行業(yè)背景 隨著工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，物聯(lián)網(wǎng)作為新興生產(chǎn)力正在改變許多行業(yè)的工作方式。在半導(dǎo)體芯片行業(yè)，自動蝕刻機(jī)的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用正在助力企業(yè)達(dá)到監(jiān)控設(shè)備更加便利、故障運(yùn)維更加高效、數(shù)據(jù)分析更加精準(zhǔn)等等
2024-03-20 17:52:39
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任務(wù)要求：
了解微電子封裝中的引線鍵合工藝，學(xué)習(xí)金絲引線鍵合原理，開發(fā)引線鍵合工藝仿真方法，通過數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)分析和仿真結(jié)果，分析得出引線鍵合工序關(guān)鍵工藝參數(shù)和參數(shù)窗口，并給出工藝參數(shù)和鍵合質(zhì)量之間的關(guān)系
2024-03-10 14:14:51
濕電子化學(xué)品屬于電子化學(xué)品領(lǐng)域的一個(gè)分支，是微電子、光電子濕法工藝制程（主要包括濕法蝕刻、清洗、顯影、互聯(lián)等）中使用的各種液體化工材料，主體成分純度大于99.99%，雜質(zhì)顆粒粒徑低于 0.5
2024-03-08 13:56:03239 
近日，上海發(fā)布了《2023年上?？萍歼M(jìn)步報(bào)告》，來自上海工研院的MEMS標(biāo)準(zhǔn)工藝模塊及90納米硅光集成工藝2項(xiàng)國際先進(jìn)水平技術(shù)成果入選。
2024-02-22 09:42:31282 2023年鋰電隔膜出貨中干法占比回彈，增速方面趕超濕法31個(gè)百分點(diǎn)。
2024-02-21 09:17:41303 根據(jù)已公開的研究報(bào)告，東京電子的新式蝕刻機(jī)具備在極低溫環(huán)境下進(jìn)行高速蝕刻的能力。據(jù)悉，該機(jī)器可在33分鐘內(nèi)完成10微米的蝕刻工作。此外，設(shè)備使用了新開發(fā)的激光氣體，搭配氬氣和氟化碳?xì)怏w以提升工藝水平。
2024-02-18 15:00:22109 蝕刻時(shí)間和過氧化氫濃度對ZnO玻璃基板的影響 本研究的目的是確定蝕刻ZnO薄膜的最佳技術(shù)。使用射頻濺射設(shè)備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的過氧化氫（H2O2
2024-02-02 17:56:45306 
在封裝前，通常要減薄晶圓，減薄晶圓主要有四種主要方法：機(jī)械磨削、化學(xué)機(jī)械研磨、濕法蝕刻和等離子體干法化學(xué)蝕刻。
2024-01-26 09:59:27547 
Tom‘s Hardware的相關(guān)報(bào)告指出，Lunar Lake的CPU將使用外部臺積電N3B制程，而Arrow Lake-U通過使用Intel 3工藝，有望在降低制造成本的同時(shí)保持競爭力。
2024-01-23 10:23:03246 根據(jù)清洗介質(zhì)的不同，目前半導(dǎo)體清洗技術(shù)主要分為濕法清洗和干法清洗兩種工藝路線
2024-01-12 23:14:23769 
智程半導(dǎo)體自2009年起致力于半導(dǎo)體濕法工藝設(shè)備研究、生產(chǎn)與銷售事業(yè)，10余載研發(fā)歷程，使得其已成為全球頂尖的半導(dǎo)體濕法設(shè)備供應(yīng)商。業(yè)務(wù)范圍包括清洗、去膠、濕法刻蝕、電鍍、涂膠顯影、金屬剝離等多種設(shè)備，廣泛應(yīng)用于各種高尖端產(chǎn)品領(lǐng)域。
2024-01-12 14:55:23636 至純科技旗下的至微科技是國內(nèi)濕法設(shè)備市場主流供應(yīng)商之一，在28納米節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)了全覆蓋，全工藝機(jī)臺亦均有訂單。在更為尖端的制程中，至微科技已有部分工藝獲得訂單。
2024-01-12 09:29:45234 在紅外探測器的制造技術(shù)中，臺面刻蝕是完成器件電學(xué)隔離的必要環(huán)節(jié)。
2024-01-08 10:11:01206 
