據(jù)DigiTimes的消息人士報道，NAND閃存的整體價格將在2020年急劇上升。該報告來自存儲器芯片制造商的多個消息來源，最有可能是SK Hynix，美光和三星等更著名的公司。隨著價格的上漲
2020-01-06 11:15:33
3821 國產(chǎn)手機勢頭越來越強勁，把三星和蘋果的市場份額搶占不少，但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042255 本文轉(zhuǎn)自公眾號,歡迎關(guān)注 開放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開放NAND閃存接口.是一個由100多家
2023-06-21 17:36:325873 
NAND閃存是一種電壓原件，靠其內(nèi)存電壓來存儲數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:211446 
嗨，大家好，我想使用FX3與FPGA。我需要提供快速數(shù)據(jù)傳輸，所以我決定使用32位從FIFO模式。然而，我有一些疑問：1。首先，我想從SPI閃存啟動。這是第一個問題。32位FIFO不能與SPI一起
2019-02-12 15:05:24
的uboot。
nand可以正常讀寫(SD卡啟動后，我試過燒寫一個Uimage到nand然后啟動，可正常讀出內(nèi)核并啟動)，emac和phy也沒啥問題，通過tftp將uboot燒進去nand中命令如下
2018-06-22 05:59:30
固化U-Boot到SPI FLASH和固化文件系統(tǒng)到NAND FLASH。固化成功后，評估板即可從SPI FLASH啟動U-Boot，然后從NAND FLASH加載內(nèi)核、設(shè)備樹和文件系統(tǒng)。SPI
2020-09-08 10:56:52
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
NAND閃存深入解析
2012-08-09 14:20:47
在半導體業(yè)，有非常多與接口標準、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計的真實可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此，弄清事實很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀念。
2021-01-15 07:51:55
名，可以推斷出主要是完成開發(fā)板上的NAND FLASH的初始化。 關(guān)于board_nand_init()函數(shù)以及u-boot中NAND FLASH的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)，函數(shù)調(diào)用關(guān)系，后續(xù)會有詳細的分析文章，這里先
2019-07-03 05:45:43
is only 4KB.這是6410手冊上的內(nèi)容： 設(shè)置nand啟動，硬件將nand flash前8k的內(nèi)容拷貝到片內(nèi)內(nèi)存中。 我做實驗，是從0x0c00 0000 處鏡像到 0 地址處， 但是，but real storage is only 4KB。這是什么情況？
2019-06-18 05:27:06
我想知道VC709社區(qū)的用戶是否可以幫助我？如果您有VC709評估板，從閃存啟動后，您的BPI閃存是否正常工作？從閃存引導到簡單的C程序或u-boot / Linux之后，我相信您應(yīng)該能夠訪問閃存并
2019-10-08 09:32:22
卡重新格式化nand flash，重新燒寫MLO和u-boot，在重啟還是無法從nand flash啟動，請各位給診斷一下是什么原因。
2020-05-06 03:37:43
)②DVRRDK中編譯得到u-boot.noxip.bin ③CCS啟動，連接， Load Program ，選擇 nand-flash-writer.out。④ Resume現(xiàn)在console欄中輸出
2019-02-22 10:15:44
是 GPIO13 和 GPIO15。
但我們應(yīng)該下拉 GPIO15 以從閃存啟動...
