? ? ??IGBT的四個主要參數(shù) ? ? ? IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極晶體管）是一種功率半導(dǎo)體器件，用于控制大電流和高電壓。它的四個
2024-03-22 08:37:29
18 
的中間特性。具有超級電容器和鋰離子電池的中間特性，體積小、容量大、充電快、能量密度功率密度高等優(yōu)點。主要參數(shù)： 產(chǎn)品尺寸：產(chǎn)品優(yōu)點：
2024-03-12 13:59:27
和電子元件連接。 獨石電容參數(shù)主要包括容值、電壓系列、額定電流、溫度系數(shù)、額定電壓、失效率等。 首先，容值是指獨石電容器所能存儲的電荷量大小，通常以法拉為單位表示。容值決定了電容器的電荷和電壓之間的關(guān)系，越大的容值意
2024-03-07 13:53:06201 玻璃管保險絲的工作原理及主要參數(shù)? 玻璃管保險絲是一種常見的過載保護元件，通常由玻璃管和內(nèi)部金屬絲構(gòu)成。當(dāng)電流大于設(shè)定值時，保險絲會斷開電路，以保護電路和電器設(shè)備不受過載損壞。 玻璃管
2024-03-05 17:29:07166 三極管作為一種重要的半導(dǎo)體器件，在電子電路中起著至關(guān)重要的作用。
2024-02-26 18:26:27742 在溫度補償晶體振蕩器的實際應(yīng)用中，除了標稱頻率、PPM精度和溫度穩(wěn)定性等主要參數(shù)外，還有一些其他重要參數(shù)需要注意。在標準電源電壓、標準負載電容阻抗、參考溫度等條件不變的情況下，溫度補償晶體振蕩器的頻率精度可以達到0.5PPM以上。
2024-02-26 18:05:31624 
晶體管是現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的元件，它的性能參數(shù)直接影響著設(shè)備的工作效率和穩(wěn)定性。晶體管的主要參數(shù)有最大漏極電壓、最大集電極電流、最大功耗、最大封裝溫度、最大峰值電流等。
2024-02-23 10:04:37207 硬件設(shè)計好不好，電容參數(shù)知多少？ 原文整理自書籍《硬件設(shè)計指南》 電容是我們電子電路設(shè)計中最常用的元件之一，除了基本的電容容值之外，電容還有其他6大參數(shù)，你知道幾個呢？本文章介紹MLCC陶瓷電容
2024-02-21 15:10:26154 
安規(guī)電容器降壓原理** **主要是利用電容在一定交流信號頻率下產(chǎn)生的容抗來限制最大工作電流。
2024-02-20 15:09:55739 
晶振的作用、原理以及主要參數(shù)。 一、晶振的作用： 晶振的主要作用是產(chǎn)生穩(wěn)定的時鐘信號，用于同步電子設(shè)備中的各個模塊的工作。因為晶振產(chǎn)生的振蕩頻率非常穩(wěn)定，能夠提供高精度的定時信號，因此晶振在數(shù)字電路和通信系統(tǒng)中具有重要的作用。穩(wěn)定的時鐘
2024-02-04 10:08:51392 電容參數(shù)中電容值、額定電壓、精度和溫度系數(shù)分別是什么？ 電容參數(shù)是指描述電容器性能和特性的一些重要參數(shù)。它們包括電容值、額定電壓、精度和溫度系數(shù)等。 首先，電容值是指電容器的存儲電荷能力，其單位
2024-02-03 14:49:03256 CapSenseMtkTool 工具中的CP參數(shù)上限值100這里的參數(shù)主要是測試什么的，麻煩解釋下，謝謝！
2024-02-02 06:11:00
電容是電子器件中常見的元件之一，用于存儲和釋放電能。在電子產(chǎn)品中，不同型號和參數(shù)的電容具有不同的特性和應(yīng)用。 一、電容的基本概念和分類 電容的基本概念： 電容是由兩個導(dǎo)體板之間隔開一層絕緣材料
2024-01-30 14:06:111297
電阻和電容選型，配置參數(shù)怎么確定，謝謝！
2024-01-25 07:46:54
電容器是電子電路中不可或缺的元件之一，它主要用于儲存和釋放電能，在電路中起到耦合、旁路、濾波、調(diào)諧等多種作用。了解和識別電容的參數(shù)對于正確選擇和使用電容器至關(guān)重要。本文將詳細介紹電容的主要參數(shù)及其
2024-01-23 11:42:18609 二極管是電子器件中常見的一種元件，廣泛應(yīng)用于電路中。二極管具有許多主要參數(shù)，這些參數(shù)在選擇和使用二極管時至關(guān)重要。在本文中，我將詳細介紹二極管的主要參數(shù)以及使用中需要特別注意的參數(shù)。 額定電流
