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RDS(on)額外降低40%,功率密度提高58倍,適合電信和熱插拔計(jì)算應(yīng)用
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奈梅亨,2023年3月22日:基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V熱插拔專用MOSFET(ASFET),該系列產(chǎn)品采用緊湊型8x8 mm LFPAK88封裝,且具有增強(qiáng)安全工作區(qū)(SOA)的特性。這些新型ASFET針對(duì)要求嚴(yán)格的熱插拔和軟啟動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行了全面優(yōu)化,可在175°C下工作,適用于先進(jìn)的電信和計(jì)算設(shè)備。
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憑借數(shù)十年開發(fā)先進(jìn)晶圓和封裝解決方案所積累的專業(yè)知識(shí),Nexperia推出的這款PSMN2R3-100SSE(100 V,2.3 m N溝道ASFET)作為其產(chǎn)品組合中的首選,在緊湊的8x8 mm封裝尺寸中兼顧低RDS(on)和強(qiáng)大線性模式(安全工作區(qū))性能,可滿足嚴(yán)苛的熱插拔應(yīng)用要求。此外,Nexperia還發(fā)布了一款80 V ASFET產(chǎn)品PSMN1R9-100SSE(80 V,1.9 mΩ),旨在響應(yīng)計(jì)算服務(wù)器和其他工業(yè)應(yīng)用中使用48 V電源軌的增長(zhǎng)趨勢(shì),在這些應(yīng)用中,環(huán)境條件允許MOSFET采用較低的VDS擊穿電壓額定值。
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在熱插拔和軟啟動(dòng)應(yīng)用中,具有增強(qiáng)型SOA的ASFET越來越受市場(chǎng)歡迎。當(dāng)容性負(fù)載引入帶電背板時(shí),這些產(chǎn)品強(qiáng)大的線性模式性能對(duì)于高效可靠地管理浪涌電流必不可少。當(dāng)ASFET完全導(dǎo)通時(shí),低RDS(on)對(duì)于最大限度地降低I2R損耗也同樣重要。除了RDS(on)更低且封裝尺寸更緊湊之外,Nexperia的第三代增強(qiáng)SOA技術(shù)與前幾代D2PAK封裝相比還實(shí)現(xiàn)了10% SOA性能改進(jìn)(在 50 V、1 ms 條件下,電流分別為33 A和30 A)。
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Nexperia的另一項(xiàng)創(chuàng)新在于,用于熱插拔的新型ASFET完整標(biāo)示了25°C和125°C下的SOA特性。數(shù)據(jù)手冊(cè)中提供了經(jīng)過全面測(cè)試的高溫下SOA曲線,設(shè)計(jì)工程師無需進(jìn)行熱降額計(jì)算,并顯著擴(kuò)展了實(shí)用的高溫下SOA性能。
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到目前為止,適合熱插拔和計(jì)算應(yīng)用的ASFET通常采用較大尺寸的D2PAK封裝(16x10 mm)。LFPAK88封裝是D2PAK封裝的理想替代選項(xiàng),空間節(jié)省效率高達(dá)60%。PSMN2R3-100SSE的RDS(on)僅為2.3 mΩ,相較于現(xiàn)有器件至少降低了40%。? LFPAK88不僅將功率密度提高了58倍,還提供兩倍的ID(max)額定電流以及超低熱阻和電阻。該產(chǎn)品結(jié)合了Nexperia先進(jìn)的晶圓和銅夾片封裝技術(shù)的功能優(yōu)勢(shì),包括占用空間更小、RDS(on)更低以及SOA性能更優(yōu)。Nexperia還提供采用5x6 mm LFPAK56E封裝的25 V、30 V、80 V和100 V ASFET系列產(chǎn)品,并針對(duì)需要更小PCB管腳尺寸的低功耗應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。
有關(guān)新型ASFET的更多詳細(xì)信息,請(qǐng)?jiān)L問:nexperia.cn/asfets-for-hotswap-and-soft-start
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Nexperia推出首款采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET(ASFET),管腳尺寸縮小60%
- Nexperia(56570)
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2023-02-07 20:09:170
采用 LFPAK88 封裝的 NextPower 100 V、2.07 mOhm、267 A、N 溝道 MOSFET-PSMN2R0-100SSF
采用 LFPAK88 封裝的 NextPower 100 V、2.07 mOhm、267 A、N 溝道 MOSFET-PSMN2R0-100SSF
2023-02-07 20:09:310
N 溝道 30 V、2.2 mOhm、用于熱插拔的 ASFET,在 LFPAK56 中具有增強(qiáng)的 SOA-PSMN2R1-30YLE
N 溝道 30 V、2.2 mOhm、用于熱插拔的 ASFET,在 LFPAK56 中具有增強(qiáng)的 SOA-PSMN2R1-30YLE
2023-02-07 20:22:450
N 溝道 30 V、1.3 mOhm、用于熱插拔的 ASFET,在 LFPAK56 中具有增強(qiáng)的 SOA-PSMN1R1-30YLE
N 溝道 30 V、1.3 mOhm、用于熱插拔的 ASFET,在 LFPAK56 中具有增強(qiáng)的 SOA-PSMN1R1-30YLE
2023-02-07 20:23:010
N 溝道 30 V、1.1 mOhm、用于熱插拔的 ASFET,在 LFPAK56 中具有增強(qiáng)的 SOA-PSMN1R0-30YLE
N 溝道 30 V、1.1 mOhm、用于熱插拔的 ASFET,在 LFPAK56 中具有增強(qiáng)的 SOA-PSMN1R0-30YLE
2023-02-07 20:23:200
