行業(yè)背景 隨著工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，物聯(lián)網(wǎng)作為新興生產(chǎn)力正在改變許多行業(yè)的工作方式。在半導(dǎo)體芯片行業(yè)，自動蝕刻機(jī)的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用正在助力企業(yè)達(dá)到監(jiān)控設(shè)備更加便利、故障運(yùn)維更加高效、數(shù)據(jù)分析更加精準(zhǔn)等等
2024-03-20 17:52:39
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這篇論文介紹了一種文本引導(dǎo)的變分圖像生成方法，旨在解決工業(yè)制造中的異常檢測和分割問題。傳統(tǒng)方法通過訓(xùn)練非缺陷數(shù)據(jù)的分布來進(jìn)行異常檢測，但這需要大量且多樣化的非缺陷數(shù)據(jù)。
2024-03-14 10:15:2844 
由于只有熱氧化法可以提供最低界面陷阱密度的高質(zhì)量氧化層，因此通常采用熱氧化的方法生成柵氧化層和場氧化層。
2024-03-13 09:49:05103 
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復(fù)合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關(guān)于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
電力變壓器的內(nèi)部缺陷及診斷方法? 電力變壓器作為電力系統(tǒng)中的關(guān)鍵設(shè)備之一，負(fù)責(zé)調(diào)整電壓水平以滿足電力傳輸和分配的需求。然而，在長期運(yùn)行過程中，電力變壓器可能會出現(xiàn)各種故障和內(nèi)部缺陷，這些故障和內(nèi)部
2024-03-05 16:30:00133 預(yù)計(jì)該項(xiàng)目投資總額3.5億元人民幣，將引進(jìn)碳化硅外延設(shè)備及輔助設(shè)備共計(jì)116套。其中包括一條具備24萬片年產(chǎn)量的6英寸低密度缺陷碳化硅外延材料產(chǎn)線。
2024-02-29 16:24:01216 二氧化碳雪清洗作為一種新型的清洗方法，在芯片制造領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。通過將高壓液態(tài)二氧化碳釋放，得到微米級固相二氧化碳顆粒，并與高壓氣體混合形成動能，可以有效地沖擊晶粒表面，去除微米級和亞微米
2024-02-27 12:14:4693 
氧化誘導(dǎo)期（OIT）是測定材料在高溫（通常為200℃）氧氣條件下開始發(fā)生自動催化氧化反應(yīng)的時(shí)間，是衡量材料在成型加工、儲存、焊接和使用中耐熱降解能力的指標(biāo)。以下是氧化誘導(dǎo)期的檢測方法：上海
2024-02-27 11:19:16144 
蝕刻時(shí)間和過氧化氫濃度對ZnO玻璃基板的影響 本研究的目的是確定蝕刻ZnO薄膜的最佳技術(shù)。使用射頻濺射設(shè)備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的過氧化氫（H2O2
2024-02-02 17:56:45306 
在封裝前，通常要減薄晶圓，減薄晶圓主要有四種主要方法：機(jī)械磨削、化學(xué)機(jī)械研磨、濕法蝕刻和等離子體干法化學(xué)蝕刻。
2024-01-26 09:59:27547 
材料 去除的影響。重點(diǎn)綜述了傳統(tǒng)化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)中的游離磨料和固結(jié)磨料工藝以及化學(xué)機(jī)械拋光的輔助增效工藝。同時(shí)從工藝條件、加工效果、加工特點(diǎn)及去除機(jī)理 4 個(gè)方面歸納了不同形式的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)，最后對碳化硅的化學(xué) 機(jī)械拋光技術(shù)的未來發(fā)展方向進(jìn)行了展望，并對今后研究的側(cè)重點(diǎn)提出了相關(guān)思路。
2024-01-24 09:16:36431 
、光纖放大器的作用和使用方法。 一、光纖的材料 光纖主要由兩種材料構(gòu)成，分別是二氧化硅（SiO2）和聚合物。二氧化硅光纖是目前應(yīng)用更廣泛的一種光纖，其制造工藝復(fù)雜，成本也相對較高。聚合物光纖則比較便宜，但在信號傳輸方面
2024-01-19 17:16:01421 一種鋰電池內(nèi)水去除工藝方法
2024-01-04 10:23:47174 
4H-SiC概述（生長、特性、應(yīng)用）、Bulk及外延層缺陷、光致發(fā)光/拉曼光譜法/DLTS/μ-PCD/KOH熔融/光學(xué)顯微鏡，TEM，SEM/散射光等表征方法。
2023-12-28 10:38:03486 
