電機、賽米控等,而國內(nèi)IGBT主要廠商有斯達半導體、中車、廣東芯聚能、宏微科技等。目前國內(nèi)外IGBT實力相差懸殊,但隨著新基建、新能源汽車等發(fā)展,國內(nèi)IGBT已經(jīng)初具規(guī)模,并在不斷縮小與國外廠商的差距。 一、 IGBT市場分析 IGBT供不應求,行業(yè)持續(xù)向好發(fā)展,
2020-07-27 10:28:098757 功率半導體器件種類眾多,按集成度可分為功率IC、功率模塊和功率分立器件三大類,其中功率分立器件中MOSFET、功率二極管、IGBT占比較大,是最主要的品類。
2020-11-25 16:45:502363 IGBT功率模塊是電壓型控制,輸入阻抗大,驅動功率小,控制電路簡單,開關損耗小,通斷速度快,工作頻率高,元件容量大等優(yōu)點。
2020-03-24 09:01:13
可靠性與能效是當今逆變器設計考慮的兩個主要因素。英飛凌全新EconoPACK TM 4將強健的模塊設計與全新高能效IGBT4和EmCon4二極管技術融合在一起?;谧钚录夹g的功率半導體器件進入
2018-12-07 10:23:42
的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產(chǎn)品;封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上;IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點;當前市場上銷售的多為此
2021-09-09 08:27:25
是安裝不便,功率單元結構復雜,維護不如模塊式方便。綜合利弊,當電流大于200A(尤其是500A以上)的半導體器件上首選平板式結構,已經(jīng)是業(yè)內(nèi)共識,只是IGBT受管芯制作原理的限制,目前無法制造成大功率
2018-10-17 10:05:39
IGBT賽道,如芯聚能半導體于2019年9月開啟25億元的投資項目,目標面向新能源汽車用功率模塊;
接下來為大家盤點國內(nèi)的IGBT企業(yè)(注:排名不分先后,不完全統(tǒng)計)
圖-9:IGBT模塊國內(nèi)廠商分布情況
2023-10-16 11:00:14
半導體元器件晶體管領域。功率半導體元器件的特點除了IGBT外,功率半導體元器件(晶體管領域)的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等,它們主要被用作半導體開關。根據(jù)其分別可支持的開關速度
2019-05-06 05:00:17
半導體元器件晶體管領域。功率半導體元器件的特點除了IGBT外,功率半導體元器件(晶體管領域)的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等,它們主要被用作半導體開關。根據(jù)其分別可支持的開關速度
2019-03-27 06:20:04
功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(功率MOSFET,常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC,常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
點擊: 功率半導體器件 &
2008-08-03 17:05:29
功率半導體基本開關原理
2011-05-03 22:07:52
`本書主要針對的是半導體使用客戶,并把基礎理論作了簡單的闡述歸納總結。本手冊站在用戶的角度上,去了解IGBT、MOSFET功率模塊以及零散或集成的二極管和晶閘管(可控硅)。詳細介紹了它們的基本數(shù)
2018-09-06 16:30:02
功率半導體的工作原理.資料來自網(wǎng)絡資源分享
2021-08-06 22:54:59
所在各類半導體功率器件中,未來增長強勁的產(chǎn)品將是 MOSFET 與 IGBT 模塊。目前,全球功率半導體市場仍由歐美日企業(yè)主導,其中英飛凌以 19%的市占率占據(jù)絕對領先地位。全球功率半導體前十名供應商
2022-11-11 11:15:56
近年來,全球半導體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉移。目前,我國已經(jīng)成為全球最重要的半導體功率器件封測基地。如IDM類(吉林華微電子、華潤微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車時代半導體
2021-07-12 07:49:57
半導體材料半導體的功能分類集成電路的四大類
2021-02-24 07:52:52
請教下以前的[半導體技術天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
功率半導體的熱管理對于元件運行的可靠性和使用壽命至關重要。本設計實例介紹的愛普科斯(EPCOS)負溫度系數(shù)(NTC)和正溫度系數(shù)(PTC)熱敏電阻系列,可以幫助客戶可靠地監(jiān)測半導體元件的溫度。
2020-08-19 06:50:50
