應(yīng)該不會陌生,但是對于集線器背后各方面的知識,我們又知道多
2009-08-01 09:49:231832 醫(yī)藥價格改革公布,各方影響全面解讀
時隔半月,猶抱琵琶半遮面的《改革藥品和醫(yī)療服務(wù)價格形成機(jī)制的意見》(下稱《意見》),昨日終于正式發(fā)布。此前在11月9日
2009-11-30 11:01:42540 全面解讀環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)之ROHS
什么是RoHS?
RoHS是由歐盟立法制定的一項(xiàng)強(qiáng)制性標(biāo)準(zhǔn),它的全稱是《關(guān)于限制在電子電器設(shè)備中使用某
2010-01-18 10:24:37974 全面解讀環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)之GreenGuard
綠色衛(wèi)士認(rèn)證計(jì)劃通過模擬室內(nèi)環(huán)境來檢測產(chǎn)品中的甲醛排放量、揮發(fā)性有機(jī)物(VOCs)、乙醛、可吸入顆
2010-01-18 11:01:081326 P溝MOSFET,P溝MOSFET是什么意思
MOSFET是Metal-Oxide-Silicon Field Effect Transistor的英文縮寫,平面型器件結(jié)構(gòu),按照導(dǎo)電溝道的不同可以分為NMOS和PMOS器件。MOS
2010-03-05 14:50:554867 本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關(guān)過程;然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關(guān)過程的方法:基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開關(guān)過程,并詳細(xì)闡述了其開關(guān)過程
2011-09-14 17:39:1765 Java開發(fā)利器Myeclipse全面詳解。
2015-11-06 11:17:110 電源連接環(huán)結(jié)構(gòu)與特性解讀 非常實(shí)用的技術(shù)文檔 免費(fèi)下載
2016-05-12 15:30:020 MOSFET憑開關(guān)速度快、導(dǎo)通電阻低等優(yōu)點(diǎn)在開關(guān)電源及電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用中得到了廣泛應(yīng)用。要想使MOSFET在應(yīng)用中充分發(fā)揮其性能,就必須設(shè)計(jì)一個適合應(yīng)用的最優(yōu)驅(qū)動電路和參數(shù)。在應(yīng)用中MOSFET一般工作在橋式拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)模式下,如圖1所示。
2016-10-09 19:03:5562239 開關(guān)電源拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)構(gòu)詳解
2017-01-14 11:18:1468 本文詳解了天線結(jié)構(gòu)及天線的制作方法。
2017-11-15 15:50:4242 全面詳解LTE:MATLAB建模、仿真與實(shí)現(xiàn)
2018-05-21 11:09:3815 備受矚目的人臉識別技術(shù)浪潮席卷全球,今天,我們就來全面解讀人臉識別究竟是什么。
2018-07-16 17:39:298185 一眨眼,ABB機(jī)器人7月新品解讀就迎來了第四款,也是本次的最后一款新品——YuMi單臂機(jī)器人。
2018-08-02 16:08:0515171 -氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管,是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。MOSFET依照其“通道”的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,簡稱包括NMOS、PMOS等。本文帶大家熟悉一下MOSFET的結(jié)構(gòu)和前景。
2018-09-15 11:46:044932 以平面耗盡型N溝道MOSFET為例,基本結(jié)構(gòu)如下圖所示。可以看到,從左到右為NPN的摻雜,在擴(kuò)散作用下,會自然形成像圖中所示的深紅色的耗盡區(qū)(depletion region),根據(jù)前面所述,耗盡
2019-08-12 09:34:054191 等)。 所以,我肝了將近一個星期,整理了一下。這應(yīng)該是全網(wǎng)最全面、最細(xì)致的EXPLAIN解讀文章了,下面是全文。 文章比較長,建議收藏。 TIPS 本文基于MySQL 8.0編寫,理論支持MySQL 5.0
2020-10-30 16:39:402055 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《一文詳解藍(lán)牙模塊原理與結(jié)構(gòu).pdf》資料免費(fèi)下載
2020-11-26 16:40:2993 MOSFET規(guī)格書解讀與參數(shù)詳解說明。
2021-06-23 09:32:35108 盡管分立式功率MOSFET的幾何結(jié)構(gòu),電壓和電流電平與超大規(guī)模集成電路(VLSI)設(shè)備采用的設(shè)計(jì)方式有極大的不同,它仍然采用了與VLSI電路類似的半導(dǎo)體加工工藝。
2022-02-08 15:59:067 功率MOSFET為多單元集成結(jié)構(gòu),如IR的HEXFET采用六邊形單元;西門子Siemens的SIPMOSFET采用正方形單元;摩托羅拉公司Motorola的TMOS采用矩形單元按品字形排列。
2022-08-04 15:35:071121 功率MOSFET為多單元集成結(jié)構(gòu),如IR 的HEXFET采用六邊形單元;西門子Siemens的SIPMOSFET采用正方形單元;摩托羅拉公司Motorola的TMOS采用矩形單元按品字形排列
2022-10-07 10:39:00571 全面解讀電子封裝工藝技術(shù)
2022-10-10 11:00:51876 集成電路的歷史、產(chǎn)業(yè)分工、分類、設(shè)計(jì)、制造、封裝、測試等方面,多維度全面解讀集成電路產(chǎn)業(yè)鏈和相關(guān)技術(shù)。