導(dǎo)電型碳化硅功率器件主要是通過在導(dǎo)電型襯底上生長碳化硅外延層，得到碳化硅外延片后進(jìn)一步加工制成，品種包括SBD（肖特基二極管）、MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）、IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）等，主要用于電動汽車、光伏、軌道交通、數(shù)據(jù)中心、充電等基礎(chǔ)建設(shè)。
2023-12-27 10:08:56305 
碳化硅三極管的阻值測試方法? 碳化硅是一種新型的半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、高電場飽和漂移速度和較小的漏電流等特點(diǎn)，在高功率和高溫應(yīng)用中具有廣泛的應(yīng)用前景。碳化硅三極管是基于碳化硅材料制造的一種
2023-12-21 11:27:20318 在敷銅板上，通過光化學(xué)法，網(wǎng)印圖形轉(zhuǎn)移或電鍍圖形抗蝕層，然后蝕刻掉非圖形部分的銅箔或采用機(jī)械方式去除不需要部分而制成印制電路板PCB。而減成法中主要有雕刻法和蝕刻法兩種。雕刻法是用機(jī)械加工方法除去不需要的銅箔，在單件試制或業(yè)余條件下可快速制出印制電路板PCB;
2023-12-18 15:34:08145 電子元件是現(xiàn)代科技中不可或缺的一部分，但由于制造過程中的復(fù)雜性，元件可能出現(xiàn)各種缺陷。為了保證電子元件的質(zhì)量和可靠性，缺陷檢測是必不可少的過程。本文將詳細(xì)介紹電子元件缺陷檢測的不同方法和技術(shù)
2023-12-18 14:46:20371 在微電子制造領(lǐng)域，光刻機(jī)和蝕刻機(jī)是兩種不可或缺的重要設(shè)備。它們在制造半導(dǎo)體芯片、集成電路等微小器件的過程中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。然而，盡管它們在功能上有所相似，但在技術(shù)原理、應(yīng)用場景等方面卻存在著明顯的區(qū)別。本文將對光刻機(jī)和蝕刻機(jī)的差異進(jìn)行深入探討。
2023-12-16 11:00:09371 
碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工，需要在其上經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實(shí)現(xiàn)，高質(zhì)量的碳化硅同質(zhì)外延材料是碳化硅器件研制的基礎(chǔ)，外延材料的性能直接決定了碳化硅器件性能的實(shí)現(xiàn)。
2023-12-15 09:45:53607 
可能的解決方案是降低電極偏壓并減小氧化物厚度。Cooper解釋道，薄氧化物提高了對通道的控制——要知道在硅MOSFET中就運(yùn)行在低電壓下。這種解決方案需要對制造過程進(jìn)行微調(diào)。雖然關(guān)于薄介質(zhì)碳化硅器件
2023-12-14 16:58:23743 
、結(jié)構(gòu)、制備方法、特性以及應(yīng)用方面存在著一些差異。以下將詳細(xì)介紹碳化硅和氮化鎵的區(qū)別。 1. 物理性質(zhì) 碳化硅是由碳和硅元素組成的化合物，具有多種晶體結(jié)構(gòu)，包括六方晶系、三方晶系和立方晶系。它具有較高的熔點(diǎn)、硬度、熱導(dǎo)率和
2023-12-08 11:28:51740 另外一種工藝方法是整個(gè)板子上都鍍銅，感光膜以外的部分僅僅是錫或鉛錫抗蝕層。這種工藝稱為“全板鍍銅工藝“。與圖形電鍍相比，全板鍍銅的缺點(diǎn)是板面各處都要鍍兩次銅而且蝕刻時(shí)還必須都把它們腐蝕掉。
2023-12-06 15:03:45261 按工藝要求排放出部分比重高的溶液經(jīng)分析后補(bǔ)加氯化銨和氨的水溶液，使蝕刻液的比重調(diào)整到工藝充許的范圍。
2023-12-06 15:01:46285 GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究。為了實(shí)現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法，大部分GaN刻蝕是通過等離子體刻蝕來完成
2023-12-01 17:02:39259 
試驗(yàn)各種材料耐熱，耐寒，耐濕的性能?？蓾M足以下標(biāo)準(zhǔn)：GB2423.1-89低溫試驗(yàn)方法、GB2423.2-89高溫試驗(yàn)方法、GB2423-93試驗(yàn)D6交變濕熱試驗(yàn)方
2023-12-01 14:34:52
由于其獨(dú)特的材料特性，III族氮化物半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于電力、高頻電子和固態(tài)照明等領(lǐng)域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關(guān)蝕刻已經(jīng)被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結(jié)構(gòu)。
2023-11-30 09:01:58166 
