制造集成電路的大多數(shù)工藝區(qū)域要求100級(空氣中每立方米內(nèi)直徑大于等于0.5μm的塵埃粒子總數(shù)不超過約3500)潔凈室,在光刻區(qū)域,潔凈室要求10級或更高。
2024-03-20 12:36:0060 與正光刻膠相比,電子束負(fù)光刻膠會形成相反的圖案?;诰酆衔锏呢?fù)型光刻膠會在聚合物鏈之間產(chǎn)生鍵或交聯(lián)。未曝光的光刻膠在顯影過程中溶解,而曝光的光刻膠則保留下來,從而形成負(fù)像。
2024-03-20 11:36:50197 倒裝芯片組裝過程通常包括焊接、去除助焊劑殘留物和底部填充。由于芯片不斷向微型化方向發(fā)展,倒裝芯片與基板之間的間隙不斷減小,因此去除助焊劑殘留物的難度不斷增加。這不可避免地會導(dǎo)致清洗成本增加
2024-03-15 09:21:28107 在曝光過程中,掩模版與涂覆有光刻膠的硅片直接接觸。接觸式光刻機(jī)的縮放比為1:1,分辨率可達(dá)到4-5微米。由于掩模和光刻膠膜層反復(fù)接觸和分離,隨著曝光次數(shù)的增加,會引起掩模版和光刻膠膜層損壞、芯片良率下降等不良后果。
2024-03-08 10:42:3788 利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光,光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化,從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上,從而使薄片具有電子線路圖的作用。
2024-03-06 14:28:5062 光刻膠是一種涂覆在半導(dǎo)體器件表面的特殊液體材料,可以通過光刻機(jī)上的模板或掩模來進(jìn)行曝光。
2024-03-04 17:19:18399 光刻膠不能太厚或太薄,需要按制程需求來定。比如對于需要長時(shí)間蝕刻以形成深孔的應(yīng)用場景,較厚的光刻膠層能提供更長的耐蝕刻時(shí)間。
2024-03-04 10:49:16131 電子束光刻(e-beam lithography,EBL)是無掩膜光刻的一種,它利用波長極短的聚焦電子直接作用于對電子敏感的光刻膠(抗蝕劑)表面繪制形成與設(shè)計(jì)圖形相符的微納結(jié)構(gòu)。
2024-03-04 10:19:28206 ):由感光劑、樹脂和溶劑構(gòu)成,用于形成電路圖案和阻擋層 光刻膠是由可溶性聚合物和光敏材料組成的化合物,當(dāng)其暴露在光線下時(shí),會在溶劑中發(fā)生降解或融合等化學(xué)反應(yīng)。在運(yùn)用于晶圓級封裝的光刻(Photolithography)工藝過程中時(shí),光刻膠可用于創(chuàng)建電路圖案,還
2024-02-18 18:16:31277 PCB是聚氯化二苯( Polychlorinated Biphenyls)的英文縮寫,是一類具有有機(jī)氯化物的有機(jī)化合物。PCB在20世紀(jì)50年代至70年代廣泛被制造和使用,主要用于電力設(shè)備、變壓器、電容器、潤滑油等工業(yè)領(lǐng)域。然而,隨著人們對環(huán)境和健康的關(guān)注不斷增強(qiáng),PCB被發(fā)現(xiàn)對人體和環(huán)境有極高的毒性和持久性,因此從20世紀(jì)70年代初至80年代末,PCB的生產(chǎn)和使用逐漸被禁止。 PCB的結(jié)構(gòu)由兩個(gè)苯環(huán)通過碳碳單鍵連接而成,同時(shí)其中的氯原子被取代。氯原子的取代數(shù)量可以影響P
