制造集成電路的大多數(shù)工藝區(qū)域要求100級（空氣中每立方米內(nèi)直徑大于等于0.5μm的塵埃粒子總數(shù)不超過約3500）潔凈室，在光刻區(qū)域，潔凈室要求10級或更高。
2024-03-20 12:36:00
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與正光刻膠相比，電子束負(fù)光刻膠會形成相反的圖案?；诰酆衔锏呢?fù)型光刻膠會在聚合物鏈之間產(chǎn)生鍵或交聯(lián)。未曝光的光刻膠在顯影過程中溶解，而曝光的光刻膠則保留下來，從而形成負(fù)像。
2024-03-20 11:36:50197 
倒裝芯片組裝過程通常包括焊接、去除助焊劑殘留物和底部填充。由于芯片不斷向微型化方向發(fā)展，倒裝芯片與基板之間的間隙不斷減小，因此去除助焊劑殘留物的難度不斷增加。這不可避免地會導(dǎo)致清洗成本增加
2024-03-15 09:21:28107 
在曝光過程中，掩模版與涂覆有光刻膠的硅片直接接觸。接觸式光刻機(jī)的縮放比為1:1，分辨率可達(dá)到4-5微米。由于掩模和光刻膠膜層反復(fù)接觸和分離，隨著曝光次數(shù)的增加，會引起掩模版和光刻膠膜層損壞、芯片良率下降等不良后果。
2024-03-08 10:42:3788 
利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用。
2024-03-06 14:28:5062 
光刻膠是一種涂覆在半導(dǎo)體器件表面的特殊液體材料，可以通過光刻機(jī)上的模板或掩模來進(jìn)行曝光。
2024-03-04 17:19:18399 光刻膠不能太厚或太薄，需要按制程需求來定。比如對于需要長時(shí)間蝕刻以形成深孔的應(yīng)用場景，較厚的光刻膠層能提供更長的耐蝕刻時(shí)間。
2024-03-04 10:49:16131 
電子束光刻（e-beam lithography，EBL）是無掩膜光刻的一種，它利用波長極短的聚焦電子直接作用于對電子敏感的光刻膠（抗蝕劑）表面繪制形成與設(shè)計(jì)圖形相符的微納結(jié)構(gòu)。
2024-03-04 10:19:28206 
）：由感光劑、樹脂和溶劑構(gòu)成，用于形成電路圖案和阻擋層 光刻膠是由可溶性聚合物和光敏材料組成的化合物，當(dāng)其暴露在光線下時(shí)，會在溶劑中發(fā)生降解或融合等化學(xué)反應(yīng)。在運(yùn)用于晶圓級封裝的光刻（Photolithography）工藝過程中時(shí)，光刻膠可用于創(chuàng)建電路圖案，還
2024-02-18 18:16:31277 
PCB是聚氯化二苯( Polychlorinated Biphenyls)的英文縮寫，是一類具有有機(jī)氯化物的有機(jī)化合物。PCB在20世紀(jì)50年代至70年代廣泛被制造和使用，主要用于電力設(shè)備、變壓器、電容器、潤滑油等工業(yè)領(lǐng)域。然而，隨著人們對環(huán)境和健康的關(guān)注不斷增強(qiáng)，PCB被發(fā)現(xiàn)對人體和環(huán)境有極高的毒性和持久性，因此從20世紀(jì)70年代初至80年代末，PCB的生產(chǎn)和使用逐漸被禁止。 PCB的結(jié)構(gòu)由兩個(gè)苯環(huán)通過碳碳單鍵連接而成，同時(shí)其中的氯原子被取代。氯原子的取代數(shù)量可以影響P
2024-02-04 10:53:35468 據(jù)吳中發(fā)布的最新消息，簽約項(xiàng)目涵蓋了瑞紅集成電路高端光刻膠總部項(xiàng)目，該項(xiàng)投資高達(dá)15億元，旨在新建半導(dǎo)體光刻膠及其配套試劑的生產(chǎn)基地。
2024-01-26 09:18:43207 光刻膠產(chǎn)業(yè)鏈轉(zhuǎn)移。01光刻膠定義光刻膠，也被稱為“光致抗蝕劑”，是一種用于光刻的載體介質(zhì)，它可以利用光化學(xué)反應(yīng)將光信息在光刻系統(tǒng)中經(jīng)過衍射和過濾后轉(zhuǎn)化為化學(xué)能，從而
2024-01-19 08:31:24340 