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講PCB設(shè)計(jì)要不要去除死銅?PCB設(shè)計(jì)去除死銅的必要性。PCB死銅也叫PCB孤島，是指在PCB中孤立無連接的銅箔，一般都是在鋪銅時(shí)產(chǎn)生，那 PCB設(shè)計(jì) 中是否應(yīng)該去除
2023-11-29 09:06:24432 
本推文主要介Ga2O3器件，氧化鎵和氮化鎵器件類似，都難以通過離子注入擴(kuò)散形成像硅和碳化硅的一些阱結(jié)構(gòu)，并且由于氧化鎵能帶結(jié)構(gòu)的價(jià)帶無法有效進(jìn)行空穴傳導(dǎo)，因此難以制作P型半導(dǎo)體。學(xué)習(xí)氧化鎵仿真初期
2023-11-27 17:15:091025 
目前，大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個(gè)缺點(diǎn)，包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法蝕刻產(chǎn)生的側(cè)壁典型均方根(rms)粗糙度約為50納米
2023-11-24 14:10:30241 
Python是一個(gè)強(qiáng)大的編程語言，提供了許多解決問題的方法和功能。其中一個(gè)常見的問題是如何去除列表中的重復(fù)數(shù)據(jù)。在本文中，我們將詳細(xì)介紹Python中去除列表中重復(fù)數(shù)據(jù)的幾種方法，包括使用循環(huán)
2023-11-21 15:49:14271 蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)及不同成分的蝕刻液都會對蝕刻因子或側(cè)蝕度產(chǎn)生影響，或者用樂觀的話來說，可以對其進(jìn)行控制。采用某些添加劑可以降低側(cè)蝕度。這些添加劑的化學(xué)成分一般屬于商業(yè)秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)問題，后面的章節(jié)將專門討論。
2023-11-14 15:23:10217 電極片常見缺陷 電極片缺陷檢測方法 電極片缺陷對電池性能的影響? 電極片是電池的重要組成部分之一，其質(zhì)量和性能直接影響到電池的工作效率和穩(wěn)定性。然而，電極片在制造和使用過程中常常會出現(xiàn)各種缺陷，這些
2023-11-10 14:54:13694 ）來將模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號時(shí)，內(nèi)部噪聲對轉(zhuǎn)換結(jié)果產(chǎn)生了影響。本篇文章將詳細(xì)介紹如何使用軟件來去除內(nèi)部噪聲，從而降低對ADC結(jié)果的影響。我們將探討噪聲的來源、常見的去噪方法以及如何在軟件中應(yīng)用這些方法。 第一部分：內(nèi)部噪聲的來源
2023-11-09 15:38:37303 英思特研究了在低溫下用乙酸去除氧化銅。乙酸去除各種氧化銅，包括氧化亞銅、氧化銅和氫氧化銅，而不會侵蝕下面的銅膜。
2023-11-06 17:59:44239 
蝕刻液的化學(xué)成分的組成：蝕刻液的化學(xué)組分不同，其蝕刻速率就不相同，蝕刻系數(shù)也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常是&；堿性氯化銅蝕刻液系數(shù)可達(dá)3.5-4。而正處在開發(fā)階段的以硝酸為主的蝕刻液可以達(dá)到幾乎沒有側(cè)蝕問題，蝕刻后的導(dǎo)線側(cè)壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553 方法多采用傳統(tǒng)機(jī)器視覺算法，通過圖像形態(tài)學(xué)處理與特征提取進(jìn)行缺陷識別，往往需要根據(jù)不同形態(tài)的缺陷特征，設(shè)計(jì)不同的特征提取與識別算法。鋁型材表面缺陷形態(tài)不規(guī)則、位置隨機(jī)且大小不一，采用傳統(tǒng)機(jī)器視覺缺陷識別方法進(jìn)行鋁型材缺陷識別，難以同時(shí)滿足檢測精度與效率的要求。
2023-10-08 15:30:01474 
GaN及相關(guān)合金可用于制造藍(lán)色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學(xué)蝕刻結(jié)果有限，因此人們投入了大量精力來開發(fā)干法蝕刻工藝。干法蝕刻開發(fā)一開始集中于臺面結(jié)構(gòu)，其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側(cè)壁和不同材料的同等蝕刻。
2023-10-07 15:43:56319 
碳化硅MOS管是以碳化硅半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管，與傳統(tǒng)的硅MOS管有很大的不同。KeepTops來給大家詳細(xì)介紹碳化硅MOS管與普通MOS管在材料、特性、工作原理及應(yīng)用等方面的區(qū)別。
