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電子發(fā)燒友網(wǎng)>嵌入式技術(shù)>嵌入式操作系統(tǒng)>DRAM廠募資能力差異 未來發(fā)展強(qiáng)弱分明

DRAM廠募資能力差異 未來發(fā)展強(qiáng)弱分明

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2017-01-10 11:28:23599

紫光國芯攜手長江存儲(chǔ)開展DRAM合作

紫光國芯26日在互動(dòng)平臺(tái)表示,公司西安子公司從事DRAM存儲(chǔ)器晶元的設(shè)計(jì),目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來紫光集團(tuán)下屬長江存儲(chǔ)如果具備DRAM存儲(chǔ)器晶元的制造能力,公司會(huì)考慮與其合作。
2017-11-27 11:05:411848

Hadoop自適應(yīng)任務(wù)調(diào)度算法

針對(duì)異構(gòu)集群任務(wù)推測式執(zhí)行算法存在的任務(wù)進(jìn)度比例固定、落后任務(wù)被動(dòng)選取等問題,提出基于快慢節(jié)點(diǎn)集計(jì)算能力差異的自適應(yīng)任務(wù)調(diào)度算法。該算法量化節(jié)點(diǎn)集計(jì)算能力差異實(shí)現(xiàn)分集調(diào)度,并通過節(jié)點(diǎn)與任務(wù)速率的動(dòng)態(tài)
2017-12-20 17:09:230

DRAM未來漲勢將取決于這3個(gè)關(guān)鍵要素

有研究表明未來DRAM漲勢還將不斷向上提升,據(jù)悉三星將于2018年第1季價(jià)格再上調(diào)3%至5%。服務(wù)器市場仍是DRAM漲勢最大的成長來源。
2017-12-21 13:34:59723

中國電信在濟(jì)南開通省內(nèi)首個(gè)SA獨(dú)立組網(wǎng)5G實(shí)驗(yàn)網(wǎng)

據(jù)悉,5G采用全新的空口技術(shù)和網(wǎng)絡(luò)架構(gòu),與4G相比,可以支持更大的帶寬與更低的時(shí)延。5G組網(wǎng)架構(gòu)主要有NSA(非獨(dú)立組網(wǎng))和SA(獨(dú)立組網(wǎng))兩種方式,其中SA組網(wǎng)能夠更好的支持網(wǎng)絡(luò)切片、邊緣計(jì)算等使能垂直行業(yè)的關(guān)鍵技術(shù),更好的滿足垂直行業(yè)多樣化業(yè)務(wù)對(duì)于網(wǎng)絡(luò)能力差異化的要求,是5G網(wǎng)絡(luò)發(fā)展的目標(biāo)架構(gòu)。
2019-01-28 08:41:411090

PCB定制化最重要的特點(diǎn)是什么

由于技術(shù)差異并不大,所以成本管控能力就成為PCB企業(yè)盈利能力差異的最關(guān)鍵因素。
2019-08-19 17:08:164106

長鑫存儲(chǔ)副總裁披露DRAM技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來趨勢

昨日,長鑫存儲(chǔ)副總裁、未來技術(shù)評(píng)估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士披露了DRAM技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來趨勢。作為中國DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者,長鑫存儲(chǔ)正在加速從DRAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變,用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專利,引領(lǐng)中國實(shí)現(xiàn)DRAM零的突破。
2019-09-20 16:06:077051

長鑫存儲(chǔ)淺談未來DRAM技術(shù)的發(fā)展之路

在深圳舉辦的中國閃存技術(shù)峰會(huì)上,長鑫存儲(chǔ)副總裁、未來技術(shù)評(píng)估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士進(jìn)行了《DRAM技術(shù)趨勢與行業(yè)應(yīng)用》的演講。
2019-09-20 16:52:563414

5G賦能超高清視頻產(chǎn)業(yè)的用戶價(jià)值及具有哪些優(yōu)勢

豐富的超高清視頻業(yè)務(wù)場景與5G結(jié)合,將能夠大幅提升體育賽事、綜藝節(jié)目和大型活動(dòng)等直播的用戶體驗(yàn),培養(yǎng)用戶在5G 2C場景下的業(yè)務(wù)使用習(xí)慣,客觀感知到5G網(wǎng)絡(luò)能力差異化及對(duì)最終用戶的直接價(jià)值。
2020-03-31 14:16:099363

