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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>功率器件>利用增強(qiáng)型SOA縮小熱插拔管腳尺寸

利用增強(qiáng)型SOA縮小熱插拔管腳尺寸

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熱插拔

熱插拔              熱插拔(hot-plugging或Hot Swap)功能就是允許用戶(hù)在不關(guān)閉系統(tǒng),不切斷電源的情況下取出和更換
2009-12-17 11:41:39589

熱插拔控制器的應(yīng)用

熱插拔控制器的應(yīng)用 “熱插拔”是指將板卡從加有電源的主機(jī)(背板、服務(wù)器等)上插入或拔出,主要應(yīng)用在基站、磁盤(pán)冗余陣列(RAID)、
2010-03-04 09:22:051093

估算熱插拔MOSFET溫升的方案

  本電源設(shè)計(jì)小貼士以及下次的小貼士中,我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡(jiǎn)單方法。熱插拔電路用于將電容
2011-01-06 14:28:18748

PCIe總線的熱插拔機(jī)制

當(dāng)然,熱插拔不僅僅是硬件的事,其需要軟硬件協(xié)同實(shí)現(xiàn)。要想實(shí)現(xiàn)熱插拔功能,操作系統(tǒng)、主板熱插拔驅(qū)動(dòng)器、PCIe卡設(shè)備驅(qū)動(dòng)以及PCIe卡硬件功能都必須支持熱插拔,缺一不可。從PCIe卡設(shè)備硬件功能的角度來(lái)看,其需要支持Quiesce命令、Pause命令(可選)、Start命令和Resume命令。
2018-09-06 09:20:3819624

AN-694: 利用2個(gè)ADM1073熱插拔控制器進(jìn)行熱插拔和阻斷FET控制

AN-694: 利用2個(gè)ADM1073熱插拔控制器進(jìn)行熱插拔和阻斷FET控制
2021-03-21 11:41:578

LTC4234:20A保證SOA熱插拔控制器數(shù)據(jù)表

LTC4234:20A保證SOA熱插拔控制器數(shù)據(jù)表
2021-04-18 19:44:377

LTC4233:10A保證SOA熱插拔控制器數(shù)據(jù)表

LTC4233:10A保證SOA熱插拔控制器數(shù)據(jù)表
2021-04-20 09:24:385

LTC4234LTC4365演示電路-大電流、低導(dǎo)通電阻、12V熱插拔,保證SOA

LTC4234LTC4365演示電路-大電流、低導(dǎo)通電阻、12V熱插拔,保證SOA
2021-06-03 13:15:149

全鍵熱插拔,細(xì)節(jié)再升級(jí) ▎達(dá)爾優(yōu)EK871全鍵熱插拔雙模機(jī)械鍵盤(pán)正式發(fā)布

71key全鍵熱插拔設(shè)計(jì), 細(xì)節(jié)升級(jí)手感再度強(qiáng)化, 有線+無(wú)線雙模連接方案, 達(dá)爾優(yōu)EK871全鍵熱插拔雙模機(jī)械鍵盤(pán)給你全新的游戲辦公手感新體驗(yàn)。 2021年7月26日,繼達(dá)爾優(yōu)A87系列全鍵熱插拔
2021-07-28 09:23:212299

Nexperia推出用于熱插拔的全新特定型應(yīng)用MOSFET (ASFET),SOA性能翻倍

全面優(yōu)化12V熱插拔和軟啟動(dòng)應(yīng)用中控制浪涌電流的RDS(on)和SOA ? 奈梅亨, 2022 年 11 月 18 日: 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布擴(kuò)展其適用于熱插拔
2022-11-18 10:32:58399

Nexperia推用于熱插拔的全新特定型應(yīng)用MOSFET (ASFET),SOA性能翻倍

的安全工作區(qū)(SOA)性能與超低的 RDS(on)相結(jié)合,非常適合用于 12V 熱插拔應(yīng)用,包括數(shù)據(jù)中心服務(wù)器和通信設(shè)備。? 多年來(lái),Nexperia(安世半導(dǎo)體)致力于將成熟的 MOSFET 專(zhuān)業(yè)知識(shí)和廣泛的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)結(jié)合起來(lái),增強(qiáng)器件中關(guān)鍵 MOSFET 的性能,滿足特定應(yīng)用的要求,以打造市場(chǎng)領(lǐng)先的
2022-11-21 16:11:38646