2023-09-27 14:49:05812 
為9.5級，僅次于世界上最硬的金剛石（10級）），導(dǎo)熱性能優(yōu)良，高溫抗氧化性強(qiáng)。由于碳化硅的天然含量較低，它主要是人造的。
2023-09-22 15:11:04306 
銅的電阻率取決于其晶體結(jié)構(gòu)、空隙體積、晶界和材料界面失配，這在較小的尺度上變得更加重要。傳統(tǒng)上，銅(Cu)線的形成是通過使用溝槽蝕刻工藝在低k二氧化硅中蝕刻溝槽圖案，然后通過鑲嵌流用Cu填充溝槽來完成的。
2023-09-22 09:57:23281 
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻工藝注意事項(xiàng)有哪些?PCB打樣蝕刻工藝注意事項(xiàng)。PCB打樣中，在銅箔部分預(yù)鍍一層鉛錫防腐層，保留在板外層，即電路的圖形部分，然后是其余的銅箔被化學(xué)方法腐蝕，稱為蝕刻。
2023-09-18 11:06:30669 近年來，氧化鎵（Ga2O3）半導(dǎo)體受到世界各國科研和產(chǎn)業(yè)界的普遍關(guān)注。氧化鎵具有4.9 eV的超寬禁帶，高于第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）的3.2 eV和氮化鎵（GaN）的3.39 eV。
2023-09-11 10:24:44266 
要注意的是，蝕刻時(shí)的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點(diǎn)是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。
2023-09-07 14:41:12474 
在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。
2023-09-06 09:36:57811 
各種材料耐熱，耐寒，耐濕的性能?？蓾M足以下標(biāo)準(zhǔn)：GB2423.1-89低溫試驗(yàn)方法、GB2423.2-89高溫試驗(yàn)方法、GB2423-93試驗(yàn)D6交變濕熱試驗(yàn)方法、
2023-09-01 14:24:32
鈦金屬具有較高的比強(qiáng)度和生物相容性，并且由于在金屬表面自發(fā)形成的鈍化膜而具有優(yōu)異的抗蝕刻性。這種薄氧化膜在空氣中容易形成，保護(hù)內(nèi)部活性鈦金屬免受侵蝕性介質(zhì)的影響。二氧化鈦具有很寬的帶隙，因此鈦經(jīng)常被用于各種應(yīng)用，包括光催化劑、化學(xué)傳感器和醫(yī)療植入物。
2023-09-01 10:18:07187 
目前市場上出現(xiàn)的碳化硅半導(dǎo)體包括的類型相對較多，常見的主要有二極管、金屬氧化物、半導(dǎo)體場效應(yīng)、晶體管、晶閘管、結(jié)算場、效應(yīng)晶體管等等這些不同類型的碳化硅器件，單元結(jié)構(gòu)和漂移區(qū)參雜以及厚度之間存在較為明顯的差異。那么下文主要針對不同類型的碳化硅功率器件的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行分析。
2023-08-31 14:14:22285 我們?nèi)A林科納通過光學(xué)反射光譜半實(shí)時(shí)地原位監(jiān)測用有機(jī)堿性溶液的濕法蝕刻，以實(shí)現(xiàn)用于線波導(dǎo)的氫化非晶硅（a-Si:H）膜的高分辨率厚度控制。由a-Si:H的本征各向同性結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的各向同性蝕刻導(dǎo)致表面
2023-08-22 16:06:56239 
GHz鉿-氧化鋯-氧化鋁納機(jī)電諧振器的掃描電子顯微鏡圖像（左）和突出顯示超晶格細(xì)節(jié)的諧振器橫截面圖（右）。 據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，美國佛羅里達(dá)大學(xué)的研究人員近年一直在探索原子工程鉿和氧化鋯基材料在電子系統(tǒng)各種組件制造中的潛力。近日
2023-08-22 09:19:59270 
今天主要是關(guān)于：PCB 缺陷以及如何檢查PCB的缺陷。
2023-08-18 11:05:22586 
制造業(yè)的全面智能化發(fā)展對工業(yè)產(chǎn)品的質(zhì)量檢測提出了新的要求。本文總結(jié)了機(jī)器學(xué)習(xí)方法在表面缺陷檢測中的研究現(xiàn)狀，表面缺陷檢測是工業(yè)產(chǎn)品質(zhì)量檢測的關(guān)鍵部分。首先，根據(jù)表面特征的用途，從紋理特征、顏色特征
2023-08-17 11:23:29529 
半導(dǎo)體蝕刻設(shè)備是半導(dǎo)體製造過程中使用的設(shè)備。 化學(xué)溶液通過將晶片浸入化學(xué)溶液（蝕刻劑）中來選擇性地去除半導(dǎo)體晶片的特定層或區(qū)域，化學(xué)溶液溶解并去除晶片表面所需的材料。