GaNFast功率半導體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
及新能源汽車要求在600V-1200V,而軌道交通要求最高,范圍在3300V-6500V之間。圖表4 功率半導體器件的應用及工作頻率(來源:Applied Materials)注:IPM即智能功率模塊,常見類型有IGBT類本文來源:來源:寬禁帶半導體技術創(chuàng)新聯(lián)盟
2019-02-26 17:04:37
作為國家科技重大專項——智能電網(wǎng)高壓芯片封裝與模塊技術研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目的中國北車永濟電機公司以其研制的3300V IGBT器件產(chǎn)品,日前中標國家智能電網(wǎng)項目,成為我國首個高壓大功率IGBT產(chǎn)品批量
2015-01-30 10:18:37
1、GaAs半導體材料可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類,元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體,化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍,非常適合
2019-07-29 07:16:49
(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小
2012-06-19 11:36:58
直接影響轉換器的體積、功率密度和成本?! ∪欢?,所使用的半導體開關遠非理想,并且由于開關轉換期間電壓和電流之間的重疊而存在開關損耗。這些損耗對轉換器工作頻率造成了實際限制。諧振拓撲可以通過插入額外的電抗
2023-02-21 16:01:16
什么是堆疊式共源共柵?低阻抗功率半導體開關有哪些關鍵特性?低阻抗功率半導體開關有哪些應用優(yōu)勢?
2021-06-26 06:14:32
所在各類半導體功率器件中,未來增長強勁的產(chǎn)品將是 MOSFET 與 IGBT 模塊。目前,全球功率半導體市場仍由歐美日企業(yè)主導,其中英飛凌以 19%的市占率占據(jù)絕對領先地位。全球功率半導體前十名供應商
2022-11-11 11:50:23
所在各類半導體功率器件中,未來增長強勁的產(chǎn)品將是 MOSFET 與 IGBT 模塊。目前,全球功率半導體市場仍由歐美日企業(yè)主導,其中英飛凌以 19%的市占率占據(jù)絕對領先地位。全球功率半導體前十名供應商
2022-11-11 11:46:29
變速驅動的需求是什么兼顧性能、成本的高壓功率半導體驅動IC應用
2021-04-21 07:06:40
升級到半橋GaN功率半導體
2023-06-21 11:47:21
公司的主要從事新能源汽車及傳統(tǒng)燃油汽車在內(nèi)的汽車業(yè)務、手機部件及組裝業(yè)務、二次充電電池及光伏業(yè)務,并積極拓展城市軌道交通業(yè)務領域;而比亞迪半導體主營功率半導體、智能控制 IC、智能傳感器及光電半導體
2021-05-14 20:17:31
國貨之光!比亞迪半導體IGBT帶快速恢復二極管,變頻器,逆變器,UPS,焊機,
2022-09-29 19:02:44
電機驅動市場特別是家電市場對系統(tǒng)的能效、尺寸和穩(wěn)健性的要求越來越高?! 闈M足市場需求,意法半導體針對不同的工況提供多種功率開關技術,例如, IGBT和最新的超結功率MOSFET?! ”疚脑趯嶋H
2018-11-20 10:52:44
中方合作伙伴是激光器、機械及工具制造商,醫(yī)療器械生產(chǎn)商或太陽能、半導體領域的設備制造商。半導體激光器模塊輸出模式:耦合輸出和準直自由光輸出(光斑大小可定義) 輸出功率:60W、120W、160W
2009-12-08 09:34:25
大功率半導體激光電源 輸出功率涵蓋10W至500W,具有更高的電光轉換效率半導體直接輸出激光器介紹直接半導體激光器輸出功率涵蓋10W至500W,具有更高的電光轉換效率,輸出功率穩(wěn)定。200W以下
2021-12-29 07:24:31
最新的電源模塊,結合高能效與強固的物理和電氣設計,用于要求嚴苛的工業(yè)應用。展出的電動工具演示將向觀眾演示安森美半導體的電源模塊如何幫助實現(xiàn)緊湊、高能效的設計,以支持較長的電池使用壽命。功率模塊是電源轉換
2018-10-30 09:06:50
手機配件, 回收英飛凌IGBT模塊,回收功率模塊,回收IGBT模塊、IGBT模塊是由IGBT與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產(chǎn)品,具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點。電話151-5220-9946 QQ 2360670759
2021-12-16 16:51:05
器件集成在一起的模塊。它首先是將半導體器件MOSFET, IGBT或MCT 與二極管的芯片封裝在一起組成一個積木單元,然后將這些積木單元迭裝到開孔的高電導率的絕緣陶瓷襯底上,在它的下面依次是銅基板
2019-03-03 07:00:00
常用的功率半導體器件有哪些?