2024-02-04 10:53:35468 據(jù)吳中發(fā)布的最新消息,簽約項(xiàng)目涵蓋了瑞紅集成電路高端光刻膠總部項(xiàng)目,該項(xiàng)投資高達(dá)15億元,旨在新建半導(dǎo)體光刻膠及其配套試劑的生產(chǎn)基地。
2024-01-26 09:18:43207 光刻膠產(chǎn)業(yè)鏈轉(zhuǎn)移。01光刻膠定義光刻膠,也被稱為“光致抗蝕劑”,是一種用于光刻的載體介質(zhì),它可以利用光化學(xué)反應(yīng)將光信息在光刻系統(tǒng)中經(jīng)過衍射和過濾后轉(zhuǎn)化為化學(xué)能,從而
2024-01-19 08:31:24340 在SMT貼片加工過程中,錫膏和助焊劑會產(chǎn)生殘留物質(zhì),殘留物中包含有有機(jī)酸和可分解的電離子,其中有機(jī)酸具有腐蝕作用,電離子殘留在焊盤還會引起短路,而且這些殘留物在PCBA板上是非常臟的,而且不符合顧客對產(chǎn)品清潔度的要求。所以,對PCBA板進(jìn)行清洗是非常有必要的。
2024-01-17 10:01:23256 層的作用,只會留下少量酸性離子殘留物。免洗錫膏的焊后殘留物雖少,但對于某些高精密器件仍不可忽視。因此,免洗錫膏的殘留物腐蝕性仍舊是熱議問題。
2024-01-08 09:04:56143 光刻膠主要下游應(yīng)用包括:顯示屏制造、印刷電路板生產(chǎn)、半導(dǎo)體制造等,其中顯示屏是光刻膠最大的下游應(yīng)用,占比30%。光刻膠在半導(dǎo)體制造應(yīng)用占比24%,是第三達(dá)應(yīng)用場景。
2024-01-03 18:12:21346 助焊劑清洗不干凈是指在焊接后,使用的助焊劑沒有完全清潔或去除干凈。這可能表現(xiàn)為在焊接區(qū)域或金屬表面上殘留有助焊劑的痕跡或殘留物。
2023-12-29 10:02:48452 所謂的“光刻膠”,即是在紫外線、電子束等輻射下,其溶解度會產(chǎn)生變化的耐腐蝕薄膜材料。作為光刻工藝中的關(guān)鍵要素,廣泛應(yīng)用于晶圓和分立器件的精細(xì)圖案制作中。其品種繁多,此次漲價(jià)涉及的KrF 光刻膠則屬高級別光刻膠,將成為各廠商關(guān)注的焦點(diǎn)。
2023-12-28 11:14:34379 HMDS,BARC是光刻工序中比較常用的化學(xué)品,但是它們并不能用顯影液除去,根據(jù)是什么?它們一定要除去嗎?有哪幾種去除的方式?
2023-12-22 10:29:55414 在SMT貼片加工過程中,錫膏和助焊劑會產(chǎn)生殘留物質(zhì),殘留物中包含有有機(jī)酸和可分解的電離子,其中有機(jī)酸具有腐蝕作用,電離子殘留在焊盤還會引起短路,而且這些殘留物在PCBA板上是比較臟的,也不符合客戶對產(chǎn)品清潔度的要求。所以,對PCBA板進(jìn)行清洗是非常有必要的,接下來為大家介紹手工清洗和自動清洗的方法。
2023-12-20 10:04:04277 光照條件的設(shè)置、掩模版設(shè)計(jì)以及光刻膠工藝等因素對分辨率的影響都反映在k?因子中,k?因子也常被用于評估光刻工藝的難度,ASML認(rèn)為其物理極限在0.25,k?體現(xiàn)了各家晶圓廠運(yùn)用光刻技術(shù)的水平。
2023-12-18 10:53:05326 勻膠是光刻中比較重要的一步,而旋涂速度是勻膠中至關(guān)重要的參數(shù),那么我們在勻膠時(shí),是如何確定勻膠速度呢?它影響光刻膠的哪些性質(zhì)?