會通股份公司在安徽蕪湖市三山經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)舉行了盛大的鋰電池濕法隔離膜項(xiàng)目開工儀式。這個(gè)基地總投資高達(dá)20億元，一旦建成，將具備每年生產(chǎn)17億平方米濕法隔離膜的能力。
2024-01-02 16:41:52357 在微電子制造領(lǐng)域，光刻機(jī)和蝕刻機(jī)是兩種不可或缺的重要設(shè)備。它們在制造半導(dǎo)體芯片、集成電路等微小器件的過程中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。然而，盡管它們在功能上有所相似，但在技術(shù)原理、應(yīng)用場景等方面卻存在著明顯的區(qū)別。本文將對光刻機(jī)和蝕刻機(jī)的差異進(jìn)行深入探討。
2023-12-16 11:00:09371 
技術(shù)提供了典型應(yīng)用。蝕刻工藝對器件特性有著較大的影響，尤其是在精確控制蝕刻深度和較小化等離子體損傷的情況下影響較大。
2023-12-13 09:51:24294 
GaN和相關(guān)合金由于其優(yōu)異的特性以及大的帶隙、高的擊穿電場和高的電子飽和速度而成為有吸引力的材料之一，與優(yōu)化工藝過程相關(guān)的成熟材料是有源/無源射頻光電子器件近期發(fā)展的關(guān)鍵問題。專用于三元結(jié)構(gòu)的干法蝕刻工藝特別重要，因?yàn)檫@種器件通常包括異質(zhì)結(jié)構(gòu)。因此，GaN基光電器件的制造部分或全部依賴于干法刻蝕。
2023-12-11 15:04:20188 
隨著技術(shù)的不斷變化和器件尺寸的不斷縮小，清潔過程變得越來越復(fù)雜。每次清洗不僅要對晶圓進(jìn)行清洗，所使用的機(jī)器和設(shè)備也必須進(jìn)行清洗。晶圓污染物的范圍包括直徑范圍為0.1至20微米的顆粒、有機(jī)和無機(jī)污染物以及雜質(zhì)。
2023-12-06 17:19:58562 
另外一種工藝方法是整個(gè)板子上都鍍銅，感光膜以外的部分僅僅是錫或鉛錫抗蝕層。這種工藝稱為“全板鍍銅工藝“。與圖形電鍍相比，全板鍍銅的缺點(diǎn)是板面各處都要鍍兩次銅而且蝕刻時(shí)還必須都把它們腐蝕掉。
2023-12-06 15:03:45261 按工藝要求排放出部分比重高的溶液經(jīng)分析后補(bǔ)加氯化銨和氨的水溶液，使蝕刻液的比重調(diào)整到工藝充許的范圍。
2023-12-06 15:01:46285 GaN和InGaN基化合物半導(dǎo)體和其他III族氮化物已經(jīng)成功地用于實(shí)現(xiàn)藍(lán)-綠光發(fā)光二極管和藍(lán)光激光二極管。由于它們優(yōu)異的化學(xué)和熱穩(wěn)定性，在沒有其它輔助的情況下，在GaN和InGaN基材料上的濕法蝕刻是困難的，并且導(dǎo)致低的蝕刻速率和各向同性的蝕刻輪廓。
2023-12-05 14:00:22220 
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究。為了實(shí)現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法，大部分GaN刻蝕是通過等離子體刻蝕來完成
2023-12-01 17:02:39259 
由于其獨(dú)特的材料特性，III族氮化物半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于電力、高頻電子和固態(tài)照明等領(lǐng)域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關(guān)蝕刻已經(jīng)被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結(jié)構(gòu)。
2023-11-30 09:01:58166 
濕法刻蝕由于成本低、操作簡單和一些特殊應(yīng)用，所以它依舊普遍。
2023-11-27 10:20:17452 
目前，大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個(gè)缺點(diǎn)，包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法蝕刻產(chǎn)生的側(cè)壁典型均方根(rms)粗糙度約為50納米
2023-11-24 14:10:30241 
蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)及不同成分的蝕刻液都會對蝕刻因子或側(cè)蝕度產(chǎn)生影響，或者用樂觀的話來說，可以對其進(jìn)行控制。采用某些添加劑可以降低側(cè)蝕度。這些添加劑的化學(xué)成分一般屬于商業(yè)秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)問題，后面的章節(jié)將專門討論。
2023-11-14 15:23:10217 但是里面也有幾個(gè)關(guān)鍵的工藝參數(shù)需要控制的。同樣Etch GaAs也可以用ICP干法刻蝕的工藝，比濕法工藝效果要好些，側(cè)壁也垂直很多。
2023-11-14 09:31:29406 InAs/GaSb超晶格光敏芯片與讀出電路采用倒裝互連的形式構(gòu)成紅外探測器芯片。
2023-11-09 11:38:27424 
比較器沒遲滯誤觸發(fā)怎么通過外圍參數(shù)改善？ 比較器的作用是將兩個(gè)輸入的信號進(jìn)行比較，輸出一個(gè)數(shù)字化的結(jié)果，用于控制電路的變化。然而，有些時(shí)候比較器可能會產(chǎn)生一些不必要的誤觸發(fā)，這種情況下需要通過外圍
2023-10-31 14:48:27229 如何改善電機(jī)的PID參數(shù)
2023-10-30 06:46:01
干法蝕刻（dry etch）工藝通常由四個(gè)基本狀態(tài)構(gòu)成：蝕刻前（before etch），部分蝕刻（partial etch），蝕刻到位（just etch），過度蝕刻（over etch），主要表征有蝕刻速率，選擇比，關(guān)鍵尺寸，均勻性，終點(diǎn)探測。
2023-10-18 09:53:19788 
在精細(xì)印制電路制作過程中，噴淋蝕刻是影響產(chǎn)品質(zhì)量合格率重要的工序之一?，F(xiàn)有很多的文章對精細(xì)線路的蝕刻做了大量的研究，但是大多數(shù)都只停留在表象的研究中，并沒有從本質(zhì)上認(rèn)識噴淋蝕刻中出現(xiàn)的問題。
2023-10-17 15:15:35164 
蝕刻液的化學(xué)成分的組成：蝕刻液的化學(xué)組分不同，其蝕刻速率就不相同，蝕刻系數(shù)也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常是&；堿性氯化銅蝕刻液系數(shù)可達(dá)3.5-4。而正處在開發(fā)階段的以硝酸為主的蝕刻液可以達(dá)到幾乎沒有側(cè)蝕問題，蝕刻后的導(dǎo)線側(cè)壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553 氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實(shí)現(xiàn)藍(lán)光發(fā)光二極管(led)的主導(dǎo)材料。由于GaN的高化學(xué)穩(wěn)定性，在室溫下用濕法化學(xué)蝕刻來蝕刻或圖案化GaN是非常困難的。與濕法
2023-10-12 14:11:32244 
GaN及相關(guān)合金可用于制造藍(lán)色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學(xué)蝕刻結(jié)果有限，因此人們投入了大量精力來開發(fā)干法蝕刻工藝。干法蝕刻開發(fā)一開始集中于臺面結(jié)構(gòu)，其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側(cè)壁和不同材料的同等蝕刻。
2023-10-07 15:43:56319 
在半導(dǎo)體制造中，刻蝕工序是必不可少的環(huán)節(jié)。而刻蝕又可以分為干法刻蝕與濕法刻蝕，這兩種技術(shù)各有優(yōu)勢，也各有一定的局限性，理解它們之間的差異是至關(guān)重要的。
2023-09-26 18:21:003305 
銅的電阻率取決于其晶體結(jié)構(gòu)、空隙體積、晶界和材料界面失配，這在較小的尺度上變得更加重要。傳統(tǒng)上，銅(Cu)線的形成是通過使用溝槽蝕刻工藝在低k二氧化硅中蝕刻溝槽圖案，然后通過鑲嵌流用Cu填充溝槽來完成的。
2023-09-22 09:57:23281 
當(dāng)前固態(tài)電池已成為各國角逐的熱點(diǎn)技術(shù)，固態(tài)電池所使用的固體電解質(zhì)本身需要相對復(fù)雜的合成或處理工藝，固體電解質(zhì)自身的性質(zhì)及其和電極的理化相容性不但影響著電池材料體系在科學(xué)角度的構(gòu)建，也影響著其工程化進(jìn)程。
