300nm晶圓首次用于制造功率器件，英飛凌推出超結(jié)MOSFET

　　英飛凌科技公司將“全球首次”使用口徑300mm的硅晶圓制造功率半導(dǎo)體。具體產(chǎn)品是有超結(jié)（Super Junction）構(gòu)造的功率MOSFET“CoolMOS系列產(chǎn)品”，由奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)。據(jù)介紹，該產(chǎn)品已于2013年2月接到了第一筆訂單。

　　英飛凌目前正在使用200mm晶圓制造功率MOSFET。換成300mm晶圓以后，一塊晶圓可生產(chǎn)的芯片數(shù)量將增至2.5倍。

　　在菲拉赫工廠，今后300mm技術(shù)將取代200mm成為核心技術(shù)。

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MOSFET(209664) MOSFET(209664)
晶圓(126258) 晶圓(126258)
功率器件(89421) 功率器件(89421)

評(píng)論

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2023-02-27 10:02:15

如何去測(cè)量功率器件的結(jié)溫？

測(cè)量和校核開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫，是一個(gè)不可或缺的過(guò)程，功率器件的結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關(guān)。測(cè)量功率器件的結(jié)溫常用二種方法：

2021-03-11 07:53:26

封裝寄生電感對(duì)MOSFET性能的影響

。特別是，封裝源極寄生電感是是器件控制的關(guān)鍵因素。在本文中，英飛凌提出了一種用于快速開(kāi)關(guān)超結(jié)MOSFET的最新推出的TO247 4引腳器件封裝解決方案。這個(gè)解決方案將源極連接分為兩個(gè)電流路徑；一個(gè)用于

2018-10-08 15:19:33

揭秘切割晶圓過(guò)程——晶圓就是這樣切割而成

過(guò)處理之后成為光罩這些就是最后完成的晶圓成品接下來(lái)看晶圓切割形成成品之后的晶圓還要經(jīng)過(guò)切割才能成為應(yīng)用于芯片制造。這里演示的就是晶圓切割放大觀看接下來(lái)是演示經(jīng)過(guò)切割的晶圓的一些應(yīng)用。可以應(yīng)用于芯片制造、液晶顯示屏制造或者手機(jī)芯片制造等。 ``

2011-12-01 15:02:42

測(cè)量功率器件的結(jié)溫常用的方法

測(cè)量功率器件的結(jié)溫常用二種方法

2021-03-17 07:00:20

激光用于晶圓劃片的技術(shù)與工藝

激光用于晶圓劃片的技術(shù)與工藝      激光加工為無(wú)接觸加工，激光能量通過(guò)聚焦后獲得高能量密度，直接將硅片

2010-01-13 17:01:57

理解功率MOSFET管的電流

功率MOSFET來(lái)說(shuō)，通常連續(xù)漏極電流是一個(gè)計(jì)算值。當(dāng)器件的封裝和芯片的大小一定時(shí)，如對(duì)于底部有裸露銅皮的封裝TO220，D2PAK，DFN5*6，DPAK等，那么器件的結(jié)到裸露銅皮的熱阻RqJC是一

2016-08-15 14:31:59

硅晶圓是什么？硅晶圓和晶圓有區(qū)別嗎？

`什么是硅晶圓呢，硅晶圓就是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片。晶圓是制造IC的基本原料。硅晶圓和晶圓有區(qū)別嗎？其實(shí)二者是一個(gè)概念。集成電路（IC）是指在一半導(dǎo)體基板上，利用氧化、蝕刻、擴(kuò)散等方法

2011-12-02 14:30:44

蘇州天弘激光推出新一代激光晶圓劃片機(jī)

;   2010年1月3日，蘇州天弘激光股份有限公司推出了新一代激光晶圓劃片機(jī)，該激光劃片機(jī)應(yīng)用于硅晶圓、玻璃披覆（玻鈍）二極管等半導(dǎo)體晶圓的劃片和切割，技術(shù)領(lǐng)先于國(guó)內(nèi)

2010-01-13 17:18:57

解析LED晶圓激光刻劃技術(shù)

