光子集成芯片是一種利用光波作為信息傳輸或數(shù)據(jù)運(yùn)算載體的集成電路。它依托于集成光學(xué)或硅基光電子學(xué)中的介質(zhì)光波導(dǎo)來(lái)傳輸導(dǎo)模光信號(hào)，將光信號(hào)和電信號(hào)的調(diào)制、傳輸、解調(diào)等功能集成在一起。
2024-03-22 17:29:33
63 光電集成芯片和光子集成芯片在多個(gè)方面存在顯著的區(qū)別。
2024-03-22 16:56:3855 光子集成芯片（Photonic Integrated Circuit，簡(jiǎn)稱(chēng)PIC）是一種將光子學(xué)和電子學(xué)功能集成在同一芯片上的技術(shù)。這種芯片利用光子（光的粒子）來(lái)傳輸、感知、處理和傳送信息，與傳統(tǒng)的基于電子信號(hào)的集成電路相比，光電集成芯片在某些應(yīng)用中展現(xiàn)出獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。
2024-03-22 16:55:1565 光子集成芯片，也稱(chēng)為光子芯片或光子集成電路，是一種將光子器件小型化并集成在特殊襯底材料上的技術(shù)。這些特殊的光子器件，如光柵、耦合器、光開(kāi)關(guān)、激光器、光電探測(cè)器、陣列波導(dǎo)等，被組合在一起以完成特定的功能。光子集成芯片的核心是光波導(dǎo)，它利用光的全反射現(xiàn)象將光線引導(dǎo)在芯片內(nèi)部傳輸。
2024-03-22 16:51:1460 光子集成芯片的應(yīng)用范圍非常廣泛，得益于其在高速數(shù)據(jù)傳輸、低功耗通信以及高度集成等方面的顯著優(yōu)勢(shì)。
2024-03-20 17:05:35128 光子集成芯片，作為光電集成領(lǐng)域的重要分支，近年來(lái)受到了廣泛關(guān)注。其應(yīng)用范圍廣泛，涉及通信、計(jì)算、傳感等多個(gè)領(lǐng)域，展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用前景。
2024-03-20 16:27:49114 光子集成芯片的應(yīng)用領(lǐng)域相當(dāng)廣泛，其基于光子學(xué)的特性使得它在多個(gè)領(lǐng)域都能發(fā)揮重要作用。
2024-03-20 16:24:52123 微波光子集成芯片和硅基光子集成芯片都是光電子領(lǐng)域的重要技術(shù)，但它們?cè)谠O(shè)計(jì)原理、應(yīng)用領(lǐng)域以及制造工藝上存在著顯著的區(qū)別。
2024-03-20 16:14:06103 微波光子集成芯片是一種新型的集成光電子器件，它將微波信號(hào)和光信號(hào)在同一芯片上進(jìn)行處理和傳輸。這種芯片的基本原理是利用光子器件和微波器件的相互作用來(lái)實(shí)現(xiàn)信號(hào)的傳輸和處理。光子器件通常由光源、光調(diào)制器
2024-03-20 16:11:22108 光子集成芯片，一種新型的光電子器件，將光子器件與集成電路技術(shù)相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)了光信號(hào)與電信號(hào)的集成處理。它以其獨(dú)特的工作原理和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，成為當(dāng)前科技研究的熱點(diǎn)。
2024-03-20 16:10:1195 (a)光子器件內(nèi)傳播波成像實(shí)驗(yàn)裝置的示意圖。1550 nm信號(hào)脈沖(橙色)通過(guò)光柵耦合到絕緣體上硅(SOI)波導(dǎo)中，而780 nm泵浦脈沖(紅色)使用長(zhǎng)工作距離物鏡聚焦到器件上。當(dāng)兩個(gè)脈沖在時(shí)間
2024-02-29 06:29:02143 
Intel 硅光子Intel?硅光子將硅集成電路和半導(dǎo)體激光兩個(gè)重要發(fā)明結(jié)合在一起。與傳統(tǒng)電子產(chǎn)品相比，它可以實(shí)現(xiàn)更遠(yuǎn)距離的數(shù)據(jù)傳輸。它利用了Intel?大批量硅制造的效率。特性為數(shù)據(jù)中心及其他領(lǐng)域
2024-02-27 12:19:00
近日，北京大學(xué)電子學(xué)院王興軍、舒浩文團(tuán)隊(duì)提出集成微波光子寬頻段精細(xì)信號(hào)處理解決方案，通過(guò)操控波導(dǎo)內(nèi)空間模式的耦合關(guān)系來(lái)調(diào)控諧振峰劈裂的狀態(tài)；
