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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>淺談IGBT的封裝失效機(jī)理

淺談IGBT的封裝失效機(jī)理

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淺談IGBT模塊使用溫度范圍

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電解電容的失效原因和機(jī)理

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電阻器的失效模式有哪些

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如何去識(shí)別IGBT絕緣柵雙極型晶體管呢?

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高性能功率器件的封裝

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2023-12-29 09:45:05596

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2023-12-27 09:39:34672

IGBT模塊失效機(jī)理的兩大類(lèi)分析

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2023-12-22 09:43:45173

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ESD失效和EOS失效的區(qū)別

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常見(jiàn)的汽車(chē)IGBT模塊封裝類(lèi)型有哪些?

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R課堂 | IGBT IPM實(shí)例:封裝

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2023-08-29 16:29:112800

電子元器件損壞的原因有哪些?電子芯片故障原因有哪些?常見(jiàn)的電子元器件失效機(jī)理與分析

或者全失效會(huì)在硬件電路調(diào)試上花費(fèi)大把的時(shí)間,有時(shí)甚至炸機(jī)。 硬件工程師調(diào)試爆炸現(xiàn)場(chǎng) 所以掌握各類(lèi)電子元器件的實(shí)效機(jī)理與特性是硬件工程師比不可少的知識(shí)。下面分類(lèi)細(xì)敘一下各類(lèi)電子元器件的失效模式與機(jī)理。
2023-08-29 10:47:313730

采用TO-247Plus-4L封裝的1200V-140A IGBT單管

JSAB正式推出采用TO-247Plus-4L封裝的1200V-140A IGBT單管,產(chǎn)品型號(hào)為 JHY140N120HA。產(chǎn)品外觀和內(nèi)部電路拓?fù)淙缦聢D所示。
2023-08-25 15:40:571056

igbt功率管怎么檢測(cè)好壞?

速度。然而,與任何其他電子設(shè)備一樣,IGBT也會(huì)經(jīng)歷性能退化,并可能因各種因素而失效。因此,在將IGBT用于電力電子電路之前,測(cè)試IGBT的良好或不良狀態(tài)至關(guān)重要,以防止對(duì)設(shè)備造成任何潛在的災(zāi)難性損壞,避免損失資金。 在這篇文章中,我們將討論
2023-08-25 15:03:352091

電容器的常見(jiàn)失效模式和失效機(jī)理

電參數(shù)變化(包括電容量超差、損耗角正切值增大、絕緣性能下降或漏電流上升等),部分功能失效
2023-08-23 11:23:17749

IGBT功率模塊散熱基板的作用及種類(lèi) 車(chē)規(guī)級(jí)IGBT功率模塊的散熱方式

IGBT功率模塊失效的主要原因是溫度過(guò)高導(dǎo)致的熱應(yīng)力,良好的熱管理對(duì)于IGBT功率模塊穩(wěn)定性和可靠性極為重要。新能源汽車(chē)電機(jī)控制器是典型的高功率密度部件,且功率密度隨著對(duì)新能源汽車(chē)性能需求的提高仍在
2023-08-23 09:33:23907

電阻失效發(fā)生的機(jī)理是什么 引起電阻失效的原因有哪些

電阻膜腐蝕造成電阻失效的發(fā)生機(jī)理為:外部水汽通過(guò)表面樹(shù)脂保護(hù)層浸入到電阻膜層,在內(nèi)部電場(chǎng)作用下,發(fā)生水解反應(yīng)。電阻膜表面殘留的K離子、Na離子極易溶于水,加速了電阻膜的水解反應(yīng),致使電阻膜腐蝕失效
2023-08-18 11:41:371102

IGBT工藝流程 IGBT模塊封裝流程

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由 BJT(雙 極型三極管)和 MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體
2023-08-08 10:14:122

PCB熔錫不良現(xiàn)象背后的失效機(jī)理

PCB熔錫不良現(xiàn)象背后的失效機(jī)理
2023-08-04 09:50:01545

微電子封裝的工藝與類(lèi)型有哪些 微電子的失效機(jī)理分析

將一個(gè)或多個(gè)IC芯片用適宜的材料封裝起來(lái),并使芯片的焊區(qū)與.封裝的外引腳用引線鍵合(WB)、載帶自動(dòng)鍵合(TAB)和倒裝芯片鍵合(FCB)連接起來(lái),使之成為有實(shí)用功能的器件或組件。
2023-07-27 11:21:04258