及LED器件，這樣就很大程度上降低了LED晶圓的產(chǎn)出效率。激光加工是非接觸式加工，作為傳統(tǒng)機(jī)械鋸片切割的替代工藝，激光劃片切口非常小，聚焦后的激光微細(xì)光斑作用的晶圓表面迅速氣化材料，在LED有源區(qū)之間制造

2011-12-01 11:48:46

超級(jí)結(jié)MOSFET

，Si-MOSFET在這個(gè)比較中，導(dǎo)通電阻與耐壓略遜于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率條件下，高速工作表現(xiàn)更佳。平面MOSFET與超級(jí)結(jié)MOSFETSi-MOSFET根據(jù)制造工藝可分為平面

2018-11-28 14:28:53

超級(jí)結(jié)MOSFET的優(yōu)勢(shì)

等級(jí)，同時(shí)，在器件導(dǎo)通時(shí)，形成一個(gè)高摻雜N+區(qū)，作為功率MOSFET導(dǎo)通時(shí)的電流通路，也就是將反向阻斷電壓與導(dǎo)通電阻功能分開(kāi)，分別設(shè)計(jì)在不同的區(qū)域，就可以實(shí)現(xiàn)上述的要求?；诔?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)

2018-10-17 16:43:26

集成MOSFET如何提升功率密度

集成是固態(tài)電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)，將類似且互補(bǔ)的功能匯集到單一器件中的能力驅(qū)動(dòng)著整個(gè)行業(yè)的發(fā)展。隨著封裝、晶圓處理和光刻技術(shù)的發(fā)展，功能密度不斷提高，在物理尺寸和功率兩方面都提供了更高能效的方案。對(duì)產(chǎn)品

2020-10-28 09:10:17

晶圓測(cè)溫系統(tǒng)，晶圓測(cè)溫?zé)犭娕迹?b class="flag-6" style="color: red">晶圓測(cè)溫裝置

晶圓測(cè)溫系統(tǒng)，晶圓測(cè)溫?zé)犭娕迹?b class="flag-6" style="color: red">晶圓測(cè)溫裝置一、引言隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，晶圓制造工藝對(duì)溫度控制的要求越來(lái)越高。熱電偶作為一種常用的溫度測(cè)量設(shè)備，在晶圓制造中具有重要的應(yīng)用價(jià)值。本文

2023-06-30 14:57:40

Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采

Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技術(shù) 日前，Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T

2008-12-08 11:55:09

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#硬聲創(chuàng)作季【為什么硅是制造晶圓的原材料？】人們常說(shuō)的12英寸晶圓又是什么？

晶圓IC設(shè)計(jì)晶圓制造

Mr_haohao發(fā)布于 2022-10-21 09:59:45

#硬聲創(chuàng)作季【動(dòng)畫科普】晶圓制造流程：晶圓制造過(guò)程詳解

晶圓IC設(shè)計(jì)晶圓制造集成電路工藝

Mr_haohao發(fā)布于 2022-10-21 10:02:11

#硬聲創(chuàng)作季動(dòng)畫科普：硅晶圓是如何產(chǎn)生的——硅晶圓制造全流程，足夠通俗易懂

晶圓硅晶圓晶圓制造

Mr_haohao發(fā)布于 2022-10-21 10:30:25

英飛凌推出適用于節(jié)能家電的創(chuàng)新功率轉(zhuǎn)換器件

英飛凌推出適用于節(jié)能家電的創(chuàng)新功率轉(zhuǎn)換器件 英飛凌科技股份公司近日推出適用于節(jié)能家用電器電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置的功率轉(zhuǎn)換器件系列。全新的600V RC IGBT驅(qū)動(dòng)系列（RC指

2010-01-25 08:44:19

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英飛凌推出性能領(lǐng)先業(yè)界的200V和250V OptiMOST

英飛凌推出性能領(lǐng)先業(yè)界的200V和250V OptiMOSTM系列器件，壯大功率MOSFET 產(chǎn)品陣 2010年1月21日，德國(guó)Neubiberg訊——英飛凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX： IFNNY）近

2010-01-26 09:25:27

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Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列

Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列 Toshiba推出新系列的功率MOSFET，這些功率MOSFET改善效率和具有快速開(kāi)關(guān)速度，應(yīng)用工作電壓高達(dá)650V, 電流20A。新的TK系列器件適合用于各