N 溝道 30 V、0.87 mOhm、用于熱插拔的 ASFET,采用增強(qiáng)型 SOA,采用 LFPAK56-PSMNR82-30YLE
N 溝道 30 V、0.87 mOhm、用于熱插拔的 ASFET,采用增強(qiáng)型 SOA,采用 LFPAK56-PSMNR82-30YLE
2023-02-07 20:23:370
N 溝道 30 V、0.70 mOhm、用于熱插拔的 ASFET,在 LFPAK56E 中具有增強(qiáng)的 SOA-PSMNR67-30YLE
N 溝道 30 V、0.70 mOhm、用于熱插拔的 ASFET,在 LFPAK56E 中具有增強(qiáng)的 SOA-PSMNR67-30YLE
2023-02-07 20:23:550
N 溝道 25 V、0.63 mOhm、用于熱插拔的 ASFET,在 LFPAK56E 中具有增強(qiáng)的 SOA-PSMNR56-25YLE
N 溝道 25 V、0.63 mOhm、用于熱插拔的 ASFET,在 LFPAK56E 中具有增強(qiáng)的 SOA-PSMNR56-25YLE
2023-02-07 20:24:141
N 溝道 25 V、0.77 mOhm、用于熱插拔的 ASFET,在 LFPAK56 中具有增強(qiáng)的 SOA-PSMNR68-25YLE
N 溝道 25 V、0.77 mOhm、用于熱插拔的 ASFET,在 LFPAK56 中具有增強(qiáng)的 SOA-PSMNR68-25YLE
2023-02-07 20:24:310
MLPAK33 – 3x3 MOSFET的靈活選擇
針對(duì)空間非常緊湊的功率MOSFET應(yīng)用而言,3x3封裝是理想的尺寸。因此,在Nexperia的MOSFET產(chǎn)品序列中,采用了非??煽康母咝阅?b class="flag-6" style="color: red">LFPAK33封裝。Nexperia開發(fā)了MLPAK33,它是一款功率MOSFET封裝,與業(yè)界聞名的DFN3333封裝保持管腳兼容性,提供給客戶另外一個(gè)選項(xiàng)。
2023-02-08 09:18:00244
采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D中的N溝道 60V,12.5mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN013-60HL
采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 60 V、12.5 mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN013-60HL
2023-02-08 19:07:050
采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D中的N溝道 60V,11.5mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN011-60HL
采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 60 V、11.5 mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN011-60HL
2023-02-08 19:07:250
LFPAK88中的N溝道 40V,1.2mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7S1R2-40H
LFPAK88 中的 N 溝道 40 V、1.2 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7S1R2-40H
2023-02-08 19:09:240
采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D中的N溝道 60V,14mOhm、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN014-60HS
采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 60 V、14 mOhm、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN014-60HS
2023-02-08 19:10:200
采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D中的N溝道 60V,10mOhm、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN013-60HS
采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 60 V、10 mOhm、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN013-60HS
2023-02-08 19:10:330
采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D中的N溝道 60V,9.3mOhm、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN9R3-60HS
采用 TrenchMOS 技術(shù)的 LFPAK56D 中的 N 溝道 60 V、9.3 mOhm、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN9R3-60HS
2023-02-08 19:10:460
NextPower 80V,2.3mOhm、240 A、N 溝道 MOSFET,采用 LFPAK88 封裝-PSMN2R3-80SSF
NextPower 80 V、2.3 mOhm、240 A、N 溝道 MOSFET,采用 LFPAK88 封裝-PSMN2R3-80SSF
2023-02-08 19:24:130
采用 LFPAK88 封裝的 NextPower 100V,3.3mOhm、180 A、N 溝道 MOSFET-PSMN3R3-100SSF
采用 LFPAK88 封裝的 NextPower 100 V、3.3 mOhm、180 A、N 溝道 MOSFET-PSMN3R3-100SSF
2023-02-08 19:25:250
采用 LFPAK88 封裝的 NextPower 100V,2.6 mΩ、200 A、N 溝道 MOSFET-PSMN2R6-100SSF
采用 LFPAK88 封裝的 NextPower 100 V、2.6 mΩ、200 A、N 溝道 MOSFET-PSMN2R6-100SSF
2023-02-08 19:26:340