在SMT貼片加工過程中，錫膏和助焊劑會產(chǎn)生殘留物質(zhì)，殘留物中包含有有機(jī)酸和可分解的電離子，其中有機(jī)酸具有腐蝕作用，電離子殘留在焊盤還會引起短路，而且這些殘留物在PCBA板上是非常臟的，而且不符合顧客對產(chǎn)品清潔度的要求。所以，對PCBA板進(jìn)行清洗是非常有必要的。
2024-01-17 10:01:23256 層的作用，只會留下少量酸性離子殘留物。免洗錫膏的焊后殘留物雖少，但對于某些高精密器件仍不可忽視。因此，免洗錫膏的殘留物腐蝕性仍舊是熱議問題。
2024-01-08 09:04:56143 
光刻膠主要下游應(yīng)用包括：顯示屏制造、印刷電路板生產(chǎn)、半導(dǎo)體制造等，其中顯示屏是光刻膠最大的下游應(yīng)用，占比30%。光刻膠在半導(dǎo)體制造應(yīng)用占比24%，是第三達(dá)應(yīng)用場景。
2024-01-03 18:12:21346 
助焊劑清洗不干凈是指在焊接后，使用的助焊劑沒有完全清潔或去除干凈。這可能表現(xiàn)為在焊接區(qū)域或金屬表面上殘留有助焊劑的痕跡或殘留物。
2023-12-29 10:02:48452 所謂的“光刻膠”，即是在紫外線、電子束等輻射下，其溶解度會產(chǎn)生變化的耐腐蝕薄膜材料。作為光刻工藝中的關(guān)鍵要素，廣泛應(yīng)用于晶圓和分立器件的精細(xì)圖案制作中。其品種繁多，此次漲價(jià)涉及的KrF 光刻膠則屬高級別光刻膠，將成為各廠商關(guān)注的焦點(diǎn)。
2023-12-28 11:14:34379 HMDS，BARC是光刻工序中比較常用的化學(xué)品，但是它們并不能用顯影液除去，根據(jù)是什么？它們一定要除去嗎？有哪幾種去除的方式？
2023-12-22 10:29:55414 
在SMT貼片加工過程中，錫膏和助焊劑會產(chǎn)生殘留物質(zhì)，殘留物中包含有有機(jī)酸和可分解的電離子，其中有機(jī)酸具有腐蝕作用，電離子殘留在焊盤還會引起短路，而且這些殘留物在PCBA板上是比較臟的，也不符合客戶對產(chǎn)品清潔度的要求。所以，對PCBA板進(jìn)行清洗是非常有必要的,接下來為大家介紹手工清洗和自動清洗的方法。
2023-12-20 10:04:04277 光照條件的設(shè)置、掩模版設(shè)計(jì)以及光刻膠工藝等因素對分辨率的影響都反映在k?因子中，k?因子也常被用于評估光刻工藝的難度，ASML認(rèn)為其物理極限在0.25，k?體現(xiàn)了各家晶圓廠運(yùn)用光刻技術(shù)的水平。
2023-12-18 10:53:05326 
勻膠是光刻中比較重要的一步，而旋涂速度是勻膠中至關(guān)重要的參數(shù)，那么我們在勻膠時(shí)，是如何確定勻膠速度呢？它影響光刻膠的哪些性質(zhì)？
2023-12-15 09:35:56442 
光刻膠類別的多樣化，此次漲價(jià)案所涉KrF光刻膠屬于高階防護(hù)用品，也是未來各地廠家的競爭焦點(diǎn)。當(dāng)前市場中，光刻膠主要由東京大賀工業(yè)、杜邦、JSR、信越化學(xué)、住友化學(xué)及東進(jìn)半導(dǎo)體等大型制造商掌控。
2023-12-14 15:20:36408 揭秘pcb是什么物質(zhì)：你不知道的“化學(xué)戰(zhàn)士”
2023-12-14 10:27:30302 近期，萬潤股份在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)透露，其“年產(chǎn)65噸半導(dǎo)體用光刻膠樹脂系列”項(xiàng)目已經(jīng)順利投入運(yùn)營。該項(xiàng)目旨在為客戶提供專業(yè)的半導(dǎo)體用光刻膠樹脂類材料。
2023-12-12 14:02:58328 半導(dǎo)體制造業(yè)依賴復(fù)雜而精確的工藝來制造我們需要的電子元件。其中一個(gè)過程是晶圓清洗，這個(gè)是去除硅晶圓表面不需要的顆?；?b class="flag-6" style="color: red">殘留物的過程，否則可能會損害產(chǎn)品質(zhì)量或可靠性。RCA清洗技術(shù)能有效去除硅晶圓表面的有機(jī)和無機(jī)污染物，是一項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)的晶圓清洗工藝。
