TI推出業(yè)內(nèi)電阻最低的1.2-mm2 FemtoFET 60-V N通道功率MOSFET

　　2016年7月14日，北京訊

　　德州儀器（TI）近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶體管，電阻實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低，比傳統(tǒng)60-V負(fù)載開關(guān)低90%，同時(shí)，使終端系統(tǒng)功耗得以降低。CSD18541F5內(nèi)置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封裝，其負(fù)載開關(guān)的封裝體積比SOT-23中的減小80%。如需了解更多信息與樣品，敬請?jiān)L問www.ti.com.cn/CSD18541F5-pr-cn。

　　CSD18541F5金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)保持典型的54-mΩ導(dǎo)通電阻(Rdson)，其設(shè)計(jì)與優(yōu)化的目的是取代空間受限的工業(yè)負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中的標(biāo)準(zhǔn)小信號MOSFET。這種微型連接盤網(wǎng)格陣列(LGA)封裝的焊盤間距為0.5-mm，易于安裝。請閱讀博客文章了解更多信息：“借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小您的工業(yè)元件占位面積”。

　　CSD18541F5是TI FemtoFET MOSFETs中NexFET?技術(shù)方案組合的新成員，擁有高電壓及生產(chǎn)友好型占位面積。請下載設(shè)計(jì)綜述，了解有關(guān)LGA封裝的詳細(xì)信息。

　　CSD18541F5主要特點(diǎn)和優(yōu)勢

　　10-V柵源 (VGS)的超低54-mΩ Rdson比傳統(tǒng)60-V負(fù)載開關(guān)減小90%，使功耗得以降低。

　　超小型1.53-mm x 0.77-mm x 0.35-mm LGA封裝比SOT-23封裝中的傳統(tǒng)負(fù)載開關(guān)尺寸減小80%，使印刷電路板 (PCB) 的空間得以降低。

　　生產(chǎn)友好型0.5-mm焊盤間距。

　　集成靜電放電(ESD)保護(hù)二極管可防止MOSFET柵過壓。

　　封裝和供貨 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?

　　CSD18541F5內(nèi)置于3針LGA封裝，目前可由TI及其授權(quán)分銷商批量供貨（單位數(shù)量1,000）。請下載PSpice瞬態(tài)模型。

　　關(guān)于TI的NexFET功率MOSFET

　　TI 的 NexFET 功率 MOSFET提升了高功率計(jì)算、網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)和電源應(yīng)用中的能量效率。此類高頻、高效率的模擬功率 MOSFET 使得系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員能夠運(yùn)用現(xiàn)有的最先進(jìn)的DC/DC電源轉(zhuǎn)換解決方案。

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ti(210846) ti(210846)
功率MOSFET(21639) 功率MOSFET(21639)

Vishay推出新款Vishay Siliconix功率MOSFET

Vishay具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸

2012-11-29 16:37:31

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TI推出業(yè)內(nèi)速度最快的600V柵極驅(qū)動器

　近日，德州儀器（TI）推出了業(yè)內(nèi)速度最快的半橋柵極驅(qū)動器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的柵極驅(qū)動器的工作電壓可達(dá)到600V。

2015-10-16 16:32:11

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60 V第四代n溝道功率MOSFET：業(yè)內(nèi)適用于標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動電路的器件

Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN，業(yè)內(nèi)首款適用于標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動電路的器件，10 V條件下最大導(dǎo)通電阻降至4 m?，采用熱增強(qiáng)型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝。

2019-10-05 07:04:00

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最小導(dǎo)通電阻！瑞薩發(fā)售封裝為2mm見方的功率MOSFET

瑞薩電子日前發(fā)售了八款封裝尺寸僅為2mm×2mm的功率MOSFET。其中兩款產(chǎn)品“在封裝尺寸為2mm見方的產(chǎn)品中，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最高水平的低導(dǎo)通電阻”。

2012-04-13 09:19:34

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英飛凌推出基于PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOS?源極底置25 V功率MOSFET

基于該封裝概念的功率MOSFET，它們是采用PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOSTM 25 V 功率MOSFET。該器件在MOSFET性能方面樹立了新的行業(yè)標(biāo)桿，不僅通態(tài)電阻（RDS（on））降低，還具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的熱性能指標(biāo)。該產(chǎn)品適合的應(yīng)用非常廣泛，包括馬達(dá)驅(qū)動、SMPS（包括服務(wù)器、電信和