2023-08-15 15:51:58319 PCB蝕刻工藝中的“水池效應(yīng)”現(xiàn)象，通常發(fā)生在頂部，這種現(xiàn)象會導(dǎo)致大尺寸PCB整個(gè)板面具有不同的蝕刻質(zhì)量。
2023-08-10 18:25:431013 給大家分享一下焊接缺陷的表現(xiàn)和出現(xiàn)原因：一、潤濕性差：潤濕性差表現(xiàn)在焊盤吃錫不好或元器件引腳吃錫不好。產(chǎn)生的原因：1、元器件引腳或焊盤已經(jīng)被氧化/污染；2、過低的再流
2023-08-10 18:00:05580 
一、產(chǎn)品簡介HM6020氧化鋅避雷器測試儀是專門用于檢測10kV及以下電力系統(tǒng)用無間隙氧化鋅避雷器MOA閥電間接觸不良的內(nèi)部缺陷，測量MOA的直流參考電壓（U1mA）和0.75 U1mA
2023-08-08 11:01:16
刻蝕和蝕刻實(shí)質(zhì)上是同一過程的不同稱呼，常常用來描述在材料表面上進(jìn)行化學(xué)或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過程。在半導(dǎo)體制造中，這個(gè)過程常常用于雕刻芯片上的細(xì)微結(jié)構(gòu)。
2023-07-28 15:16:594140 陽極氧化的基礎(chǔ)上，利用弧光放電增強(qiáng)并激活在陽極上發(fā)生的反應(yīng)，從而在以鋁、鈦、鎂金屬及其合金為材料的工件表面形成優(yōu)質(zhì)的強(qiáng)化陶瓷膜的方法。
2023-07-21 16:01:32
各種材料耐熱，耐寒，耐濕的性能?？蓾M足以下標(biāo)準(zhǔn)：GB2423.1-89低溫試驗(yàn)方法、GB2423.2-89高溫試驗(yàn)方法、GB2423-93試驗(yàn)D6交變濕熱試驗(yàn)方法、
2023-07-17 11:37:20
蝕刻是一種從材料上去除的過程。基片表面上的一種薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時(shí)在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183 
蝕刻是一種從材料上去除的過程?；砻嫔系囊环N薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時(shí)在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03190 
陽極氧化的基礎(chǔ)上，利用弧光放電增強(qiáng)并激活在陽極上發(fā)生的反應(yīng)，從而在以鋁、鈦、鎂金屬及其合金為材料的工件表面形成優(yōu)質(zhì)的強(qiáng)化陶瓷膜的方法。
2023-07-11 14:28:29
陽極氧化的基礎(chǔ)上，利用弧光放電增強(qiáng)并激活在陽極上發(fā)生的反應(yīng)，從而在以鋁、鈦、鎂金屬及其合金為材料的工件表面形成優(yōu)質(zhì)的強(qiáng)化陶瓷膜的方法。
2023-07-11 12:18:07
on insulator，SOI)晶圓頂層硅制成的振動膜、在氧化硅上蝕刻的真空腔、氧化硅隔離層、硅襯底和金屬鋁底電極。在外界大氣壓強(qiáng)的作用下，薄膜向下凹陷。CMUT 在工作狀態(tài)下需要在上下電極之間施加直流偏置電壓，通過提高薄膜應(yīng)力來提高靈敏度。
2023-06-28 09:23:491409 
都使用Cl基蝕刻化學(xué)物質(zhì)。當(dāng)在等離子體放電中分解時(shí)，CCl為還原物質(zhì)提供了來源，并用于去除表面氧化物和Cl，與下面的Al反應(yīng)。
2023-06-27 13:24:11318 
CMOS和MEMS制造技術(shù)，允許相對于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實(shí)用性。這種化學(xué)性質(zhì)非常有用，但是當(dāng)存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻時(shí)，這就成了問題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻速率以及橫向或分層膜的蝕刻速率降低，濕法化學(xué)也會有問題。
2023-06-26 13:32:441053 
少的情況下實(shí)現(xiàn)高精度的檢測呢？目前有兩種方法，一種是小樣本學(xué)習(xí)，另一種是用GAN。本文將介紹一種GAN用于無缺陷樣本產(chǎn)品表面缺陷檢測。
2023-06-26 09:49:01549 
氧化誘導(dǎo)時(shí)間測試儀是一種用于測定高分子材料氧化誘導(dǎo)時(shí)間的儀器。該儀器通過測量材料在高溫氧化環(huán)境中誘導(dǎo)期的時(shí)間，來評估材料的熱穩(wěn)定性和氧化誘導(dǎo)速度。本文將詳細(xì)介紹氧化誘導(dǎo)時(shí)間測試儀的基本原理、使用方法
2023-06-25 11:01:06511 