2023-12-07 13:19:14235 光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-12-04 09:17:241334 
據(jù)報(bào)道，韓國SK集團(tuán)于2020年斥資400億韓元收購當(dāng)?shù)劐\湖石化的電子材料業(yè)務(wù)，收購后成立的新子公司SK Materials Performance（SKMP）已開發(fā)出一種高厚度KrF光刻膠，并通過了SK海力士的性能驗(yàn)證，這將有利于SK海力士3D NAND閃存的技術(shù)開發(fā)。
2023-11-29 17:01:56433 KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進(jìn)行光刻的光刻膠。248nmKrF光刻技術(shù)已廣 泛應(yīng)用于0.13μm工藝的生產(chǎn)中,主要應(yīng)用于150 , 200和300mm的硅晶圓生產(chǎn)中。
2023-11-29 10:28:50283 
據(jù)悉，skmp開發(fā)的新型KrF光刻膠的厚度為14至15米，與東進(jìn)半導(dǎo)體（DONGJIN SEMICHEM）向三星提供的產(chǎn)品相似。日本jsr公司的類似產(chǎn)品厚度只有10微米。
2023-11-29 10:02:52258 為了生產(chǎn)高純度、高質(zhì)量的光刻膠，需要高純度的配方原料，例如光刻樹脂，溶劑PGMEA…此外，生產(chǎn)過程中的反應(yīng)釜鍍膜和金屬析出污染監(jiān)測也是至關(guān)重要的控制環(huán)節(jié)。例如，2019年，某家半導(dǎo)體制造公司由于光刻膠受到光阻原料的污染，導(dǎo)致上萬片12吋晶圓報(bào)廢
2023-11-27 17:15:48550 20日，西隴科學(xué)（株）發(fā)布公告稱，該公司沒有生產(chǎn)銷售礦產(chǎn)品。公司生產(chǎn)及銷售用于清洗劑、顯影液、剝離液等的光刻膠，占公司營業(yè)收入的比例，是目前用于上述用途的光刻膠配套。
2023-11-21 14:54:57315 在光刻過程中，鉻被用作掩膜版的關(guān)鍵材料。鉻在紫外光下表現(xiàn)出高光學(xué)密度，可以有效阻擋光線。在石英基板上通過PVD等方法均勻地沉積一層薄的鉻，在其上涂覆一層光刻膠，再使用電子束光刻，顯影，在光刻膠上做出預(yù)期的圖形，之后進(jìn)行Cr的刻蝕，最后去除光刻膠，即可得到掩膜版。
2023-11-20 17:07:57836 
光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體，不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項(xiàng)重要指標(biāo)。那么光刻膠的黏度為什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻膠算高黏度，哪些算低黏度呢？
2023-11-13 18:14:11571 
在PCBA生產(chǎn)過程中，錫膏和助焊劑會產(chǎn)生殘留物質(zhì)，殘留物中包含的有機(jī)酸和電離子，前者易腐蝕PCBA，后者會造成焊盤間短路故障。且近年來，用戶對產(chǎn)品的清潔度要求越來越嚴(yán)格，PCBA清洗工藝逐漸被電子
2023-11-10 15:00:14346 
EUV 超薄 （≤10nm）尺度的光刻膠：隨著特征尺寸的縮小，光刻膠分子成分成為特征尺寸的一部分。構(gòu)成光刻膠的分子必須是單組分、小的構(gòu)建塊，以防止聚集和分離。新的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)將需要超薄光刻膠和底層組合。
2023-11-06 11:23:15402 
股，募集資金人民幣850,000,002.24元，用于瑞紅蘇州先進(jìn)制程工藝半導(dǎo)體光刻膠及配套試劑業(yè)務(wù)的研發(fā)、采購、生產(chǎn)和銷售及相關(guān)投資。
2023-11-02 10:59:26555 生產(chǎn)光刻膠的原料包括光引發(fā)劑（光增感劑、光致產(chǎn)酸劑幫助其更好發(fā)揮作用）、樹脂、溶劑和其他添加劑等，我國由于資金和技術(shù)的差距，如感光劑、樹脂等被外企壟斷，所以光刻膠自給能力不足。
