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一文讀懂IGBT封裝失效的機理

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2022-03-19 11:10:072544

如何預(yù)防IGBT模塊因為高濕失效

接上一篇討論了IGBT應(yīng)用的環(huán)境,在什么條件下算是高濕?而高濕環(huán)境又是如何影響IGBT的可靠性的。本篇內(nèi)容我們接著討論,從用戶端的角度,如何預(yù)防IGBT模塊因為高濕失效?
2022-07-10 11:55:271964

MOSFET的失效機理:什么是SOA(Safety Operation Area)失效

MOSFET的失效機理本文的關(guān)鍵要點?SOA是“Safety Operation Area”的縮寫,意為“安全工作區(qū)”。?需要在SOA范圍內(nèi)使用MOSFET等產(chǎn)品。
2023-02-13 09:30:071144

MOSFET的失效機理:什么是dV/dt失效

MOSFET的失效機理本文的關(guān)鍵要點?dV/dt失效是MOSFET關(guān)斷時流經(jīng)寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB,使寄生雙極晶體管導(dǎo)通而引起短路從而造成失效的現(xiàn)象。
2023-02-13 09:30:08829

IGBT失效模式和失效現(xiàn)象

今天梳理一下IGBT現(xiàn)象級的失效形式。 失效模式根據(jù)失效的部位不同,可將IGBT失效分為芯片失效封裝失效兩類。引發(fā)IGBT芯片失效的原因有很多,如電源或負載波動、驅(qū)動或控制電路故障、散熱裝置故障
2023-02-22 15:05:4319

IGBT失效及壽命預(yù)測

實際應(yīng)用中,IGBT常見的兩種失效機理: 突發(fā)失效:即自發(fā)的,不可預(yù)知的失效 漸變失效:可預(yù)測的失效,隨著時間推移慢慢產(chǎn)生,制造商起著決定性的作用 1、突發(fā)失效:應(yīng)用工程師的主要任務(wù)是通過
2023-02-24 15:08:582

引發(fā)TVS短路失效的內(nèi)在質(zhì)量因素和失效機理

介紹了TVS瞬態(tài)抑制二極管的組成結(jié)構(gòu),失效機理和質(zhì)量因素,希望對你們有所幫助。
2023-03-16 14:53:571

MOSFET的失效機理

MOSFET等開關(guān)器件可能會受各種因素影響而失效。因此,不僅要準確了解產(chǎn)品的額定值和工作條件,還要全面考慮電路工作中的各種導(dǎo)致失效的因素。本系列文章將介紹MOSFET常見的失效機理。
2023-03-20 09:31:07638

壓接型與焊接式IGBT失效模式與失效機理

失效率是可靠性最重要的評價標準,所以研究IGBT失效模式和機理對提高IGBT的可靠性有指導(dǎo)作用。
2023-04-20 10:27:041117

IGBT模塊是如何失效的?

IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成,個芯片之間通過鋁導(dǎo)線實現(xiàn)電氣連接。標準的IGBT封裝中,單個IGBT還會并有續(xù)流二極管,接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠,用塑料殼封裝IGBT單元堆疊結(jié)構(gòu)如圖1-1所示。
2023-05-30 08:59:52555

IGBT模塊是如何失效的?

IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成,個芯片之間通過鋁導(dǎo)線實現(xiàn)電氣連接。標準的IGBT封裝中,單個IGBT還會并有續(xù)流二極管,接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠,用塑料殼封裝
2023-06-02 09:09:29586

一文講透IGBT 模塊失效機理

驅(qū)動電路的工作頻率(最小脈寬)相對 IGBT 開關(guān)頻率(占空比范圍)不足,或輔助電源平均輸出功率不足,導(dǎo)致的輸出不穩(wěn)定。這個問題導(dǎo)致的后果是,驅(qū)動狀態(tài)發(fā)生波動,系統(tǒng)最壞情況出現(xiàn)概率增加。
2023-06-16 10:34:23734