2024-02-26 09:28:52267 
光子和電子集成電路的集成簡(jiǎn)化了組裝過(guò)程并降低了生產(chǎn)成本，使OCT系統(tǒng)更容易為更廣泛的醫(yī)療機(jī)構(gòu)和患者所使用。
2024-02-25 11:09:39249 研究人員正在利用光子學(xué)來(lái)開(kāi)發(fā)和擴(kuò)展硬件，以滿足量子信息技術(shù)的嚴(yán)格要求。通過(guò)利用光子學(xué)的特性，研究人員指出了縮放量子硬件的好處。
2024-01-25 09:14:14272 
mA/mm的ID，最大值和27Ω·mm的RON，創(chuàng)下了金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）生長(zhǎng)的III族氮化物p-FET的記錄。 高密度鈮酸鋰光子集成電路 在這里，我們證明了類(lèi)金剛石碳（DLC）是制造基于鐵電體的光子集成電路的優(yōu)越材料，特別是LiNbO3。使用DLC作為硬掩模，我們展示了深蝕刻、緊密
2024-01-16 17:12:33146 
對(duì)其帶載能力有很大影響，常用的MOS管材料有硅、碳化硅和氮化硅等。不同材料具有不同的特性，硅材料具有高電子遷移率和較低的電阻，適用于高頻應(yīng)用；碳化硅具有高電子飽和速度和高電壓傳導(dǎo)能力，適用于高功率應(yīng)用；氮化硅具有高溫特性和較高的能帶間隙，適
2024-01-12 14:43:47424 硅基氮化鎵（SiGaN）集成電路芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料，具有廣闊的應(yīng)用前景。它將硅基材料與氮化鎵材料結(jié)合在一起，利用其優(yōu)勢(shì)來(lái)加速集成電路發(fā)展的速度。本文將介紹硅基氮化鎵集成電路芯片的背景、特點(diǎn)
2024-01-10 10:14:58226 同為第三代半導(dǎo)體材料，氮化鎵時(shí)常被人用來(lái)與碳化硅作比較，雖然沒(méi)有碳化硅發(fā)展的時(shí)間久，但氮化鎵依舊憑借著禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、飽和電子漂移速度高和抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)展現(xiàn)了它的優(yōu)越性。
2024-01-10 09:53:29567 
晶體管）結(jié)構(gòu)。GaN HEMT由以下主要部分組成： 襯底：氮化鎵功率器件的襯底采用高熱導(dǎo)率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的熱擴(kuò)散率和散熱能力。 二維電子氣層：氮化鎵襯底上生長(zhǎng)一層氮化鎵，形成二維電子氣層。GaN材料的禁帶寬度大，由于
2024-01-09 18:06:41667 摘要：本文介紹了LTCC（低溫共燒陶瓷）技術(shù)中廣泛采用的IWG（集成式波導(dǎo)[1]）濾波器。設(shè)計(jì)了通帶為35-36GHz的七級(jí)契比雪夫型IWG濾波器，它在34-37GHz外可以提供50dB的衰減
2024-01-02 14:01:23439 
3D集成硅PIC芯片 來(lái)自美國(guó)加州大學(xué)圣巴巴拉分校與加州理工學(xué)院的科研團(tuán)隊(duì)合作開(kāi)發(fā)出了首款同時(shí)集成激光器和光子波導(dǎo)的芯片，向在硅上實(shí)現(xiàn)復(fù)雜系統(tǒng)和網(wǎng)絡(luò)邁出了關(guān)鍵一步。相關(guān)論文已發(fā)表于近日出版的《自然
2024-01-02 06:38:14184 
氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體是兩種主要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學(xué)性能以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面的差異。 一、物理特性： 氮化
2023-12-27 14:54:18326 與電子元器件類(lèi)似，光子電路也可以微型化到芯片上，形成所謂的光子集成電路（PIC）。
2023-12-25 10:26:49462 
在芯片制造中，有一種材料扮演著至關(guān)重要的角色，那就是氮化硅（SiNx）。
2023-12-20 18:16:09511 