2023-09-21 10:22:41384 
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻工藝注意事項(xiàng)有哪些?PCB打樣蝕刻工藝注意事項(xiàng)。PCB打樣中，在銅箔部分預(yù)鍍一層鉛錫防腐層，保留在板外層，即電路的圖形部分，然后是其余的銅箔被化學(xué)方法腐蝕，稱為蝕刻。
2023-09-18 11:06:30669 繞線電感器作為一種應(yīng)用廣泛的電感產(chǎn)品，很多人在使用繞線電感的過程中可能會遇到很多問題，比如電感異響噪音的問題。噪音不僅會影響到設(shè)備的正常運(yùn)行，也會對客戶的體驗(yàn)造成不良影響。是否可以通過電感工藝改善繞線電感的噪音的問題呢？本篇谷景就與大家一起來探討這個(gè)問題。
2023-09-15 16:56:01
0 隨著材料技術(shù)的發(fā)展，InAs/GaSbⅡ類超晶格（T2SLs）的優(yōu)越性日益凸顯，特別適用于中長波紅外（MLWIR）和甚長波紅外（VLWIR）探測?；?b class="flag-6" style="color: red">InAs/GaSb T2SLs的光電探測器因具有
2023-09-09 11:34:36602 
要注意的是，蝕刻時(shí)的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點(diǎn)是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。
2023-09-07 14:41:12474 
直接蝕刻和剝離是兩種比較流行的圖案轉(zhuǎn)移工藝。在直接蝕刻工藝中，首先使用光刻技術(shù)對聚合物抗蝕劑進(jìn)行構(gòu)圖，然后通過干法蝕刻技術(shù)用抗蝕劑作為掩模將圖案轉(zhuǎn)移到襯底或子層上。
2023-09-07 09:57:14292 
在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。
2023-09-06 09:36:57811 
濕法腐蝕在半導(dǎo)體工藝里面占有很重要的一塊。不懂化學(xué)的芯片工程師是做不好芯片工藝的。
2023-08-30 10:09:041705 
pcb短路分析改善報(bào)告 背景說明 PCB（Printed Circuit Board）是電子產(chǎn)品中非常重要的部件，而其中的短路問題會給電路帶來嚴(yán)重的影響，甚至?xí)?dǎo)致電路的故障。因此，對PCB中的短路
2023-08-29 16:40:20918 識別，從而顯著提高系統(tǒng)性能。碲鎘汞材料、量子阱材料和銻化物Ⅱ類超晶格材料均可用于制備雙色紅外探測器。其中，InAs/GaSb Ⅱ類超晶格材料因其帶隙靈活可調(diào)、電子有效質(zhì)量更大、大面積均勻性高等特點(diǎn)以及成本優(yōu)勢，成為制備雙色
2023-08-25 09:16:42886 
我們?nèi)A林科納通過光學(xué)反射光譜半實(shí)時(shí)地原位監(jiān)測用有機(jī)堿性溶液的濕法蝕刻，以實(shí)現(xiàn)用于線波導(dǎo)的氫化非晶硅（a-Si:H）膜的高分辨率厚度控制。由a-Si:H的本征各向同性結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的各向同性蝕刻導(dǎo)致表面
2023-08-22 16:06:56239 
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講如何通過顏色辨別PCB表面處理工藝?通過顏色辨別PCB表面處理工藝。電路板的表面外層通常有三種顏色：金色、銀色、淺紅色。金色最貴，銀色較便宜，淺紅色最便宜。那么
2023-08-21 09:16:01394 
來源：《半導(dǎo)體芯科技》雜志 綠色目標(biāo)。黃色解決方案。 憑借二十年在批量噴涂及其硬件方面的經(jīng)驗(yàn)，Siconnex已成長為可持續(xù)濕法工藝設(shè)備的領(lǐng)先供應(yīng)商?？沙掷m(xù)發(fā)展和環(huán)境健康是我們的基因
2023-08-18 17:56:34320 
半導(dǎo)體蝕刻設(shè)備是半導(dǎo)體製造過程中使用的設(shè)備。 化學(xué)溶液通過將晶片浸入化學(xué)溶液（蝕刻劑）中來選擇性地去除半導(dǎo)體晶片的特定層或區(qū)域，化學(xué)溶液溶解并去除晶片表面所需的材料。