2021-11-02 07:13:30
`根據(jù)Yole Developpement指出,氮化鎵(GaN)組件即將在功率半導體市場快速發(fā)展,從而使專業(yè)的半導體企業(yè)受惠;另一方面,他們也將會發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際
2015-09-15 17:11:46
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
模塊化,按最初的定義是把兩個或兩個以上的電力半導體芯片按一定的電路結構相聯(lián)結,用RTV、彈性硅凝膠、環(huán)氧樹脂等保護材料,密封在一個絕緣的外殼內(nèi),并且與導熱底板相絕緣而成的。
2019-11-11 09:02:31
集成嵌入式功率半導體在電動車窗中有何應用?
2021-05-14 06:11:55
在一些要求高可靠性的應用場合,希望功率半導體器件可以穩(wěn)定運行30年以上。為了達到這個目標,三菱電機開發(fā)了X系列高壓IGBT模塊,特別注重了可靠性方面的設計,并在實際的環(huán)境條件下進行了驗證,結果顯示失效率可以得到明顯降低。本文著介紹在IGBT數(shù)據(jù)手冊上看不到的一些特性。
2019-07-30 06:01:40
IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)是電源應用中相當常見的器件,可用于交流電的電機控制輸出。由安森美半導體(ON Semiconductor)所推出
2019-07-18 06:12:00
服務范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT,第三代半導體器件等分立器件,以及上述元件構成的功率模塊。檢測標準l AEC-Q101分立器件認證l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
三菱電機推出新一代功率半導體模塊
三菱電機株式會社推出新一代功率半導體模塊:第6代NX系列IGBT模塊。第6代NX系列IGBT模塊用于驅動一般工業(yè)變頻
2010-03-24 18:01:351137 賽米控推出其最新的MiniSKiiP IGBT功率半導體模塊,該模塊目前也可提供三電平拓撲結構。與競爭對手的產(chǎn)品相比,新模塊擁有4.9 A/cm2的額定電流
2011-05-06 08:34:24870 《IGBT場效應半導體功率器件導論》以新一代半導體功率器件IGBT為主線,系統(tǒng)地論述了場效應半導體功率器件的基礎理論和工藝制作方面的知識,內(nèi)容包括器件的原理、模型、設計、制
2011-11-09 18:03:370 安森美半導體是領先的功率器件半導體供應商,提供全面的功率器件,包括MOSFET、IGBT、二極管、寬帶隙(WBG)等分立器件及智能功率模塊(IPM)等功率模塊,尤其在收購Fairchild半導體
2017-05-16 16:43:393604 本文介紹了什么是功率半導體器件,對功率半導體器件分類和功率半導體器件優(yōu)缺點進行了分析,分析了功率半導體模塊的發(fā)展趨勢以及功率半導體器件的基本功能和用途。
2018-01-13 09:19:4317515
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