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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>什么時候使用負(fù)載開關(guān)取代分立MOSFET

什么時候使用負(fù)載開關(guān)取代分立MOSFET

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本菜鳥一直是用的裸機(jī)開發(fā),也學(xué)習(xí)過操作系統(tǒng),但是一直沒明白什么時候用RTOS,感覺用裸 機(jī)開發(fā)一點(diǎn)問題沒有啊,什么情況下用RTOS呢
2023-06-28 06:54:51

如何使用分立元件構(gòu)建雙向開關(guān)?

現(xiàn)在,讓我們了解如何使用分立元件構(gòu)建雙向開關(guān),以實(shí)現(xiàn)預(yù)期的雙向開關(guān)應(yīng)用。
2023-06-27 17:26:35676

簡單電路斷開負(fù)載

本應(yīng)用筆記展示了外部功率MOSFET如何充當(dāng)負(fù)載斷開開關(guān),并允許開關(guān)穩(wěn)壓器在重負(fù)載和低輸入電壓下啟動。負(fù)載斷開電路將單個NiMH電池輸出升壓至3.3V,并提供600mA輸出電流。設(shè)計采用MAX1703升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器。
2023-06-26 09:28:39464

電源系統(tǒng)開關(guān)控制器的MOSFET選擇

DC/DC 開關(guān)控制器的 MOSFET 選擇是一個復(fù)雜的過程。僅僅考慮 MOSFET 的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的 MOSFET。要想讓 MOSFET 維持在規(guī)定范圍以內(nèi),必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負(fù)載電源系統(tǒng)中,這種情況會變得更加復(fù)雜。
2023-06-09 09:12:22296

電機(jī)什么時候星接,什么時候角接

電機(jī)電工技術(shù)
YS YYDS發(fā)布于 2023-06-08 21:08:35

如何用單PMOS設(shè)計分立負(fù)載開關(guān)

在深入研究關(guān)鍵參數(shù)之前,我們先來看看不同類型的負(fù)載開關(guān)。高壓側(cè)負(fù)載開關(guān)負(fù)載與電源連接或斷開,由外部啟用信號控制開關(guān)將高壓側(cè)電源電流切換到負(fù)載。
2023-06-07 16:12:171363

如何用雙MOS設(shè)計分立負(fù)載開關(guān)?

基于單個MOSFET拓?fù)涞?b class="flag-6" style="color: red">負(fù)載開關(guān)只能阻斷一個方向的電流,由于MOSFET有一個固有的體二極管,如果存在反向電流,它們的作用就像處于導(dǎo)通狀態(tài)的二極管
2023-06-07 16:09:252212

如何用單NMOS設(shè)計分立負(fù)載開關(guān)?

需要通過負(fù)載開關(guān)將電路或子系統(tǒng)與電源斷開有幾個原因,一個非常簡單和常見的原因是,它有助于節(jié)省電力。
2023-06-07 15:35:32877

基于MOSFET的固態(tài)繼電器電路

SSR 或固態(tài)繼電器是高功率電氣開關(guān),無需機(jī)械觸點(diǎn)即可工作,而是使用 MOSFET 等固態(tài)半導(dǎo)體來切換電氣負(fù)載
2023-06-03 15:44:112556

MOSFET對使單刀雙擲開關(guān)變得簡單

借助 n 溝道和 p 溝道 MOSFET,您可以輕松地實(shí)現(xiàn)單刀雙擲 (SPDT) 開關(guān),以隔離電路的一部分,并在電路其余部分關(guān)閉時從次級電源為其供電,以便待機(jī)工作 (圖1 )。通過使用互補(bǔ)對,您可
2023-05-31 17:49:243200

2023年中國半導(dǎo)體分立器件銷售將達(dá)到4,428億元?

于消費(fèi)類電子、安防、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子等領(lǐng)域,是電源、充電器、電池保護(hù)、馬達(dá)驅(qū)動、負(fù)載開關(guān)等不可或缺的器件。 從產(chǎn)品類型看,場效應(yīng)管有平面型 MOSFET、溝槽型 MOSFET、屏蔽柵型MOSFET、超結(jié)型
2023-05-26 14:24:29

看完這篇,4個步驟快速完成MOSFET選型

為設(shè)計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應(yīng)用中,當(dāng)一個MOSFET接地,而負(fù)載連接到干線電壓上時,該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中,應(yīng)采用N溝道
2023-05-22 11:11:391173

MOSFET(MOS管)中的“開關(guān)”時間可以改變電壓嗎?