在大電流熱插拔應(yīng)用中通過(guò)有保證的SOA實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻

LTC?4234 是一款用于熱插拔的集成式解決方案?允許從帶電背板上安全插入和拔出電路板的應(yīng)用程序。該器件在單個(gè)封裝中集成了熱插拔控制器、功率 MOSFET 和電流檢測(cè)電阻器,適用于小尺寸應(yīng)用。MOSFET 安全工作區(qū) (SOA) 經(jīng)過(guò)生產(chǎn)測(cè)試,可保證承受熱插拔應(yīng)用中的應(yīng)力。
2023-01-08 15:59:05706

N 溝道 80 V、2.5 mOhm MOSFET,采用增強(qiáng)型 SOA,采用 LFPAK88-PSMN2R5-80SSE

N 溝道 80 V、2.5 mOhm MOSFET,采用增強(qiáng)型 SOA,采用 LFPAK88-PSMN2R5-80SSE
2023-02-07 18:55:060

N 溝道 80 V、1.9 mOhm MOSFET,采用增強(qiáng)型 SOA,采用 LFPAK88-PSMN1R9-80SSE

N 溝道 80 V、1.9 mOhm MOSFET,采用增強(qiáng)型 SOA,采用 LFPAK88-PSMN1R9-80SSE
2023-02-07 18:55:190

N 溝道 100 V、2.9 mOhm MOSFET,采用增強(qiáng)型 SOA,采用 LFPAK88-PSMN2R9-100SSE

N 溝道 100 V、2.9 mOhm MOSFET,采用增強(qiáng)型 SOA,采用 LFPAK88-PSMN2R9-100SSE
2023-02-07 18:55:330

N 溝道 100 V、2.3 mOhm MOSFET,采用增強(qiáng)型 SOA,采用 LFPAK88-PSMN2R3-100SSE

N 溝道 100 V、2.3 mOhm MOSFET,采用增強(qiáng)型 SOA,采用 LFPAK88-PSMN2R3-100SSE
2023-02-07 18:56:070

N 溝道 25 V、1.9 mOhm、用于熱插拔的 ASFET,在 LFPAK56 中具有增強(qiáng)SOA-PSMN1R6-25YLE

N 溝道 25 V、1.9 mOhm、用于熱插拔的 ASFET,在 LFPAK56 中具有增強(qiáng)SOA-PSMN1R6-25YLE
2023-02-07 19:09:320

N 溝道 25 V、1.1 mOhm、用于熱插拔的 ASFET,在 LFPAK56 中具有增強(qiáng)SOA-PSMNR98-25YLE

N 溝道 25 V、1.1 mOhm、用于熱插拔的 ASFET,在 LFPAK56 中具有增強(qiáng)SOA-PSMNR98-25YLE
2023-02-07 19:09:480

N 溝道 25 V、0.98 mOhm、用于熱插拔的 ASFET,在 LFPAK56 中具有增強(qiáng)SOA-PSMNR89-25YLE

N 溝道 25 V、0.98 mOhm、用于熱插拔的 ASFET,在 LFPAK56 中具有增強(qiáng)SOA-PSMNR89-25YLE
2023-02-07 19:10:070

N 溝道 30 V、2.2 mOhm、用于熱插拔的 ASFET,在 LFPAK56 中具有增強(qiáng)SOA-PSMN2R1-30YLE

N 溝道 30 V、2.2 mOhm、用于熱插拔的 ASFET,在 LFPAK56 中具有增強(qiáng)SOA-PSMN2R1-30YLE
2023-02-07 20:22:450

N 溝道 30 V、1.3 mOhm、用于熱插拔的 ASFET,在 LFPAK56 中具有增強(qiáng)SOA-PSMN1R1-30YLE

N 溝道 30 V、1.3 mOhm、用于熱插拔的 ASFET,在 LFPAK56 中具有增強(qiáng)SOA-PSMN1R1-30YLE
2023-02-07 20:23:010

N 溝道 30 V、1.1 mOhm、用于熱插拔的 ASFET,在 LFPAK56 中具有增強(qiáng)SOA-PSMN1R0-30YLE

N 溝道 30 V、1.1 mOhm、用于熱插拔的 ASFET,在 LFPAK56 中具有增強(qiáng)SOA-PSMN1R0-30YLE
2023-02-07 20:23:200