2020-02-18 17:50:08

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Vishay推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的-30 V P溝道MOSFET，可提高能效和功率密度

日前發(fā)布的MOSFET導(dǎo)通電阻比市場上排名第二的產(chǎn)品低43%，降低壓降并減小傳導(dǎo)損耗，從而實(shí)現(xiàn)更高功率密度。

2020-08-17 11:53:14

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豪威集團(tuán)發(fā)布業(yè)內(nèi)最低內(nèi)阻雙N溝道MOSFET

電源管理系統(tǒng)要實(shí)現(xiàn)高能源轉(zhuǎn)換效率、完善可靠的故障保護(hù)，離不開高性能的開關(guān)器件。近日，豪威集團(tuán)全新推出兩款MOSFET：業(yè)內(nèi)最低內(nèi)阻雙N溝道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N溝道

2022-06-28 11:01:01

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500V N溝道超級結(jié)功率MOSFET

SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，高性能適配器等。

2023-09-15 08:19:34

600V N溝道超級結(jié)功率MOSFET

2023-09-15 06:19:23

650V N溝道超級結(jié)功率MOSFET

SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高性能適配器等。

2023-09-15 08:16:02

7N60-ASEMI場效應(yīng)管7N60

。7N60的柵源電壓(VGS)為±30V，導(dǎo)通電阻RDS(on)為1.2Ω。7N60的電性參數(shù)是：連續(xù)二極管正向電流(IS)為7A，漏源電壓(VDSS)為600V，源-漏二極管壓降(VSD)為1.5V

2021-12-16 16:58:19

60V FemtoFET MOSFET縮小元件占位面積的方法

(SOT)-23，漏源導(dǎo)通電阻RDS(ON)通常100mΩ左右?！霸谶@些電路板上，你有空間受限的問題嗎？”我問。他承認(rèn)有，于是我讓他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET

2022-11-16 07:06:25

FemtoFET MOSFETs比沙粒含硅量更高？

設(shè)備，TI同時(shí)推出了焊盤距離為0.50mm的F5 FemtoFET系列產(chǎn)品，并將電壓范圍擴(kuò)充至60V。了解更多60V F5設(shè)備，請閱讀我同事Brett Barr的博客文章，“Shrink 使用新一代

2018-08-29 15:28:55

MOSFET和封裝技術(shù)的進(jìn)步使得TI能夠成功應(yīng)對挑戰(zhàn)

用于它們的負(fù)載點(diǎn)（POL）設(shè)計(jì)。當(dāng)適應(yīng)控制器和外部MOSFET時(shí)，這些應(yīng)用極大地限制了主板空間。MOSFET和封裝技術(shù)的進(jìn)步使得TI能夠成功應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。諸如TI 2.x NexFET?功率

2019-07-31 04:45:11

N通道MOSFET 30V及60V系列

東芝新一代功率MOSFET產(chǎn)品幫助設(shè)計(jì)者降低各種電源管理電路的損耗及縮小板子的空間，包含直流-直流轉(zhuǎn)換器的high side 及l(fā)ow side開關(guān)，以及交流-直流設(shè)計(jì)中的二次側(cè)同步整流。此技術(shù)也適合馬達(dá)控制及鋰電池電子設(shè)備中的保護(hù)模組。

2019-08-02 08:07:22

N溝通和P溝道的功率MOSFET的特征是什么

功率MOSFET有二種類型：N溝通和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過程中，選擇N管還是P管，要針對實(shí)際的應(yīng)用具體來選擇。下面先討論這二種溝道的功率MOSFET的特征，然后再論述選擇的原則。

2021-03-02 08:40:51

功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃щ娐?/a>

功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃щ娐罚?）：等效電路（2）：說明功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動電壓升高，該電阻

2021-09-05 07:00:00

功率MOSFET結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)

摻雜的N-的外延層即epi層來控制。圖2：N溝道垂直導(dǎo)電的平面結(jié)構(gòu)及Rdson組成在低壓器件中，由于N-外延層比較薄，N+層和漏極的金屬襯底對通態(tài)的電阻影響大；大于100V的器件，N-外延層是通態(tài)電阻

2016-10-10 10:58:30

功率MOSFET選型第一步：P管，還是N管？

e圖2：空穴和電子的遷移率遷移率和tc成正比，由于空穴的有效質(zhì)量比較大，因此在同樣的摻雜濃度下，空穴的遷移率遠(yuǎn)小于電子，這意味著：同樣的晶元面積，P溝道的功率MOSFET的導(dǎo)通電阻也遠(yuǎn)大于N溝道的功率