我如何使用第二個 UART 引腳，同時確保如果我的模塊重置它將從閃存啟動（而不是從 SD 卡）？
2023-05-31 08:53:23
。OM[1：0]=11時，處理器從Test Mode啟動。當從NAND啟動時 cpu會自動從NAND flash中讀取前4KB的數(shù)據(jù)放置在片內(nèi)4KB大小的RAM里（s3c2440是soc），同時把這段片內(nèi)
2018-03-12 10:19:26
RAM中。由于NOR的這個特點，嵌入式系統(tǒng)中經(jīng)常將NOR芯片做啟動芯片使用。而NAND共用地址和數(shù)據(jù)總線，需要額外聯(lián)結(jié)一些控制的輸入輸出，所以直接將NAND芯片做啟動芯片比較難。 4) N AN D
2014-04-23 18:24:52
。由于NOR的這個特點，嵌入式系統(tǒng)中經(jīng)常將NOR芯片做啟動芯片使用。而NAND共用地址和數(shù)據(jù)總線，需要額外聯(lián)結(jié)一些控制的輸入輸出，所以直接將NAND芯片做啟動芯片比較難。 4) N AN D閃存芯片
2013-04-02 23:02:03
TI專家，各位朋友：
?????? ARM端無OS，DSP端使用DSP/BIOS，該怎么從NAND FLASH啟動？
?????? ARM端和DSP端都不使用OS，通過AIS將兩端的.out文件糅合
2018-06-21 02:45:00
大家好， 我正在研究 IMXRT1176，我對內(nèi)存使用有一些疑問： XIP 是否通過 QSPI 支持 NAND 閃存？如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動，則加載程序必須將應(yīng)用程序復(fù)制到
2023-03-29 07:06:44
認為每個組件都有自己的閃存。您如何看待，我應(yīng)該只使用一個NAND閃存進行FPGA和處理器訪問，這意味著FPGA配置文件（.mcs）也存儲在非易失性閃存中，在加電時，ARM處理器會自動配置FPGA
2019-05-21 06:43:17
目前，針對NOR Flash設(shè)計的文件系統(tǒng)JFFS/JFFS2在嵌入式系統(tǒng)中已得到廣泛的應(yīng)用;隨著NAND作為大容量存儲介質(zhì)的普及，基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS(Yet Another Flash File SySTem)正逐漸被應(yīng)用到嵌入式系統(tǒng)中。
2019-10-28 06:39:19
親愛的大家，任何人都可以讓我知道ZYNQ 7020支持的最大并行NAND閃存。我的客戶正在設(shè)計他的7020定制板，并有興趣知道所支持的并行NAND閃存的最大密度。問候錢德拉以上來自于谷歌翻譯以下
2019-02-27 14:22:07
M2 = FPGA引腳F24，QSPI D3 =模式引腳M3 = FPGA引腳C26。在AR＃67221之后，M2和M3都將被拉高，導致從SD卡啟動，并且Zynq無法設(shè)置為從QSPI閃存啟動。我誤解了嗎？如何解決這個問題，以便可以從QSPI啟動以確保正確的回退？
2020-06-09 17:24:31
請問我應(yīng)該如何讓am5728支持nand啟動？
自己的板子添加了nand模塊，
串口啟動，可以進行nand讀寫，轉(zhuǎn)換為nand啟動，沒有任何相應(yīng)
1 sy***oot[15:0] = 0x8d21
2018-05-15 11:14:00
- 我的任務(wù)是找出根本原因并解決基于 imx28 的定制設(shè)計板中的問題。
- imx28 無法從 NAND 啟動并進入 USB 恢復(fù)模式。
- 將 NAND 閃存更改為不同的 NAND 閃存后
2023-04-27 06:50:47
。強制轉(zhuǎn)換為驅(qū)動程序模型。成功測試從 SD 卡啟動 Linux。放棄了對網(wǎng)絡(luò)和啟動畫面的支持，因為這些需要正確轉(zhuǎn)換為 DM 并進行測試。 如果 imx28evk 不支持與 U-Boot 聯(lián)網(wǎng)，如何將代碼下載到 NAND 閃存？
2023-04-17 07:23:11
之前的所有學習都是從SD卡啟動uboot，今天開始折騰從nand啟動uboot，于是在之前的基礎(chǔ)上繼續(xù)更改代碼，實現(xiàn)該功能。結(jié)果見圖還是設(shè)置從SD啟動，使用SD卡的uboot，進行燒錄，把uboot
2018-06-06 09:28:21
完全開發(fā)手冊，目前學習到u-boot移植的章節(jié)，看完整章之后，發(fā)現(xiàn)并沒有涉及到支持nand flash啟動的內(nèi)容，于是我打算自己改uboot。我的u-boot是基于u-boot-1.1.6改成的，把之前
2019-10-09 03:37:57
0xB0E00000。加上配置： 接著修改smdkv210.h中其他的onenand項為nand。 有NAND FLASH ，u-boot啟動過程中需要初始化它。這里需要定義board_nand
2015-09-12 00:46:56
我們知道，S5pv210的啟動代碼是從Nand flash中開始執(zhí)行的，將Nand flash中的代碼拷貝到DDR中，再開始執(zhí)行C語言。Nand flash的重要性可想而知。Nand-flash內(nèi)存
2015-09-14 21:19:54
