更上一層樓？？？
改動很小，也就是把光模塊的扇出改成激光孔的設(shè)計，客戶就“偷偷瞞著我們”自己修改并投了板。花了大價錢用了激光孔的加工工藝，等板子回來的一刻，心情肯定是激動萬分了，期待測試出來的性能更好。但是
2024-03-19 14:53:25
刻蝕機的刻蝕過程和傳統(tǒng)的雕刻類似，先用光刻技術(shù)將圖形形狀和尺寸制成掩膜，再將掩膜與待加工物料模組裝好，將樣品置于刻蝕室內(nèi)，通過化學(xué)腐蝕或物理磨蝕等方式將待加工物料表面的非掩膜區(qū)域刻蝕掉，以得到所需的凹槽和溝槽。
2024-03-11 15:38:24
459 
SiC器件的核心優(yōu)勢在于其寬禁帶、高熱導(dǎo)率、以及高擊穿電壓。具體來說，SiC的禁帶寬度是硅的近3倍，這意味著在高溫下仍可保持良好的電性能；其熱導(dǎo)率是硅的3倍以上，有利于高功率應(yīng)用中的熱管理。
2024-03-08 10:27:1542 
共讀好書 杜隆純 何勇 劉洪偉 劉曉鵬 （湖南國芯半導(dǎo)體科技有限公司 湖南省功率半導(dǎo)體創(chuàng)新中心） 摘要： 針對SiC功率器件封裝的高性能和高可靠性要求，文章研究了芯片雙面銀燒結(jié)技術(shù)與粗銅線超聲鍵合
2024-03-05 08:41:47104 
的 2.5D/3D 封裝技術(shù)可以實現(xiàn)芯片之間的高速、低功耗和高帶寬的信號傳輸。常見的垂直 TSV 的制造工藝復(fù)雜，容易造成填充缺陷。錐形 TSV 的側(cè)壁傾斜，開口較大，有利于膜層沉積和銅電鍍填充，可降低工藝難度和提高填充質(zhì)量。在相對易于實現(xiàn)的刻蝕條件下制備
2024-02-25 17:19:00119 
影響深硅刻蝕的關(guān)鍵參數(shù)有：氣體流量、上電極功率、下電極功率、腔體壓力和冷卻器。
2024-02-25 10:40:1619 
在半導(dǎo)體加工工藝中，常聽到的兩個詞就是光刻(Lithography)和刻蝕(Etching)，它們像倆兄弟一樣，一前一后的出現(xiàn)，有著千絲萬縷的聯(lián)系，這一節(jié)介紹半導(dǎo)體刻蝕工藝。
2024-01-26 10:01:58547 
干法刻蝕技術(shù)是一種在大氣或真空條件下進行的刻蝕過程，通常使用氣體中的離子或化學(xué)物質(zhì)來去除材料表面的部分，通過掩膜和刻蝕參數(shù)的調(diào)控，可以實現(xiàn)各向異性及各向同性刻蝕的任意切換，從而形成所需的圖案或結(jié)構(gòu)
2024-01-20 10:24:561106 
使用SEMulator3D?工藝步驟進行刻蝕終點探測 作者：泛林集團 Semiverse Solutions 部門軟件應(yīng)用工程師 Pradeep Nanja 介紹 半導(dǎo)體行業(yè)一直專注于使用先進的刻蝕
2024-01-19 16:02:42128 
對DRIE刻蝕，是基于氟基氣體的高深寬比硅刻蝕技術(shù)。與RIE刻蝕原理相同，利用硅的各向異性，通過化學(xué)作用和物理作用進行刻蝕。不同之處在于，兩個射頻源：將等離子的產(chǎn)生和自偏壓的產(chǎn)生分離
2024-01-14 14:11:59510 
在紅外探測器的制造技術(shù)中，臺面刻蝕是完成器件電學(xué)隔離的必要環(huán)節(jié)。
2024-01-08 10:11:01206 
探索SiC外延層的摻雜濃度控制與缺陷控制，揭示其在高性能半導(dǎo)體器件中的關(guān)鍵作用。
2024-01-08 09:35:41623 
等大功率領(lǐng)域，能顯著提高效率，降低裝置體積。在這些應(yīng)用領(lǐng)域中，對功率器件的可靠性要求很高，為此，針對自主研制的3300V SiC MOSFET 開展柵氧可靠性研究。首先，按照常規(guī)的評估技術(shù)對其進行了高溫
2024-01-04 09:41:54594 
摘要：論述了傳統(tǒng)的集成電路裝片工藝面臨的挑戰(zhàn)以及現(xiàn)有用DAF膜（DieAttachmentFilm，裝片膠膜）技術(shù)進行裝片的局限性；介紹了一種先進的、通過噴霧結(jié)合旋轉(zhuǎn)的涂膠模式制備晶圓背面
2023-12-30 08:09:58337 
SiC具有高效節(jié)能、穩(wěn)定性好、工作頻率高、能量密度高等優(yōu)勢，SiC溝槽MOSFET（UMOSFET）具有高溫工作能力、低開關(guān)損耗、低導(dǎo)通損耗、快速開關(guān)速度等特點