2016-12-07 11:36:11

ADP5051通道1,2不能輸出1.2V和2.5V電壓

；設(shè)計(jì)輸出：通道1輸出1.2V/4A;通道2輸出2.5V/4A,通道3,4輸出3.3V/1.2A；通道1,2電路原理圖如下：存在問題：1.每次上電，芯片四個(gè)通道的SW引腳有時(shí)候有輸出；2.通道3,4能

2018-10-15 14:30:34

AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET

`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些

2021-07-13 09:16:34

BSS123 N溝道MOSFET 100V 170mA

BSS123 - 晶體管, MOSFET, N溝道, 170 mA, 100 V, 1.2 ohm, 10 V, 1.7 VBSS123 N溝道MOSFET 100V 170mA/0.17A

2019-11-13 11:00:58

Diodes 集成功率MOSFET

`Diodes公司繼續(xù)擴(kuò)展其功率MOSFET產(chǎn)品組合，采用新型N和P通道器件，擊穿電壓高達(dá)450V，并提供多種封裝選擇。 Diodes Inc. MOSFET產(chǎn)品系列非常適合各種應(yīng)用，包括DC-DC

2019-05-13 11:07:19

FAI推出最新MOSFET產(chǎn)品

員所需要的。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor簡稱FAI)推出的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET（尺寸3.3mm x 3.3mm 外形PQFN）此款

2012-04-28 10:21:32

IR推出系列新型HEXFET功率MOSFET

`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導(dǎo)通電阻

2010-05-06 08:55:20

IR發(fā)布AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET

.　　總所周知，IR不僅是全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)先供應(yīng)商，還是管理方案領(lǐng)先供應(yīng)商。其推出的AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET,采用COOLiRFET硅技術(shù),40V

2018-09-28 15:57:04

LTC2421 / LTC2422是1通道和2通道2.7V至5.5V微功率20位模數(shù)轉(zhuǎn)換器

LTC2422的典型應(yīng)用 - 在MSOP-10中的1- / 2通道20位功率無延遲Delta Sigma ADC。 LTC2421 / LTC2422是1通道和2通道2.7V至5.5V微功率20位模數(shù)轉(zhuǎn)換器，集成振蕩器，8ppm INL和1.2ppm RMS噪聲

2019-08-21 08:53:11

OptiMOS 3功率MOSFET系列產(chǎn)品為高能效產(chǎn)品提供更高性能

的MOSFET設(shè)計(jì)，就無法做到這一點(diǎn)。2006年，英飛凌為了滿足客戶的要求，推出了OptiMOS? 2 100 V MOSFET[1]。它是該電壓等級里采用電荷補(bǔ)償技術(shù)的第一個(gè)功率MOSFE器件。相對于傳統(tǒng)

2018-12-07 10:21:41

Sic MOSFET SCT30N120 、SCT50N120 功率管

120 、SCT50N120 （Vbr=1200v（SCT*N120），Vbr=650v（SCT*N65G2/G2V））.高溫時(shí)功率損耗低.高溫工作性能（200C）.無恢復(fù)損耗的體二極管.驅(qū)動方便.低柵極充電（SCT*N65G2V）了解更多信息，請關(guān)注英特洲電子，QQ584140894

2017-07-27 17:50:07

Truesemi 650V N-Channel 功率MOSFET

50MR；TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請點(diǎn)擊此處了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經(jīng)過100％雪崩測試改進(jìn)的dv/dt功能主要參數(shù)：應(yīng)用：高效開關(guān)模式電源，基于半橋拓?fù)涞挠性?b class="flag-6" style="color: red">功率因數(shù)校正`

2020-04-30 15:13:55

VGS在線性區(qū)，功率MOSFET反向?qū)ǖ膯栴}

時(shí)，客戶工程師發(fā)現(xiàn)：Vin=5V，ID=100mA，VGS=2.5V時(shí)，Q1的導(dǎo)通壓降只有0.06V，那么，這是不是表明：功率MOSFET在反向工作的時(shí)候，VTH比正向?qū)ǖ臅r(shí)候低？是不是二極管的分流