2023-12-15 09:35:56442 光刻膠類別的多樣化,此次漲價(jià)案所涉KrF光刻膠屬于高階防護(hù)用品,也是未來各地廠家的競爭焦點(diǎn)。當(dāng)前市場中,光刻膠主要由東京大賀工業(yè)、杜邦、JSR、信越化學(xué)、住友化學(xué)及東進(jìn)半導(dǎo)體等大型制造商掌控。
2023-12-14 15:20:36408 揭秘pcb是什么物質(zhì):你不知道的“化學(xué)戰(zhàn)士”
2023-12-14 10:27:30302 近期,萬潤股份在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)透露,其“年產(chǎn)65噸半導(dǎo)體用光刻膠樹脂系列”項(xiàng)目已經(jīng)順利投入運(yùn)營。該項(xiàng)目旨在為客戶提供專業(yè)的半導(dǎo)體用光刻膠樹脂類材料。
2023-12-12 14:02:58328 半導(dǎo)體制造業(yè)依賴復(fù)雜而精確的工藝來制造我們需要的電子元件。其中一個(gè)過程是晶圓清洗,這個(gè)是去除硅晶圓表面不需要的顆?;?b class="flag-6" style="color: red">殘留物的過程,否則可能會損害產(chǎn)品質(zhì)量或可靠性。RCA清洗技術(shù)能有效去除硅晶圓表面的有機(jī)和無機(jī)污染物,是一項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)的晶圓清洗工藝。
2023-12-07 13:19:14235 光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光,光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化,從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上,從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-12-04 09:17:241334 據(jù)報(bào)道,韓國SK集團(tuán)于2020年斥資400億韓元收購當(dāng)?shù)劐\湖石化的電子材料業(yè)務(wù),收購后成立的新子公司SK Materials Performance(SKMP)已開發(fā)出一種高厚度KrF光刻膠,并通過了SK海力士的性能驗(yàn)證,這將有利于SK海力士3D NAND閃存的技術(shù)開發(fā)。
2023-11-29 17:01:56433 KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進(jìn)行光刻的光刻膠。248nmKrF光刻技術(shù)已廣 泛應(yīng)用于0.13μm工藝的生產(chǎn)中,主要應(yīng)用于150 , 200和300mm的硅晶圓生產(chǎn)中。
2023-11-29 10:28:50283 據(jù)悉,skmp開發(fā)的新型KrF光刻膠的厚度為14至15米,與東進(jìn)半導(dǎo)體(DONGJIN SEMICHEM)向三星提供的產(chǎn)品相似。日本jsr公司的類似產(chǎn)品厚度只有10微米。
2023-11-29 10:02:52258 為了生產(chǎn)高純度、高質(zhì)量的光刻膠,需要高純度的配方原料,例如光刻樹脂,溶劑PGMEA…此外,生產(chǎn)過程中的反應(yīng)釜鍍膜和金屬析出污染監(jiān)測也是至關(guān)重要的控制環(huán)節(jié)。例如,2019年,某家半導(dǎo)體制造公司由于光刻膠受到光阻原料的污染,導(dǎo)致上萬片12吋晶圓報(bào)廢
2023-11-27 17:15:48550 20日,西隴科學(xué)(株)發(fā)布公告稱,該公司沒有生產(chǎn)銷售礦產(chǎn)品。公司生產(chǎn)及銷售用于清洗劑、顯影液、剝離液等的光刻膠,占公司營業(yè)收入的比例,是目前用于上述用途的光刻膠配套。
2023-11-21 14:54:57315 在光刻過程中,鉻被用作掩膜版的關(guān)鍵材料。鉻在紫外光下表現(xiàn)出高光學(xué)密度,可以有效阻擋光線。在石英基板上通過PVD等方法均勻地沉積一層薄的鉻,在其上涂覆一層光刻膠,再使用電子束光刻,顯影,在光刻膠上做出預(yù)期的圖形,之后進(jìn)行Cr的刻蝕,最后去除光刻膠,即可得到掩膜版。
2023-11-20 17:07:57836 光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體,不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項(xiàng)重要指標(biāo)。那么光刻膠的黏度為什么重要?黏度用什么表征?哪些光刻膠算高黏度,哪些算低黏度呢?