京瓷株式會(huì)社（以下簡(jiǎn)稱(chēng)京瓷）成功研發(fā)用于FTIR※的氮化硅（Silicon Nitride，以下簡(jiǎn)稱(chēng)SN）高性能光源。
2023-12-15 09:18:06234 
在最近的IEDM大會(huì)上，英特爾表示，已將 CMOS 硅晶體管與氮化鎵 (GaN) 功率晶體管集成，用于高度集成的48V設(shè)備。
2023-12-14 09:23:06548 
碳化硅和氮化鎵的區(qū)別? 碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是兩種常見(jiàn)的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在電子、光電和功率電子等領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用前景。雖然它們都是寬禁帶半導(dǎo)體材料，但是碳化硅和氮化鎵在物理性質(zhì)
2023-12-08 11:28:51740 VIGO預(yù)計(jì)，在氣體分析、空氣質(zhì)量檢測(cè)、有害物質(zhì)檢測(cè)和激光探測(cè)等主要應(yīng)用的推動(dòng)下，2020年至2030年期間，光子紅外傳感器市場(chǎng)的復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR）約為20%，從3.05億美元增至9.69億美元。
2023-12-04 15:26:16420 
氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場(chǎng)和移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)得到廣泛應(yīng)用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩(wěn)定性，適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件，將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器和氮化鎵開(kāi)關(guān)管整合到一個(gè)...
2023-11-24 16:49:22350 硅光子學(xué)因其從量子計(jì)算到生物傳感的廣泛應(yīng)用而成為一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)和廣泛研究的領(lǐng)域。光子結(jié)構(gòu)的測(cè)試和表征需要靈敏、精確和定量的成像和光譜解決方案，從可見(jiàn)光到紅外波長(zhǎng)(電信波長(zhǎng))。 光子集成電路是利用光執(zhí)行
2023-11-24 06:33:40214 
，氮化鎵芯片具有許多優(yōu)點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)，同時(shí)也存在一些缺點(diǎn)。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵芯片的定義、優(yōu)缺點(diǎn)，以及與硅芯片的區(qū)別。 一、氮化鎵芯片的定義 氮化鎵芯片是一種使用氮化鎵材料制造的集成電路芯片。氮化鎵（GaN）是一種半導(dǎo)體
2023-11-21 16:15:302310 ）級(jí)別氮化硅硅光芯片的量產(chǎn)，工藝良率超95%。 ? 相對(duì)于傳統(tǒng)硅光技術(shù)，氮化硅材料具有損耗低、光譜范圍大、可承載光功率大等突出優(yōu)點(diǎn)。此外，氮化硅硅光芯片也是優(yōu)異的多材料異質(zhì)異構(gòu)平臺(tái)，可集成磷化銦（InP）、鈮酸鋰（LiNbO?）等材料，實(shí)現(xiàn)應(yīng)用更
2023-11-17 09:04:54654 懸浮二氧化硅結(jié)構(gòu)對(duì)于許多光學(xué)和光子集成電路(PIC)應(yīng)用是重要的，例如寬光譜頻率梳，低傳播損耗波導(dǎo)，以及紫外-可見(jiàn)光濾光器等。除了這些應(yīng)用，懸浮波導(dǎo)還可以應(yīng)用于紫外吸收光譜和一類(lèi)新興的基于氮化
2023-11-16 11:13:50231 
光子芯片，這是一種依托光子學(xué)的集成電路，它將光子器件集成在芯片上 實(shí)現(xiàn) 光電子的集成。相較于傳統(tǒng)的電子芯片，光子芯片在數(shù)據(jù)傳輸速度、能耗以及帶寬方面都有著顯著的優(yōu)勢(shì)。