系統(tǒng)從nand啟動就出現(xiàn)這個，從SD卡，刷新系統(tǒng)還是出現(xiàn)這個。
2022-01-12 06:17:06
板類型：NXP i.MX8MNano LPDDR4 EVK 板為什么 UUU qspi 寫入閃存不會導致 U-boot 以正確的啟動設(shè)置運行并打開電源？請參閱下面的測試 1。使用 eMMC 存儲
2023-03-27 08:57:34
/ sd_image文件夾的內(nèi)容）更新SD卡后，將SW11更改為從SPI閃存啟動，然后重新啟動電源，我在下面的打印輸出中卡在u-boot中。我不確定還有什么可以在這里嘗試，顯然我不夠重要，無法為此技術(shù)問題
2019-10-11 07:51:01
我在板子上移植U-boot,移植成功了。但是我用nand erase 擦除整個nand flash芯片后，U-boot還是能啟動。我是把uboot下載到flash上的。
2019-08-21 01:11:36
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-20 15:14 編輯
大家好：我現(xiàn)在的需求是：產(chǎn)品通過SD燒錄或升級code到Nand中，reset后從Nand啟動，無OS。查看了網(wǎng)站資料http
2018-06-20 07:01:15
東芝推出全球最小嵌入式NAND閃存產(chǎn)品，可用于各種廣泛的數(shù)字消費產(chǎn)品【轉(zhuǎn)】東芝公司宣布推出全球最小級別嵌入式NAND閃存產(chǎn)品，這些產(chǎn)品整合了采用尖端的15納米工藝技術(shù)制造的NAND芯片。新產(chǎn)品符合
2018-09-13 14:36:33
用創(chuàng)龍的OMAPL138-EVM開發(fā)板，想在u-boot燒寫u-boot.ais到nand flash，無法從nand flash啟動。用創(chuàng)龍?zhí)峁┑?b class="flag-6" style="color: red">nand-write.out通過ccs燒寫
2020-08-11 10:57:25
的某些區(qū)域，并且防止固件更新時擦除。這樣我可以在那個地方存儲序列號。-但是我也有很多啟動閃存，所以我想我應(yīng)該用它來存儲序列號。但是，我不能從我的應(yīng)用程序主程序中讀取啟動閃存。如果我試著閱讀，它會在那里出現(xiàn)。希望我能找到一個很好的解決方案。
2019-11-05 09:02:10
我正在嘗試啟動 IMX6ULL NAND 閃存。供您參考，我使用 buildroot 2018_11_4 成功啟動了 IMX6ULL NAND 閃存。（uboot 4.15 和 linux 4.15
2023-04-20 07:55:17
大家好我使用 stm32h743 和與 fmc 連接的 nand 閃存。我搜索以查看如何為 nand 創(chuàng)建自己的外部加載器（我找不到任何用于 nand 閃存的外部加載器）。我想我只需要使 Loader_Src.c 文件適應(yīng) nand 閃存 hal 函數(shù)和一個鏈接器來構(gòu)建 .stldr？我走對路了嗎？
2022-12-20 07:17:39
嘿我想重現(xiàn)Xilinx的解決方案關(guān)于如何使用SP605從閃存啟動應(yīng)用程序？可在此鏈接中找到http://www.xilinx.com/support/answers/43615.htm。我使用版
2019-10-30 09:55:36
，則電路板無法啟動，我必須重新編程。所以問題是：如何讓電路板從n25q128閃存中啟動？先謝謝你，亞歷克斯。
2020-08-18 09:58:39
NAND閃存技術(shù)已經(jīng)遠離ML403板支持的CFI兼容性，您無法再找到與Xilinx為ML403板提供的閃存核心兼容的閃存芯片。我目前的項目僅限于Virtex 4平臺，由于速度需求，不能使用帶有MMC
2020-06-17 09:54:32
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-5-25 15:38 編輯
大家好，我在使用DM8168的時候，從SD卡啟動后，我希望能將U-Boot燒入nand flash，不論是EZSDK預(yù)編譯好
2018-05-25 05:20:06
NAND閃存，但沒有任何運氣。（目標是實現(xiàn)NAND啟動），這里所用的程序是嘗試從U-BooD讀取NAND的設(shè)備ID，如果成功的話，NAND和處理器之間的通信將一致。當我嘗試打印MfFyID和DavyID
2019-10-29 09:30:45
U-BOOT是什么NAND閃存工作原理是什么從NAND閃存啟動U-BOOT的設(shè)計思路
2021-04-27 07:00:42
沒有SPI-Nand, NAND 無法啟動
2023-09-06 06:24:06
U-Boot NAND FLASH驅(qū)動分析——西伯利亞的風一、初始化函數(shù)調(diào)用關(guān)系 初始化函數(shù)調(diào)用關(guān)系如圖1.1所示。1.U-Boot啟動過程中調(diào)用nand_init()初始化NAND FLASH
2019-07-08 03:56:54
:ti-sdk-am335x-evm-08.00.00.00-Linux-x86-Install我們的am335x配置SW3[5:1]為10010，后，把板子配置成NAND模式啟動，然后把create-sdcard.sh制作好的SD卡放入卡槽，上電后，串口無任何信息，好像無法從