2024-01-23 11:37:35503 TVS反向工作時，在規(guī)定的IR條件下，TVS兩極的電壓值稱為額定反向工作電壓VWM.一般情況，VWM=（0.8~0.9）VBR，離散度為5%的TVS，VWM=0.85VBR（5%）;離散度為10%的TVS，VWM=0.81VBR（10%）。
2024-01-19 15:38:47427 
射頻功率放大器是一種將射頻信號放大到更高功率級別的電子設(shè)備。根據(jù)其工作原理和應(yīng)用要求，射頻功率放大器可以分為不同的類型。下面西安安泰將介紹一些常見的射頻功率放大器類型和相關(guān)的主要參數(shù)
2024-01-17 16:55:31152 
對于電容，大家應(yīng)該都聽說過，電容器是一種常見的電子元件，它的主要功能是儲存和釋放電能。下面我們就了解一下電容的作用。 隔直流：作用是阻止直流通過而讓交流通過。 旁路（去耦）：為交流電路中某些并聯(lián)
2024-01-17 16:21:01379 
于微型機器人、車輛模型、航模及其他小型機械裝置。其主要參數(shù)如下： 工作電壓：4.8-6V 工作角度：0-180度 扭力：1.8kg/cm 速度：0.1秒/60度 MG996R舵機 MG996R是一種較大型的舵機，具有較高的扭力和速度，適用于大型機器人和裝置。以下是其主要參數(shù)
2024-01-16 10:35:531408 逆變器是一種將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的電子設(shè)備，廣泛應(yīng)用于太陽能光伏發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、電動汽車等領(lǐng)域。在選擇合適的逆變器時，需要關(guān)注其主要參數(shù)，以確保逆變器的性能和可靠性。那么逆變器的主要參數(shù)要求
2024-01-09 17:31:23366 我們在電源濾波電路上可以看到各種各樣的電容，100uF，10uF，100nF，10nF不同的容值，那么這些參數(shù)是如何確定的？
數(shù)字電路要運行穩(wěn)定可靠，電源一定要”干凈“，并且能量補充一定要及時
2024-01-09 08:25:59
選購電容器時需要注意的參數(shù)有很多，這些參數(shù)將直接影響電容器的性能和適用場景。首先，電容器的額定電壓是一個非常重要的參數(shù)。
2024-01-03 18:13:07450 三電平拓撲中的飛跨電容是指在電路的輸出端使用電容來實現(xiàn)零電壓開關(guān)，從而降低電壓應(yīng)力和功率損耗。在設(shè)計飛跨電容參數(shù)時，需要考慮電容的額定電壓、容值以及電容的壓降。 首先，電容的額定電壓是指電容器能夠
2024-01-02 15:41:49591 瞬態(tài)抑制二極管(TVS)的主要參數(shù)？|深圳比創(chuàng)達電子
2023-12-27 10:36:18206 
有必要定期檢查和測試電容器的好壞。本文將詳細介紹如何測量一個1000μF電容器的好壞以及常見故障的排除方法。 第一部分：電容器的基本知識 在開始測量之前，我們需要了解一些關(guān)于電容器的基本知識。電容器的主要參數(shù)是電容量（以法
2023-12-20 10:33:58762 霍爾元件的主要參數(shù)及其用途 引起霍爾元件誤差的因素? 霍爾元件是一種基于霍爾效應(yīng)的電子元件，廣泛應(yīng)用于測量、檢測、繼電器、電子開關(guān)、電子計算機、儀表、傳感器等領(lǐng)域。 一、霍爾元件的主要參數(shù)及其用途
2023-12-18 15:02:42744 晶振的主要參數(shù)，包括頻率、頻率穩(wěn)定性、工作溫度范圍? 晶振是一種被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的元器件，它具有穩(wěn)定的頻率和精確的時間基準。在電子設(shè)備中，晶振通常用于時鐘電路、調(diào)制解調(diào)器、通信設(shè)備等場合
2023-12-18 14:16:34495 Mbit/s。 超快速模式是一種單向模式，數(shù)據(jù)傳輸速度高達 5 Mbit/s。以下內(nèi)容主要討論在標準模式和快速模式下I2C硬件設(shè)計的注意事項。
2023-12-04 14:02:16721 
根據(jù)CN0129做好了電容擴展電路，請問在軟件里需要設(shè)置什么參數(shù)嗎。為什么軟件里還是最大只能顯示±4pF.