MOSFET(MOS管)中的“開關(guān)”時間可以改變電壓嗎?
2023-05-16 14:26:16

發(fā)送AT指令后resp中的緩存在什么時候會清除?

發(fā)送AT指令后,resp中的緩存在什么時候會清除?
2023-05-12 15:49:37

RTT Studio什么時候可以實(shí)現(xiàn)DAP下載調(diào)試呢?

RTT Studio什么時候可以實(shí)現(xiàn)DAP下載調(diào)試呢?手上只有一個DAP的仿真器,大概什么時候能用上呀?多謝。。。。。
2023-05-11 09:47:59

開關(guān)電源如何選擇合適的MOSFET?

DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個復(fù)雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi),必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負(fù)載電源系統(tǒng)中,這種情況會變得更加復(fù)雜。
2023-05-04 17:29:49575

放大電路什么時候會產(chǎn)生輕微振蕩?

放大電路什么時候會產(chǎn)生輕微振蕩?產(chǎn)生輕微振蕩的原理是什么?為什么沒有自激振蕩變成穩(wěn)定的正弦波?
2023-04-26 15:10:14

什么是負(fù)載開關(guān)

負(fù)載開關(guān)是節(jié)省空間的集成式電源開關(guān)。這些開關(guān)可用來“斷開”耗電量大的子系統(tǒng)(當(dāng)處于待機(jī)模式時),或用于負(fù)載點(diǎn)控制以方便電源排序。智能手機(jī)得到普及之后,人們創(chuàng)建了負(fù)載開關(guān);由于手機(jī)添加了更多的功能
2023-04-17 10:25:171263

何時使用負(fù)載開關(guān)取代分立MOSFET

像蠟燭一樣,功率MOSFET(功率場效應(yīng)晶體管)是切換負(fù)載最常見的方式,其四周圍繞著眾多分立電阻器與電容器(以及用于控制功率MOSFET的雙極結(jié)型晶體管(BJT)/第二個場效應(yīng)晶體管)圍繞的功率MOSFET)。但在多數(shù)情況下,使用全面集成的負(fù)載開關(guān)具有更顯著的優(yōu)點(diǎn)。
2023-04-15 09:17:39512

請問什么時候可以買到HXS320F280025CPTT樣品?

請問什么時候可以買到或者申請到HXS320F280025CPTT樣品?
2023-04-13 09:59:00

usb_serial_jtag.h什么時候可以添加到編程指南中?

usb_serial_jtag_ 函數(shù),它們不會出現(xiàn)。我可以在示例中找到 usb_serial_jtag_ 函數(shù)并計算出其中的大部分內(nèi)容,但是什么時候將它添加到編程指南中?
2023-04-13 08:08:50

求分享UCODE 7芯片中的MOSFET數(shù)據(jù)?

您好,我想知道 NXP UCODE 7 芯片內(nèi)部使用的 MOSFET 的 IV 特性,該 MOSFET 開關(guān)用于數(shù)據(jù)輸出鏈中的反向散射。有人可以提供這些數(shù)據(jù)嗎?非常感謝~
2023-03-31 07:53:20

基于分立元件的觸摸延時開關(guān)電路設(shè)計

【任務(wù)】多層住宅的樓道的照明燈通常會使用延時開關(guān)控制,即過客觸摸一下開關(guān),燈會亮一段時間,隨后自動關(guān)閉。這種設(shè)計一方面方便行人在合理的時間內(nèi)安全通過樓道,另一方面可節(jié)約能源。下面嘗試使用分立器件設(shè)計這個觸摸延時開關(guān)電路。
2023-03-29 11:50:031070

S32K3作為SPI slave,什么時候執(zhí)行第一次傳輸API?

實(shí)現(xiàn)的,之后會在SPI回調(diào)函數(shù)中進(jìn)行傳輸。我想知道如果另一個芯片作為master,我應(yīng)該什么時候執(zhí)行第一次傳輸API?我無法預(yù)測master什么時候發(fā)送數(shù)據(jù)。
2023-03-27 06:52:10

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