2023-11-13 18:14:11571 在PCBA生產(chǎn)過程中,錫膏和助焊劑會產(chǎn)生殘留物質(zhì),殘留物中包含的有機(jī)酸和電離子,前者易腐蝕PCBA,后者會造成焊盤間短路故障。且近年來,用戶對產(chǎn)品的清潔度要求越來越嚴(yán)格,PCBA清洗工藝逐漸被電子
2023-11-10 15:00:14346 EUV 超薄 (≤10nm)尺度的光刻膠:隨著特征尺寸的縮小,光刻膠分子成分成為特征尺寸的一部分。構(gòu)成光刻膠的分子必須是單組分、小的構(gòu)建塊,以防止聚集和分離。新的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)將需要超薄光刻膠和底層組合。
2023-11-06 11:23:15402 股,募集資金人民幣850,000,002.24元,用于瑞紅蘇州先進(jìn)制程工藝半導(dǎo)體光刻膠及配套試劑業(yè)務(wù)的研發(fā)、采購、生產(chǎn)和銷售及相關(guān)投資。
2023-11-02 10:59:26555 生產(chǎn)光刻膠的原料包括光引發(fā)劑(光增感劑、光致產(chǎn)酸劑幫助其更好發(fā)揮作用)、樹脂、溶劑和其他添加劑等,我國由于資金和技術(shù)的差距,如感光劑、樹脂等被外企壟斷,所以光刻膠自給能力不足。
2023-11-01 15:51:48138 因?yàn)檎龢O材料中的粘合劑和導(dǎo)電劑無法完全去除。從粉碎后的電池殘留物中獲得可接受的純度水平很復(fù)雜且能耗高。
2023-10-29 10:01:08351 光刻是半導(dǎo)體加工中最重要的工藝之一,決定著芯片的性能。光刻占芯片制造時(shí)間的40%-50%,占其總成本的30%。光刻膠是光刻環(huán)節(jié)關(guān)鍵耗材,其質(zhì)量和性能與電子器件良品率、器件性能可靠性直接相關(guān)。
2023-10-26 15:10:24359 金屬圖案的剝離方法已廣泛應(yīng)用于各種電子器件的制造過程中,如半導(dǎo)體封裝、MEMS和LED的制造。與傳統(tǒng)的金屬刻蝕方法不同的是,采用剝離法的優(yōu)點(diǎn)是節(jié)省成本和工藝簡化。在剝離過程中,經(jīng)過涂層、曝光和開發(fā)過程后,光刻膠會在晶片上形成圖案。
2023-10-25 10:40:05185 光學(xué)光刻是通過廣德照射用投影方法將掩模上的大規(guī)模集成電路器件的結(jié)構(gòu)圖形畫在涂有光刻膠的硅片上,通過光的照射,光刻膠的成分發(fā)生化學(xué)反應(yīng),從而生成電路圖。限制成品所能獲得的最小尺寸與光刻系統(tǒng)能獲得的分辨率直接相關(guān),而減小照射光源的波長是提高分辨率的最有效途徑。
2023-10-24 11:43:15271 黃光的波長遠(yuǎn)離UV范圍,因此不會引起光刻膠的意外曝光。黃光燈通常不含有紫外線,從而保護(hù)光敏材料免受不必要的曝光。
2023-10-11 15:14:33747 光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一,是電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹脂三種主要成分組成,是一種具有光化學(xué)敏感性的混合液體。其利用光化學(xué)反應(yīng),經(jīng)曝光、顯影等光刻工藝,將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上,是用于微細(xì)加工技術(shù)的關(guān)鍵性電子化學(xué)品。
2023-10-09 14:34:491674 發(fā)現(xiàn)PCBA 上的殘留物對PCBA 的可靠性水平影響極大,而在殘留物中,無機(jī)殘留物會減小絕緣電阻,增加焊點(diǎn)或?qū)Ь€間的漏電流,在潮濕空氣條件下,還會使金屬表面腐蝕;有機(jī)殘留物(如松香、油脂等)會形成絕緣膜,從而影響連接器、開關(guān)和繼電器等元器件表面之
2023-09-22 11:05:221122 隨著半導(dǎo)體工業(yè)沿著摩爾定律的曲線急速下降 ,驅(qū)使加工工藝向著更高的電流密度、更高的時(shí)鐘頻率和更多的互聯(lián)層轉(zhuǎn)移。由于器件尺寸的縮小、光學(xué)光刻設(shè)備焦深的減小 , 要求片子表面可接受的分辨率的平整度達(dá)到
2023-09-19 07:23:03
近20年來,EUV光源、EUV掩模和EUV光刻膠一直是EUV光刻的三大技術(shù)挑戰(zhàn)。
2023-09-14 09:45:12562 :華林科納PFA管具有出色的
化學(xué)惰性,對許多酸堿
化學(xué)品都具有極高的耐腐蝕性。它能夠抵御強(qiáng)酸、強(qiáng)堿、有機(jī)溶劑以及各種腐蝕性
化學(xué)物質(zhì)的侵蝕,因此非常適合用于輸送
化學(xué)品。 2、耐高溫性:華林科納PFA管能夠在高溫環(huán)境下工作,通??赡褪軠?/div>
2023-09-13 17:29:48266 LPS33HW代表了最新一代高性能MEMS氣壓傳感器,它專為可穿戴設(shè)備而設(shè)計(jì),也適用于工業(yè)設(shè)備和電表。LPS33HW也可以耐受氯、溴和鹽水等化學(xué)物質(zhì),非常適合在泳池和海水中游泳時(shí)使用。它還可以耐受
2023-09-13 06:19:07
EUV光刻膠材料是光敏物質(zhì),當(dāng)受到EUV光子照射時(shí)會發(fā)生化學(xué)變化。這些材料在解決半導(dǎo)體制造中的各種挑戰(zhàn)方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用,包括提高靈敏度、控制分辨率、減少線邊緣粗糙度(LER)、降低釋氣和提高熱穩(wěn)定性。
2023-09-11 11:58:42349 光刻技術(shù)通過光刻膠將圖案成功轉(zhuǎn)移到硅片上,但是在相關(guān)制程結(jié)束后就需要完全除去光刻膠,那么這個(gè)時(shí)候去膠液就發(fā)揮了作用,那么去膠液都有哪些種類?去膠原理是什么?
