第1屆全國(guó)等離子體生物醫(yī)學(xué)會(huì)議由西安交通大學(xué)發(fā)起的“第一屆全國(guó)等離子體生物醫(yī)學(xué)學(xué)術(shù)會(huì)議”于2024年3月15日-18日在西安成功舉辦。會(huì)議吸引了來(lái)自全國(guó)80余家高校、研究所、醫(yī)院和企業(yè)的280
2024-03-22 08:01:18
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行業(yè)背景 隨著工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，物聯(lián)網(wǎng)作為新興生產(chǎn)力正在改變?cè)S多行業(yè)的工作方式。在半導(dǎo)體芯片行業(yè)，自動(dòng)蝕刻機(jī)的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用正在助力企業(yè)達(dá)到監(jiān)控設(shè)備更加便利、故障運(yùn)維更加高效、數(shù)據(jù)分析更加精準(zhǔn)等等
2024-03-20 17:52:39823 
一般高效單晶硅電池采用化學(xué)腐蝕制絨技術(shù)，制得絨面的反射率可達(dá)到10％以下。目前較為先進(jìn)的制絨技術(shù)是反應(yīng)等離子蝕刻技術(shù)（RIE），該技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是和晶硅的晶向無(wú)關(guān)，適用于較薄的硅片。
2024-03-19 09:27:59103 
Aigtek誠(chéng)邀您參會(huì)2024年3月15-17日，Aigtek安泰電子將攜一眾明星產(chǎn)品及專(zhuān)業(yè)測(cè)試解決方案亮相第一屆全國(guó)等離子體生物醫(yī)學(xué)學(xué)術(shù)會(huì)議。在此，我們誠(chéng)邀您蒞臨會(huì)議參觀、洽談與觀摩！-時(shí)間
2024-03-07 08:01:05182 pcb等離子處理的5大作用
2024-03-05 10:24:4897 ？
再者在場(chǎng)效應(yīng)管這種單極性導(dǎo)電半導(dǎo)體中，為什么只是有一種離子導(dǎo)電，而非兩種離子，不像晶體管那種兩種離子導(dǎo)電，請(qǐng)問(wèn)這是為什么？同樣對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)管也有上面的問(wèn)題？
2024-02-21 21:39:24
共讀好書(shū) 陳婷 周偉潔 王濤 （無(wú)錫中微高科電子有限公司） 摘要： 研究了微波等離子工藝影響導(dǎo)電膠形貌的機(jī)理，進(jìn)一步分析了等離子清洗次數(shù)對(duì)電路可靠性的影響。結(jié)果表明，對(duì)裝片后的電路進(jìn)行 1 次等離子
2024-02-20 13:37:16127 
根據(jù)已公開(kāi)的研究報(bào)告，東京電子的新式蝕刻機(jī)具備在極低溫環(huán)境下進(jìn)行高速蝕刻的能力。據(jù)悉，該機(jī)器可在33分鐘內(nèi)完成10微米的蝕刻工作。此外，設(shè)備使用了新開(kāi)發(fā)的激光氣體，搭配氬氣和氟化碳?xì)怏w以提升工藝水平。
2024-02-18 15:00:22109 等離子發(fā)動(dòng)機(jī)原理： 等離子發(fā)動(dòng)機(jī)是一種利用電磁力將離子加速并噴射出來(lái)產(chǎn)生推力的發(fā)動(dòng)機(jī)。它主要包括等離子體產(chǎn)生器、離子加速器和噴嘴等組成。下面將詳細(xì)介紹等離子發(fā)動(dòng)機(jī)的工作原理。 生成等離子體：等離子
2024-02-14 18:18:003169 協(xié)方差矩陣是統(tǒng)計(jì)學(xué)中常用的工具，用于描述多個(gè)隨機(jī)變量之間的關(guān)系。在進(jìn)行數(shù)據(jù)分析和建模時(shí)，協(xié)方差矩陣能夠提供重要的信息，幫助我們理解變量之間的線(xiàn)性關(guān)系，以及它們的方差。本文將詳細(xì)介紹協(xié)方差矩陣的各個(gè)