2023-11-01 15:51:48138 
因?yàn)檎龢O材料中的粘合劑和導(dǎo)電劑無法完全去除。從粉碎后的電池殘留物中獲得可接受的純度水平很復(fù)雜且能耗高。
2023-10-29 10:01:08351 
光刻是半導(dǎo)體加工中最重要的工藝之一，決定著芯片的性能。光刻占芯片制造時(shí)間的40%-50%，占其總成本的30%。光刻膠是光刻環(huán)節(jié)關(guān)鍵耗材，其質(zhì)量和性能與電子器件良品率、器件性能可靠性直接相關(guān)。
2023-10-26 15:10:24359 
金屬圖案的剝離方法已廣泛應(yīng)用于各種電子器件的制造過程中，如半導(dǎo)體封裝、MEMS和LED的制造。與傳統(tǒng)的金屬刻蝕方法不同的是，采用剝離法的優(yōu)點(diǎn)是節(jié)省成本和工藝簡化。在剝離過程中，經(jīng)過涂層、曝光和開發(fā)過程后，光刻膠會在晶片上形成圖案。
2023-10-25 10:40:05185 
光學(xué)光刻是通過廣德照射用投影方法將掩模上的大規(guī)模集成電路器件的結(jié)構(gòu)圖形畫在涂有光刻膠的硅片上，通過光的照射，光刻膠的成分發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而生成電路圖。限制成品所能獲得的最小尺寸與光刻系統(tǒng)能獲得的分辨率直接相關(guān)，而減小照射光源的波長是提高分辨率的最有效途徑。
2023-10-24 11:43:15271 
黃光的波長遠(yuǎn)離UV范圍，因此不會引起光刻膠的意外曝光。黃光燈通常不含有紫外線，從而保護(hù)光敏材料免受不必要的曝光。
2023-10-11 15:14:33747 光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一，是電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹脂三種主要成分組成，是一種具有光化學(xué)敏感性的混合液體。其利用光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等光刻工藝，將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上，是用于微細(xì)加工技術(shù)的關(guān)鍵性電子化學(xué)品。
2023-10-09 14:34:491674 
發(fā)現(xiàn)PCBA 上的殘留物對PCBA 的可靠性水平影響極大，而在殘留物中，無機(jī)殘留物會減小絕緣電阻，增加焊點(diǎn)或?qū)Ь€間的漏電流，在潮濕空氣條件下，還會使金屬表面腐蝕；有機(jī)殘留物(如松香、油脂等)會形成絕緣膜，從而影響連接器、開關(guān)和繼電器等元器件表面之
2023-09-22 11:05:221122 
隨著半導(dǎo)體工業(yè)沿著摩爾定律的曲線急速下降 ,驅(qū)使加工工藝向著更高的電流密度、更高的時(shí)鐘頻率和更多的互聯(lián)層轉(zhuǎn)移。由于器件尺寸的縮小、光學(xué)光刻設(shè)備焦深的減小 , 要求片子表面可接受的分辨率的平整度達(dá)到
2023-09-19 07:23:03
近20年來，EUV光源、EUV掩模和EUV光刻膠一直是EUV光刻的三大技術(shù)挑戰(zhàn)。
2023-09-14 09:45:12562 
：華林科納PFA管具有出色的
化學(xué)惰性，對許多酸堿
化學(xué)品都具有極高的耐腐蝕性。它能夠抵御強(qiáng)酸、強(qiáng)堿、有機(jī)溶劑以及各種腐蝕性
化學(xué)物質(zhì)的侵蝕，因此非常適合用于輸送
化學(xué)品。 2、耐高溫性：華林科納PFA管能夠在高溫環(huán)境下工作，通?？赡褪軠?/div>
2023-09-13 17:29:48266 LPS33HW代表了最新一代高性能MEMS氣壓傳感器，它專為可穿戴設(shè)備而設(shè)計(jì)，也適用于工業(yè)設(shè)備和電表。LPS33HW也可以耐受氯、溴和鹽水等化學(xué)物質(zhì)，非常適合在泳池和海水中游泳時(shí)使用。它還可以耐受
2023-09-13 06:19:07