2023-11-15 17:41:501017 這是納米碳化硅模塊燒結(jié)工藝，使用銅鍵合技術(shù)，高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板，熱電阻現(xiàn)有工程相比改善了10%以上，工作溫度可達(dá)175igbt模塊相比損失大幅減少40%以上，車(chē)輛行駛距離5 - 8%提高了。
2023-11-02 11:19:18342 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Ka波段基片集成波導(dǎo)帶通濾波器的設(shè)計(jì).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-10-25 11:18:32
0 氮化硅（Si3N4） 基板在各項(xiàng)性能方面表現(xiàn)最佳，可以提供最佳的可靠性和高功率密度，例如在高級(jí)電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)逆變器中的應(yīng)用。
2023-10-23 12:27:13408 
訊天宏這款氮化鎵充電器采用多塊小板組合焊接而成，PCBA模塊正面覆蓋黃銅散熱片，背面粘貼導(dǎo)熱墊加強(qiáng)散熱。充電器內(nèi)置恩智浦TEA2016高集成電源芯片，內(nèi)置英諾賽科氮化鎵開(kāi)關(guān)管和森國(guó)科碳化硅二極管。采用同步整流，固定電壓輸出。
2023-10-20 10:40:56477 
根據(jù)專(zhuān)利摘要，本申請(qǐng)?zhí)峁┫铝泄庑酒⒐饽K及通信設(shè)備，光芯片包括：硅波導(dǎo)層、氮化硅波導(dǎo)層、電光調(diào)制器和光電探測(cè)器。光電探測(cè)器包括鍺本征結(jié)構(gòu)，以及位于鍺本征結(jié)構(gòu)兩側(cè)的P型摻雜區(qū)和N型摻雜區(qū)；鍺本征結(jié)構(gòu)、P型摻雜區(qū)和N型摻雜區(qū)集成于硅波導(dǎo)層內(nèi)。
2023-10-10 10:20:02574 
作為第三代功率半導(dǎo)體的絕世雙胞胎，氮化鎵MOS管和碳化硅MOS管日益受到業(yè)界特別是電氣工程師的關(guān)注。電氣工程師之所以如此關(guān)注這兩種功率半導(dǎo)體，是因?yàn)樗鼈兊牟牧吓c傳統(tǒng)的硅材料相比具有許多優(yōu)點(diǎn)。
氮化
2023-10-07 16:21:18325 
PECVD作為太陽(yáng)能電池生產(chǎn)中的一種工藝，對(duì)其性能的提升起著關(guān)鍵的作用。PECVD可以將氮化硅薄膜沉積在太陽(yáng)能電池片的表面，從而有效提高太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)換率。但為了清晰客觀的檢測(cè)沉積后太陽(yáng)能電池
2023-09-27 08:35:491772 
GaN 技術(shù)持續(xù)為國(guó)防和電信市場(chǎng)提供性能和效率。目前射頻市場(chǎng)應(yīng)用以碳化硅基氮化鎵器件為主。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會(huì)威脅到碳化硅基氮化鎵的主導(dǎo)地位，但它的出現(xiàn)將影響供應(yīng)鏈，并可能塑造未來(lái)的電信技術(shù)。
2023-09-14 10:22:36647 
功率器件在工業(yè)應(yīng)用中的解決方案，議程分為：功率分立器件概覽 、 IGBT產(chǎn)品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業(yè)電源中的應(yīng)用和總結(jié)八個(gè)部分。
2023-09-05 06:13:28
在光電子融合中，硅光子學(xué)發(fā)揮著核心作用。硅光子學(xué)是一種利用CMOS制程技術(shù)，支援半導(dǎo)體工業(yè)在硅基板上整合光接收元件、光調(diào)變器、光波導(dǎo)和電子電路等元件的技術(shù)。負(fù)責(zé)轉(zhuǎn)換光訊號(hào)和電訊號(hào)的光收
2023-08-24 10:36:02295 
陶瓷散熱基板中的“陶瓷”，并非我們通常認(rèn)知中的陶瓷，屬于電子陶瓷材料，主要用于陶瓷封裝殼體和陶瓷基板，主要成分包括氮化鋁(AlN)、氮化硅(Si3N4)、碳化硅(SiC)、氧化鈹(BeO)等。與傳統(tǒng)的陶瓷有個(gè)共性，主要化學(xué)成分都是硅、鋁、氧三種元素。
2023-08-23 15:07:30638 