2024-02-04 11:06:52415 等離子顯示器（Plasma Display Panel，簡(jiǎn)稱(chēng)PDP）是一種采用氣體放電和發(fā)光材料發(fā)光的平板顯示技術(shù)。與液晶顯示器相比，等離子顯示器擁有更高的對(duì)比度、更高的色彩飽和度和更快的響應(yīng)速度
2024-02-03 10:00:17306 在封裝前，通常要減薄晶圓，減薄晶圓主要有四種主要方法：機(jī)械磨削、化學(xué)機(jī)械研磨、濕法蝕刻和等離子體干法化學(xué)蝕刻。
2024-01-26 09:59:27547 
協(xié)方差矩陣和相關(guān)系數(shù)矩陣是統(tǒng)計(jì)學(xué)中常用的概念，在多變量統(tǒng)計(jì)分析中起著至關(guān)重要的作用。 在進(jìn)行多變量統(tǒng)計(jì)分析時(shí)，我們通常會(huì)涉及多個(gè)變量之間的關(guān)系和相互作用。協(xié)方差矩陣和相關(guān)系數(shù)矩陣就是用來(lái)描述這些變量
2024-01-12 11:02:30336 SEM+EDS 可以實(shí)現(xiàn)對(duì)芯片結(jié)構(gòu)層的測(cè)量和元素分析。 機(jī)械研磨和氬離子研磨測(cè)試對(duì)比：離子研磨制樣可避免機(jī)械研磨制樣會(huì)造成劃痕和軟質(zhì)金屬的延展性形變問(wèn)題的影響，離子研磨CP(氬離子拋光切割)可以避免在研磨過(guò)程中
2024-01-02 17:08:51
兩家公司計(jì)劃生產(chǎn)氖、氙、氪等芯片生產(chǎn)所必需的惰性氣體，按照計(jì)劃，生產(chǎn)線(xiàn)將于2025年投入使用。此外，這些氣體還常用于退火、光刻、等離子蝕刻和化學(xué)氣相沉積等環(huán)節(jié)。
2023-12-28 09:43:50205 01、重點(diǎn)和難點(diǎn) 等離子體通常被認(rèn)為是物質(zhì)的第四態(tài)，除了固體、液體和氣體之外的狀態(tài)。等離子體是一種高能量狀態(tài)的物質(zhì)，其中原子或分子中的電子被從它們的原子核中解離，并且在整個(gè)系統(tǒng)中自由移動(dòng)。這種狀態(tài)
2023-12-26 08:26:29209 
? 01、重點(diǎn)和難點(diǎn) 在硅材料加工和研究領(lǐng)域，皮秒脈沖激光激發(fā)的等離子體對(duì)于提高加工技術(shù)、開(kāi)發(fā)創(chuàng)新設(shè)備以及加深對(duì)材料物理特性的理解都有重大研究意義。這種影響尤其體現(xiàn)在硅材料表面等離子體形態(tài)變化的研究
2023-12-19 10:53:11236 
眾所周知，化合物半導(dǎo)體中不同的原子比對(duì)材料的蝕刻特性有很大的影響。為了對(duì)蝕刻速率和表面形態(tài)的精確控制，通過(guò)使用低至25nm的薄器件阻擋層的，從而增加了制造的復(fù)雜性。本研究對(duì)比了三氯化硼與氯氣的偏置功率，以及氣體比對(duì)等離子體腐蝕高鋁含量AlGaN與AlN在蝕刻速率、選擇性和表面形貌方面的影響。
2023-12-15 14:28:30227 
技術(shù)提供了典型應(yīng)用。蝕刻工藝對(duì)器件特性有著較大的影響，尤其是在精確控制蝕刻深度和較小化等離子體損傷的情況下影響較大。
2023-12-13 09:51:24294 
書(shū)接上節(jié)，常見(jiàn)的物質(zhì)的第四種自然狀態(tài)是等離子體狀態(tài)。我們比較熟知的恒星天體就是等離子體態(tài)的一個(gè)例子。當(dāng)然，它和我們最常見(jiàn)到的固體、液體或氣體的定義的定義不相符合。等離子體態(tài)可以被定義為高能電離原子
2023-12-08 09:47:18234 
另外一種工藝方法是整個(gè)板子上都鍍銅，感光膜以外的部分僅僅是錫或鉛錫抗蝕層。這種工藝稱(chēng)為“全板鍍銅工藝“。與圖形電鍍相比，全板鍍銅的缺點(diǎn)是板面各處都要鍍兩次銅而且蝕刻時(shí)還必須都把它們腐蝕掉。
2023-12-06 15:03:45261 按工藝要求排放出部分比重高的溶液經(jīng)分析后補(bǔ)加氯化銨和氨的水溶液，使蝕刻液的比重調(diào)整到工藝充許的范圍。
2023-12-06 15:01:46286 光捕獲技術(shù)是提高太陽(yáng)能電池光吸收率的有效方法之一，它可以減少材料厚度，從而降低成本。近年來(lái)，表面等離子體（SP）在這一領(lǐng)域取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步。利用表面等離子體的光散射和耦合效應(yīng)，可以大大提高太陽(yáng)能電池的效率。