EUV光刻膠材料是光敏物質(zhì)，當(dāng)受到EUV光子照射時(shí)會發(fā)生化學(xué)變化。這些材料在解決半導(dǎo)體制造中的各種挑戰(zhàn)方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用，包括提高靈敏度、控制分辨率、減少線邊緣粗糙度（LER）、降低釋氣和提高熱穩(wěn)定性。
2023-09-11 11:58:42349 
光刻技術(shù)通過光刻膠將圖案成功轉(zhuǎn)移到硅片上，但是在相關(guān)制程結(jié)束后就需要完全除去光刻膠，那么這個(gè)時(shí)候去膠液就發(fā)揮了作用，那么去膠液都有哪些種類？去膠原理是什么？
2023-09-06 10:25:011152 
摻雜少量鉑元素的鎳硅化物的穩(wěn)定性也不盡相同，還與物質(zhì)的具體結(jié)構(gòu)有關(guān)，舉個(gè)例子來說，NiPtSi，比NiSi要穩(wěn)定。
2023-08-27 09:18:27645 
湖州國資消息，寧波微芯新材料科技有限公司的半導(dǎo)體材料生產(chǎn)基地項(xiàng)目總投資3.5億元人民幣，用地35畝，年產(chǎn)1000噸的電子級光刻膠原材料（光刻膠樹脂、高等級單體等核心材料）基地建設(shè)。”全部達(dá)到，預(yù)計(jì)年產(chǎn)值可達(dá)到約5億元。
2023-08-21 11:18:26942 會上，經(jīng)開區(qū)分別同4家企業(yè)就功率器件IC封測項(xiàng)目、超級功率電池及鋰電池PACK產(chǎn)線項(xiàng)目、氫能產(chǎn)業(yè)集群項(xiàng)目、高性能電池項(xiàng)目進(jìn)項(xiàng)現(xiàn)場簽約。會議還舉行了《2023勢銀光刻膠產(chǎn)業(yè)發(fā)展藍(lán)皮書》發(fā)布儀式。
2023-08-16 15:30:38483 整個(gè)覆銅板制作過程中的反應(yīng)原理是通過感光劑、顯影劑和蝕刻液等化學(xué)物質(zhì)與曝光過程中形成的光敏膜產(chǎn)生特定的化學(xué)反應(yīng)，使其能夠選擇性地去除或保留不同區(qū)域的銅箔和線路圖案，最終形成所需的印刷電路板。這一過程的控制和優(yōu)化對于確保PCB質(zhì)量和性能非常重要。
2023-08-10 15:09:474287 光刻是一種圖像復(fù)制技術(shù)，是集成電路工藝中至關(guān)重要的一項(xiàng)工藝。簡單地說，光刻類似照相復(fù)制方法，即將掩膜版上的圖形精確地復(fù)制到涂在硅片表面的光刻膠或其他掩蔽膜上面，然后在光刻膠或其他掩蔽膜的保護(hù)下對硅片進(jìn)行離子注入、刻蝕、金屬蒸鍍等。
2023-08-07 17:52:531480 
也帶來腐蝕和漏電等問題。一般的電子產(chǎn)品可以使用免洗錫膏極少有殘留物出現(xiàn)。焊后錫膏殘留物帶來的危害：1、顆粒性污染物易造成電短路；2、極性玷污物會造成介質(zhì)擊穿、漏電和元
2023-07-25 19:18:26715 
據(jù)介紹，在器件制造過程中，由于薄膜沉積、光刻、刻蝕和化學(xué)機(jī)械拋光等工藝步驟的大幅增長，在晶圓的邊緣造成了不可避免的副產(chǎn)物及殘留物堆積，這些晶邊沉積的副產(chǎn)物及殘留物驟增導(dǎo)致的缺陷風(fēng)險(xiǎn)成為產(chǎn)品良率的嚴(yán)重威脅。
2023-07-19 15:02:26607 就此次事件，陶氏化學(xué)發(fā)表聲明稱，該工廠于7月14日發(fā)生火災(zāi)，就此次事件，正在與當(dāng)?shù)丶爸輽C(jī)構(gòu)密切合作。所有人員都被判定為安全，空氣檢查中沒有檢測出空氣中的有害物質(zhì)。事故原因還在調(diào)查中。
2023-07-17 10:55:41505 本文對動力電池中使用的不同化學(xué)物質(zhì)以及實(shí)現(xiàn)BMS的主要目的提出了全球概述。
2023-07-12 16:02:27902 
光刻膠（光敏膠）進(jìn)行光刻，將圖形信息轉(zhuǎn)移到基片上，從而實(shí)現(xiàn)微細(xì)結(jié)構(gòu)的制造。光刻機(jī)的工作原理是利用光學(xué)系統(tǒng)將光線聚焦到光刻膠上，通過掩膜版（也稱為光刻掩膜）上的圖形
2023-07-07 11:46:07