2022-11-21 10:13:03638 近年來超級結(jié)(Super Junction)結(jié)構(gòu)的MOSFET(以下簡稱“SJ-MOSFET”)應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET,ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:19525 在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中,ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽結(jié)構(gòu)在Si-MOSFET中已被廣為采用,在SiC-MOSFET中由于溝槽結(jié)構(gòu)有利于降低導(dǎo)通電阻也備受關(guān)注。
2023-02-08 13:43:211381 從本文開始,我們將進(jìn)入SiC功率元器件基礎(chǔ)知識應(yīng)用篇的第一彈“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動作”。前言:MOSFET和IGBT等電源開關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。
2023-02-08 13:43:22250 在探討“SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動作”時,本文先對SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹,這也是這個主題的前提。
2023-02-08 13:43:23340 SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu),主要有二種:平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu),
2023-02-16 09:40:102935 SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道,盡管其工藝復(fù)雜,單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。但是,溝槽結(jié)構(gòu)可以增加單元密度,沒有JFET效應(yīng),寄生電容更小,開關(guān)速度快,開關(guān)損耗非常低;而且
2023-02-16 09:43:011446 在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中,ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 下面給出的電路圖是在橋式結(jié)構(gòu)中使用SiC MOSFET時最簡單的同步式boost電路。該電路中使用的SiC MOSFET的高邊(HS)和低邊(LS)是交替導(dǎo)通的,為了防止HS和LS同時導(dǎo)通,設(shè)置了兩個SiC MOSFET均為OFF的死區(qū)時間。右下方的波形表示其門極信號(VG)時序。
2023-02-27 13:41:58737 SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道,盡管其工藝復(fù)雜,單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。
2023-04-01 09:37:171329 Rds(ON)是MOSFET工作(啟動)時,漏極D和源極S之間的電阻值。在上文中我們介紹了MOSFET在導(dǎo)通后,Rds(ON)的值不是一成不變的,主要取決于VGS的值。
2023-05-26 17:29:596532 SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu),主要有二種:平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiCMOSFET的結(jié)構(gòu),如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡單,單元的一致性較好,雪崩能量比較高。但是,這種結(jié)構(gòu)的中間
2023-06-19 16:39:467 垂直導(dǎo)電平面結(jié)構(gòu)功率MOSFET管水平溝道直接形成JFET效應(yīng),如果把水平的溝道變?yōu)榇怪睖系溃瑥膫?cè)面控制溝道,就可以消除JFET效應(yīng)。
2023-08-28 10:10:392924 MOSFET處于導(dǎo)通狀態(tài)下的阻抗。導(dǎo)通阻抗越大,則開啟狀態(tài)時的損耗越大。因此,要盡量減小MOSFET的導(dǎo)通阻抗。
2023-09-06 10:47:40590 MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同,決定了其應(yīng)用領(lǐng)域的不同。
2023-11-03 14:53:42500 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu),采用厚低摻雜的N-外延層epi,保證器件具有足夠擊穿電壓,低摻雜N-外延層epi尺寸越厚,耐壓額定值越大,但是,導(dǎo)通電阻隨電壓以2.4-2.6次方增長,導(dǎo)通電阻急劇增大,電流額定值降低。
2023-11-04 08:46:121426 詳解高密 PCB走線布線的垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu) (VeCS)
2023-11-28 17:00:09362 SiC MOSFET:橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動作
2023-12-07 14:34:17222 SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)
2023-12-07 16:00:26157 【科普小貼士】按結(jié)構(gòu)分類的MOSFET特性摘要
2023-12-13 14:15:07127 【科普小貼士】MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理
2023-12-13 14:20:43367 功率MOSFET是一種廣泛應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換器的高性能開關(guān)器件。它具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和良好的熱穩(wěn)定性等特點(diǎn),因此在各種高壓、高頻、高效率的電源系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。 結(jié)構(gòu)
2024-01-17 17:24:36295 常用的MOSFET驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)如圖1所示,驅(qū)動信號經(jīng)過圖騰柱放大后,經(jīng)過一個驅(qū)動電阻Rg給MOSFET驅(qū)動。
2024-01-22 18:09:54288
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