2023-12-05 10:52:27497 
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究。為了實(shí)現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法，大部分GaN刻蝕是通過(guò)等離子體刻蝕來(lái)完成
2023-12-01 17:02:39259 
高壓放大器在等離子體實(shí)驗(yàn)中有多種重要應(yīng)用。等離子體是一種帶電粒子與電中性粒子混合的物質(zhì)，其具有多種獨(dú)特的物理性質(zhì)，因此在許多領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用，例如聚變能源、等離子體醫(yī)學(xué)、材料加工等。下面安泰電子將介紹高壓放大器在等離子體實(shí)驗(yàn)中的應(yīng)用。
2023-11-27 17:40:00189 
在整個(gè)SPC系統(tǒng)的運(yùn)行中,CPK(工序能力)的分析占有舉足輕重的地位。
2023-11-27 11:17:26283 
? 一種使用等離子體激元的新型成像技術(shù)能夠以增強(qiáng)的靈敏度觀察納米顆粒。休斯頓大學(xué)納米生物光子學(xué)實(shí)驗(yàn)室的石偉川教授和他的同事正在研究納米材料和設(shè)備在生物醫(yī)學(xué)、能源和環(huán)境方面的應(yīng)用。該小組利用等離子
2023-11-27 06:35:23121 目前，大多數(shù)III族氮化物的加工都是通過(guò)干法等離子體蝕刻完成的。干法蝕刻有幾個(gè)缺點(diǎn)，包括產(chǎn)生離子誘導(dǎo)損傷和難以獲得激光器所需的光滑蝕刻側(cè)壁。干法蝕刻產(chǎn)生的側(cè)壁典型均方根(rms)粗糙度約為50納米
2023-11-24 14:10:30241 
三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝
2023-11-23 18:13:02579 
蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)及不同成分的蝕刻液都會(huì)對(duì)蝕刻因子或側(cè)蝕度產(chǎn)生影響，或者用樂(lè)觀的話(huà)來(lái)說(shuō)，可以對(duì)其進(jìn)行控制。采用某些添加劑可以降低側(cè)蝕度。這些添加劑的化學(xué)成分一般屬于商業(yè)秘密，各自的研制者是不向外界透露的。至于蝕刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)問(wèn)題，后面的章節(jié)將專(zhuān)門(mén)討論。
2023-11-14 15:23:10217 近日，深圳技術(shù)大學(xué)阮雙琛教授和周滄濤教授團(tuán)隊(duì)在國(guó)際上首次提出基于超光速等離子體尾波場(chǎng)產(chǎn)生阿秒脈沖、亞周期相干光激波輻射的物理方案，并闡釋了一種由電子集體作用主導(dǎo)的全新相干輻射產(chǎn)生機(jī)制。
2023-11-09 10:40:40307 
近年來(lái)，銅(Cu)作為互連材料越來(lái)越受歡迎，因?yàn)樗哂械碗娮杪省⒉粫?huì)形成小丘以及對(duì)電遷移(EM)故障的高抵抗力。傳統(tǒng)上，化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法用于制備銅細(xì)線(xiàn)。除了復(fù)雜的工藝步驟之外，該方法的一個(gè)顯著缺點(diǎn)是需要許多對(duì)環(huán)境不友好的化學(xué)品，例如表面活性劑和強(qiáng)氧化劑。
2023-11-08 09:46:21188 
眾所周知，傾斜光纖光柵可以激發(fā)眾多的包層模式，并且對(duì)光纖表面周?chē)h(huán)境敏感。當(dāng)光纖包層模式與表面等離子共振相位匹配時(shí)，傾斜光纖光柵可以在金表面激發(fā)倏逝表面等離子體共振波。
2023-10-20 15:48:08330 