2023-09-06 10:25:011152 摻雜少量鉑元素的鎳硅化物的穩(wěn)定性也不盡相同,還與物質(zhì)的具體結(jié)構(gòu)有關(guān),舉個(gè)例子來說,NiPtSi,比NiSi要穩(wěn)定。
2023-08-27 09:18:27645 湖州國資消息,寧波微芯新材料科技有限公司的半導(dǎo)體材料生產(chǎn)基地項(xiàng)目總投資3.5億元人民幣,用地35畝,年產(chǎn)1000噸的電子級光刻膠原材料(光刻膠樹脂、高等級單體等核心材料)基地建設(shè)。”全部達(dá)到,預(yù)計(jì)年產(chǎn)值可達(dá)到約5億元。
2023-08-21 11:18:26942 會上,經(jīng)開區(qū)分別同4家企業(yè)就功率器件IC封測項(xiàng)目、超級功率電池及鋰電池PACK產(chǎn)線項(xiàng)目、氫能產(chǎn)業(yè)集群項(xiàng)目、高性能電池項(xiàng)目進(jìn)項(xiàng)現(xiàn)場簽約。會議還舉行了《2023勢銀光刻膠產(chǎn)業(yè)發(fā)展藍(lán)皮書》發(fā)布儀式。
2023-08-16 15:30:38483 整個(gè)覆銅板制作過程中的反應(yīng)原理是通過感光劑、顯影劑和蝕刻液等化學(xué)物質(zhì)與曝光過程中形成的光敏膜產(chǎn)生特定的化學(xué)反應(yīng),使其能夠選擇性地去除或保留不同區(qū)域的銅箔和線路圖案,最終形成所需的印刷電路板。這一過程的控制和優(yōu)化對于確保PCB質(zhì)量和性能非常重要。
2023-08-10 15:09:474287 光刻是一種圖像復(fù)制技術(shù),是集成電路工藝中至關(guān)重要的一項(xiàng)工藝。簡單地說,光刻類似照相復(fù)制方法,即將掩膜版上的圖形精確地復(fù)制到涂在硅片表面的光刻膠或其他掩蔽膜上面,然后在光刻膠或其他掩蔽膜的保護(hù)下對硅片進(jìn)行離子注入、刻蝕、金屬蒸鍍等。
2023-08-07 17:52:531480 也帶來腐蝕和漏電等問題。一般的電子產(chǎn)品可以使用免洗錫膏極少有殘留物出現(xiàn)。焊后錫膏殘留物帶來的危害:1、顆粒性污染物易造成電短路;2、極性玷污物會造成介質(zhì)擊穿、漏電和元
2023-07-25 19:18:26715 據(jù)介紹,在器件制造過程中,由于薄膜沉積、光刻、刻蝕和化學(xué)機(jī)械拋光等工藝步驟的大幅增長,在晶圓的邊緣造成了不可避免的副產(chǎn)物及殘留物堆積,這些晶邊沉積的副產(chǎn)物及殘留物驟增導(dǎo)致的缺陷風(fēng)險(xiǎn)成為產(chǎn)品良率的嚴(yán)重威脅。
2023-07-19 15:02:26607 就此次事件,陶氏化學(xué)發(fā)表聲明稱,該工廠于7月14日發(fā)生火災(zāi),就此次事件,正在與當(dāng)?shù)丶爸輽C(jī)構(gòu)密切合作。所有人員都被判定為安全,空氣檢查中沒有檢測出空氣中的有害物質(zhì)。事故原因還在調(diào)查中。
2023-07-17 10:55:41505 本文對動力電池中使用的不同化學(xué)物質(zhì)以及實(shí)現(xiàn)BMS的主要目的提出了全球概述。
2023-07-12 16:02:27902 光刻膠(光敏膠)進(jìn)行光刻,將圖形信息轉(zhuǎn)移到基片上,從而實(shí)現(xiàn)微細(xì)結(jié)構(gòu)的制造。光刻機(jī)的工作原理是利用光學(xué)系統(tǒng)將光線聚焦到光刻膠上,通過掩膜版(也稱為光刻掩膜)上的圖形
2023-07-07 11:46:07
在某電子制造工廠中,他們開始使用了一種新型的低溫錫膏來進(jìn)行回流焊接,當(dāng)他們開始使用這種新的低溫錫膏進(jìn)行回流焊接時(shí),他們注意到一些焊點(diǎn)上出現(xiàn)了助焊劑殘留的問題。這些殘留物在焊點(diǎn)周圍形成了一些明顯的白色斑點(diǎn),影響了焊接點(diǎn)的可靠性和外觀。快和小編一起來看看~