采用 LFPAK88 封裝的 NextPower 80V,2.8mOhm、190 A、N 溝道 MOSFET-PSMN2R8-80SSF
采用 LFPAK88 封裝的 NextPower 80 V、2.8 mOhm、190 A、N 溝道 MOSFET-PSMN2R8-80SSF
2023-02-09 19:21:000
N 溝道 100 V 42mOhm 標(biāo)準(zhǔn)級(jí) ASFET,具有增強(qiáng)型 SOA,采用 LFPAK33 封裝。專為大功率 PoE 應(yīng)用而設(shè)計(jì)-PSMN041-100MSE
N 溝道 100 V 42 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)級(jí) ASFET,具有增強(qiáng)型 SOA,采用 LFPAK33 封裝。專為大功率 PoE 應(yīng)用而設(shè)計(jì)-PSMN041-100MSE
2023-02-09 21:36:080
LFPAK88中的N溝道 40V,1.0 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7S1R0-40H
LFPAK88 中的 N 溝道 40 V、1.0 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7S1R0-40H
2023-02-09 21:51:430
N 溝道 50V,0.90mOhm、410A 邏輯電平 LFPAK88中的特定應(yīng)用 MOSFET-PSMNR90-50SLH
N 溝道 50 V、0.90 mOhm、410 A 邏輯電平 LFPAK88 中的特定應(yīng)用 MOSFET-PSMNR90-50SLH
2023-02-09 21:57:060
LFPAK88是提高效率的捷徑
Nexperia的LFPAK88不使用內(nèi)部焊線,減小了源極引腳長(zhǎng)度,從而最大程度地減少在開關(guān)過程中產(chǎn)生的寄生源極電感,以此提高效率。 無引腳(QFN)封裝或開爾文源極連接等備選方案也具有類似的優(yōu)點(diǎn),但它們也存在很大的缺陷,這就使得“提高效率的捷徑”LFPAK88成為我們的首選。
2023-02-10 09:38:03448
LFPAK系列全新8*8封裝提升功率效率
為了適應(yīng)業(yè)界對(duì)節(jié)省空間、提高功率密度和電流處理能力的需要,Nexperia大大改進(jìn)了最新的銅夾封裝。 LFPAK88結(jié)合了低RDSon和高ID,將功率密度基準(zhǔn)設(shè)定為1 W / mm3以上。
2023-02-10 09:39:061313
LFPAK88:一個(gè)非常酷的客戶
隨著電路的縮小,熱性能變得非常重要。我們將LFPAK88的熱性能與D2PAK進(jìn)行了比較,發(fā)現(xiàn)LFPAK88的性能非常好。
2023-02-10 10:00:39759
N 溝道 55V,1.03mOhm、330A 邏輯電平 LFPAK88中的特定應(yīng)用 MOSFET-PSMN1R2-55SLH
N 溝道 55 V、1.03 mOhm、330 A 邏輯電平 LFPAK88 中的特定應(yīng)用 MOSFET-PSMN1R2-55SLH
2023-02-10 18:34:190
采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK88中的N溝道 40V,0.55mOhm、500 Amps 連續(xù)、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMNR55-40SSH
采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK88 中的 N 溝道 40 V、0.55 mOhm、500 Amps 連續(xù)、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMNR55-40SSH
2023-02-16 20:57:060
LFPAK88中的N溝道 40V,2mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7S2R0-40H
LFPAK88 中的 N 溝道 40 V、2 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7S2R0-40H
2023-02-16 20:59:320
LFPAK88中的N溝道 40V,2.5mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7S2R5-40H
LFPAK88 中的 N 溝道 40 V、2.5 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7S2R5-40H
2023-02-16 20:59:450
LFPAK88中的N溝道 40V,0.5mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7S0R5-40H
LFPAK88 中的 N 溝道 40 V、0.5 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7S0R5-40H
2023-02-16 20:59:550
NEXPERIA LFPAK 功率 MOSFET中的最大連續(xù)電流-AN90016
NEXPERIA LFPAK 功率 MOSFET 中的最大連續(xù)電流-AN90016
2023-02-17 19:38:100
LFPAK88中的N溝道 40V,1.5mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7S1R5-40H
LFPAK88 中的 N 溝道 40 V、1.5 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7S1R5-40H
2023-02-17 19:45:060
采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK88中的N溝道 40V,0.9 mΩ、375 Amps 連續(xù)、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMNR90-40SSH
采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK88 中的 N 溝道 40 V、0.9 mΩ、375 Amps 連續(xù)、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMNR90-40SSH
2023-02-20 19:48:220