器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)。近年來，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù)，它基于連續(xù)的、自限性的表面反應(yīng)。ALE是一種蝕刻技術(shù)，允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續(xù)反應(yīng)。
2023-06-15 11:05:05526 
為了提供更優(yōu)良的靜電完整性，三維(3D)設(shè)計(jì)（如全圍柵(GAA)場電子晶體管(FET )）預(yù)計(jì)將在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)中被采用。3D MOS架構(gòu)為蝕刻應(yīng)用帶來了一系列挑戰(zhàn)。雖然平面設(shè)備更多地依賴于各向異性蝕刻，但是3D設(shè)備在不同材料之間具有高選擇性，需要更多的各向異性蝕刻能力。
2023-06-14 11:03:531779 
使用對比反轉(zhuǎn)光敏聚合物干膜電鍍阻劑(最常使用的一種類型)時(shí)，其負(fù)底片可以用相對便宜的激光印制機(jī)或繪圖筆制作。線路電鍍中陽極的耗銅量較少，在蝕刻過程中需要去除的銅也較少，因此降低了電解槽的分析和維護(hù)保養(yǎng)費(fèi)
2023-06-09 14:19:07
碳化硅原理用途及作用是什么 碳化硅是一種非金屬陶瓷材料，具有高溫、耐腐蝕、抗氧化、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)良性能。它由碳素和硅素兩種元素組成，碳化硅由結(jié)構(gòu)單元SiC構(gòu)成，每個(gè)SiC結(jié)構(gòu)單元都由一個(gè)硅原子
2023-06-05 12:48:351971 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151180 我們在PCB打樣的過程中，經(jīng)常會出現(xiàn)很多焊接缺陷，從而影響電路板的合格率。那么，PCB電路板出現(xiàn)焊接缺陷的因素有哪些？ 1、翹曲產(chǎn)生的焊接缺陷。電池線路板和元器件在焊接過程，由于電池線路板的上下
2023-06-01 14:34:40
碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報(bào)深受眾多專業(yè)讀者喜愛，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場，以及未來的發(fā)展趨勢，感謝各位
2023-05-31 09:43:20390 等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個(gè)必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會實(shí)質(zhì)上改變蝕刻特性。在小型單個(gè)芯片上制造氮化鎵（GaN）設(shè)備，通常會導(dǎo)致晶圓的成本上升。在本研究中，英思特通過鋁基和硅基載流子來研究蝕刻過程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452 
納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學(xué)。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻，這是制造硅中微結(jié)構(gòu)的一種非常有用的技術(shù)。以10M氫氧化鉀（KOH）為蝕刻劑，研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程，測量了沿多個(gè)矢量方向的蝕刻速率，用單晶球發(fā)現(xiàn)了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數(shù)據(jù)，提出了一種預(yù)測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618 
蝕刻可能是濕制程階段最復(fù)雜的工藝，因?yàn)橛泻芏嘁蛩貢绊?b class="flag-6" style="color: red">蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻率就會變化，因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動化方法來維護(hù)蝕刻化學(xué)，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575 
一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作抗蝕刻 圖形電鍍之金屬抗蝕層如鍍覆金、鎳、錫鉛合金
2023-05-18 16:23:484918 蝕刻是微結(jié)構(gòu)制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類：濕法蝕刻和干法蝕刻，濕法蝕刻進(jìn)一步細(xì)分為兩部分，即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應(yīng)用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12700 