在某電子制造工廠中，他們開始使用了一種新型的低溫錫膏來進(jìn)行回流焊接，當(dāng)他們開始使用這種新的低溫錫膏進(jìn)行回流焊接時(shí)，他們注意到一些焊點(diǎn)上出現(xiàn)了助焊劑殘留的問題。這些殘留物在焊點(diǎn)周圍形成了一些明顯的白色斑點(diǎn)，影響了焊接點(diǎn)的可靠性和外觀。快和小編一起來看看~
2023-07-07 10:42:153168 系列工作在 - 40°C 至 +125°C 工業(yè)溫度范圍，能以±4% 的準(zhǔn)確恒定電流為三種不同的儲能化學(xué)物質(zhì)（鋰離子、鉛酸和超級電容器）充電 。當(dāng)存儲元件充電時(shí)，這些器件以±1% 的精度調(diào)節(jié)空載輸出
2023-07-05 20:05:10236 
然而，SAP在定義細(xì)間距特征方面面臨一些挑戰(zhàn)。細(xì)線可能會因?yàn)楦呖v橫比而坍塌，由于與基板的接觸面積小，可能會出現(xiàn)分層，并且用作模板的光刻膠可能會殘留在通孔中[3]。
2023-07-05 10:34:12960 
? ? 紫外光刻和曝光 是半導(dǎo)體行業(yè)生產(chǎn)各種高端芯片、微觀電路結(jié)構(gòu)的核心技術(shù)。在紫外光刻過程中，光源發(fā)射的紫外線通過掩模上的微小透鏡或光柵，然后投射到光刻膠層上，形成所需的微細(xì)圖案。 長期以來
2023-07-05 10:11:241026 
在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設(shè)計(jì)好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進(jìn)行刻蝕工藝，以去除不必要的材料，只保留所需的圖形。
2023-06-28 10:04:58843 
JSR 是全球僅有的四家 EUV 光刻膠供應(yīng)商之一，其產(chǎn)品是制造先進(jìn)芯片必不可少的原料。
2023-06-27 15:51:21597 圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。其中，刻蝕工藝是光刻(Photo)工藝的下一步，用于去除光刻膠(Photo Resist
2023-06-26 09:20:10816 
在光刻膠工藝過程中，涂層曝光、顯影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下來，該涂層材料為正性光刻膠。
2023-06-25 15:32:114559 
一般而言，在焊接組件時(shí)，我們建議選用助焊劑而非使用錫油。焊接完畢后，使用者可以使用酒精或清洗劑來清除殘余的助焊劑，避免殘留物造成短路問題。
助焊劑選用原則:
依待焊物體種類選擇助焊劑的活性。如果
2023-06-25 09:01:24
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）在上游的半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)中，除了光刻機(jī)等設(shè)備外，光刻膠、掩膜版等材料也是決定晶圓質(zhì)量與良率的關(guān)鍵因素。就拿掩膜版來說，這個(gè)承載設(shè)計(jì)圖形的材料，經(jīng)過曝光后將圖形信息轉(zhuǎn)移到
2023-06-22 01:27:001984 本工作中，研究人員報(bào)道了一種可再充的生物質(zhì)流動電池，首次將生物質(zhì)的電催化氧化/還原與電池材料的氧化/還原耦合，基于生物質(zhì)平臺分子糠醛的氧化還原性，創(chuàng)制了一種新型可充放電的“生物質(zhì)電池”
2023-06-16 16:27:341160 
一般而言，在焊接組件時(shí)，我們建議選用助焊劑而非使用錫油。焊接完畢后，使用者可以使用酒精或清洗劑來清除殘余的助焊劑，避免殘留物造成短路問題。
2023-06-14 08:31:40
來源：欣奕華材料 據(jù)欣奕華材料官微消息，近日，國內(nèi)光刻膠龍頭企業(yè)阜陽欣奕華材料科技有限公司（以下簡稱“阜陽欣奕華”）完成超5億元人民幣 D 輪融資。 據(jù)悉，本輪融資由盛景嘉成母基金