等離子體工藝是干法清洗應(yīng)用中的重要部分，隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，等離子體清洗的優(yōu)勢(shì)越來(lái)越明顯。文章介紹了等離子體清洗的特點(diǎn)和應(yīng)用，討論了它的清洗原理和優(yōu)化設(shè)計(jì)方法。最后分析了等離子體清洗工藝的關(guān)鍵技術(shù)及解決方法。
2023-10-18 17:42:36447 
干法蝕刻（dry etch）工藝通常由四個(gè)基本狀態(tài)構(gòu)成：蝕刻前（before etch），部分蝕刻（partial etch），蝕刻到位（just etch），過(guò)度蝕刻（over etch），主要表征有蝕刻速率，選擇比，關(guān)鍵尺寸，均勻性，終點(diǎn)探測(cè)。
2023-10-18 09:53:19788 
在精細(xì)印制電路制作過(guò)程中，噴淋蝕刻是影響產(chǎn)品質(zhì)量合格率重要的工序之一?，F(xiàn)有很多的文章對(duì)精細(xì)線(xiàn)路的蝕刻做了大量的研究，但是大多數(shù)都只停留在表象的研究中，并沒(méi)有從本質(zhì)上認(rèn)識(shí)噴淋蝕刻中出現(xiàn)的問(wèn)題。
2023-10-17 15:15:35164 
蝕刻液的化學(xué)成分的組成：蝕刻液的化學(xué)組分不同，其蝕刻速率就不相同，蝕刻系數(shù)也不同。如普遍使用的酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常是&；堿性氯化銅蝕刻液系數(shù)可達(dá)3.5-4。而正處在開(kāi)發(fā)階段的以硝酸為主的蝕刻液可以達(dá)到幾乎沒(méi)有側(cè)蝕問(wèn)題，蝕刻后的導(dǎo)線(xiàn)側(cè)壁接近垂直。
2023-10-16 15:04:35553 氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)，直接帶隙約為3.4eV，目前已成為實(shí)現(xiàn)藍(lán)光發(fā)光二極管(led)的主導(dǎo)材料。由于GaN的高化學(xué)穩(wěn)定性，在室溫下用濕法化學(xué)蝕刻來(lái)蝕刻或圖案化GaN是非常困難的。與濕法
2023-10-12 14:11:32244 
GaN及相關(guān)合金可用于制造藍(lán)色/綠色/紫外線(xiàn)發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學(xué)蝕刻結(jié)果有限，因此人們投入了大量精力來(lái)開(kāi)發(fā)干法蝕刻工藝。干法蝕刻開(kāi)發(fā)一開(kāi)始集中于臺(tái)面結(jié)構(gòu)，其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側(cè)壁和不同材料的同等蝕刻。
2023-10-07 15:43:56319 
等離子表面處理機(jī)在PCB制程中扮演了關(guān)鍵的角色，它有助于提高了電路板的質(zhì)量、可靠性和性能。這對(duì)于電子制造和各種應(yīng)用中的PCB制程都非常重要。
2023-10-05 09:53:47386 
通常，我們需要將巖性模式轉(zhuǎn)換為多個(gè)。一次蝕刻通道中的膠片類(lèi)型
2023-09-26 11:20:00130 
銅的電阻率取決于其晶體結(jié)構(gòu)、空隙體積、晶界和材料界面失配，這在較小的尺度上變得更加重要。傳統(tǒng)上，銅(Cu)線(xiàn)的形成是通過(guò)使用溝槽蝕刻工藝在低k二氧化硅中蝕刻溝槽圖案，然后通過(guò)鑲嵌流用Cu填充溝槽來(lái)完成的。
2023-09-22 09:57:23281 
基于電池供電的等離子打火機(jī)。制作新奇打印方式的等離子打印機(jī)！包含相關(guān)圖文說(shuō)明、代碼、線(xiàn)路圖
2023-09-22 07:54:27
為了提高等離子消融手術(shù)系統(tǒng)的頻率輸出,提出一種新型的全橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。應(yīng)用LCR諧振原理,對(duì)傳統(tǒng)的全橋逆變拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn),當(dāng)諧振電路工作在恰當(dāng)?shù)膮^(qū)域可以實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)管的零電壓的開(kāi)通和近似零電壓的關(guān)斷,能