IGBT—?jiǎng)榆?chē)組“心臟”的CPU

IGBT
學(xué)習(xí)電子知識(shí)發(fā)布于 2023-07-26 21:07:39

半導(dǎo)體器件鍵合失效模式及機(jī)理分析

本文通過(guò)對(duì)典型案例的介紹,分析了鍵合工藝不當(dāng),以及器件封裝因素對(duì)器件鍵合失效造成的影響。通過(guò)對(duì)鍵合工藝參數(shù)以及封裝環(huán)境因素影響的分析,以及對(duì)各種失效模式總結(jié),闡述了鍵合工藝不當(dāng)及封裝不良,造成鍵合本質(zhì)失效機(jī)理;并提出了控制有缺陷器件裝機(jī)使用的措施。
2023-07-26 11:23:15930

國(guó)產(chǎn)igbt模塊品牌

根據(jù)IGBT的產(chǎn)品分類(lèi)來(lái)看,按照其封裝形式的不同,可分為IGBT分立器件、IPM模塊和IGBT模塊。
2023-07-22 16:09:301502

微電子封裝的工藝與類(lèi)型有哪些 微電子的失效機(jī)理

將一個(gè)或多個(gè)IC芯片用適宜的材料封裝起來(lái),并使芯片的焊區(qū)與封裝的外引腳用引線鍵合(WB)、載帶自動(dòng)鍵合(TAB)和倒裝芯片鍵合(FCB)連接起來(lái),使之成為有實(shí)用功能的器件或組件。
2023-07-20 10:43:29278

車(chē)規(guī)IGBT模塊封裝趨勢(shì)和SHAREX燒結(jié)銀應(yīng)用#

IGBT模塊
善仁(浙江)新材料科技有限公司發(fā)布于 2023-07-01 21:45:11

集成電路封裝失效的原因、分類(lèi)和分析方法

與外界的連接。然而,在使用過(guò)程中,封裝也會(huì)出現(xiàn)失效的情況,給產(chǎn)品的可靠性帶來(lái)一定的影響。因此,對(duì)于封裝失效的分析和解決方法具有很重要的意義。
2023-06-28 17:32:001779

溫度-機(jī)械應(yīng)力失效主要情形

集成電路封裝失效機(jī)理是指與集成電路封裝相關(guān)的,導(dǎo)致失效發(fā)生的電學(xué)、溫度、機(jī)械、氣候環(huán)境和輻射等各類(lèi)應(yīng)力因素及其相互作用過(guò)程。根據(jù)應(yīng)力條件的不同,可將失效機(jī)理劃分為電應(yīng)力失效機(jī)理、溫度-機(jī)械應(yīng)力失效
2023-06-26 14:15:31603

集成電路封裝失效機(jī)理

集成電路封裝失效機(jī)理是指與集成電路封裝相關(guān)的,導(dǎo)致失效發(fā)生的電學(xué)、溫度、機(jī)械、氣候環(huán)境和輻射等各類(lèi)應(yīng)力因素及其相互作用過(guò)程。
2023-06-26 14:11:26715

集成電路封裝失效分析流程

為了防止在失效分析過(guò)程中丟失封裝失效證據(jù)或因不當(dāng)順序引人新的人為的失效機(jī)理封裝失效分析應(yīng)按一定的流程進(jìn)行。
2023-06-25 09:02:30315

IGBT如何判斷好壞

IGBT
YS YYDS發(fā)布于 2023-06-21 23:02:28

IGBT是什么

IGBT
YS YYDS發(fā)布于 2023-06-21 22:58:10

集成電路封裝失效分析方法

集成電路封裝失效分析就是判斷集成電路失效封裝相關(guān)的失效現(xiàn)象、形式(失效模式),查找封裝失效原因,確定失效的物理化學(xué)過(guò)程(失效機(jī)理),為集成電路封裝糾正設(shè)計(jì)、工藝改進(jìn)等預(yù)防類(lèi)似封裝失效的再發(fā)生,提升
2023-06-21 08:53:40572

IGBT功率模塊的封裝工藝介紹

IGBT 功率模塊基本的封裝工藝詳細(xì)講解,可以作為工藝工程師的一個(gè)參考和指導(dǎo)。 絲網(wǎng)印刷目的: 將錫膏按設(shè)定圖形印刷于DBC銅板表面,為自動(dòng)貼片做好前期準(zhǔn)備 設(shè)備: BS1300半自動(dòng)對(duì)位SMT錫漿絲印機(jī)
2023-06-19 17:06:410

