整合富士通資源　飛索加速嵌入式閃存（eFlash）MCU研發(fā)

　　飛索（Spansion）預(yù)定于2013年7～9月，完成富士通半導(dǎo)體（Fujitsu Semiconductor）微控制器（MCU）、模擬及混合信號部門購并，未來將加速整合該部門技術(shù)資源，以及自家的嵌入式電荷擷?。╡CT）閃存技術(shù)，全力加速嵌入式閃存（eFlash）MCU研發(fā)，預(yù)計于2015年發(fā)布首款產(chǎn)品。

　　飛索資深副總裁暨全球技術(shù)長Saied Tehrani表示，飛索購并富士通半導(dǎo)體MCU和模擬業(yè)務(wù)后，將可進一步擴大在汽車、工業(yè)和消費性電子等嵌入式系統(tǒng)市場的產(chǎn)品線陣容。

　　飛索資深副總裁暨全球技術(shù)長Saied Tehrani表示，該公司在嵌入式市場與閃存領(lǐng)域已累積不少成果，若再結(jié)合富士通半導(dǎo)體MCU、模擬業(yè)務(wù)相關(guān)產(chǎn)品和技術(shù)，以及其在日本市場的優(yōu)勢，將可進一步擴大市場版圖，帶動飛索閃存產(chǎn)品銷售成長。

　　據(jù)了解，在雙方購并作業(yè)完成后，富士通半導(dǎo)體將成為飛索MCU和模擬業(yè)務(wù)的晶圓代工廠，并將沿用既有的55納米、65納米及90納米制程，為飛索量產(chǎn)eFlash MCU。

　　Tehrani指出，除合并富士通半導(dǎo)體資源外，飛索亦于近期與聯(lián)電達成40納米制程合作協(xié)議，可望為旗下的系統(tǒng)單晶片（SoC）帶來優(yōu)勢，未來也不排除透過該制程開發(fā)出更高性能、低功耗、高成本效益的MCU和SoC解決方案。

　　據(jù)悉，飛索與聯(lián)電的40納米合作協(xié)議中，將授權(quán)聯(lián)電其獨家的eCT閃存技術(shù)，該技術(shù)類似飛索的MirrorBit技術(shù)，但經(jīng)過修改和邏輯優(yōu)化，故具備更快存取時間（低于10奈秒）和更低功率的特色，并易于與邏輯整合，較傳統(tǒng)編碼型（NOR）閃存生產(chǎn)方式使用更少的光罩制程步驟，讓eCT能整合閃存和高性能邏輯SoC產(chǎn)品，成為具有成本效益的解決方案。

　　面對eFlash MCU市場競爭者眾，Tehrani強調(diào)，該公司在非揮發(fā)性記憶體發(fā)展有悠久的歷史，并在嵌入式MCU和SoC獨立式閃存的eCT技術(shù)發(fā)展上超過10年經(jīng)驗，且擁有的嵌入式閃存技術(shù)系專為先進的邏輯設(shè)計，因此具備更快存取速度、低功耗及高運算效率的優(yōu)勢，有利于提高日后旗下eFlash MCU產(chǎn)品的市場競爭力。