2018-06-04 00:00:48
的撥碼開關(guān)從1到8 依次設(shè)置為 0 1 1 1 0 0 0 0，程序可以正常啟動運行。但是我在貴司的PDF手冊Using the c6748 bootloader pdf中看到AISGEN工具配置中
2018-07-25 08:14:28
請問有沒有哪位大神有支持從nand啟動,然后可以通過dnw燒寫程序至nor flash的uboot？我的開發(fā)板是jz2440v3，手頭有一塊jlinkv8,但固件老是損壞，在分析了打完補丁后的uboot1.1.6之后，發(fā)現(xiàn)從nand啟動的uboot菜單中，燒寫程序到norflash 的命令被注釋掉了
2019-09-04 22:42:05
用的是s3c2410查資料看到如果要從nand flash啟動的話，當上電后，會自動把bootloader前4k內(nèi)容自動拷貝到片內(nèi)sram中執(zhí)行我的問題是，這個“自動拷貝”具體是怎么實現(xiàn)的？用戶手冊
2013-05-06 17:23:57
采用Magma Finesim的NAND閃存仿真戰(zhàn)略
摘要: NAND閃存是一種非易失性存儲器，主要用于存儲卡、MP3播放器、手機、固態(tài)驅(qū)動器(SSD)等產(chǎn)品中。除了存儲單元陣列以外，它還有大量
2010-06-10 16:25:03
26 爾必達計劃收購Spansion NAND閃存業(yè)務(wù)
據(jù)國外媒體報道，日本爾必達公司表態(tài)計劃收購美國Spansion（飛索半導體）旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)資產(chǎn)。Spansion由AMD和富士通公司于1993年
2010-03-05 10:16:19660 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計
閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設(shè)計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的
2010-05-20 09:26:23770 
討論嵌入式Linux 下與NAND 閃存存儲設(shè)備相關(guān)的Linux MTD 子系統(tǒng)NAND 驅(qū)動并就與NAND 閃存相關(guān)的文件系統(tǒng)內(nèi)核以及NAND 閃存存儲設(shè)計所關(guān)注的問題如壞塊處理從NAND 啟動當前2.4 和2.6 內(nèi)核中NA
2011-09-27 10:11:1076 三星NAND閃存規(guī)格書 K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:2635 是芯片復(fù)位后進入操作系統(tǒng)之前執(zhí)行的一段代碼，完成由硬件啟動到操作系統(tǒng)啟動的過渡，為運行操作系統(tǒng)提供基本的運行環(huán)境，如初始化CPU、堆棧、初始化存儲器系統(tǒng)等，其功能類似于PC機的BIOS. NAND閃存
2017-10-29 11:29:272 DVEVM可以啟動或（默認），與非門，或通用異步接收機/發(fā)射機（UART）。NOR 閃存提供了一個字節(jié)隨機的優(yōu)點訪問和執(zhí)行就地技術(shù)。NAND閃存不是那么容易用它需要閃存轉(zhuǎn)換層（FTL）軟件讓它訪問；然而，由于它的價格低，速度快，壽命長，許多客戶想設(shè)計NAND閃存代替或NOR閃存。
2018-04-18 15:06:579 對于許多消費類音視頻產(chǎn)品而言，NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲方案，這在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND正被證明極具
2018-06-06 12:27:009847 
據(jù)外媒7月10日報道，頂級NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:053682 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元（SLC）、多層單元（MLC）和三層單元（TLC）。顧名思義，在相同
2018-12-17 15:50:241684 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義，在相同
2019-04-17 16:32:345462 
IDC調(diào)整了其對NAND閃存的供需預(yù)測，稱2019年和2020年的比特量（bit volume）將同比增長39％和38％。并預(yù)計閃存價格的降低趨勢可能會放緩。 據(jù)IDC數(shù)據(jù)顯示，2019年上半年閃存
2019-03-20 15:09:01282 2019年全球半導體市場從牛市進入了熊市，領(lǐng)跌的就是DRAM內(nèi)存及NAND閃存兩大存儲芯片，其中NAND閃存芯片從2018年初就開始跌價，迄今已經(jīng)連跌了6個季度。