急求，謝謝！！
2023-12-04 08:07:57
額定阻值（Resistance value）：電阻器的阻值是指在標準工作條件下的電阻值，通常以歐姆（Ω）為單位。
2023-12-01 09:16:48592 儲存電荷：電容器能夠存儲電荷，當(dāng)電容器兩端施加電壓時，正負電荷會在電容器的兩個極板上積聚，形成電場。
2023-12-01 09:15:46515 PCIE-5565型反射內(nèi)存卡是一款高性能、高可靠性的內(nèi)存卡，廣泛應(yīng)用于航空航天、工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。下面將詳細介紹PCIE-5565型反射內(nèi)存卡的主要參數(shù)。
2023-11-29 16:09:48224 智能快遞柜、智能生鮮柜、電子存儲柜、超市寄存柜、智能送餐柜、電子更衣柜、檔案柜等物聯(lián)網(wǎng)終端設(shè)備，都是采用電磁鎖控制，這種電磁鎖控制板俗稱鎖控板。鎖控板可以遠程控制儲物柜的開關(guān)以及遠程監(jiān)控并提供鎖的反饋信號。沐渥開發(fā)的24路電磁鎖控板可以控制24路電磁鎖和24路指示燈，直流供電，接收儲物柜控制主板發(fā)出指令后控制儲物柜門開關(guān)。一、產(chǎn)品特點：1）支持24路帶鎖狀態(tài)
2023-11-23 16:35:28215 
磁珠的工作原理、主要參數(shù)及選型 磁珠是目前廣泛應(yīng)用于生物分子分離和純化的一種高效分離材料。它的工作原理基于磁珠本身含有磁性材料，可以通過外加磁場來實現(xiàn)快速分離。本文將詳細介紹磁珠的工作原理、主要參數(shù)
2023-11-22 18:18:201142 鉭電容的主要性能參數(shù)有哪些？鉭電容如何選型？陶瓷電容會完全替代鉭電容嗎？ 鉭電容是一種常見的電容器，由鉭元件和電解液組成。它具有以下幾個主要性能參數(shù)： 1. 額定電容量（Rated
2023-11-22 17:26:36623 SSC英文全稱：Spread Spectrum Clocking，中文名擴頻時鐘。
2023-11-22 16:35:021822 
“ 電容是電子學(xué)三大基本無源器件之一。電容種類繁多，知識體系更為龐雜，常有因為對電容認識不深，存在一些不正確的使用，造成失效問題。本文系統(tǒng)講解電容的知識，第一部分介紹電容的原理和主要參數(shù)；第二部
2023-11-03 16:56:55626 
“ 本篇介紹鉭電解電容，同樣分3 個小節(jié)介紹：第一小節(jié)介紹鉭電解電容的結(jié)構(gòu)和生產(chǎn)加工工藝流程；第二小節(jié)為鉭電解電容主要性能參數(shù)的變化特點，涉及到如何應(yīng)用等方面；第三小節(jié)為介紹鉭電解電容使用中的可靠性
2023-11-03 16:50:451043 
二極管作為半導(dǎo)體器件，在電子電路應(yīng)用中非常廣泛，可以用于電源輸入防反接，整流，多路信號選擇，DCDC續(xù)流等等。
2023-10-28 11:41:431113 