2023-08-15 15:51:58319 PCB蝕刻工藝中的“水池效應(yīng)”現(xiàn)象，通常發(fā)生在頂部，這種現(xiàn)象會導(dǎo)致大尺寸PCB整個(gè)板面具有不同的蝕刻質(zhì)量。
2023-08-10 18:25:431013 來源：《半導(dǎo)體芯科技》雜志 APS公司的批量工藝設(shè)備、單晶圓工藝設(shè)備和支持設(shè)備技術(shù)，其中的重點(diǎn)無疑是持續(xù)創(chuàng)新，以提供節(jié)約成本、優(yōu)化運(yùn)營和可持續(xù)的客戶解決方案。此外對話還涵蓋了當(dāng)前行業(yè)的一些挑戰(zhàn)，包括
2023-08-07 17:35:03541 隨著晶體管尺寸的不斷微縮，晶圓制造工藝日益復(fù)雜，對半導(dǎo)體濕法清洗技術(shù)的要求也越來越高。
2023-08-01 10:01:561639 
刻蝕和蝕刻實(shí)質(zhì)上是同一過程的不同稱呼，常常用來描述在材料表面上進(jìn)行化學(xué)或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過程。在半導(dǎo)體制造中，這個(gè)過程常常用于雕刻芯片上的細(xì)微結(jié)構(gòu)。
2023-07-28 15:16:594140 蝕刻是一種從材料上去除的過程?；砻嫔系囊环N薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時(shí)在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183 
蝕刻是一種從材料上去除的過程?；砻嫔系囊环N薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時(shí)在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03190 
國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的行業(yè)盛會將在上海如期舉行，華林科納將為您帶來超全面且領(lǐng)先的濕法解決方案，并攜泛半導(dǎo)體濕法裝備服務(wù)平臺亮相SEMICON China，與上下游企業(yè)進(jìn)行一對一交流，為企業(yè)發(fā)展瓶頸找到
2023-07-04 17:01:30251 
ValSuite報(bào)告改善驗(yàn)證過程ImproveValidationProcess偏差和記錄會導(dǎo)致驗(yàn)證過程延遲，但通過使用正確的報(bào)告工具，你可以消除障礙，保持審計(jì)準(zhǔn)備和符合FDA的要求。熱驗(yàn)證工藝
2023-06-30 10:08:49574 
時(shí)至今日，電磁干擾（EMI）問題始終是電子設(shè)備需要關(guān)注的焦點(diǎn)，也是讓工程師們頭疼的問題，它威脅著電子設(shè)備的安全性、可靠性和穩(wěn)定性。要改善EMI，合理的PCB布局至關(guān)重要。在本文中，小編將為大家介紹如何通過PCB布局來改善EMI，滿足客戶的需求。
2023-06-29 10:14:131359 
隨著集成電路互連線的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻，我們需要一個(gè)側(cè)壁鈍化機(jī)制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀的蒸氣壓，但大多數(shù)鋁蝕刻的研究
2023-06-27 13:24:11318 
CMOS和MEMS制造技術(shù)，允許相對于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實(shí)用性。這種化學(xué)性質(zhì)非常有用，但是當(dāng)存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻時(shí)，這就成了問題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻速率以及橫向或分層膜的蝕刻速率降低，濕法化學(xué)也會有問題。
2023-06-26 13:32:441053 
上海伯東日本 Atonarp Aston? Impact 和 Aston? Plasma 是超緊湊型質(zhì)譜儀, 適用于先進(jìn)半導(dǎo)體工藝（如沉積和蝕刻）所需的定量氣體分析.