2019-05-12 09:37:222630 任何了解SD卡，USB閃存驅(qū)動器和其他基于NAND閃存的解決方案基礎(chǔ)知識的人都知道，控制這些最小化故障率的關(guān)鍵組件是NAND閃存控制器。
2020-01-22 09:46:00634 
無論消費者還是企業(yè)機構(gòu)，大多數(shù)人在談到閃存時，首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實意義上來講，NAND閃存可以說已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞?；趬K尋址結(jié)構(gòu)和高密度，使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751 
通常情況下，固態(tài)硬盤（SSD）的底層NAND架構(gòu)會因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此對您的數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)生不同的影響，在這篇文章中，我們會討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46716 
我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營，今天小編就來你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052 據(jù)國外媒體報道，專注于3D NAND閃存設(shè)計制造的長江存儲，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達到創(chuàng)紀錄的176層堆疊。預(yù)計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:552599 寫入問題確實是NAND閃存的在企業(yè)級應(yīng)用中的一個限制么？
2021-04-01 17:50:562894 該NAND閃存控制器IP支持以前所未有的速度輕松可靠地訪問片外NAND閃存器件。更新后的控制器能以各種速度支持所有ONFI規(guī)范模式。
2021-08-05 15:30:561299 在3D NAND技術(shù)賽跑中，三星長期處于領(lǐng)先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進至128層。
2022-06-14 15:21:152100 
在NAND閃存的應(yīng)用中，程序/擦除周期存在一個限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當每個塊的P/E周期達到最大值時，這些塊將變得不可工作，需要一個備用塊來替換它。當這些備用塊用完時，此NAND閃存將無法再使用。
2022-10-24 14:30:111230 
圍繞基于NAND閃存的存儲系統(tǒng)的對話已經(jīng)變得混亂。通常，當人們討論存儲時，他們只談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存，而忽略了單獨的，但同樣重要的組件，即控制器。但是為什么需要控制器呢？簡單地說，沒有它，一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863 
在NAND閃存的應(yīng)用中，編程/擦除周期存在限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當每個塊的P/E周期達到最大值時，這些塊變得不可工作，需要一個備用塊來替換它。當這些備用塊用完時，此NAND閃存將無法再使用。
2022-11-30 15:00:431518 
本規(guī)范定義了標準化NAND閃存設(shè)備接口，該接口提供了設(shè)計的系統(tǒng)支持一系列NAND閃存設(shè)備，無需直接設(shè)計預(yù)關(guān)聯(lián)。該解決方案還為系統(tǒng)提供了無縫利用在系統(tǒng)設(shè)計時可能不存在的新NAND器件。
2022-12-13 16:50:450 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit，用戶可以隨機訪問任何一個bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲單元是頁（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區(qū)，硬盤的一個扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001983 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53281 三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認為NAND Flash價格過低；在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND閃存價格重新談判，目標價位是漲價15%—20%。
2024-03-14 15:35:22220
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