IGBT國內外差距有多大 具體體現(xiàn)在哪些方面

　　近年來，我國國內市場中高端IGBT產(chǎn)能嚴重不足，長期依賴國際巨頭，導致“一芯難求”。盡管在下游市場需求的推動下，我國國內企業(yè)在IGBT產(chǎn)品領域的研發(fā)投入呈明顯上升的趨勢，行業(yè)整體產(chǎn)量由2010年的190萬只增長至2018年的1115萬只，但是國內需求量也從2010年的2252萬只增長至2018年的7898萬只。

　　由此可見，我國國內IGBT市場的需求量正在逐步擴大，而生產(chǎn)量卻遠遠低于需求量。這也導致中國大陸功率半導體市場占世界市場的50%以上，但在中高端MOSFET及IGBT主流器件市場上，90％主要依賴進口，基本被國外歐美、日本企業(yè)壟斷。

　　也許有人會不理解為什么要這么重視IGBT，這是因為IGBT是能量轉換和傳輸?shù)暮诵钠骷?，同時也是電力電子裝置的“CPU”。通過應用IGBT進行功率的變換，可以提高用電效率和質量，具有高效節(jié)能和綠色環(huán)保的特點，是解決能源短缺問題和降低碳排放的關鍵支撐技術。 IGBT被廣泛應用于工業(yè)、家用電器、軌道交通、新能源、醫(yī)學、軍用航天等領域，具體如變頻器、逆變焊機、變頻空調、洗衣機、冰箱、動車、地鐵、輕軌、新能源汽車、風力發(fā)電、醫(yī)療設備穩(wěn)壓電源、飛機、艦艇等。

　　接下來由小編帶領大家了解一下IGBT的全球發(fā)展狀態(tài)。

　　從市場競爭格局來看，美國功率器件處于世界領先地位，擁有一批具有全球影響力的廠商，例如 TI、Fairchild、NS、Linear、IR、Maxim、ADI、ONSemiconductor、AOS 和 Vishay 等廠商。歐洲擁有 Infineon、ST 和 NXP 三家全球半導體大廠，不僅產(chǎn)品線齊全，而且無論是功率 IC 還是功率分離器件均具有領先實力。

　　日本功率器件主要有Toshiba、Renesas、NEC、Ricoh、Sanke、Seiko、Sanyo、Sharp、Fujitsu、Toshiba、Rohm、Matsushita、Fuji Electric等廠商。日本廠商在分立功率器件方面做的較好，但是在功率芯片方面，雖然廠商數(shù)量眾多，但大多數(shù)廠商并非主營功率芯片。

　　而中國國內功率半導體市場占世界市場的50%以上，但在中高端MOSFET及IGBT主流器件市場上，90％主要依賴進口，基本被歐美、日本企業(yè)所壟斷。

　　目前，國外企業(yè)如英飛凌、 ABB、三菱等廠商研發(fā)的IGBT器件產(chǎn)品規(guī)格已涵蓋電壓600V-6500V，電流2A-3600A，并形成完善的IGBT產(chǎn)品系列。可以說，國際市場供應鏈已基本成熟，但隨著新能源等市場需求增長，市場鏈條正逐步演化。

　　在國內，盡管我國擁有最大的功率半導體市場，但是目前國內功率半導體產(chǎn)品的研發(fā)與國際大公司相比還存在很大差距，特別是IGBT等高端器件差距更加明顯，核心技術均掌握在發(fā)達國家企業(yè)手中。跟國內廠商相比，英飛凌、 三菱和富士電機等國際廠商占有絕對的市場優(yōu)勢。形成這種局面的原因主要是：

　?。?）國際廠商起步早，同時研發(fā)投入大，從而形成了較高的專利壁壘。

　?。?）國外高端制造業(yè)水平比國內要高很多，一定程度上支撐了國際廠商的技術優(yōu)勢。

　?。?）高鐵、智能電網(wǎng)、新能源與高壓變頻器等領域所采用的IGBT模塊規(guī)格在6500V以上，技術壁壘較強.

　?。?）IGBT芯片設計制造、模塊封裝、失效分析、測試等IGBT產(chǎn)業(yè)核心技術仍掌握在發(fā)達國家企業(yè)手中。

　　所以中國功率半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展必須改變目前技術處于劣勢的局面，特別是要在產(chǎn)業(yè)鏈上游層面取得突破，改變目前功率器件領域封裝強于芯片的現(xiàn)狀，使中國芯走向世界，讓其在國際IGBT市場占據(jù)有利地位并取得競爭優(yōu)勢。

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