2017-04-06 14:57:20

Vishay SQ2361 汽車P 溝道 60V 功率 MOSFET

：不含鹵素，符合 IEC 61249-2-21 規(guī)定TrenchFET? 功率 MOSFET典型 ESD 保護(hù):800V符合 AEC-Q101經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測試VDS(V)：-60VID(A):-2.9應(yīng)用：車載/汽車電子`

2019-07-09 17:30:39

[原創(chuàng)]功率MOSFET管

;自1976年開發(fā)出功率MOSFET以來，由于半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展，它的性能不斷提高：如<br/>高壓功率MOSFET其工作電壓可達(dá)1000V；低導(dǎo)通電阻MOSFET其阻值僅

2010-08-12 13:58:43

三相 BLDC 電機(jī)且效率為 99% 的 36V、1kW、18cm2 功率級參考設(shè)計(jì)

的梯形控制，并支持25A RMS連續(xù)（60 秒峰值2秒，100毫秒峰值400毫秒）繞組電流。該設(shè)計(jì)的MOSFET功率模塊和電流控制的柵極驅(qū)動器有助于清除MOSFET開關(guān)，并且由于壓擺率控制和低寄生電感而

2018-06-26 12:03:16

三種類型的功率MOSFET概述

和上限：3V、4V、4.5V。FDMS86181，VTH下限、中間值和上限：2V、3.1V、4V。IRFB4310，VTH下限、上限：2V、4V，中間值沒有標(biāo)出。1.2 邏輯電平驅(qū)動的功率MOSFET

2019-08-08 21:40:31

為什么貼片電阻的封裝是3.81mm*1.27mm

為什么貼片電阻的封裝是3.81mm*1.27mm？應(yīng)該是0805=2.0x1.2mm才對啊

2013-08-19 20:14:30

具有升壓穩(wěn)壓器的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器

LT1336的典型應(yīng)用是具有成本效益的半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動器。浮動驅(qū)動器可以驅(qū)動頂部N溝道功率MOSFET工作在高達(dá)60V（絕對最大值）的高壓（HV）軌道上工作

2019-05-10 06:46:05

內(nèi)部集成高額定電壓的功率MOSFET的BD9V101MUF-LB

全球知名的半導(dǎo)體廠商羅姆(ROHM)公司推出了一款內(nèi)部集成高額定電壓的功率MOSFET的電流模式同步降壓轉(zhuǎn)換器——BD9V101MUF-LB，它可以保證在工業(yè)市場長期支持。該芯片通過納米脈沖控制技術(shù)

2019-04-01 06:20:06

如何選型—功率 MOSFET 的選型？

。功率 MOSFET 的分類及優(yōu)缺點(diǎn)和小功率 MOSFET 類似，功率 MOSFET 也有分為 N 溝道和 P 溝道兩大類；每個(gè)大類又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。雖然耗盡型較之增強(qiáng)型有不少的優(yōu)勢，但實(shí)際上

2019-11-17 08:00:00

德州儀器14款采用TO-220及SON封裝的功率MOSFET

陣營。高效率 NexFET 包括 40V、60V、80V 以及 100V N 通道器件，可為廣泛大電流電機(jī)控制及電源應(yīng)用提供優(yōu)異的散熱性能?！　?b class="flag-6" style="color: red">最低導(dǎo)通電阻：　　兩款最新 80V 及 100V

2018-11-29 17:13:53

德州儀器推出寬泛電壓輸入高功率LED驅(qū)動方案

LM3463 是一款 12V 至 95V 寬泛輸入電壓的 6 通道 LED 電流控制器，可為每個(gè)燈串驅(qū)動28 個(gè) LED，還可通過調(diào)光輸入引腳由外部微控制器便攜地進(jìn)行調(diào)光控制。它與外部 N 通道

2012-12-12 17:37:11

新型CSD18541F5 MOSFET縮小您的元件占位面積

2018-08-29 16:09:11

海飛樂技術(shù)60A500V mosfet替換FA57SA50LC

MOSFET晶體管FA57SA50LC技術(shù)參數(shù)資料通道類型 N--連續(xù)漏極電流 5.7 A--漏源電壓 500 V--漏源電阻值 0.08 Ω--柵源電壓 ±20 V封裝類型 SOT-227安裝類型螺絲

2019-10-24 15:11:08

海飛樂技術(shù)現(xiàn)貨替換IXFH26N50P場效應(yīng)管

通道數(shù)量: 1 Channel 晶體管極性: N-Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 500 V Id-連續(xù)漏極電流: 26 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 230 mOhms Vgs