供應(yīng)APG095N01 100v 65a 的mos管-G095N01 mos管主要參數(shù)，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供APG095N01 規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊、應(yīng)用料資請向驪微電子申請。>>
2023-10-27 17:14:45
晶體管的主要參數(shù)包括以下幾個方面。
2023-10-25 09:35:39672 MT8195安卓核心板,MT8195核心板主要參數(shù),安卓智能模組?；谂_積電6納米工藝制造的芯片。它采用了4個Cortex-A78大核和4個Cortex-A55小核，搭配Mali-G57MC5 GPU和APU 3.0，算力高達4 TOPs。
2023-10-19 18:26:19652 
假如你開發(fā)了一個網(wǎng)站或者一個app把他放到服務(wù)器上，之后你把它發(fā)布到了網(wǎng)上，運行良好，每天有幾百人的訪問量，用戶量不大，能快速地響應(yīng)用戶的請求。
2023-10-15 09:55:27337 
了解TTL邏輯門電路的主要參數(shù)及測試方法。
2023-10-10 16:33:10822 
無刷電機的換向速度主要和什么參數(shù)有關(guān)系
2023-10-10 07:59:24
IGBT是如今被廣泛應(yīng)用的一款新型復(fù)合電子器件，而IGBT測試也變的尤為重要，其中動態(tài)測試參數(shù)是IGBT模塊測試一項重要內(nèi)容，IGBT動態(tài)測試參數(shù)是評估IGBT模塊開關(guān)性能的重要依據(jù)。其動態(tài)測試參數(shù)主要有：主要參數(shù)有開關(guān)參數(shù)、柵極電阻、柵極電荷、寄生電容等。
2023-10-09 15:14:35644 
STM32的ADC采樣頻率主要和什么參數(shù)有關(guān)系
2023-10-09 06:52:31
開環(huán)差分放大倍數(shù)（Aod）。一般對應(yīng)的運放datasheet里面有這個參數(shù)。
2023-10-08 16:36:23492 
使用Sigirty進行PDN仿真時，比較關(guān)鍵的一步是設(shè)置電容的S參數(shù)模型，近來有不少同學(xué)和同行朋友來要一些電容的S參數(shù)模型
2023-10-02 15:04:001022 
一、觸頭的主要參數(shù) 觸頭有四個主要參數(shù)：開距、超程、初壓力和終壓力。 1、開距 開距即觸頭行程，也稱觸頭斷開距離。 2、超程 超程即觸頭在閉合位置時，動靜觸頭移開時的距離。 3、初壓力 初壓力
2023-09-24 15:33:581656 下面從，晶振參數(shù)，MCU規(guī)格書與晶振下關(guān)的內(nèi)容，逐步說明晶振如何選型，原廠如何測試哪些參數(shù)，特殊情況如何處理，大家一起共同進步!