2023-12-27 09:34:56473 
TOPCon 電池的制備工序包括清洗制絨、正面硼擴散、BSG 去除和背面刻蝕、氧化層鈍化接觸制備、正面氧化鋁沉積、正背面氮化硅沉積、絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)和測試分選，約 12 步左右。從技術(shù)路徑角度：LPCVD 方式為目前量產(chǎn)的主流工藝，預(yù)計 PECVD 路線有望成為未來新方向。
2023-12-26 14:59:112707 
SiC材料具有優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性、耐腐蝕性、熱導(dǎo)性能和機械強度等優(yōu)勢，因此受到廣泛關(guān)注和應(yīng)用。
2023-12-26 10:13:44462 
合的生產(chǎn)
工藝就直接影響了HDI板成品的可靠性，壓合的方法也尤為重要，本文主要介紹HDI（盲、埋
孔）板的壓合
工藝問題。
機械盲
孔板壓合
壓合是利用高溫高壓使半固化片受熱融化，并使其流動，再轉(zhuǎn)變?yōu)楣袒?/div>
2023-12-25 14:09:38
在新能源產(chǎn)業(yè)強勁需求下，全球SiC產(chǎn)業(yè)步入高速成長期，推升了對SiC襯底產(chǎn)能的需求。
2023-12-19 10:09:18294 
該專利詳細闡述了一種針對含硅有機介電層的高效刻蝕方法及相應(yīng)的半導(dǎo)體工藝設(shè)備。它主要涉及到通過交替運用至少兩個刻蝕步驟來刻蝕含硅有機介電層。這兩個步驟分別為第一刻蝕步驟和第二刻蝕步驟。
2023-12-06 11:58:16370 
W刻蝕工藝中使用SF6作為主刻步氣體，并通過加入N2以增加對光刻膠的選擇比，加入O2減少碳沉積。在W回刻工藝中分為兩步，第一步是快速均勻地刻掉大部分W，第二步則降低刻蝕速率減弱負載效應(yīng)，避免產(chǎn)生凹坑，并使用對TiN有高選擇比的化學(xué)氣體進行刻蝕。
2023-12-06 09:38:531536 SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究
2023-11-30 15:56:02345 
還沒使用SiC FET？快來看看本文，秒懂SiC FET性能和優(yōu)勢！
2023-11-29 16:49:23273 
在晶圓生產(chǎn)工藝的結(jié)尾，有些晶圓需要被減?。ňA減?。┎拍苎b進特定的封裝體重，以及去除背面損傷或結(jié)；對于有將芯片用金-硅共晶封裝中的芯片背面要求鍍一層金（背面金屬化，簡稱背金）；
2023-11-29 12:31:26203 
半導(dǎo)體前端工藝（第四篇）：刻蝕——有選擇性地刻蝕材料，以創(chuàng)建所需圖形
2023-11-27 16:54:26256 
濕法刻蝕由于成本低、操作簡單和一些特殊應(yīng)用，所以它依舊普遍。
2023-11-27 10:20:17452 
合封芯片工藝是一種先進的芯片封裝技術(shù)，將多個芯片或不同的功能的電子模塊封裝在一起，從而形成一個系統(tǒng)或子系統(tǒng)。合封芯片更容易實現(xiàn)更復(fù)雜、更高效的任務(wù)。本文將從合封芯片工藝的工作原理、應(yīng)用場景、技術(shù)要點等方面進行深入解讀。
2023-11-24 17:36:32332 近日，一家日本廠商發(fā)布了一種全新的SiC晶圓劃片工藝，與傳統(tǒng)工藝相比，這項技術(shù)可將劃片速度提升100倍，而且可以幫助SiC廠商增加13%的芯片數(shù)量。
2023-11-21 18:15:09901 
在芯片制程中，很多金屬都能用等離子的方法進行刻蝕，例如金屬Al，W等。但是唯獨沒有聽說過干法刻銅工藝，聽的最多的銅互連工藝要數(shù)雙大馬士革工藝，為什么？
2023-11-14 18:25:332618 
但是里面也有幾個關(guān)鍵的工藝參數(shù)需要控制的。同樣Etch GaAs也可以用ICP干法刻蝕的工藝，比濕法工藝效果要好些，側(cè)壁也垂直很多。
2023-11-14 09:31:29406 晶圓承載系統(tǒng)是指針對晶圓背面減薄進行進一步加工的系統(tǒng)，該工藝一般在背面研磨前使用。晶圓承載系統(tǒng)工序涉及兩個步驟：首先是載片鍵合，需將被用于硅通孔封裝的晶圓貼附于載片上;其次是載片脫粘，即在如晶圓背面凸點制作等流程完工后，將載片分離。