鈮酸鋰多功能集成件（Y波導(dǎo)）采用微電子工藝在鈮酸鋰晶片上制造波導(dǎo)和電極，光纖與波導(dǎo)精密耦合可讓外部光源耦合進(jìn)Y波導(dǎo)中，通過(guò)電壓調(diào)制可實(shí)現(xiàn)輸入光的起偏、檢偏、分束、合束、相位調(diào)制等功能。
2023-08-18 10:16:571120 
平面波導(dǎo)延時(shí)線具有尺寸小、易集成等優(yōu)勢(shì)，不僅可以通過(guò)精確調(diào)制波導(dǎo)長(zhǎng)度控制延時(shí)時(shí)間，而且能容易地制備出超長(zhǎng)的波導(dǎo)線，在硅光子集成芯片系統(tǒng)中有著重要的應(yīng)用。
2023-08-14 11:00:09212 
來(lái)自美國(guó)加州大學(xué)圣巴巴拉分校與加州理工學(xué)院的科研團(tuán)隊(duì)合作開(kāi)發(fā)出了首款同時(shí)集成激光器和光子波導(dǎo)的芯片，向在硅上實(shí)現(xiàn)復(fù)雜系統(tǒng)和網(wǎng)絡(luò)邁出了關(guān)鍵一步。
2023-08-12 09:24:21842 
美國(guó)研究人員首次將超低噪聲激光器（ultralow-noise lasers）和光子波導(dǎo)（photonic waveguides）集成到單個(gè)芯片上。這一期待已久的成就可以使在單個(gè)集成設(shè)備中使用原子鐘和其他量子技術(shù)進(jìn)行高精度實(shí)驗(yàn)成為可能，從而消除在某些應(yīng)用中對(duì)房間大小的光學(xué)平臺(tái)的需求。
2023-08-10 10:15:38250 氮化鎵和碳化硅正在爭(zhēng)奪主導(dǎo)地位，它們將減少數(shù)十億噸溫室氣體排放。
2023-08-07 14:22:08837 
早前，納微半導(dǎo)體率先憑借氮化鎵功率芯片產(chǎn)品，踩準(zhǔn)氮化鎵在充電器和電源適配器應(yīng)用爆發(fā)的節(jié)奏，成為氮化鎵領(lǐng)域的頭部企業(yè)。同時(shí)，納微也不斷開(kāi)發(fā)氮化鎵和碳化硅產(chǎn)品線，拓展新興應(yīng)用市場(chǎng)。在2023慕尼黑上海
2023-08-01 16:36:191553 
液晶技術(shù)和MEMS技術(shù)使可重新編程光子集成電路（PIC）成為可能，這些PIC能夠支持多種功能，并顯著加速未來(lái)光子芯片的開(kāi)發(fā)周期。
2023-07-31 09:29:413678 
紅外探測(cè)器是紅外熱成像技術(shù)領(lǐng)域的核心器件，其主要用于檢測(cè)物體發(fā)出的紅外輻射。按照探測(cè)器原理不同，紅外探測(cè)器通?？梢苑譃閮纱箢?lèi)：熱探測(cè)器和光子探測(cè)器。這兩種探測(cè)器各自具有一套獨(dú)特的工作原理，在本文
2023-07-19 17:12:471266 
氮化硅是一種半導(dǎo)體材料。氮化硅具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、機(jī)械性能和化學(xué)穩(wěn)定性，被廣泛應(yīng)用于高溫、高功率和高頻率電子器件中。它具有較寬的能隙（大約3.2電子伏特），并可通過(guò)摻雜來(lái)調(diào)節(jié)其導(dǎo)電性能，因此被視為一種重要的半導(dǎo)體材料。
2023-07-06 15:44:433823 氮化鋁具有較高的熱導(dǎo)性，比氮化硅高得多。這使得氮化鋁在高溫環(huán)境中可以更有效地傳導(dǎo)熱量。
2023-07-06 15:41:231061 氮化硅陶瓷軸承球與鋼質(zhì)球相比具有突出的優(yōu)點(diǎn):密度低、耐高溫、自潤(rùn)滑、耐腐蝕。疲勞壽命破壞方式與鋼質(zhì)球相同。陶瓷球作為高速旋轉(zhuǎn)體產(chǎn)生離心應(yīng)力，氮化硅的低密度降低了高速旋轉(zhuǎn)體外圈上的離心應(yīng)力。
2023-07-05 10:37:061561 
，是大氣遙感、三維成像等激光雷達(dá)系統(tǒng)的理想工作波段。近紅外波段單光子探測(cè)技術(shù)主要包括超導(dǎo)納米線單光子探測(cè)器、上轉(zhuǎn)換單光子探測(cè)器和InGaAs/InP單光子探測(cè)器。其中，InGaAs/InP單光子探測(cè)器具有體積小、低成本、易于系統(tǒng)集成和良好的綜合性能指標(biāo)等優(yōu)勢(shì)，是實(shí)用化1.5 μm激光雷達(dá)的最佳選擇。
2023-07-03 16:31:45466 