DRAM的市場前景如何,它的未來該如何發(fā)展

內(nèi)存——尤其是DRAM——已經(jīng)成為人們關(guān)注的焦點(diǎn),因?yàn)樗l(fā)現(xiàn)自己正處在提高系統(tǒng)性能的關(guān)鍵路上。
2020-04-15 21:30:065541

DRAM和NAND技術(shù)的發(fā)展和面臨的挑戰(zhàn)

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用,其中DRAM和SRAM是兩種常見形態(tài)的存儲(chǔ)器。DRAM的特點(diǎn)是需要定時(shí)刷新,才可以保存數(shù)據(jù),SRAM只要存入數(shù)據(jù)了,不刷新也不會(huì)丟掉數(shù)據(jù)。DRAM和SRAM各有各的優(yōu)勢及不足,本文探討的DRAM和NAND當(dāng)前面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)及發(fā)展前景。
2020-07-22 14:04:191537

DRAM的架構(gòu)/標(biāo)準(zhǔn)/特點(diǎn)/未來展望

這些年來,記憶體領(lǐng)域出現(xiàn)了各種動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)標(biāo)準(zhǔn),這些標(biāo)準(zhǔn)也都各自進(jìn)一步發(fā)展出不同世代的版本。本文將回顧不同DRAM架構(gòu)的特色,點(diǎn)出這些架構(gòu)的共同趨勢與瓶頸,并會(huì)提出IMEC為了將DRAM性能推至極限而采取的相關(guān)發(fā)展途徑。
2021-01-22 10:12:354767

工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)入口“設(shè)備互聯(lián)”存在結(jié)構(gòu)性的發(fā)展機(jī)會(huì)

的工業(yè)裝備,基于連接方式帶來的數(shù)據(jù)交互能力差異,也存在很多完善機(jī)會(huì)和更多數(shù)據(jù)帶來的想象空間,可以說,工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù)市場前景廣闊,“設(shè)備互聯(lián)”這一工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)的入口存在結(jié)構(gòu)性的發(fā)展機(jī)會(huì)。 所謂“設(shè)備互聯(lián)”,是指打通
2021-03-03 10:32:542210

計(jì)算機(jī)電源負(fù)載能力差,電腦電源問題:電腦電源負(fù)載能力差的原因及解決方法...

電腦電源問題:電腦電源負(fù)載能力差的原因及解決方法一般情況下,電腦電源負(fù)載能力差主要表現(xiàn)為:電源在輕負(fù)載情況下,如只向系統(tǒng)板、軟驅(qū)供電時(shí),能正常工作,而在配上大硬盤、擴(kuò)充其他設(shè)備時(shí),往往電源工作
2021-11-07 12:36:007

如何接入智慧生活A(yù)pp

智慧生活A(yù)pp的H5包支持線上開發(fā)與線下開發(fā)兩種方式,開發(fā)者伙伴可以根據(jù)下表的設(shè)備的使用范圍和能力差異來選擇:
2022-04-25 09:19:292471

弛豫鐵電體室溫下獲得優(yōu)異的塑性變形能力

在人們的認(rèn)知中,金屬材料通常具有良好的延展性,而陶瓷材料在外力下呈現(xiàn)脆性斷裂。造成這種變形能力差異的根本原因是原子之間成鍵方式的不同。
2022-09-29 15:15:28758

為什么高阻點(diǎn)、漏端、電流鏡驅(qū)動(dòng)的負(fù)載能力差?

為什么高阻點(diǎn)、漏端、電流鏡驅(qū)動(dòng)的負(fù)載能力差?? 電路中的負(fù)載表示電路所承受的電流和電壓。當(dāng)負(fù)載改變時(shí),電路的性能也會(huì)發(fā)生變化。在電路設(shè)計(jì)中,確定負(fù)載能力是非常重要的因素。在某些情況下,電路的負(fù)載能力
2023-09-20 17:05:31352

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