2023-11-13 14:02:491410 
點擊藍字?關(guān)注我們 對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關(guān)性能優(yōu)勢。它是電壓
2023-11-02 19:10:01361 
下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列，進行詳細介紹
2023-11-01 14:46:19736 
為什么TPS54331DR這個DCDC芯片這么多人用的，有什么優(yōu)勢？
2023-10-27 06:13:48
碳化硅(SiC)技術(shù)已達到臨界點，即不可否認的優(yōu)勢推動技術(shù)快速采用的狀態(tài)。 如今，出于多種原因，希望保持競爭力并降低長期系統(tǒng)成本的設(shè)計人員正在轉(zhuǎn)向基于SiC的技術(shù)，其中包括： 降低總擁有
2023-10-13 09:24:17824 刻蝕（或蝕刻）是從晶圓表面去除特定區(qū)域的材料以形成相應(yīng)微結(jié)構(gòu)。但是，在目標材料被刻蝕時，通常伴隨著其他層或掩膜的刻蝕。
2023-10-07 14:19:252067 
有過深硅刻蝕的朋友經(jīng)常會遇到這種情況：在一片晶圓上不同尺寸的孔或槽刻蝕速率是不同的。
2023-10-07 11:29:171446 
，華潤微電子在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域匠心深耕，利用全產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢，從產(chǎn)品設(shè)計、制造工藝、封裝技術(shù)和系統(tǒng)應(yīng)用等方面大力推進SiC器件產(chǎn)品產(chǎn)業(yè)化。華潤微SiC SBD系列產(chǎn)品具有可媲美國際先進水平的卓越產(chǎn)品性能，均已
2023-10-07 10:12:26
在半導(dǎo)體制造中，刻蝕工序是必不可少的環(huán)節(jié)。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕，這兩種技術(shù)各有優(yōu)勢，也各有一定的局限性，理解它們之間的差異是至關(guān)重要的。
2023-09-26 18:21:003305 
在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-09-24 17:42:03995 
硅碳化物(SiC)技術(shù)已經(jīng)達到了臨界點，即無可否認的優(yōu)勢推動一項技術(shù)快速被采用的狀態(tài)。
2023-09-07 16:13:00659 
，整個配電網(wǎng)絡(luò)被移至晶圓的背面。硅通孔（TSV）將電源直接從背面傳送到正面，而無需電子穿過芯片正面上日益復(fù)雜的后道工序（BEOL）堆棧。 圖1. 背面供電網(wǎng)絡(luò)的示意圖，該網(wǎng)絡(luò)允許將電力傳輸與信號網(wǎng)絡(luò)解耦。 背面供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）的目標是緩解
2023-09-05 16:39:38464 
背面電力傳輸打破了在硅晶圓正面處理信號和電力傳輸網(wǎng)絡(luò)的長期傳統(tǒng)。通過背面供電，整個配電網(wǎng)絡(luò)被移至晶圓的背面。硅通孔 (TSV) 將電源直接從背面傳送到正面，而無需電子穿過芯片正面日益復(fù)雜的后道工序 (BEOL) 堆棧。
2023-08-30 10:34:20547 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SiC應(yīng)用優(yōu)勢及趨勢.pdf》資料免費下載
2023-08-29 16:24:51
1 濕法刻蝕由于精度較差，只適用于很粗糙的制程，但它還是有優(yōu)點的，比如價格便宜，適合批量處理，酸槽里可以一次浸泡25張硅片，所以有些高校和實驗室，還在用濕法做器件，芯片廠里也會用濕法刻蝕來顯露表面缺陷（defect），腐蝕背面多晶硅。
2023-08-28 09:47:44890 