高性能的中長(zhǎng)波單光子探測(cè)器在紅外天文和軍事國(guó)防領(lǐng)域具有重要的研究?jī)r(jià)值，也是單光子探測(cè)技術(shù)領(lǐng)域的研究難點(diǎn)。
2023-06-29 09:46:02368 
光子芯片（Photonics Chip）是一種基于光子學(xué)原理的集成電路芯片，其主要應(yīng)用于光通信、光存儲(chǔ)、光計(jì)算、光傳感等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)電子芯片相比，光子芯片具有更高的速度、更低的功耗、更大的帶寬等優(yōu)勢(shì)，因此被視為下一代信息技術(shù)的重要發(fā)展方向。本文將從光子芯片的原理、制造技術(shù)、應(yīng)用等方面進(jìn)行詳細(xì)介紹。
2023-06-28 17:27:498167 工作在零偏壓下的波導(dǎo)光探測(cè)器外電路簡(jiǎn)單，器件具有低功耗、易集成等優(yōu)點(diǎn)，因此設(shè)計(jì)零偏壓下的高速、高響應(yīng)度、具有波長(zhǎng)選擇性的波導(dǎo)光探測(cè)器具有重要意義和更廣闊的應(yīng)用前景。
2023-06-28 09:34:38473 
單光子探測(cè)器達(dá)到了光電探測(cè)的極限靈敏度，InP/InGaAs 短波紅外單光子探測(cè)器 (SPAD) 是目前制備技術(shù)較為成熟且獲得廣泛應(yīng)用的單光子探測(cè)器。
2023-06-28 09:31:54533 
目前常用的高導(dǎo)熱陶瓷粉體原料有氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）、氮化硅（Si3N4）、碳化硅（SiC）和氧化鈹（BeO）等。隨著國(guó)家大力發(fā)展綠色環(huán)保方向，由于氧化鈹有毒性逐漸開(kāi)始退出歷史的舞臺(tái)。
2023-06-27 15:03:56543 
氮化鎵(GaN)是一種全新的使能技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)更高的效率、顯著減小系統(tǒng)尺寸、更輕和于應(yīng)用中取得硅器件無(wú)法實(shí)現(xiàn)的性能。那么，為什么關(guān)于氮化鎵半導(dǎo)體仍然有如此多的誤解？事實(shí)又是怎樣的呢？
關(guān)于氮化鎵技術(shù)
2023-06-25 14:17:47
光子芯片是一種基于光子學(xué)的集成電路，將光子器件集成在芯片上，實(shí)現(xiàn)了光電子集成。相比傳統(tǒng)的電子芯片，光子芯片具有更高的數(shù)據(jù)傳輸速度、更低的能耗和更大的帶寬。光子芯片的出現(xiàn)將會(huì)改變通信、計(jì)算、傳感等領(lǐng)域的面貌，具有廣闊的應(yīng)用前景。
2023-06-21 10:04:517253 近年來(lái)，基于InGaAs單光子雪崩二極管（SPAD）的近紅外單光子探測(cè)技術(shù)在遠(yuǎn)距離激光雷達(dá)等系統(tǒng)中的應(yīng)用日益廣泛，展現(xiàn)了其低功耗、小體積等優(yōu)勢(shì)。
2023-06-21 09:37:55531 
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
納維半導(dǎo)體?氮化鎵功率集成電路的性能影響?氮化鎵電源集成電路的可靠性影響?應(yīng)用示例：高密度手機(jī)充電器?應(yīng)用實(shí)例：高性能電機(jī)驅(qū)動(dòng)器?應(yīng)用示例；高功率開(kāi)關(guān)電源?結(jié)論
2023-06-16 10:09:51
通過(guò)SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
，在半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中結(jié)合了頻率、密度和效率優(yōu)勢(shì)。如有源鉗位反激式、圖騰柱PFC和LLC。隨著從硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)到軟開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的改變，初級(jí)FET的一般損耗方程可以最小化，從而提升至10倍的高頻率。
氮化鎵功率芯片前所未有的性能表現(xiàn)，將成為第二次電力電子學(xué)革命的催化劑。
2023-06-15 15:53:16