采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK88中的N溝道 40V,0.7 mΩ、425 Amps 連續(xù)、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMNR70-40SSH
采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK88 中的 N 溝道 40 V、0.7 mΩ、425 Amps 連續(xù)、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMNR70-40SSH
2023-02-20 19:48:380
LFPAK88中的N溝道 40V,0.9 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7S0R9-40H
LFPAK88 中的 N 溝道 40 V、0.9 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7S0R9-40H
2023-02-20 19:52:510
LFPAK88中的N溝道 40V,0.7 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7S0R7-40H
LFPAK88 中的 N 溝道 40 V、0.7 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7S0R7-40H
2023-02-20 19:53:120
采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK88中的N溝道 40V,1 mΩ、325 Amps 連續(xù)、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN1R0-40SSH
采用 NextPowerS3 技術(shù)的 LFPAK88 中的 N 溝道 40 V、1 mΩ、325 Amps 連續(xù)、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN1R0-40SSH
2023-02-20 19:53:320
N 溝道 60V,11.3 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET,采用 LFPAK33-PSMN011-60MS
N 溝道 60 V、11.3 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET,采用 LFPAK33-PSMN011-60MS
2023-02-23 18:40:310
Nexperia | 推出用于自動(dòng)安全氣囊的專用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合
日:基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)推出了用于自動(dòng)化安全氣囊應(yīng)用的專用 MOSFET (ASFET) 新產(chǎn)品組合,重點(diǎn)發(fā)布的 BUK9M20-60EL 為單 N 溝道 60 V、13 m
2023-05-29 10:35:11372
了解熱插拔:熱插拔電路設(shè)計(jì)過程示例
高可用性系統(tǒng)中常見的兩種系統(tǒng)功率級(jí)別(–48 V和+12 V)使用不同的熱插拔保護(hù)配置。–48V 系統(tǒng)集成了低側(cè)熱插拔控制和調(diào)整 MOSFET;+12 V系統(tǒng)使用高邊控制器和調(diào)整MOSFET。
2023-06-17 17:24:561085
安世半導(dǎo)體熱插拔MOSFET與碳化硅二極管入圍年度功率半導(dǎo)體
和管理者。今年,Nexperia(安世半導(dǎo)體)的熱插拔MOSFET與碳化硅肖特基二極管兩款明星產(chǎn)品現(xiàn)已雙雙入圍年度功率半導(dǎo)體! 采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET(ASFET) 同時(shí)
2023-08-28 15:45:311140
安世|采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET(ASFET)
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出首批 80 V 和 100 V 熱插拔專用 MOSFET(ASFET),該系列產(chǎn)品采用緊湊型 8x8 mm
2023-09-22 09:08:10386
用于熱插拔應(yīng)用的增強(qiáng)型SOA技術(shù)LFPAK 5x6 ASFET
Nexperia ASFET 是定制器件。經(jīng)過優(yōu)化,可用于特定的設(shè)計(jì)和 IU。通過專注于對(duì)某一應(yīng)用至關(guān)重要的特定參數(shù),它提供全新性能水平,從而最好地滿足系統(tǒng)要求。
2023-11-02 16:07:45292
PSMN1R3-80SSF:N溝道MOSFET LFPAK88包目標(biāo)數(shù)據(jù)表
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN1R3-80SSF:N溝道MOSFET LFPAK88包目標(biāo)數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-19 16:08:210
熱插拔和非熱插拔的區(qū)別
熱插拔和非熱插拔的區(qū)別? 熱插拔和非熱插拔是指電子設(shè)備或組件在工作狀態(tài)下是否可以進(jìn)行插拔操作的一種分類。熱插拔指的是可以在設(shè)備或系統(tǒng)正常運(yùn)行的情況下進(jìn)行插拔操作,而非熱插拔則表示插拔操作需要在設(shè)備
2023-12-28 10:01:21772
N溝道80 V,1.2 mOhm,標(biāo)準(zhǔn)級(jí)MOSFET LFPAK88數(shù)據(jù)手冊(cè)
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N溝道80 V,1.2 mOhm,標(biāo)準(zhǔn)級(jí)MOSFET LFPAK88數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-21 10:04:260
評(píng)論
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