2023-06-21 10:21:08197 
步驟的工藝中的實(shí)時(shí) EPD. 這是通過高信噪比 SNR 實(shí)現(xiàn)的, 從而避免了 OES 設(shè)備中常見的模棱兩可和復(fù)雜的多變量分析算法.
2023-06-20 17:28:31258 
離子束蝕刻 (Ion beam etch) 是一種物理干法蝕刻工藝。由此，氬離子以約1至3keV的離子束輻射到表面上。由于離子的能量，它們會撞擊表面的材料。晶圓垂直或傾斜入離子束，蝕刻過程是絕對
2023-06-20 09:48:563989 
Board， RPCB），F(xiàn)PC具有高度的柔性、輕薄、可彎曲、可卷繞等特點(diǎn)，適用于各種復(fù)雜的應(yīng)用場景。FPC通常采用聚酰亞胺（PI）、聚酰胺（PA）、聚酯（PET）等高分子材料作為基材，通過印刷、鍍銅、蝕刻、鉆孔、覆銅、裁切等工藝制成。
2023-06-18 09:31:382037 均勻性（1 σ）達(dá)到 離子束刻蝕屬于干法刻蝕, 其核心部件為離子源. 作為蝕刻機(jī)的核心部件,?KRi? 射頻離子源提供大尺寸, 高能量, 低濃度的寬束離子束, 接受客戶定制, 單次工藝時(shí)間更長, 滿足
2023-06-15 14:58:47665 
器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)。近年來，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù)，它基于連續(xù)的、自限性的表面反應(yīng)。ALE是一種蝕刻技術(shù)，允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續(xù)反應(yīng)。
2023-06-15 11:05:05526 
為了提供更優(yōu)良的靜電完整性，三維(3D)設(shè)計(jì)（如全圍柵(GAA)場電子晶體管(FET )）預(yù)計(jì)將在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)中被采用。3D MOS架構(gòu)為蝕刻應(yīng)用帶來了一系列挑戰(zhàn)。雖然平面設(shè)備更多地依賴于各向異性蝕刻，但是3D設(shè)備在不同材料之間具有高選擇性，需要更多的各向異性蝕刻能力。
2023-06-14 11:03:531779 
PCB板材，將銅箔覆蓋在玻璃纖維基板上。 3. 在PCB板材上涂上光敏感涂料，然后將Gerber文件通過曝光機(jī)照射到涂層上。 4. 將曝光后的PCB板材放入顯影液中，使未曝光的光敏感涂料被溶解掉，露出銅箔。 5. 將PCB板材放入蝕刻液中，使露出的銅箔被腐蝕掉，形成電路圖形狀。 6. 清洗PCB板材
2023-06-13 19:01:161603 光刻工藝后，在硅片或晶圓上形成了光刻膠的圖形，下一步就是刻蝕。
2023-06-08 10:52:353320 
等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個(gè)必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會實(shí)質(zhì)上改變蝕刻特性。在小型單個(gè)芯片上制造氮化鎵（GaN）設(shè)備，通常會導(dǎo)致晶圓的成本上升。在本研究中，英思特通過鋁基和硅基載流子來研究蝕刻過程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452 
納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學(xué)。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
集成電路前道工藝及對應(yīng)設(shè)備主要分八大類，包括光刻（光刻機(jī)）、刻蝕（刻蝕機(jī)）、薄膜生長（PVD-物理氣相沉積、CVD-化學(xué)氣相沉積等薄膜設(shè)備）、擴(kuò)散（擴(kuò)散爐）、離子注入（離子注入機(jī)）、平坦化（CMP設(shè)備）、金屬化（ECD設(shè)備）、濕法工藝（濕法工藝設(shè)備）等。
2023-05-30 10:47:121131 
過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程，測量了沿多個(gè)矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù)，提出了一種預(yù)測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 