2023-07-07 10:42:153168 系列工作在 - 40°C 至 +125°C 工業(yè)溫度范圍,能以±4% 的準(zhǔn)確恒定電流為三種不同的儲能化學(xué)物質(zhì)(鋰離子、鉛酸和超級電容器)充電 。當(dāng)存儲元件充電時(shí),這些器件以±1% 的精度調(diào)節(jié)空載輸出
2023-07-05 20:05:10236 然而,SAP在定義細(xì)間距特征方面面臨一些挑戰(zhàn)。細(xì)線可能會因?yàn)楦呖v橫比而坍塌,由于與基板的接觸面積小,可能會出現(xiàn)分層,并且用作模板的光刻膠可能會殘留在通孔中[3]。
2023-07-05 10:34:12960 ? ? 紫外光刻和曝光 是半導(dǎo)體行業(yè)生產(chǎn)各種高端芯片、微觀電路結(jié)構(gòu)的核心技術(shù)。在紫外光刻過程中,光源發(fā)射的紫外線通過掩模上的微小透鏡或光柵,然后投射到光刻膠層上,形成所需的微細(xì)圖案。 長期以來
2023-07-05 10:11:241026 在上一篇文章,我們介紹了光刻工藝,即利用光罩(掩膜)把設(shè)計(jì)好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步,將在晶圓上進(jìn)行刻蝕工藝,以去除不必要的材料,只保留所需的圖形。
2023-06-28 10:04:58843 JSR 是全球僅有的四家 EUV 光刻膠供應(yīng)商之一,其產(chǎn)品是制造先進(jìn)芯片必不可少的原料。
2023-06-27 15:51:21597 圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。其中,刻蝕工藝是光刻(Photo)工藝的下一步,用于去除光刻膠(Photo Resist
2023-06-26 09:20:10816 在光刻膠工藝過程中,涂層曝光、顯影后,曝光部分被溶解,未曝光部分留下來,該涂層材料為正性光刻膠。
2023-06-25 15:32:114559 一般而言,在焊接組件時(shí),我們建議選用助焊劑而非使用錫油。焊接完畢后,使用者可以使用酒精或清洗劑來清除殘余的助焊劑,避免殘留物造成短路問題。
助焊劑選用原則:
依待焊物體種類選擇助焊劑的活性。如果
2023-06-25 09:01:24
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/周凱揚(yáng))在上游的半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)中,除了光刻機(jī)等設(shè)備外,光刻膠、掩膜版等材料也是決定晶圓質(zhì)量與良率的關(guān)鍵因素。就拿掩膜版來說,這個(gè)承載設(shè)計(jì)圖形的材料,經(jīng)過曝光后將圖形信息轉(zhuǎn)移到
2023-06-22 01:27:001984 本工作中,研究人員報(bào)道了一種可再充的生物質(zhì)流動電池,首次將生物質(zhì)的電催化氧化/還原與電池材料的氧化/還原耦合,基于生物質(zhì)平臺分子糠醛的氧化還原性,創(chuàng)制了一種新型可充放電的“生物質(zhì)電池”
2023-06-16 16:27:341160 一般而言,在焊接組件時(shí),我們建議選用助焊劑而非使用錫油。焊接完畢后,使用者可以使用酒精或清洗劑來清除殘余的助焊劑,避免殘留物造成短路問題。
2023-06-14 08:31:40
來源:欣奕華材料 據(jù)欣奕華材料官微消息,近日,國內(nèi)光刻膠龍頭企業(yè)阜陽欣奕華材料科技有限公司(以下簡稱“阜陽欣奕華”)完成超5億元人民幣 D 輪融資。 據(jù)悉,本輪融資由盛景嘉成母基金
2023-06-13 16:40:00552 傳統(tǒng)鋰離子電池 (LIB) 中使用的關(guān)鍵礦物(Li、Ni 和 Co)供應(yīng)緊張且成本高昂,這促使人們對非鋰電池化學(xué)物質(zhì)的興趣與日俱增。
2023-06-11 10:28:31551 上,使光刻膠在照射處發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。然后,通過顯影步驟,未照射到的光刻膠被溶解掉,形成圖案。經(jīng)過后烘烤,圖案被固定,以便后續(xù)步驟。