識別，從而顯著提高系統(tǒng)性能。碲鎘汞材料、量子阱材料和銻化物Ⅱ類超晶格材料均可用于制備雙色紅外探測器。其中，InAs/GaSb Ⅱ類超晶格材料因其帶隙靈活可調(diào)、電子有效質(zhì)量更大、大面積均勻性高等特點以及成本優(yōu)勢，成為制備雙色
2023-08-25 09:16:42886 
光刻蝕（Photolithography）是一種在微電子和光電子制造中常用的加工技術(shù)，用于制造微細結(jié)構(gòu)和芯片元件。它的基本原理是利用光的化學(xué)和物理作用，通過光罩的設(shè)計和控制，將光影投射到光敏材料上，形成所需的圖案。
2023-08-24 15:57:422265 前言新能源汽車依舊火熱，今年上半年國內(nèi)銷量突破370萬輛，比亞迪、特斯拉、豐田、現(xiàn)代、吉利、上海大眾、日產(chǎn)等車企都已經(jīng)在引入SIC器件。為何車企都采用SiC器件？SiC器件具備哪些優(yōu)勢？碳化硅
2023-08-17 16:41:23816 
PVP可以在刻蝕過程中形成一層保護性的膜，降低刻蝕劑對所需刻蝕材料的腐蝕作用。它可以填充材料表面的裂縫、孔洞和微小空隙，并防止刻蝕劑侵入。這樣可以減少不需要的蝕刻或損傷，提高刻蝕的選擇性。
2023-08-17 15:39:392855 在半導(dǎo)體前端工藝第三篇中，我們了解了如何制作“餅干模具”。本期，我們就來講講如何采用這個“餅干模具”印出我們想要的“餅干”。這一步驟的重點，在于如何移除不需要的材料，即“刻蝕（Etching）工藝”。
2023-08-10 15:06:10505 刻蝕（Etching）的目的是在材料表面上刻出所需的圖案和結(jié)構(gòu)。刻蝕的原理是利用化學(xué)反應(yīng)或物理過程，通過移除材料表面的原子或分子，使材料發(fā)生形貌變化。
2023-08-01 16:33:383904 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/周凱揚）在半導(dǎo)體制造的各路工序中，尤其是前道工序中，技術(shù)難度最大的主要三大流程當(dāng)屬光刻、刻蝕和薄膜沉積了。這三大工藝的先進程度直接決定了晶圓廠所能實現(xiàn)的最高工藝節(jié)點，所用產(chǎn)品
2023-07-30 03:24:481556 
刻蝕和蝕刻實質(zhì)上是同一過程的不同稱呼，常常用來描述在材料表面上進行化學(xué)或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過程。在半導(dǎo)體制造中，這個過程常常用于雕刻芯片上的細微結(jié)構(gòu)。
2023-07-28 15:16:594138 最近有許多正在全球范圍內(nèi)研究和開發(fā)的技術(shù)，例如晶體管GAA（Gate All around）、背面供電以及3D IC。
2023-07-26 18:21:581843 
及能譜儀分析接頭的顯微組織、元素分布，通過X射線檢測儀測定接頭的孔洞率，研究GaAs芯片背面和MoCu基板表面的鍍層與焊料之間的相互作用以及焊縫的凝固過程。GaAs芯片背面的Au層部分溶解在AuSn焊料
2023-07-15 14:01:421276 
第一種是間歇式刻蝕方法(BOSCH)，即多次交替循環(huán)刻蝕和淀積工藝，刻蝕工藝使用的是SF6氣體，淀積工藝使用的是C4F8氣體
2023-07-14 09:54:463213 
背面實施流程已通過成功的 SF2 測試芯片流片得到驗證。這是 2nm 設(shè)計的一項關(guān)鍵功能，但可能會受到三星、英特爾和臺積電缺乏布線的限制，而是在晶圓背面布線并使用過孔連接電源線。
2023-07-05 09:51:37460 在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設(shè)計好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進行刻蝕工藝，以去除不必要的材料，只保留所需的圖形。
2023-06-28 10:04:58843 
圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。其中，刻蝕工藝是光刻(Photo)工藝的下一步，用于去除光刻膠(Photo Resist
2023-06-26 09:20:10816 