2023-06-13 16:40:00552 傳統(tǒng)鋰離子電池 (LIB) 中使用的關(guān)鍵礦物（Li、Ni 和 Co）供應(yīng)緊張且成本高昂，這促使人們對非鋰電池化學(xué)物質(zhì)的興趣與日俱增。
2023-06-11 10:28:31551 
上，使光刻膠在照射處發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。然后，通過顯影步驟，未照射到的光刻膠被溶解掉，形成圖案。經(jīng)過后烘烤，圖案被固定，以便后續(xù)步驟。
2023-06-09 11:36:522037 
ROHS六項(xiàng)有害物質(zhì)檢測：為環(huán)境與健康筑起的安全屏障 引言： 隨著科技的飛速發(fā)展，電子產(chǎn)品已經(jīng)成為我們?nèi)粘Ｉ钪胁豢苫蛉钡囊徊糠帧Ｈ欢?，電子產(chǎn)品的制造與使用過程中往往涉及許多化學(xué)物質(zhì)，其中一些可能
2023-06-08 17:48:421008 
光刻工藝后，在硅片或晶圓上形成了光刻膠的圖形，下一步就是刻蝕。
2023-06-08 10:52:353320 
通常，光刻是作為特性良好的模塊的一部分執(zhí)行的，其中包括晶圓表面制備、光刻膠沉積、掩模和晶圓的對準(zhǔn)、曝光、顯影和適當(dāng)?shù)目刮g劑調(diào)節(jié)。光刻工藝步驟需要按順序進(jìn)行表征，以確保模塊末端剩余的抗蝕劑是掩模的最佳圖像，并具有所需的側(cè)壁輪廓。
2023-06-02 16:30:25418 
在化學(xué)腐蝕點(diǎn)處的濃度越高，腐蝕速率越快。在拋光過程中拋光液持續(xù)流動，我們假設(shè)在腐蝕點(diǎn)處的濃度可以保持初始時(shí)的濃度，腐蝕率以最快的速度發(fā)生，則拋光液不同的PH值對應(yīng)一個(gè)腐蝕率，由此可見，去除速率與PH值有關(guān)，PH越高，速率越快。
2023-06-02 15:24:06347 
來源：每日經(jīng)濟(jì)新聞，記者：程雅 編輯：張海妮，謝謝 編輯：感知芯視界 5月24日晚，國產(chǎn)光刻膠大廠彤程新材發(fā)布公告稱，于近日收到實(shí)控人Zhang Ning與Liu Dong Sheng的通知，二人
2023-05-29 09:33:44187 隨著電子信息業(yè)的發(fā)展，PCBA組裝工藝要求越來越高，而電子整機(jī)產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性取決于PCBA的質(zhì)量和可靠性。
2023-05-25 09:50:08345 感光速度:即光刻膠受光照射發(fā)生溶解速度改變所需的最小能量，感光速度越快，單位時(shí)間內(nèi)芯片制造的產(chǎn)出越高，經(jīng)濟(jì)效益越好，另-方面，過快的感光速度會對引起工藝寬容度的減小，影響工藝制程的穩(wěn)定性。
2023-05-25 09:46:09561 
改善之后的工藝與之前最大的區(qū)別在于使用光刻膠充當(dāng)濺射的掩膜，在電鍍之前將電路圖形高精度的制備出來，不再進(jìn)行濕法刻蝕，避免了側(cè)腐蝕對線條精度和膜基結(jié)合力的影響，同時(shí)，基板只浸入丙酮中一次以去除光刻膠，避免了大量溶液的使用
2023-05-16 09:40:351218 
在集成電路制造領(lǐng)域，如果說光刻機(jī)是推動制程技術(shù)進(jìn)步的“引擎”，光刻膠就是這部“引擎”的“燃料”。
2023-05-13 11:28:381122 
光刻膠可以通過光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等光刻工序?qū)⑺枰奈⒓?xì)圖形從光罩（掩模版）轉(zhuǎn)移到待加工基片上。依據(jù)使用場景，這里的待加工基片可以是集成電路材料，顯示面板材料或者印刷電路板。
2023-05-11 16:10:492775 
晶圓廠通常使用光刻膠來圖案化抗蝕刻硬掩模，然后依靠硬掩模來保護(hù)晶圓。但是，如果光刻膠太薄，它可能會在第一個(gè)轉(zhuǎn)移步驟完成之前被侵蝕掉。隨著光刻膠厚度的減小，底層厚度也應(yīng)該減小。
2023-04-27 16:25:00689 