2020-03-31 17:08:29

海飛樂技術(shù)現(xiàn)貨替換IXFH340N075T2場效應(yīng)管

: TO-247-3 通道數(shù)量: 1 Channel 晶體管極性: N-Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 75 V Id-連續(xù)漏極電流: 340 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.2 mOhms Vgs

2020-04-01 16:19:37

海飛樂技術(shù)現(xiàn)貨替換IXFH36N60P場效應(yīng)管

通道數(shù)量: 1 Channel 晶體管極性: N-Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V Id-連續(xù)漏極電流: 36 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 190 mOhms Vgs

2020-04-01 11:07:48

海飛樂技術(shù)現(xiàn)貨替換IXFN90N85X場效應(yīng)管

: SOT-227-4 通道數(shù)量: 1 Channel 晶體管極性: N-Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 850 V Id-連續(xù)漏極電流: 90 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 41 mOhms Vgs

2020-03-19 16:31:27

海飛樂技術(shù)現(xiàn)貨替換IXFP60N25X3場效應(yīng)管

: TO-220AB-3 通道數(shù)量: 1 Channel 晶體管極性: N-Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 250 V Id-連續(xù)漏極電流: 60 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 19 mOhms

2020-03-20 17:12:51

海飛樂技術(shù)現(xiàn)貨替換IXFQ50N60X場效應(yīng)管

: TO-3P-3 通道數(shù)量: 1 Channel 晶體管極性: N-Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V Id-連續(xù)漏極電流: 50 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 73 mOhms Vgs

2020-03-04 10:11:00

海飛樂技術(shù)現(xiàn)貨替換IXFQ60N25X3場效應(yīng)管

通道數(shù)量: 1 Channel 晶體管極性: N-Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 250 V Id-連續(xù)漏極電流: 60 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 19 mOhms Vgs - 柵極

2020-03-20 17:01:53

海飛樂技術(shù)現(xiàn)貨替換IXTH16P60P場效應(yīng)管

通道數(shù)量: 1 Channel 晶體管極性: P-Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V Id-連續(xù)漏極電流: 16 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 720 mOhms Vgs

2020-04-01 11:09:10

海飛樂技術(shù)現(xiàn)貨替換IXTQ22N60P場效應(yīng)管

通道數(shù)量: 1 Channel 晶體管極性: N-Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V Id-連續(xù)漏極電流: 22 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 350 mOhms Vgs

2020-04-01 16:21:55

用于外部N通道功率mosfet的全橋控制器A4940

驅(qū)動外部、低導(dǎo)通電阻、功率N通道mosfet。它提供快速充放電所需的大瞬態(tài)電流，以減少開關(guān)過程中MOSFET內(nèi)部的損耗。充電和放電速率可以通過與MOSFET柵極串聯(lián)的外部電阻來控制。柵極驅(qū)動電壓調(diào)節(jié)柵極

2020-09-29 16:51:51

羅姆推出了6款中功率肖特基勢壘二極管

羅姆（ROHM）是全球著名半導(dǎo)體廠商之一。它推出了6款中功率肖特基勢壘二極管，型號分別為RBR1MM60A，RBR2MM60A，RBR2MM60B，RBR2MM60C，RBR3MM60

2019-07-15 04:20:07

英飛凌40V和60V MOSFET

40V的MOSFET的通態(tài)電阻降低了40%，而阻斷電壓為60V的MOSFET的通態(tài)電阻降幅甚至達(dá)到48%以上。迄今為止，英飛凌是全球首家推出采用SuperSO8封裝、最大通態(tài)電阻不足1毫歐的40V

2018-12-06 09:46:29

轉(zhuǎn)換效率高達(dá)91%的60W USB PD 電源方案

ICE2QS03G作為功率轉(zhuǎn)換控制芯片，CoolMOS? IPL65R190E6作為反激開關(guān)管，IR1161LTRPBF作為次級同步整流控制芯片，BSC035N10NS5作為次級同步整流MOSFET。支持恒壓

2017-04-12 18:43:19

適用于三相 BLDC 電機(jī)且效率為 99% 的 36V、1kW、18cm2 功率級參考設(shè)計(jì)

2018-06-19 09:40:27

降低高壓MOSFET導(dǎo)通電阻的原理與方法

用途?！　∵@樣，是否可以將導(dǎo)電通道以高摻雜較低電阻率實(shí)現(xiàn)，而在MOSFET關(guān)斷時(shí)，設(shè)法使這個(gè)通道以某種方式夾斷，使整個(gè)器件耐壓僅取決于低摻雜的N-外延層?；谶@種思想，1988年INFINEON推出內(nèi)建橫向電場