IGBT模塊的封裝形式及失效形式

單元,IGBT模塊得到越來越廣泛的應(yīng)用。IGBT器件封裝形式主要有焊接式和壓接式兩種,其中焊接式發(fā)展成熟,應(yīng)用廣泛。IGBT模塊的封裝結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜,是由多種材料組合
2023-05-18 10:11:522952

集成電路封裝失效分析方法

集成電路封裝失效分析就是判斷集成電路失效封裝相關(guān)的失效現(xiàn)象、形式(失效模式),查找封裝失效原因,確定失效的物理化學(xué)過程(失效機理),為集成電路封裝糾正設(shè)計、工藝改進等預(yù)防類似封裝失效的再發(fā)生,提升
2023-06-21 08:53:40572

集成電路封裝失效分析流程

為了防止在失效分析過程中丟失封裝失效證據(jù)或因不當(dāng)順序引人新的人為的失效機理,封裝失效分析應(yīng)按一定的流程進行。
2023-06-25 09:02:30315

集成電路封裝失效機理

集成電路封裝失效機理是指與集成電路封裝相關(guān)的,導(dǎo)致失效發(fā)生的電學(xué)、溫度、機械、氣候環(huán)境和輻射等各類應(yīng)力因素及其相互作用過程。
2023-06-26 14:11:26721

溫度-機械應(yīng)力失效主要情形

集成電路封裝失效機理是指與集成電路封裝相關(guān)的,導(dǎo)致失效發(fā)生的電學(xué)、溫度、機械、氣候環(huán)境和輻射等各類應(yīng)力因素及其相互作用過程。根據(jù)應(yīng)力條件的不同,可將失效機理劃分為電應(yīng)力失效機理、溫度-機械應(yīng)力失效
2023-06-26 14:15:31603

半導(dǎo)體器件鍵合失效模式及機理分析

本文通過對典型案例的介紹,分析了鍵合工藝不當(dāng),以及器件封裝因素對器件鍵合失效造成的影響。通過對鍵合工藝參數(shù)以及封裝環(huán)境因素影響的分析,以及對各種失效模式總結(jié),闡述了鍵合工藝不當(dāng)及封裝不良,造成鍵合本質(zhì)失效機理;并提出了控制有缺陷器件裝機使用的措施。
2023-07-26 11:23:15930

PCB熔錫不良現(xiàn)象背后的失效機理

PCB熔錫不良現(xiàn)象背后的失效機理
2023-08-04 09:50:01545

電阻失效發(fā)生的機理是什么 引起電阻失效的原因有哪些

電阻膜腐蝕造成電阻失效的發(fā)生機理為:外部水汽通過表面樹脂保護層浸入到電阻膜層,在內(nèi)部電場作用下,發(fā)生水解反應(yīng)。電阻膜表面殘留的K離子、Na離子極易溶于水,加速了電阻膜的水解反應(yīng),致使電阻膜腐蝕失效。
2023-08-18 11:41:371102

肖特基二極管失效機理

肖特基二極管失效機理? 肖特基二極管(Schottky Barrier Diode, SBD)作為一種快速開關(guān)元件,在電子設(shè)備中得到了廣泛的應(yīng)用。但是,隨著SBD所承受的工作壓力和工作溫度不斷升高
2023-08-29 16:35:08971

保護器件過電應(yīng)力失效機理失效現(xiàn)象淺析

保護器件過電應(yīng)力失效機理失效現(xiàn)象淺析
2023-12-14 17:06:45267

IGBT失效模式與失效機理分析探討及功率模塊技術(shù)現(xiàn)狀未來展望

壓接型IGBT器件與焊接式IGBT模塊封裝形式的差異最終導(dǎo)致兩種IGBT器件的失效形式和失效機理的不同,如表1所示。本文針對兩種不同封裝形式IGBT器件的主要失效形式和失效機理進行分析。1.焊接式IGBT模塊封裝材料的性能是決定模塊性能的基礎(chǔ),尤其是封裝
2023-11-23 08:10:07722

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