2023-09-14 16:03:132593 
所謂X電容，指的就是X型安規(guī)電容器，常用的主要有X1電容和X2電容兩種類型，很多人對X電容的材質(zhì)不是太了解，X電容屬于陶瓷電容嗎？
2023-09-12 14:37:08973 以上是TDK品牌SPM4010系列繞線功率貼片電感參數(shù)表，功率貼片電感一般使用在DCDC上。
2023-09-11 17:26:131288 
和一個NTC測溫元件，并與一個高性能 8 位單片機相連接。 二.DHT11主要參數(shù) （1）濕度分辨率為8bit，測量精度為±4%RH（25℃），最大的測量范圍為20~90%RH，響應(yīng)時間為6-16秒； （2）溫度分辨率為8bit，測量精度為±1℃，測量范圍為0 50℃，響應(yīng)時間為6 30秒。 （3）傳感器
2023-09-11 11:17:043486 
MOSFET處于導(dǎo)通狀態(tài)下的阻抗。導(dǎo)通阻抗越大，則開啟狀態(tài)時的損耗越大。因此，要盡量減小MOSFET的導(dǎo)通阻抗。
2023-09-06 10:47:40590 
功率二極管主要參數(shù)有哪些？ 功率二極管是一種電子元器件，通常用于控制高電壓和高電流的開關(guān)電路和放大電路中。功率二極管的主要參數(shù)與其使用環(huán)境和應(yīng)用目的有關(guān)。在本文中，我們將詳細討論功率二極管的主要參數(shù)
2023-08-28 17:22:411713 貼片電容能替代膽電容嗎 貼片電容與膽電容是兩種截然不同的電容器件，在電子設(shè)備中具有不同的用途和作用。貼片電容與膽電容的最主要區(qū)別就在于它們的結(jié)構(gòu)和工作原理。貼片電容是一種新型的電容器件，而膽電容則是
2023-08-25 14:38:43397 貼片Y電容是一種小型化的電容器。在電路設(shè)計中，它的作用非常重要。通過控制電容值，可以實現(xiàn)對電路的頻率響應(yīng)、相位響應(yīng)和阻抗匹配等方面的調(diào)整。貼片Y電容存在著很多的規(guī)格參數(shù)。我們知道貼片Y電容的參數(shù)有好多個。其中，最基本的參數(shù)包括電容值、公差、額定電壓、電容器系列等，下面弗瑞鑫將逐一為大家講解。
2023-08-24 09:31:52555 在IOT設(shè)備中，基于全宅聯(lián)控的需求，萬能紅外遙控器也涌現(xiàn)出各種不同的產(chǎn)品形態(tài)。一個好的萬能遙控器要求覆蓋距離遠、范圍廣，而且操作成功率也要高！
2023-08-23 09:18:031254 
鏡頭的主要參數(shù)有焦距、分辨率、工作距離、景深、視野范圍、畸變量等。
2023-08-19 14:28:27941 目前來說說晶振的標稱頻率在1 ~ 200 MHz之間，如3.2768MHz、8MHz、12MHz、24MHz、125MHz等，這些都是晶振的參數(shù)。對于更高的輸出頻率，通常使用PLL將低頻倍頻至1GHz以上，這些都是常見的晶振參數(shù)的
2023-08-10 13:55:252631 
貼片Y電容，是一種電子元件，也被稱作“介質(zhì)電容器”。此類電容器在各種電路中起著重要作用。貼片Y電容，有著一些特殊的規(guī)格參數(shù)，這些參數(shù)需要我們?nèi)チ私?、掌握和?yīng)用。今天弗瑞鑫將會詳細介紹貼片Y電容的規(guī)格參數(shù)。
2023-08-09 11:33:09536 IGBT模塊動態(tài)參數(shù)是評估IGBT模塊開關(guān)性能如開關(guān)頻率、開關(guān)損耗、死區(qū)時間、驅(qū)動功率等的重要依據(jù)，本文重點討論以下動態(tài)參數(shù)：模塊內(nèi)部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數(shù)、柵極充電電荷、IGBT開關(guān)時間參數(shù)，結(jié)合IGBT模塊靜態(tài)參數(shù)可全面評估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543287 