，以及基于硅的 “偏轉(zhuǎn)晶體管 “屏幕產(chǎn)品的消亡。
因此，氮化鎵是我們?cè)陔娨暋⑹謾C(jī)、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術(shù)。在光子學(xué)方面，氮化鎵還被用于藍(lán)光激光技術(shù)（最明顯
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
氮化鎵為單開(kāi)關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來(lái)了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢(shì)。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開(kāi)關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
，是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關(guān)鍵人物。
首席技術(shù)官 Dan Kinzer在他長(zhǎng)達(dá) 30 年的職業(yè)生涯中，長(zhǎng)期擔(dān)任副總裁及更高級(jí)別的管理職位，并領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
,構(gòu)建基于光子集成芯片技術(shù)的微波光子射頻前端微系統(tǒng)勢(shì)在必行。文章分析了集成微波光子射頻前端微系統(tǒng)目前在器件層面和系統(tǒng)集成層面面臨的挑戰(zhàn),并從高精細(xì)、可重構(gòu)的光濾波器設(shè)計(jì)、混合集成系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計(jì)和系統(tǒng)頻率漂移抑制方案三個(gè)方面重點(diǎn)介紹了作者所在課題組開(kāi)展的關(guān)于混合集成可重構(gòu)微波光子射頻前端的研究現(xiàn)狀。
2023-06-14 10:22:321273 
。常用的陶瓷基材料包括氧化鋁、氮化鋁、氧化鋯、ZTA、氮化硅、碳化硅等。FR線路板是指以環(huán)氧玻璃纖維布作為主要材料的線路。那么，陶瓷線路板與普通PCB板材區(qū)別在哪？
一、陶瓷基板與pcb板的區(qū)別
1、材料
2023-06-06 14:41:30
氮化鋁為大功率半導(dǎo)體優(yōu)選基板材料。氧化鈹（BeO）、氧化鋁（Al2O3）、 氮化鋁（AlN）和氮化硅（Si3N4）4 種材料是已經(jīng)投入生產(chǎn)應(yīng)用的主要陶瓷基板 材料，其中氧化鋁技術(shù)成熟度最高、綜合性能好、性?xún)r(jià)比高，是功率器件最為常用 的陶瓷基板，市占率達(dá) 80%以上。
2023-05-31 15:58:35876 
首先，一些背景：與IC設(shè)計(jì)中使用的典型電信號(hào)相比，光子信號(hào)相當(dāng)復(fù)雜。光子信號(hào)可以以幅度、相位、偏振和空間模式傳輸信息。此外，使用多個(gè)波長(zhǎng)的光將許多信號(hào)多路復(fù)用到一個(gè)公共波導(dǎo)上是很常見(jiàn)的。最后，對(duì)于
2023-05-24 14:23:39510 
? 紅外相機(jī)InGaAs在光波導(dǎo)方向的應(yīng)用案例介紹。 案例介紹 推薦相機(jī) 案例：波導(dǎo)耦合 InGaAs相機(jī) 案例：光纖波導(dǎo)耦合對(duì)準(zhǔn) InGaAs相機(jī) 案例：硅波導(dǎo)損耗分析 InGaAs相機(jī)
2023-05-23 07:03:42303 
熱管理對(duì)高集成度和高功率密度電子器件的正常運(yùn)行至關(guān)重要。高性能電子器件運(yùn)行時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量的熱量，如果不能有效及時(shí)地將這些熱量排出，就會(huì)導(dǎo)致器件過(guò)熱，進(jìn)而影響性能，甚至損壞器件。優(yōu)秀的熱管理材料應(yīng)當(dāng)同時(shí)具備高導(dǎo)熱性能和機(jī)械性能，以避免器件過(guò)熱或斷裂。
2023-05-16 17:45:44756 
新能源電動(dòng)汽車(chē)爆發(fā)式增長(zhǎng)的勢(shì)頭不可阻擋，氮化硅陶瓷基板升級(jí)SiC功率模塊，對(duì)提升新能源汽車(chē)加速度、續(xù)航里程、充電速度、輕量化、電池成本等各項(xiàng)性能尤為重要。