通過濕法轉(zhuǎn)移二維材料與半導(dǎo)體襯底形成異質(zhì)結(jié)是一種常見的制備異質(zhì)結(jié)光電探測器的方法。在濕法轉(zhuǎn)移制備異質(zhì)結(jié)的過程中，不同的制備工藝細(xì)節(jié)對二維材料與半導(dǎo)體形成的異質(zhì)結(jié)的性能有顯著影響。
2023-05-26 10:57:21508 
與HgCdTe器件相比，InAs基材料在室溫下其載流子遷移率和俄歇復(fù)合系數(shù)均有明顯優(yōu)勢，并且InAs基器件在勢壘層材料上有更多的選擇
2023-05-23 09:31:02509 
蝕刻可能是濕制程階段最復(fù)雜的工藝，因?yàn)橛泻芏嘁蛩貢绊?b class="flag-6" style="color: red">蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻率就會變化，因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動化方法來維護(hù)蝕刻化學(xué)，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575 
微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）是將機(jī)械元件和電子電路集成在一個(gè)共同的基板上，通過使用微量制造技術(shù)來實(shí)現(xiàn)尺寸從小于一微米到幾微米的高性能器件。由于現(xiàn)有的表面加工技術(shù)，目前大多數(shù)的MEMS器件都是基于硅的。
2023-05-19 10:19:26352 一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作抗蝕刻 圖形電鍍之金屬抗蝕層如鍍覆金、鎳、錫鉛合金
2023-05-18 16:23:484917 蝕刻是微結(jié)構(gòu)制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法蝕刻和干法蝕刻，濕法蝕刻進(jìn)一步細(xì)分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應(yīng)用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12700 
拋光硅晶片是通過各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個(gè)稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機(jī)械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經(jīng)準(zhǔn)備好為設(shè)備制造。
2023-05-16 10:03:00584 
改善之后的工藝與之前最大的區(qū)別在于使用光刻膠充當(dāng)濺射的掩膜，在電鍍之前將電路圖形高精度的制備出來，不再進(jìn)行濕法刻蝕，避免了側(cè)腐蝕對線條精度和膜基結(jié)合力的影響，同時(shí)，基板只浸入丙酮中一次以去除光刻膠，避免了大量溶液的使用
2023-05-16 09:40:351218 
減薄晶片有四種主要方法，(1)機(jī)械研磨，(2)化學(xué)機(jī)械平面化，(3)濕法蝕刻(4)等離子體干法化學(xué)蝕刻(ADP DCE)。四種晶片減薄技術(shù)由兩組組成：研磨和蝕刻。為了研磨晶片，將砂輪和水或化學(xué)漿液結(jié)合起來與晶片反應(yīng)并使之變薄，而蝕刻則使用化學(xué)物質(zhì)來使基板變薄。
2023-05-09 10:20:06979 一、PCB工藝設(shè)計(jì)要考慮的基本問題
PCB的工藝設(shè)計(jì)非常重要，它關(guān)系到所設(shè)計(jì)的PCB能否高效率、低成本地制造出來。新一代的SMT裝聯(lián)工藝，由于其復(fù)雜性，要求設(shè)計(jì)者從一開始就必須考慮制造
2023-04-25 16:52:12
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：單晶的濕法蝕刻和紅外吸收 編號：JFKJ-21-206 作者：炬豐科技 摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法生長AlN單晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118 PCB制程中的COB工藝是什么呢？