2023-02-27 11:52:38

高壓步進(jìn)驅(qū)動器TIDA-01227原理圖/物料清單及組裝圖下載

100V N 通道 NexFET 功率 MOSFET、CSD17483F4 30V N 通道 FemtoFET? MOSFET、MSP430G2553 MCU、LM5107(...)主要特色15V 至

2018-07-13 03:07:39

TPS55332-Q1,pdf(2.2-MHz, 60-V

The TPS55332 is a monolithic high-voltage switching regulator with integrated 3-A, 60-V power

2010-10-01 23:15:27

TPS54060-Q1,pdf(0.5-A 60-V Ste

The TPS54060 device is a 60-V 0.5-A step-down regulator with an integrated high-side MOSFET

2010-10-02 20:57:26

TPS54160-Q1,pdf(1.5-A 60-V Ste

The TPS54160 device is a 60-V 1.5-A step-down regulator with an integrated high-side MOSFET

2010-10-02 21:18:18

Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MO

Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位

2009-11-25 09:51:01

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TI具有最低導(dǎo)通電阻的全面集成型負(fù)載開關(guān)

TI具有最低導(dǎo)通電阻的全面集成型負(fù)載開關(guān) 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負(fù)載開關(guān)，其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 m 標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (rON) 比同類競爭

2009-12-18 09:26:06

681

小信號應(yīng)用60V功率MOSFET

小信號應(yīng)用60V功率MOSFET 　日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業(yè)界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多

2009-12-31 09:59:44

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TI推出具備最低導(dǎo)通電阻的完全整合型負(fù)載開關(guān)--TI TPS

TI 推出具備最低導(dǎo)通電阻的完全整合型負(fù)載開關(guān) TI 宣布推出一

2010-01-08 17:36:28

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TI推出顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET

TI推出顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET 日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個(gè)通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對其它標(biāo)準(zhǔn)

2010-01-14 09:01:43

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TI業(yè)內(nèi)最低功耗16位DSP平臺再添新成員

TI業(yè)內(nèi)最低功耗16位DSP平臺再添新成員日前，德州儀器 (TI) 宣布旗下業(yè)界最低功耗 16 位數(shù)字信號處理器 (DSP) 平臺 C5000 新增兩款器件：TMS320C5514 與 TMS320C5515。此外，為幫

2010-01-20 08:40:23

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TI推出通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率MOSFET

TI推出通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率MOSFET 　日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個(gè)通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對

2010-01-22 09:40:49

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TI推出顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET DualCoo

TI推出顯著降低上表面熱阻的功率MOSFET DualCool NexFET 日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個(gè)通過封裝頂部散熱的標(biāo)準(zhǔn)尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相

2010-01-26 16:55:08

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TI推出具備板載功率MOSFET的全集成型雙路功率驅(qū)動器

TI推出具備板載功率MOSFET的全集成型雙路功率驅(qū)動器日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具備集成型功率 MOSFET、保護(hù)模塊以及監(jiān)控特性的數(shù)字雙路同步降壓功率驅(qū)動器，

2010-02-23 09:26:57

667

IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET

IR推出一系列新型HEXFET功率MOSFET 　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的IRFH620

2010-03-12 10:28:39

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Vishay推出非對稱雙通道TrenchFET功率MOSFE

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAIR 6mmx3.7mm封裝和TrenchFET Gen III技術(shù)的非對稱雙通道TrenchFET功率MOSFET ---

2010-11-25 08:43:23

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Maxim推出業(yè)內(nèi)尺寸最小的2通道ADC MAX11645

　　Maxim推出業(yè)內(nèi)尺寸最小的2通道ADC MAX11645。該款12位I2C ADC在微型1.9mm x 2.2mm晶片級封裝(WLP)中內(nèi)置基準(zhǔn)。4 x 3焊球陣列、0

2010-12-21 09:22:06

618

Vishay推出新款TrenchFET功率MOSFET--SiA427DJ

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。

2011-01-26 09:04:08

1505

瑞薩電子推出新型高壓功率MOSFET產(chǎn)品RJK60S5DPK

瑞薩電子株式會社(以下簡稱瑞薩電子)推出用于電源器件的新型高壓、N通道功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)產(chǎn)品。新產(chǎn)品名為RJK60S5DPK