根據(jù)維基百科的定義，光刻是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個(gè)重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結(jié)構(gòu)，然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在襯底上。這里所說的襯底不僅包含硅晶圓，還可以是其他金屬層、介質(zhì)層，例如玻璃、SOS中的藍(lán)寶石。
2023-04-25 11:11:331243 
清洗硅片（Wafer Clean）
清洗硅片的目的是去除污染物去除顆粒、減少針孔和其它缺陷，提高光刻膠黏附性
基本步驟：化學(xué)清洗——漂洗——烘干。
2023-04-25 11:09:403859 
光刻就是把芯片制作所需要的線路與功能區(qū)做出來。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-04-25 11:05:322260 
的產(chǎn)品故障增加。本文將簡要討論污染物殘留物對PCB點(diǎn)焊的影響以及有關(guān)清潔的一些問題?！ ?污染物殘留對PCB點(diǎn)焊的影響 a.電化學(xué)遷移 電化學(xué)遷移是ECM的縮寫，是指通過某些介質(zhì)（例如，在電磁場
2023-04-21 16:03:02
的光敏膜層。該光致抗蝕劑包括在暴露于紫外光之后硬化的光反應(yīng)性化學(xué)物質(zhì)層。這確保了從照相膠片到光刻膠的精確匹配。薄膜安裝在將銷釘固定在層壓板上的適當(dāng)位置的銷釘上?！ ”∧ず图埌迮懦梢恍?，并接收一束紫外線
2023-04-21 15:55:18
151n光刻膠曝光顯影后開口底部都會有一撮殘留，找不到原因。各位幫分析下
2023-04-20 13:13:52
新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開發(fā)，必須通過精心設(shè)計(jì)的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進(jìn)行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰(zhàn)，imec 最近開發(fā)了一個(gè)新的工具箱來匹配光刻膠和底層的屬性。
2023-04-13 11:52:121164 此前該公司指出，公司已建成年產(chǎn)5噸ArF干式光刻膠生產(chǎn)線、年產(chǎn)20噸ArF浸沒式光刻膠生產(chǎn)線及年產(chǎn)45噸的光刻膠配套高純試劑生產(chǎn)線，具備ArF光刻膠及配套關(guān)鍵組分材料的生產(chǎn)能力，目前公司送樣驗(yàn)證的產(chǎn)品均由該自建產(chǎn)線產(chǎn)出。
2023-04-11 09:25:32920 調(diào)溫調(diào)濕箱全名“恒溫恒濕試驗(yàn)箱”是航空、汽車、家電、科研等領(lǐng)域必備的測試設(shè)備，用于測試和確定電工、電子及其他產(chǎn)品及材料進(jìn)行高溫、低溫、濕熱度或恒定試驗(yàn)的溫度環(huán)境變化后的參數(shù)及性能，它主要用于根據(jù)試驗(yàn)
2023-03-28 09:02:36
光刻是將設(shè)計(jì)好的電路圖從掩膜版轉(zhuǎn)印到晶圓表面的光刻膠上，通過曝光、顯影將目標(biāo)圖形印刻到特定材料上的技術(shù)。光刻工藝包括三個(gè)核心流程：涂膠、對準(zhǔn)和曝光以及光刻膠顯影，整個(gè)過程涉及光刻機(jī)，涂膠顯影機(jī)、量測設(shè)備以及清洗設(shè)備等多種核心設(shè)備，其中價(jià)值量最大且技術(shù)壁壘最高的部分就是光刻機(jī)。
2023-03-25 09:32:394952 根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2020年全球晶圓制造材料中，硅片占比最高，為35%；電子氣體排名第2，占比13%；掩膜版排名第3，占比12%，光刻膠占比6%；光刻膠配套材料占比8% ；濕電子化學(xué)品占比7%；CMP拋光材料占比6%；靶材占比2%。
2023-03-25 09:30:544119 
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