作為電路中廣泛應(yīng)用的電子元件，貼片電容在各種電子產(chǎn)品中都有著不可替代的作用。其中，貼片Y電容是一種特定類型的貼片電容，它的型號參數(shù)對于電子工程師來說是一個重要的參考。今天弗瑞鑫小編將詳細講解貼片Y電容的型號參數(shù)，以幫助讀者更好地了解這種電子元件。
2023-07-25 16:42:02572 光電耦合器，簡稱“光耦”，它是把發(fā)光器（紅外線發(fā)光二極管）與受光器（光敏半導(dǎo)體）封裝在同一管殼內(nèi)，以光為媒介來傳輸電信號的器件。
2023-07-24 15:51:037371 
主要參數(shù)：
1、儀器采用四部分模塊設(shè)計：
1）±5000V電壓控制模塊；
2）高壓放電模塊；
3）衰減電壓隨機測試模塊；
4）靜電衰減時間測試模塊。
2023-07-15 15:04:15325 磁敏電阻是一種對磁敏感且有磁阻效應(yīng)的電阻元件。磁場中物 質(zhì)電阻變化的現(xiàn)象稱為磁阻效應(yīng)。磁阻通常由對磁敏感的半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體材料制成。半導(dǎo)體材料的磁阻效應(yīng)包括物理磁阻效應(yīng)和幾何磁阻效應(yīng)，也稱為磁阻效應(yīng)。當(dāng)添加磁場的方向或強度發(fā)生變化時，磁敏電阻的電阻值會發(fā)生相應(yīng)的變化2。通過這種變化，磁場的相對位移可以準確測試。舉例來說，當(dāng)長方形半導(dǎo)體InSb片沿長度方向有電流通過時，如果在與電流片垂直的寬度方向上施 加磁場，電阻率就會增加。
2023-06-25 17:23:401866 貼片電感有什么基本參數(shù)？
各位，知道并且了解貼片電感嗎？接下來，來帶你了解一下：
貼片電感主要參數(shù)有電感、容許偏差、品質(zhì)因數(shù)、分布電容和額定電流等。
感應(yīng)系數(shù)又稱感應(yīng)器，是表示感應(yīng)器產(chǎn)生自我感應(yīng)能力的物理量。
2023-06-18 15:58:141094 晶振，在板子上看上去一個不起眼的小器件，但是在數(shù)字電路里，就像是整個電路的心臟。
2023-06-18 11:53:39527 
μF，因此普通低頻鋁電解電容器的目標是以提高電容量為主，電容器的電容量、損耗角正切值以及漏電流是鑒別其優(yōu)劣的主要參數(shù)。
2023-06-15 17:56:281169 
碳化硅mosfet有哪些主要參數(shù) 碳化硅MOSFET相關(guān)的主要參數(shù)包括： 1. 閾值電壓（Vth）- 這是MOSFET開啟的電壓。隨著Vth的增加，MOSFET的開關(guān)速度會變慢。 2. 導(dǎo)通電
2023-06-02 14:09:032010 安規(guī)電容是電子設(shè)備中大量使用的電子元件之一，廣泛應(yīng)用于隔直、耦合、旁路、濾波、調(diào)諧回路、能量轉(zhuǎn)換、控制電路等方面。弗瑞鑫電子所代理的安規(guī)電容參數(shù)標志如下： ? 特銳祥安規(guī)電容產(chǎn)品，均采用一致性
2023-05-25 16:55:18414 
整流橋作為一種功率元器件，廣泛應(yīng)用于各種電源設(shè)備。其內(nèi)部主要是由四個二極管組成的橋路來實現(xiàn)把輸入的交流電壓轉(zhuǎn)化為輸出的直流電壓。
2023-05-16 09:20:2519908 
通常，當(dāng)我們選擇r型變壓器時，我們不一定對所有參數(shù)都有如此全面的了解。R型變壓器的主要參數(shù)是什么？他的相應(yīng)功能是什么？有了這些問題，讓我們跟隨小r來學(xué)習(xí)變壓器最常用和最重要的參數(shù)，這樣我們在將來選擇變壓器時就不會感到困惑。
2023-05-12 14:44:491185 
浪涌保護器，是一種為儀器儀表等提供安全防護的電子裝置。當(dāng)電氣回路或者通信線路中因為外界的干擾，比如發(fā)生短路、電源切換突然產(chǎn)生尖峰電流或者電壓時，浪涌保護器能在極短的時間內(nèi)導(dǎo)通分流，從而避免浪涌對回路中其他設(shè)備的損害。
2023-05-09 11:28:364925 