N 溝道 30 V、0.87 mOhm、用于熱插拔的 ASFET,采用增強(qiáng)型 SOA,采用 LFPAK56-PSMNR82-30YLE

N 溝道 30 V、0.87 mOhm、用于熱插拔的 ASFET,采用增強(qiáng)型 SOA,采用 LFPAK56-PSMNR82-30YLE
2023-02-07 20:23:370

N 溝道 30 V、0.70 mOhm、用于熱插拔的 ASFET,在 LFPAK56E 中具有增強(qiáng)SOA-PSMNR67-30YLE

N 溝道 30 V、0.70 mOhm、用于熱插拔的 ASFET,在 LFPAK56E 中具有增強(qiáng)SOA-PSMNR67-30YLE
2023-02-07 20:23:550

N 溝道 25 V、0.63 mOhm、用于熱插拔的 ASFET,在 LFPAK56E 中具有增強(qiáng)SOA-PSMNR56-25YLE

N 溝道 25 V、0.63 mOhm、用于熱插拔的 ASFET,在 LFPAK56E 中具有增強(qiáng)SOA-PSMNR56-25YLE
2023-02-07 20:24:141

N 溝道 25 V、0.77 mOhm、用于熱插拔的 ASFET,在 LFPAK56 中具有增強(qiáng)SOA-PSMNR68-25YLE

N 溝道 25 V、0.77 mOhm、用于熱插拔的 ASFET,在 LFPAK56 中具有增強(qiáng)SOA-PSMNR68-25YLE
2023-02-07 20:24:310

N 溝道 80V,4.2mOhm MOSFET,采用增強(qiáng)型 SOA,采用 LFPAK56E-PSMN4R2-80YSE

N 溝道 80 V、4.2 mOhm MOSFET,采用增強(qiáng)型 SOA,采用 LFPAK56E-PSMN4R2-80YSE
2023-02-15 19:43:240

N 溝道 100V,4.8mOhm MOSFET,采用增強(qiáng)型 SOA,采用 LFPAK56E-PSMN4R8-100YSE

N 溝道 100 V、4.8 mOhm MOSFET,采用增強(qiáng)型 SOA,采用 LFPAK56E-PSMN4R8-100YSE
2023-02-16 20:01:540

利用集成熱插拔控制器提高熱插拔性能并節(jié)省設(shè)計(jì)時(shí)間

LTC4217 熱插拔控制器以一種受控方式打開(kāi)和關(guān)閉電路板的電源電壓,從而允許該電路板安全地插入和拔出帶電背板。毫不奇怪,這通常是熱插拔控制器所做的事情,但 LTC4217 具有一種特性,使其優(yōu)于
2023-04-11 10:58:19645

熱插拔和非熱插拔的區(qū)別

熱插拔和非熱插拔的區(qū)別? 熱插拔和非熱插拔是指電子設(shè)備或組件在工作狀態(tài)下是否可以進(jìn)行插拔操作的一種分類(lèi)。熱插拔指的是可以在設(shè)備或系統(tǒng)正常運(yùn)行的情況下進(jìn)行插拔操作,而非熱插拔則表示插拔操作需要在設(shè)備
2023-12-28 10:01:21772

熱插拔是什么原理

熱插拔(Hot Swap)是一種允許在系統(tǒng)運(yùn)行過(guò)程中,動(dòng)態(tài)地插入或移除硬件設(shè)備的技術(shù)。這種技術(shù)在計(jì)算機(jī)硬件、通信設(shè)備和存儲(chǔ)設(shè)備等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。熱插拔技術(shù)的目的是為了提高系統(tǒng)的可擴(kuò)展性、可靠性
2024-01-16 11:03:31604

鍵盤(pán)熱插拔和非熱插拔的區(qū)別

鍵盤(pán)熱插拔和非熱插拔的區(qū)別 鍵盤(pán)是計(jì)算機(jī)外設(shè)設(shè)備之一,熱插拔是指在計(jì)算機(jī)運(yùn)行中插入或拔出設(shè)備而無(wú)需重啟計(jì)算機(jī),非熱插拔則需要重啟計(jì)算機(jī)才能生效。鍵盤(pán)熱插拔和非熱插拔的區(qū)別體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:連接方式
2024-02-02 17:34:23838

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