本文介紹了激光在碳化硅（SiC）半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用，概括講述了激光與碳化硅相互作用的機(jī)理，并重點(diǎn)對碳化硅晶圓激光標(biāo)記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應(yīng)用進(jìn)行了介紹。
2023-05-17 14:39:041222 
減薄晶片有四種主要方法，(1)機(jī)械研磨，(2)化學(xué)機(jī)械平面化，(3)濕法蝕刻(4)等離子體干法化學(xué)蝕刻(ADP DCE)。四種晶片減薄技術(shù)由兩組組成：研磨和蝕刻。為了研磨晶片，將砂輪和水或化學(xué)漿液結(jié)合起來與晶片反應(yīng)并使之變薄，而蝕刻則使用化學(xué)物質(zhì)來使基板變薄。
2023-05-09 10:20:06979 書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：單晶的濕法蝕刻和紅外吸收 編號：JFKJ-21-206 作者：炬豐科技 摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法生長AlN單晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118 本文介紹了激光在碳化硅（SiC）半導(dǎo)體晶圓制程中的應(yīng)用，概括講述了激光與碳化硅相互作用的機(jī)理，并重點(diǎn)對碳化硅晶圓激光標(biāo)記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應(yīng)用進(jìn)行了介紹。
2023-04-23 09:58:27712 
進(jìn)行的?！ 、偃咫婂?b class="flag-6" style="color: red">方法可用于制造寬度和間距要求不太嚴(yán)格的印制電路板。全板電鍍的工藝流程如下： 化學(xué)鍍銅→活化→電鍍銅→防氧化處理→水沖洗→干燥→刷板→印制負(fù)相抗蝕圖象→修版→電鍍抗蝕金屬→水沖洗→去除抗蝕劑
2023-04-20 15:25:28
末（顆粒）與糊狀助焊劑（松香、稀釋劑、穩(wěn)定劑等）載體均勻混合而成的膏狀焊料。其中合金顆粒是形成焊點(diǎn)的主要成分；助焊劑則是去除焊接表面的氧化層，提高潤濕性，是確保錫膏質(zhì)量的關(guān)鍵材料。錫膏就重量而言，一般
2023-04-18 14:16:12
反應(yīng)離子蝕刻 (RIE)是一種干法蝕刻工藝，與半導(dǎo)體工業(yè)中使用的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:161253 
干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項(xiàng)目開始時(shí)必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應(yīng)在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331004 Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18
如何防止PCBA焊接中常見的假焊和虛焊缺陷呢？有哪些方法呢？
2023-04-06 16:33:09
。 目前最好的方法是在氮?dú)獗Ｗo(hù)的氛圍下使用含磷的焊料，可將浮渣率控制在最低程度，焊接缺陷最少、工藝控制最佳?！ ∪?、焊接過程中的工藝參數(shù)控制 焊接工藝參數(shù)對焊接表面質(zhì)量的影響比較復(fù)雜，并涉及到較多的技術(shù)
2023-04-06 16:25:06
PCB制作中干膜和濕膜可能會帶來哪些品質(zhì)不良的問題？以及問題如何解決呢？
2023-04-06 15:51:01
印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個(gè)比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過程，本文就對其最后的一步--蝕刻進(jìn)行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886 調(diào)溫調(diào)濕箱全名“恒溫恒濕試驗(yàn)箱”是航空、汽車、家電、科研等領(lǐng)域必備的測試設(shè)備，用于測試和確定電工、電子及其他產(chǎn)品及材料進(jìn)行高溫、低溫、濕熱度或恒定試驗(yàn)的溫度環(huán)境變化后的參數(shù)及性能，它主要用于根據(jù)試驗(yàn)
2023-03-28 09:02:36
在濕蝕刻的情況下，隨著SiNx/SiOy層的厚度減小，剩余的SiOy層由于表面張力而坍塌，蝕刻溶液對孔的滲透變得更具挑戰(zhàn)性。
2023-03-27 10:17:49402 
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