英特爾表示，它是業(yè)內(nèi)第一個在類似產(chǎn)品的測試芯片上實現(xiàn)背面供電的公司，實現(xiàn)了推動世界進入下一個計算時代所需的性能。PowerVia 將于 2024 年上半年在英特爾 20A 工藝節(jié)點上推出，正是英特爾業(yè)界領(lǐng)先的背面供電解決方案。它通過將電源路由移動到晶圓的背面，解決了面積縮放中日益嚴重的互連瓶頸問題。
2023-06-20 15:39:06326 離子束蝕刻 (Ion beam etch) 是一種物理干法蝕刻工藝。由此，氬離子以約1至3keV的離子束輻射到表面上。由于離子的能量，它們會撞擊表面的材料。晶圓垂直或傾斜入離子束，蝕刻過程是絕對
2023-06-20 09:48:563989 
基于SiC器件的電力電子變流器研究
2023-06-20 09:36:23410 
在半導(dǎo)體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細圖案。半導(dǎo)體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設(shè)備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-06-15 17:51:571176 
時，，另一次是其它非盤中孔的電鍍。按照IPC-A-6012里面的規(guī)定，最小的過孔孔銅二級是18um，平均孔銅是20um，三級是最小20um，平均孔銅是25um。如果按照IPC二級標準，使用1/3OZ基銅
2023-06-14 16:33:40
光刻工藝后，在硅片或晶圓上形成了光刻膠的圖形，下一步就是刻蝕。
2023-06-08 10:52:353314 
英特爾率先在產(chǎn)品級芯片上實現(xiàn)背面供電技術(shù)，使單元利用率超過90%，同時也在其它維度展現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的性能。 英特爾宣布在業(yè)內(nèi)率先在產(chǎn)品級測試芯片上實現(xiàn)背面供電（backside power
2023-06-06 16:22:00314 外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上，經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片，可進一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應(yīng)用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:092823 
經(jīng)過前端工藝處理并通過晶圓測試的晶圓將從背面研磨（Back Grinding）開始后端處理。背面研磨是將晶圓背面磨薄的工序，其目的不僅是為了減少晶圓厚度，還在于聯(lián)結(jié)前端和后端工藝以解決前后兩個工藝
2023-05-22 12:44:23691 
經(jīng)過前端工藝處理并通過晶圓測試的晶圓將從背面研磨（Back Grinding）開始后端處理。背面研磨是將晶圓背面磨薄的工序，其目的不僅是為了減少晶圓厚度，還在于聯(lián)結(jié)前端和后端工藝以解決前后兩個工藝
2023-05-12 12:39:18759 
圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。
2023-04-28 11:24:271073 
主要講述 PCB Layout 中焊盤和過孔的設(shè)計標準及工藝要求，包括 BGA 焊盤。
一、 過孔的設(shè)置（適用于二層板，四層板和多層板）孔的設(shè)計
過線孔：制成板的最小孔徑定義取決于板厚度
2023-04-25 18:13:15
利。
工藝性設(shè)計要考慮：
a）自動化生產(chǎn)所需的傳送邊、定位孔、光學(xué)定位符號；
b）與生產(chǎn)效率有關(guān)的拼板；
c）與焊接合格率有關(guān)的元件封裝選型、基板材質(zhì)選擇、組裝方式、元件布局、焊盤設(shè)計、阻焊
2023-04-25 16:52:12
本篇要講的金屬布線工藝，與前面提到的光刻、刻蝕、沉積等獨立的工藝不同。在半導(dǎo)體制程中，光刻、刻蝕等工藝，其實是為了金屬布線才進行的。在金屬布線過程中，會采用很多與之前的電子元器件層性質(zhì)不同的配線材料（金屬）。
2023-04-25 10:38:49986 