2023-06-09 11:36:522037 ROHS六項(xiàng)有害物質(zhì)檢測:為環(huán)境與健康筑起的安全屏障 引言: 隨著科技的飛速發(fā)展,電子產(chǎn)品已經(jīng)成為我們?nèi)粘I钪胁豢苫蛉钡囊徊糠帧H欢?,電子產(chǎn)品的制造與使用過程中往往涉及許多化學(xué)物質(zhì),其中一些可能
2023-06-08 17:48:421008 光刻工藝后,在硅片或晶圓上形成了光刻膠的圖形,下一步就是刻蝕。
2023-06-08 10:52:353320 通常,光刻是作為特性良好的模塊的一部分執(zhí)行的,其中包括晶圓表面制備、光刻膠沉積、掩模和晶圓的對準(zhǔn)、曝光、顯影和適當(dāng)?shù)目刮g劑調(diào)節(jié)。光刻工藝步驟需要按順序進(jìn)行表征,以確保模塊末端剩余的抗蝕劑是掩模的最佳圖像,并具有所需的側(cè)壁輪廓。
2023-06-02 16:30:25418 在化學(xué)腐蝕點(diǎn)處的濃度越高,腐蝕速率越快。在拋光過程中拋光液持續(xù)流動,我們假設(shè)在腐蝕點(diǎn)處的濃度可以保持初始時(shí)的濃度,腐蝕率以最快的速度發(fā)生,則拋光液不同的PH值對應(yīng)一個(gè)腐蝕率,由此可見,去除速率與PH值有關(guān),PH越高,速率越快。
2023-06-02 15:24:06347 來源:每日經(jīng)濟(jì)新聞,記者:程雅 編輯:張海妮,謝謝 編輯:感知芯視界 5月24日晚,國產(chǎn)光刻膠大廠彤程新材發(fā)布公告稱,于近日收到實(shí)控人Zhang Ning與Liu Dong Sheng的通知,二人
2023-05-29 09:33:44187 隨著電子信息業(yè)的發(fā)展,PCBA組裝工藝要求越來越高,而電子整機(jī)產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性取決于PCBA的質(zhì)量和可靠性。
2023-05-25 09:50:08345 感光速度:即光刻膠受光照射發(fā)生溶解速度改變所需的最小能量,感光速度越快,單位時(shí)間內(nèi)芯片制造的產(chǎn)出越高,經(jīng)濟(jì)效益越好,另-方面,過快的感光速度會對引起工藝寬容度的減小,影響工藝制程的穩(wěn)定性。
2023-05-25 09:46:09561 改善之后的工藝與之前最大的區(qū)別在于使用光刻膠充當(dāng)濺射的掩膜,在電鍍之前將電路圖形高精度的制備出來,不再進(jìn)行濕法刻蝕,避免了側(cè)腐蝕對線條精度和膜基結(jié)合力的影響,同時(shí),基板只浸入丙酮中一次以去除光刻膠,避免了大量溶液的使用
2023-05-16 09:40:351218 在集成電路制造領(lǐng)域,如果說光刻機(jī)是推動制程技術(shù)進(jìn)步的“引擎”,光刻膠就是這部“引擎”的“燃料”。
2023-05-13 11:28:381122 光刻膠可以通過光化學(xué)反應(yīng),經(jīng)曝光、顯影等光刻工序?qū)⑺枰奈⒓?xì)圖形從光罩(掩模版)轉(zhuǎn)移到待加工基片上。依據(jù)使用場景,這里的待加工基片可以是集成電路材料,顯示面板材料或者印刷電路板。
2023-05-11 16:10:492775 晶圓廠通常使用光刻膠來圖案化抗蝕刻硬掩模,然后依靠硬掩模來保護(hù)晶圓。但是,如果光刻膠太薄,它可能會在第一個(gè)轉(zhuǎn)移步驟完成之前被侵蝕掉。隨著光刻膠厚度的減小,底層厚度也應(yīng)該減小。
2023-04-27 16:25:00689 根據(jù)維基百科的定義,光刻是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個(gè)重要步驟,該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結(jié)構(gòu),然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在襯底上。這里所說的襯底不僅包含硅晶圓,還可以是其他金屬層、介質(zhì)層,例如玻璃、SOS中的藍(lán)寶石。