一文講透IGBT 模塊失效機(jī)理

驅(qū)動(dòng)電路的工作頻率(最小脈寬)相對(duì) IGBT 開(kāi)關(guān)頻率(占空比范圍)不足,或輔助電源平均輸出功率不足,導(dǎo)致的輸出不穩(wěn)定。這個(gè)問(wèn)題導(dǎo)致的后果是,驅(qū)動(dòng)狀態(tài)發(fā)生波動(dòng),系統(tǒng)最壞情況出現(xiàn)概率增加。
2023-06-16 10:34:23734

IGBT是什么

IGBT
YS YYDS發(fā)布于 2023-06-06 22:23:14

IGBT是怎么來(lái)的

IGBT
YS YYDS發(fā)布于 2023-06-06 22:21:55

IGBT模塊是如何失效的?

IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成,個(gè)芯片之間通過(guò)鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中,單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管,接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠,用塑料殼封裝。
2023-06-02 09:09:29583

IGBT模塊是如何失效的?

IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構(gòu)成,個(gè)芯片之間通過(guò)鋁導(dǎo)線實(shí)現(xiàn)電氣連接。標(biāo)準(zhǔn)的IGBT封裝中,單個(gè)IGBT還會(huì)并有續(xù)流二極管,接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠,用塑料殼封裝IGBT單元堆疊結(jié)構(gòu)如圖1-1所示。
2023-05-30 08:59:52555

淺談系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)的優(yōu)勢(shì)及失效分析

由于高密度打件采用微小化元器件與制程,因此元器件與載板之間的連結(jié),吃錫量大幅減少,為提高打件可靠度,避免外界濕度、高溫及壓力等影響,塑封制程可將完整的元器件密封包覆在載板上。
2023-05-29 14:17:51822

淺談IGBT用途及優(yōu)點(diǎn)

IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣,如工業(yè)領(lǐng)域中的變頻器,家用電器領(lǐng)域的變頻空調(diào)、洗衣機(jī)、冰箱,軌道交通領(lǐng)域的高鐵、地鐵、輕軌,軍工航天領(lǐng)域的飛機(jī)、艦艇以及新能源領(lǐng)域的新能源汽車(chē)、風(fēng)力發(fā)電等都有非常廣泛的應(yīng)用。
2023-05-22 10:31:30784

IGBT模塊的封裝形式及失效形式

單元,IGBT模塊得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。IGBT器件封裝形式主要有焊接式和壓接式兩種,其中焊接式發(fā)展成熟,應(yīng)用廣泛。IGBT模塊的封裝結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜,是由多種材料組合
2023-05-18 10:11:522952

淺談CDM的原因與機(jī)理

CDM(Charge Device Model),與MM與HBM一起作為ESD的三種類(lèi)型之一。隨著IC工藝進(jìn)程的發(fā)展與自動(dòng)化生產(chǎn)流程的普及,CDM已經(jīng)取代MM與HBM成為芯片失效的主要靜電類(lèi)型,目前CDM造成的失效占比遠(yuǎn)高于HBM與MM。
2023-05-16 15:47:089032

IGBT模塊主要失效形式

隨著IGBT的耗散功率和開(kāi)關(guān)頻率不斷增大,以及工作環(huán)境嚴(yán)苛,使得IGBT模塊產(chǎn)生大量的熱量,由于模塊內(nèi)的熱量無(wú)法及時(shí)得到釋放,從而引起模塊內(nèi)部溫度升高。
2023-05-16 11:30:25512

TVS二極管失效機(jī)理失效分析

常用電路保護(hù)器件的主要失效模式為短路,瞬變電壓抑制器(TVS)亦不例外。TVS一旦發(fā)生短路失效,釋放出的高能量常常會(huì)將保護(hù)的電子設(shè)備損壞.這是TVS生產(chǎn)廠家和使用方都想極力減少或避免的情況
2023-05-12 17:25:483678