技術(shù)中的個工藝環(huán)節(jié)。通孔回流焊大的好處就是可以在發(fā)揮表面貼裝制造工藝的優(yōu)點的同時使用通孔插件來得到較好的機械連接強度。 通孔回流焊接工藝與波峰焊接工藝相比的優(yōu)勢 1、通孔回流焊接工藝首先是減少
2023-04-21 14:48:44
等離子體均勻性和等離子體位置的控制在未來更加重要。對于成熟的技術(shù)節(jié)點，高的產(chǎn)量、低的成本是與現(xiàn)有生產(chǎn)系統(tǒng)競爭的關(guān)鍵因素。如果可以制造低成本的可靠的刻蝕系統(tǒng)，從長遠來看，可以為客戶節(jié)省大量費用，有可能
2023-04-21 09:20:221347 壓力主要控制刻蝕均勻性和刻蝕輪廓，同時也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會改變電子和離子的平均自由程(MFP),進而影響等離子體和刻蝕速率的均勻性。
2023-04-17 10:36:431922 的電氣參量;然后研究分析了功率器件結(jié)溫測量的各類方法， 并重點闡述了溫敏電參數(shù) (TSEP) 法在 SiC MOSFET 結(jié)溫評估領(lǐng)域的應(yīng)用前景， 從線性度、 靈敏度等 6 個方面對比分析了 各方
2023-04-15 10:03:061452 我們聊了關(guān)于UPS的概念和分類，以及在線式UPS的三個工作模式。第三代寬禁帶半導(dǎo)體WBG的誕生和發(fā)展，讓很多使用Si基半導(dǎo)體器件的行業(yè)得到提升，今天我們就簡單地聊聊SiC在UPS中的應(yīng)用優(yōu)勢。
2023-04-14 14:35:10788 
金屬刻蝕具有良好的輪廓控制、殘余物控制，防止金屬腐蝕很重要。金屬刻蝕時鋁中如果 有少量銅就會引起殘余物問題，因為Cu Cl2的揮發(fā)性極低且會停留在晶圓表面。
2023-04-10 09:40:542330 DRAM柵工藝中，在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層，然后再使用氯元素刻蝕多晶硅。
2023-04-07 09:48:162198 SIC438BEVB-B
2023-04-06 23:31:02
PCB生產(chǎn)商的通孔插裝工藝模板的印刷方法有幾種？
2023-04-06 16:12:14
的藍牙模組/NBlot模組，這些不可或缺的通信模組可以像芯片一樣焊接到PCB板上。這些小載板特點為：尺寸較小、單元邊有整排金屬化半孔，通過這些金屬化半孔與母板以及元器件的引腳焊接到一起，行業(yè)內(nèi)對于這種
2023-03-31 15:03:16
介紹了SIC碳化硅材料的特性，包括材料結(jié)構(gòu)，晶體制備，晶體生長，器件制造工藝細節(jié)等等。。。歡迎大家一起學(xué)習(xí)
2023-03-31 15:01:4817 陜西光電子先導(dǎo)院先進光子器件工程創(chuàng)新平臺3月30日在西安全面啟用。該平臺具備光子芯片制程中的光刻、刻蝕、蒸鍍等多項核心工藝，將為光子產(chǎn)業(yè)項目提供產(chǎn)品研發(fā)、中試、檢測等全流程技術(shù)服務(wù)，為光子產(chǎn)業(yè)各類
2023-03-30 19:09:10410 
FinFET三維器件也可以用體硅襯底制作，這需要更好地控制單晶硅刻蝕工藝，如CD、深度和輪廓。
2023-03-30 09:39:182458 V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的這些產(chǎn)品將有助于應(yīng)用的小型化并提高模塊的性能和可靠性。另外
2023-03-29 15:06:13
，大概是12um(基銅)+20um(盤中孔孔銅)+20um(非盤中孔孔銅)，總的銅厚度在52um左右。從上面POFV的工藝流程中，我們可以看出第5工序有減銅的流程，但是通常銅厚不能減太多，大概在
2023-03-27 14:33:01
作為半導(dǎo)體制造的后工序，封裝工藝包含背面研磨(Back Grinding)、劃片(Dicing)、芯片鍵合(Die Bonding)、引線鍵合(Wire Bonding)及成型(Molding)等步驟。
2023-03-27 09:33:377222 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論