在電路進行EMI設(shè)計時，磁珠是用到的最常見的器件。那么磁珠的特性是什么，它在電路起到什么作用，以及如何選型，下面便是我整理的關(guān)于磁珠的知識，僅作為知識記錄和分享。
2023-05-09 11:07:467686 
的準確之外，也是為了適應(yīng)不同使用環(huán)境的需要，以下是電容液位計需要調(diào)節(jié)好的主要參數(shù): 電容器的容量 電容器的容量越大，其電容值就越大。在開始調(diào)節(jié)參數(shù)前，需要先確定電容器的容量，并根據(jù)電容器的容量選擇相應(yīng)的電容器。
2023-05-08 13:47:16650 
ns級，比氣體放電管快，比TVS管稍慢一些；
2)結(jié)電容：壓敏電阻的結(jié)電容一般在幾百到幾千pF的數(shù)量級范圍，很多情況下不宜直接應(yīng)用在高頻信號線路的保護中，應(yīng)用在交流電路的保護中時，因為其結(jié)電容較大
2023-05-05 17:06:42
本篇是讀懂MOSFET datasheet系列最終篇，主要介紹MOSFET動態(tài)性能相關(guān)的參數(shù)。 主要包括Qg、MOSFET的電容、開關(guān)時間等。 參數(shù)列表如下所示。
2023-04-26 17:52:144759 
電位器是具有三個引出端、阻值可按某種變化規(guī)律調(diào)節(jié)的電阻元件。通常由電阻體和可移動的電刷組成。當(dāng)電刷沿電阻體移動時，在輸出端即獲得與位移量成一定關(guān)系的電阻值或電壓。既可作三端元件使用也可作二端元件使用。后者可視作一可變電阻器，由于它在電路中的作用是獲得與輸入電壓(外加電壓)成一定關(guān)系得輸出電壓，因此稱之為電位器。
2023-04-23 10:35:188605 
參數(shù)。需要用RLGC模型去分析，也就是存在自振頻率?！ ?.貼片電容參數(shù) 電容按材質(zhì)分類可以分為：電解電容、鉭電容，云母電容、紙質(zhì)電容、瓷片電容等。在電路中經(jīng)常應(yīng)用的場合有：儲能，去耦，濾波，隔直流等
2023-04-14 14:56:28
電源逆變器，也稱為逆變器，是一種將DC電轉(zhuǎn)換為交流電的電子電路。實際上，逆變器并不產(chǎn)生電能，但如果有DC電源，它只是將其轉(zhuǎn)換為交流電能。電源逆變器3個關(guān)鍵參數(shù)什么是電源逆變器的典型輸入?當(dāng)然是DC
2023-04-13 16:07:27845 
BNC線材可以通過線材測試機來進行測試它的電阻、電壓、漏電流、斷/短路等參數(shù)。
2023-04-11 10:54:391818 溫度穩(wěn)定度指晶振在溫度變化時輸出頻率的變化范圍，是影響晶振穩(wěn)定性的重要因素。一般情況下，晶振的溫度穩(wěn)定度越高，晶振的性能越好，但成本也越高。在選擇晶振時，需要考慮系統(tǒng)的工作溫度范圍，選擇具有合適溫度穩(wěn)定度的晶振。
2023-04-06 09:44:143490 如何理解參數(shù)-Cch（通道電容）？這是負載電路中用于測量的NVT4858負載電容 嗎？
2023-04-06 06:35:09
。因此，電容CJ是數(shù)據(jù)接口電路選用TVS二極管的重要參數(shù)。在高頻信號線路的保護中，應(yīng)主要選用低結(jié)電容的TVS管，一般低結(jié)電容的TVS管其結(jié)電容可以做到零點幾到幾p F的數(shù)量級了。原作者：銳志創(chuàng)新 老徐的技術(shù)專欄
2023-03-29 11:11:24
寄生參數(shù)。需要用RLGC模型去分析，也就是存在自振頻率?！ ?.貼片電容參數(shù) 電容按材質(zhì)分類可以分為：電解電容、鉭電容，云母電容、紙質(zhì)電容、瓷片電容等。在電路中經(jīng)常應(yīng)用的場合有：儲能，去耦，濾波，隔
2023-03-27 16:22:01
PWM控制器是一種基于脈沖寬度調(diào)制技術(shù)的電子設(shè)備，用于控制電能的輸出或輸出電壓和電流的波形。PWM控制器主要參數(shù)、特點和應(yīng)用如下。
2023-03-23 16:42:226329
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論