2011-03-21 11:20:25

1059

Vishay推出業(yè)內(nèi)最小N溝道和P溝道功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率

2011-10-21 08:53:05

873

ST推出MDmesh V功率MOSFET晶體管打破世界記錄

意法半導(dǎo)體推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管，MDmesh V系列已是市場上性能最高的功率MOSFET晶體管，擁有最低的單位面積通態(tài)電阻

2011-12-27 17:29:10

1277

Vishay的業(yè)內(nèi)首款采用小尺寸57mm x 60mm封裝的功率厚膜電阻，可提供1100W功率

Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)首款采用小尺寸57mm x 60mm封裝的功率厚膜電阻--- LPS1100

2012-04-12 14:01:47

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Vishay P溝道Gen III MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻

Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。

2013-12-02 09:49:21

1075

Vishay推出具有業(yè)內(nèi)最低RDS(on)的P溝道MOSFET

日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix

2014-01-22 10:33:22

1381

Vishay推出應(yīng)用在便攜電子中的最低導(dǎo)通電阻的新款MOSFET

TrenchFET?功率MOSFET---SiA453EDJ。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件，在-4.5V和-2.5V柵極驅(qū)動下具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，在便攜電子產(chǎn)品里能夠節(jié)省空間，并提高能源效率。

2014-04-29 16:30:44

885

德州儀器推出NexFET N溝道功率MOSFET實(shí)現(xiàn)業(yè)界最低電阻

2015年1月22日，北京訊。日前，德州儀器（TI）推出其NexFET? 產(chǎn)品線11款新型N溝道功率MOSFET，其中包括具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻并采用QFN 封裝的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可應(yīng)用于熱插拔和ORing應(yīng)用。

2015-01-22 15:33:26

3064

TI推出業(yè)內(nèi)首款多通道電感數(shù)字轉(zhuǎn)換器

近日，德州儀器（TI）發(fā)布了業(yè)內(nèi)首款多通道電感數(shù)字轉(zhuǎn)換器（LDC）。此次推出的LDC1614系列中的這4款全新器件隸屬于TI在2013年推出的首個(gè)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品類別，這讓TI創(chuàng)新型LDC產(chǎn)品庫獲得了進(jìn)一步的豐富和補(bǔ)充。這些器件在單個(gè)IC中提供2個(gè)或4個(gè)匹配通道，以及高達(dá)28位的分辨率。

2015-05-06 15:20:09

1799

Vishay發(fā)布業(yè)內(nèi)導(dǎo)通電阻最低的超小尺寸20V芯片級MOSFET

MICRO FOOT器件具有20V MOSFET中最低的RDS(ON)，外形尺寸為1mm2或小于0.7mm2，開啟電壓低至1.2V

2015-06-19 17:07:56

1040

Diodes 100V MOSFET H橋采用5mm x 4.5mm封裝有效節(jié)省占位面積

　Diodes公司（Diodes Incorporated）新推出的100V全H橋DMHC10H170SFJ，把雙N通道及P通道 MOSFET集成到微型DFN5045封裝（5mm x 4.5mm）。

2016-02-16 10:56:36

1384

借助新型60V FemtoFET MOSFET縮小工業(yè)元件占位面積

）-23，漏源導(dǎo)通電阻RDS（ON）通常100mΩ左右?！霸谶@些電路板上，您有遇到過空間受限的問題嗎？”我問。他確實(shí)碰到過，于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技術(shù)信息。

2016-10-24 16:33:37

938

Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET

了高效率的解決方案。這顆器件具有業(yè)內(nèi)最低的優(yōu)值系數(shù) （FOM 即柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積），該參數(shù)是600V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的關(guān)鍵指標(biāo)。

2017-02-10 15:10:11

1667

TI 最新的 FemtoFET 產(chǎn)品：如沙礫一般渺小

哪個(gè)含硅量更高：一粒沙子還是TI最新的FemtoFET產(chǎn)品？坐在沙灘椅上，看著大西洋的浪潮拍打著澤西海岸，我的腦海中反復(fù)縈繞著這個(gè)問題。TI新發(fā)布的F3 FemtoFET，聲稱其產(chǎn)品尺寸小至0.6mm x 0.7mm x 0.35mm（見圖1），但含硅量卻輕松超過大西洋城人行板道下飛揚(yáng)的沙礫。

2017-04-18 07:49:54

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