泛林集團推出開創(chuàng)性的選擇性刻蝕設(shè)備組合，以加速芯片制造商的3D路線圖

新產(chǎn)品組合憑借創(chuàng)新的刻蝕技術(shù)和化學成分在競爭中脫穎而出，以支持先進邏輯和存儲器解決方案的開發(fā)

北京時間2022年2月10日，泛林集團 （NASDAQ： LRCX） 宣布推出一系列新的選擇性刻蝕產(chǎn)品，這些產(chǎn)品應用突破性的晶圓制造技術(shù)和創(chuàng)新的化學成分，以支持芯片制造商開發(fā)環(huán)柵 （GAA） 晶體管結(jié)構(gòu)。 泛林集團的選擇性刻蝕產(chǎn)品組合包含三款新產(chǎn)品——Argos?、Prevos? 和 Selis?，為先進邏輯和存儲器半導體解決方案的設(shè)計和制造提供了強大優(yōu)勢。

集成了泛林集團最新Prevos和Selis的設(shè)備系統(tǒng)

隨著現(xiàn)代技術(shù)和器件的不斷發(fā)展，對提高性能和效率所需的更高器件密度的需求也在增加。 為了跟上摩爾定律的步伐，芯片制造商目前正在開發(fā)垂直晶體管架構(gòu)——這是一種非常復雜的工藝，需要超高選擇性、精密刻蝕和均勻的各向同性材料去除，同時不改變或損壞其他關(guān)鍵材料層。

泛林集團的選擇性刻蝕解決方案提供支持先進邏輯納米片或納米線形成所需的超高、可調(diào)選擇性和無損傷的材料去除，使芯片制造商能夠在 DRAM 達到其平面微縮極限后實現(xiàn)從平面結(jié)構(gòu)到三維結(jié)構(gòu)的又一次進化式飛躍。

泛林集團的這一選擇性刻蝕產(chǎn)品是與全球最具創(chuàng)新精神的邏輯和晶圓芯片制造商合作開發(fā)而成的，已被三星電子等行業(yè)領(lǐng)導者的晶圓廠使用，以支持先進邏輯晶圓開發(fā)過程中的近十多個關(guān)鍵步驟。

三星半導體研發(fā)中心專家Keun Hee Bai 博士表示：“半導體行業(yè)不斷向更強大和更快的器件能力邁進。 隨著器件的密度和復雜性不斷大幅提升，選擇性刻蝕技術(shù)對于制造我們最先進的邏輯器件至關(guān)重要。隨著全球?qū)θ羌夹g(shù)的需求持續(xù)攀升，我們依靠選擇性刻蝕產(chǎn)品所具有的各種創(chuàng)新技術(shù)和能力來提升產(chǎn)能并加速我們的邏輯器件路線圖，以推出先進邏輯環(huán)柵器件，甚至更先進的器件。”

泛林集團的選擇性刻蝕產(chǎn)品組合由三個新設(shè)備組成：

Argos——具有革命性的 MARS?（Metastable Activated Radical Source，亞穩(wěn)態(tài)活性自由基源）技術(shù)——能夠選擇性地改性和凈化晶圓表面。 其突破性的處理和調(diào)整能力使芯片制造商能夠精確地處理、優(yōu)化晶圓表面，以獲得最佳性能。

Prevos 通過將新型化學成分和創(chuàng)新的蒸汽技術(shù)與靈活的溫度控制相結(jié)合，實現(xiàn)氧化物、硅和金屬的原子層精度的超高選擇性刻蝕。 Prevos 利用了由泛林集團開發(fā)的全新專有化學技術(shù)解決方案，可以添加額外的化學成分來滿足芯片制造商的生產(chǎn)需求。

Selis 獨具一格地采用自由基和熱刻蝕能力，能夠?qū)崿F(xiàn)超高選擇性刻蝕和從上到下均勻的工藝控制，而不會損壞晶圓結(jié)構(gòu)。

Prevos 和 Selis 也可以作為單一的集成設(shè)備交付，以提供獨特的多層選擇性刻蝕、更好的排隊時間控制和最大的生產(chǎn)靈活性。

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泛林集團總裁兼首席執(zhí)行官 Tim Archer 表示：“泛林集團正在推動晶圓制造技術(shù)的發(fā)展，以支持芯片行業(yè)向 3D 架構(gòu)轉(zhuǎn)變，并使下一代數(shù)字技術(shù)成為現(xiàn)實。 40 多年來，泛林集團在刻蝕技術(shù)創(chuàng)新方面一直引領(lǐng)行業(yè)。 我們很自豪能夠延續(xù)這一傳統(tǒng)，為當今市場上的先進邏輯和存儲器提供最先進的選擇性刻蝕解決方案組合?！?/p>