2023-04-25 11:11:331243 清洗硅片(Wafer Clean)
清洗硅片的目的是去除污染物去除顆粒、減少針孔和其它缺陷,提高光刻膠黏附性
基本步驟:化學(xué)清洗——漂洗——烘干。
2023-04-25 11:09:403859 光刻就是把芯片制作所需要的線路與功能區(qū)做出來。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光,光刻膠見光后會發(fā)生性質(zhì)變化,從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上,從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-04-25 11:05:322260 的產(chǎn)品故障增加。本文將簡要討論污染物殘留物對PCB點(diǎn)焊的影響以及有關(guān)清潔的一些問題?! ?污染物殘留對PCB點(diǎn)焊的影響 a.電化學(xué)遷移 電化學(xué)遷移是ECM的縮寫,是指通過某些介質(zhì)(例如,在電磁場
2023-04-21 16:03:02
的光敏膜層。該光致抗蝕劑包括在暴露于紫外光之后硬化的光反應(yīng)性化學(xué)物質(zhì)層。這確保了從照相膠片到光刻膠的精確匹配。薄膜安裝在將銷釘固定在層壓板上的適當(dāng)位置的銷釘上?! ”∧ず图埌迮懦梢恍?,并接收一束紫外線
2023-04-21 15:55:18
151n光刻膠曝光顯影后開口底部都會有一撮殘留,找不到原因。各位幫分析下
2023-04-20 13:13:52
新的High NA EUV 光刻膠不能在封閉的研究環(huán)境中開發(fā),必須通過精心設(shè)計(jì)的底層、新型硬掩模和高選擇性蝕刻工藝進(jìn)行優(yōu)化以獲得最佳性能。為了迎接這一挑戰(zhàn),imec 最近開發(fā)了一個(gè)新的工具箱來匹配光刻膠和底層的屬性。
2023-04-13 11:52:121164 此前該公司指出,公司已建成年產(chǎn)5噸ArF干式光刻膠生產(chǎn)線、年產(chǎn)20噸ArF浸沒式光刻膠生產(chǎn)線及年產(chǎn)45噸的光刻膠配套高純試劑生產(chǎn)線,具備ArF光刻膠及配套關(guān)鍵組分材料的生產(chǎn)能力,目前公司送樣驗(yàn)證的產(chǎn)品均由該自建產(chǎn)線產(chǎn)出。
2023-04-11 09:25:32920 調(diào)溫調(diào)濕箱全名“恒溫恒濕試驗(yàn)箱”是航空、汽車、家電、科研等領(lǐng)域必備的測試設(shè)備,用于測試和確定電工、電子及其他產(chǎn)品及材料進(jìn)行高溫、低溫、濕熱度或恒定試驗(yàn)的溫度環(huán)境變化后的參數(shù)及性能,它主要用于根據(jù)試驗(yàn)
2023-03-28 09:02:36
光刻是將設(shè)計(jì)好的電路圖從掩膜版轉(zhuǎn)印到晶圓表面的光刻膠上,通過曝光、顯影將目標(biāo)圖形印刻到特定材料上的技術(shù)。光刻工藝包括三個(gè)核心流程:涂膠、對準(zhǔn)和曝光以及光刻膠顯影,整個(gè)過程涉及光刻機(jī),涂膠顯影機(jī)、量測設(shè)備以及清洗設(shè)備等多種核心設(shè)備,其中價(jià)值量最大且技術(shù)壁壘最高的部分就是光刻機(jī)。
2023-03-25 09:32:394952 根據(jù)SEMI數(shù)據(jù),2020年全球晶圓制造材料中,硅片占比最高,為35%;電子氣體排名第2,占比13%;掩膜版排名第3,占比12%,光刻膠占比6%;光刻膠配套材料占比8% ;濕電子化學(xué)品占比7%;CMP拋光材料占比6%;靶材占比2%。
2023-03-25 09:30:544119
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