2010-03-30 10:37:18

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飛兆和英飛凌簽署功率MOSFET兼容協(xié)議

飛兆和英飛凌簽署功率MOSFET兼容協(xié)議全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x

2010-04-26 08:50:51

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用于高壓功率MOSFET的全新無(wú)管腳SMD封裝ThinPAK

用于高壓功率MOSFET的全新無(wú)管腳SMD封裝ThinPAK 8x8 英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無(wú)管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間

2010-05-12 18:17:18

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英飛推出全新650V 高性能功率MOSFET系列

英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級(jí)結(jié)（SJ）器件的優(yōu)勢(shì)（如低導(dǎo)通電阻和低容性開(kāi)關(guān)損耗）與輕松控制的開(kāi)關(guān)行為、及

2010-07-05 08:48:26

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#2022慕尼黑華南電子展 #晶圓測(cè)試 #晶圓制造過(guò)程 #SSD開(kāi)卡

晶圓晶圓制造

艾迪科電子發(fā)布于 2022-11-18 13:31:37

Vishay推出新器件SiZ300DT和SiZ910DT

Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以擴(kuò)充用于低電壓DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的PowerPAIR?家族雙芯片不對(duì)稱功率MOSFET

2011-11-15 10:34:07

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英飛凌科技推出汽車封裝無(wú)鉛功率MOSFET

英飛凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽車封裝類型的合格100%無(wú)鉛功率MOSFET

2011-12-08 10:42:45

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科銳推出芯片型碳化硅MOSFET功率器件

科銳公司(Nasdaq: CREE)將繼續(xù)引領(lǐng)高效率電子電力模組變革，宣布推出業(yè)界首款符合全面認(rèn)證的可應(yīng)用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。

2011-12-19 09:03:16

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全球MOSFET供應(yīng)吃緊，英飛凌發(fā)聲、中興加價(jià)掃貨！

近日英飛凌擬收購(gòu)ST半導(dǎo)體的消息受到廣泛關(guān)注，作為全球功率器件老大，英飛凌日前發(fā)布的財(cái)報(bào)顯示強(qiáng)勁的增長(zhǎng)，在全球MOSFET供應(yīng)吃緊，價(jià)格飆漲的形勢(shì)下，英飛凌稱部分MOSFET產(chǎn)品交貨時(shí)間超過(guò)26周，最長(zhǎng)達(dá)52周。

2018-08-06 11:25:41

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英飛凌功率器件在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用

英飛凌功率器件在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用說(shuō)明。

2021-05-19 16:00:53

英飛凌推出全新的OptiMOS?源極底置功率MOSFET

英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡(jiǎn)稱SD）功率MOSFET，為解決終端應(yīng)用中的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)提供切實(shí)可行的解決方案。

2022-02-15 13:51:38

2073

英飛凌推出采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25V和30V功率MOSFET，樹(shù)立技術(shù)新標(biāo)準(zhǔn)

英飛凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列，旨在為分立功率MOSFET技術(shù)樹(shù)立全新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

2022-03-14 17:39:16

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英飛凌IPOSIM平臺(tái)推出功率器件使用壽命評(píng)估服務(wù)，以簡(jiǎn)化半導(dǎo)體器件選型

英飛凌科技股份公司的功率器件在線仿真平臺(tái)IPOSIM被廣泛應(yīng)用于計(jì)算功率模塊、分立器件和平板器件的損耗及熱性能。

2022-03-22 16:51:05

662

功率器件MOSFET的物理開(kāi)蓋手法

功率器件MOSFET的物理開(kāi)蓋手法

2022-07-05 16:14:27

2252

車規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀，SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求

1、SiC MOSFET對(duì)器件封裝的技術(shù)需求 2、車規(guī)級(jí)功率模塊封裝的現(xiàn)狀 3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝 4、未來(lái)模塊封裝發(fā)展趨勢(shì)及看法

2023-10-27 11:00:52

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英飛凌推出首款采用OptiMOS 7技術(shù)的15 V溝槽功率MOSFET

英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)過(guò)系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計(jì)算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15

2023-12-29 12:30:49

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300nm晶圓首次用于制造功率器件，英飛凌推出超結(jié)MOSFET

評(píng)論

300nm晶圓首次用于制造功率器件，英飛凌推出超結(jié)MOSFET