2023-04-23 10:46:59
【摘要】 在半導(dǎo)體濕法工藝中，后道清洗因使用有機(jī)藥液而與前道有著明顯區(qū)別。本文主要將以濕法清洗后道工藝幾種常用藥液及設(shè)備進(jìn)行對比研究，論述不同藥液與機(jī)臺的清洗原理，清洗特點(diǎn)與清洗局限性。【關(guān)鍵詞
2023-04-20 11:45:00823 
半導(dǎo)體工藝 1.CMOS晶體管是在硅片上制造的 ? 2.平版印刷的過程類似于印刷機(jī) ? 3.每一步，不同的材料被存放或蝕刻 ? 4.通過查看頂部和頂部最容易理解文章全部詳情：壹叁叁伍捌零陸肆叁叁叁簡化制造中的晶圓截面的過程 ? 逆變器截面?? 要求pMOS晶體管的機(jī)身 ? 逆變器掩模組 晶體管
2023-04-20 11:16:00247 
反應(yīng)離子蝕刻 (RIE)是一種干法蝕刻工藝，與半導(dǎo)體工業(yè)中使用的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:161253 
干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項(xiàng)目開始時(shí)必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應(yīng)在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331004 濕法蝕刻工藝的原理是使用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高
2023-04-10 17:26:10453 
半導(dǎo)體行業(yè)的許多工藝步驟都會排放有害廢氣。對于使用非?；顫姷臍怏w的化學(xué)氣相沉積或干法蝕刻，所謂的靠近源頭的廢氣使用點(diǎn)處理是常見的做法。相比之下，對于濕法化學(xué)工藝，使用中央濕式洗滌器處理廢氣是一種公認(rèn)
2023-04-06 09:26:48408 
了革命性的變化，這種布局完全不同于90nm節(jié)點(diǎn)。從45nm節(jié)點(diǎn)后，雙重圖形化技術(shù)已經(jīng)應(yīng)用在柵圖形化工藝中。隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的繼續(xù)縮小，MOSFET柵極關(guān)鍵尺寸CD繼續(xù)縮小遇到了困難，IC設(shè)計(jì)人員開始減少柵極之間的間距。
2023-04-03 09:39:402452 清洗過程在半導(dǎo)體制造過程中，在技術(shù)上和經(jīng)濟(jì)上都起著重要的作用。超薄晶片表面必須實(shí)現(xiàn)無顆粒、無金屬雜質(zhì)、無有機(jī)、無水分、無天然氧化物、無表面微粗糙度、無充電、無氫。硅片表面的主要容器可分為顆粒、金屬雜質(zhì)和有機(jī)物三類。
2023-03-31 10:56:19314 
經(jīng)過多年的研發(fā)，隨著該行業(yè)在內(nèi)存和邏輯方面面臨新的挑戰(zhàn)，一種稱為低溫蝕刻的技術(shù)正在重新出現(xiàn)，成為一種可能的生產(chǎn)選擇。
2023-03-29 10:14:41392 
印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個(gè)比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過程，本文就對其最后的一步--蝕刻進(jìn)行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886 研究表明，半導(dǎo)體的物理特性會根據(jù)其結(jié)構(gòu)而變化，因此半導(dǎo)體晶圓在組裝成芯片之前被蝕刻成可調(diào)整其電氣和光學(xué)特性以及連接性的結(jié)構(gòu)。
2023-03-28 09:58:34251 
在濕蝕刻的情況下，隨著SiNx/SiOy層的厚度減小，剩余的SiOy層由于表面張力而坍塌，蝕刻溶液對孔的滲透變得更具挑戰(zhàn)性。
2023-03-27 10:17:49402 
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