2023-05-02 09:28:451169 
香港大學(xué)電機(jī)與電子工程系助理教授向超以異質(zhì)光子集成、硅光子學(xué)、半導(dǎo)體激光器和光子集成電路為研究方向，并主導(dǎo)研發(fā)了一系列硅基異質(zhì)集成光電子器件，主要包括氮化硅上單片集成激光器、硅基激光光孤子頻率梳生成器、硅基窄線寬激光器等。
2023-04-25 10:16:011093 
了一系列III-V材料以及各種各樣的設(shè)備。?最初，設(shè)計(jì)，制造和光學(xué)表征研究了鋁砷化鎵波導(dǎo)增強(qiáng)光學(xué)非線性文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁耳相互作用。?基于我們的研究結(jié)果，我們提出了一種新型的AlGaAs集成非線性光學(xué)波導(dǎo)。波導(dǎo)是集成光子器件中極具吸引力的元件，
2023-04-19 10:04:00130 
近日，上海玻璃鋼研究院有限公司的高級(jí)工程師趙中堅(jiān)沿著該思路，以純纖維狀α-Si3N4粉為主要原料，通過(guò)添加一定比例氧化物燒結(jié)助劑，經(jīng)冷等靜壓成型和氣氛保護(hù)無(wú)壓燒結(jié)工藝燒結(jié)制備出了能充分滿足高性能導(dǎo)彈天線罩使用要求的多孔氮化硅陶瓷。
2023-04-16 10:30:461274 目前，常用電子封裝陶瓷基片材料包括氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）、氮化硅（Si3N4）、氧化鈹（BeO）、碳化硅（SiC）等。那么，誰(shuí)才是最有發(fā)展前途的封裝材料呢？
2023-04-13 10:44:04801 氮化硅基板是一種新型的材料，具有高功率密度、高轉(zhuǎn)換效率、高溫性能和高速度等特點(diǎn)。這使得氮化硅線路板有著廣泛的應(yīng)用前景和市場(chǎng)需求，正因?yàn)槿绱怂估ìF(xiàn)正全力研發(fā)氮化硅作為基材的線路板。
2023-04-11 12:02:401364 
光隔離器是一種只允許單向光通過(guò)的無(wú)源光器件，其主要特點(diǎn)是：正向插入損耗低，反向隔離度高，回波損耗高。目前已經(jīng)有多種片上光隔離方案，但這些方案大多依賴(lài)于磁光材料的集成或聲光或電光調(diào)制器的高頻調(diào)制。
2023-04-03 16:19:041633 
氮化硅研磨環(huán)由于研磨環(huán)存在內(nèi)外氣壓差，可以在密閉的真空或者很濃密的場(chǎng)景中快速的上下運(yùn)動(dòng)，氮化硅磨介圈在大的球磨機(jī)里不僅起到研磨粉碎的作用，更重要的是眾多的氮化硅磨介圈環(huán)會(huì)發(fā)生共振現(xiàn)象，氮化硅
2023-03-31 11:40:35597 
高頻、高壓的氮化鎵+低壓硅系統(tǒng)控制器的戰(zhàn)略性集成， 實(shí)現(xiàn)易用、高效、可快速充電的電源系統(tǒng) 美國(guó)加利福尼亞州托倫斯，2023年3月20日訊 —— 唯一全面專(zhuān)注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率
2023-03-28 13:54:32723 
，可直接用于驅(qū)動(dòng)氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開(kāi)啟模式，同時(shí)集成頻率抖動(dòng)功能以?xún)?yōu)化 EMI 性能；當(dāng)負(fù)載降低時(shí)，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以?xún)?yōu)化輕載效率，空載待機(jī)功耗
2023-03-28 10:31:57
電壓，可直接用于驅(qū)動(dòng)氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開(kāi)啟模式，同時(shí)集成頻率抖動(dòng)功能以?xún)?yōu)化 EMI 性能；當(dāng)負(fù)載降低時(shí)，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以?xún)?yōu)化輕載效率，空載待機(jī)
2023-03-28 10:24:46
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