同步輻射CT技術(shù)揭示正負(fù)極串?dāng)_失效機(jī)理:不均勻的離子通量

目前已有大量工作研究全固態(tài)鋰金屬電池ASSLMB的衰退機(jī)理。
2023-05-04 17:41:40761

ABAQUS中的損壞與失效模型

ABAQUS為材料失效提供了一個(gè)通用建??蚣埽渲性试S同一種材料應(yīng)用多種失效機(jī)制。
2023-05-02 18:12:002842

導(dǎo)致半導(dǎo)體制冷片失效的四個(gè)主要原因

通過(guò)實(shí)際經(jīng)驗(yàn)及測(cè)試發(fā)現(xiàn),導(dǎo)致制冷片失效的原因主要有以下4個(gè)方面:1、熱應(yīng)力:失效機(jī)理:半導(dǎo)體致冷器工作時(shí)一面吸熱、一面放熱,兩面工作在不同的溫度上。因?yàn)榘雽?dǎo)體材料和其他部件(導(dǎo)銅和瓷片)的熱膨脹
2023-04-28 17:54:362786

IGBT晶圓,如何制備?

IGBT
YS YYDS發(fā)布于 2023-04-26 18:51:37

什么是IGBT?以及它的應(yīng)用

IGBT
YS YYDS發(fā)布于 2023-04-26 18:48:12

壓接型與焊接式IGBT失效模式與失效機(jī)理

失效率是可靠性最重要的評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn),所以研究IGBT失效模式和機(jī)理對(duì)提高IGBT的可靠性有指導(dǎo)作用。
2023-04-20 10:27:041117

半導(dǎo)體集成電路失效分析原理及常見(jiàn)失效分析方法介紹!

失效分析(FA)是一門(mén)發(fā)展中的新興學(xué)科,近年開(kāi)始從軍工向普通企業(yè)普及。它一般根據(jù)失效模式和現(xiàn)象,通過(guò)分析和驗(yàn)證,模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象,找出失效的原因,挖掘出失效機(jī)理的活動(dòng)。在提高產(chǎn)品質(zhì)量,技術(shù)開(kāi)發(fā)
2023-04-18 09:11:211360

?壓接型IGBT器件的封裝結(jié)構(gòu)及特性

絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)。
2023-04-15 14:23:581287

淺談電子三防漆對(duì)PCB板的作用有哪些?

淺談電子三防漆對(duì)PCB板的作用有哪些?
2023-04-14 14:36:27

淺談IGBT的閂鎖效應(yīng)

閂鎖(Lanch-up)效應(yīng),一般我們也可以稱(chēng)之為擎住效應(yīng),是由于IGBT超安全工作區(qū)域而導(dǎo)致的電流不可控現(xiàn)象,當(dāng)然,閂鎖效應(yīng)更多的是決定于IGBT芯片本身的構(gòu)造。實(shí)際工作中我們可能很少聽(tīng)到一種失效率,閂鎖失效,今天我們就來(lái)聊一聊什么是閂鎖效應(yīng)。
2023-04-06 17:32:551089

瞬態(tài)熱阻抗準(zhǔn)確計(jì)算IGBT模塊結(jié)殼熱阻的方法

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的迅速發(fā)展以及絕緣柵雙極型晶體管(insulatedgatebipolartranslator,IGBT)模塊的普遍應(yīng)用,電力電子可靠性要求不斷提高,而過(guò)熱失效這一主要失效原因亦成為
2023-04-04 10:14:09965

IGBT是功率逆變器的重點(diǎn)保護(hù)對(duì)象

,無(wú)法修復(fù)。IGBT損壞意味著逆變器必須更換或大修。因此,IGBT是功率逆變器的重點(diǎn)保護(hù)對(duì)象。逆變器核心部件IGBT介紹以上就是IGBT失效的三種模式。電氣故障最為常
2023-03-30 10:29:45992

全面的IGBT封裝設(shè)計(jì)解決方案

國(guó)內(nèi)龐大的市場(chǎng)基礎(chǔ)、 潛在的電力電子裝備關(guān)鍵器件完全依靠進(jìn)口的風(fēng)險(xiǎn)和國(guó)家產(chǎn)業(yè)升級(jí)共同推動(dòng)了本土IGBT芯片設(shè)計(jì)、模塊封裝的技術(shù)進(jìn)步和創(chuàng)新。
2023-03-27 09:34:091297

淺談國(guó)產(chǎn)化IGBT的未來(lái)前景

自2020年汽車(chē)缺芯以來(lái),汽車(chē)芯片結(jié)構(gòu)性缺芯愈發(fā)明顯,IGBT一直處于緊缺狀態(tài)。在2022年下半年,其甚至超越車(chē)用MCU,成為影響汽車(chē)擴(kuò)產(chǎn)的最大掣肘。
2023-03-23 11:19:17783

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