2023-09-20 07:38:22
背景 Adi Salomon 教授的實(shí)驗(yàn)室主要致力于了解納米級(jí)分子與光的相互作用，并構(gòu)建利用光傳感分子的設(shè)備。該小組設(shè)計(jì)并制造了金屬納米結(jié)構(gòu)，并利用它們通過(guò)與表面等離子體激元的相互作用來(lái)影響納米級(jí)
2023-09-19 06:28:29223 
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻工藝注意事項(xiàng)有哪些?PCB打樣蝕刻工藝注意事項(xiàng)。PCB打樣中，在銅箔部分預(yù)鍍一層鉛錫防腐層，保留在板外層，即電路的圖形部分，然后是其余的銅箔被化學(xué)方法腐蝕，稱(chēng)為蝕刻。
2023-09-18 11:06:30669 要注意的是，蝕刻時(shí)的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類(lèi)型的圖形電鍍,其特點(diǎn)是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。
2023-09-07 14:41:12474 
在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。
2023-09-06 09:36:57811 
眾所周知，微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)嚴(yán)重依賴(lài)于集成電路制造中使用的材料，例如單晶硅。然而，由于金屬、玻璃和壓電陶瓷的特殊性質(zhì)，這些材料在MEMS中的使用正在迅速增加。
2023-09-01 10:19:20204 
半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:541221 
來(lái)自斯圖加特大學(xué)(德國(guó))的 Harald Gie?en 教授的團(tuán)隊(duì)正在致力于將光子學(xué)和納米技術(shù)用于新的應(yīng)用和設(shè)備。研究人員正在研究通過(guò)控制等離子體效應(yīng)來(lái)創(chuàng)建顯示器的技術(shù)。等離激元學(xué)研究光與金屬納米
2023-08-23 06:33:33215 
PCB蝕刻工藝中的“水池效應(yīng)”現(xiàn)象，通常發(fā)生在頂部，這種現(xiàn)象會(huì)導(dǎo)致大尺寸PCB整個(gè)板面具有不同的蝕刻質(zhì)量。
2023-08-10 18:25:431013 等離子體顯示器在對(duì)比度、視角和響應(yīng)速度等方面的優(yōu)勢(shì)較為顯著，適合用于娛樂(lè)和家庭影院等方面；而液晶顯示器則在功耗、分辨率和便攜性等方面有一定的優(yōu)勢(shì)，適合辦公和移動(dòng)設(shè)備等領(lǐng)域。選擇時(shí)，可以根據(jù)使用需求和個(gè)人偏好來(lái)進(jìn)行選擇。
2023-08-10 14:38:36767 在常規(guī)離子注入中，三氟化硼常用于形成P型淺結(jié)的注入不是B,因?yàn)锽F2+離子大且重。B10H14,B18H22和硼烷（C2B10&或CBH）是研究中的大分子。
2023-07-21 10:18:571399 
新型Luxtron M-1100是等離子增強(qiáng)半導(dǎo)體沉積和蝕刻制造工藝的理想之選，其工作溫度下至-200°C（低溫范圍的起始），上至450°C（“熱吸盤(pán)”溫度），具有行業(yè)領(lǐng)先的精度（+/-0.1°C）和穩(wěn)定性（+/-0.05°C）。
2023-07-20 11:21:34215 來(lái)源：半導(dǎo)體芯科技編譯 干法等離子蝕刻工藝中的污染最小。 Greene Tweed推出了全氟彈性體Chemraz G57，由Greene Tweed材料科學(xué)家和應(yīng)用工程師專(zhuān)門(mén)研發(fā)，用來(lái)滿(mǎn)足侵蝕性干法
2023-07-19 16:32:11222 1、產(chǎn)品簡(jiǎn)介： 放電等離子燒結(jié) (SPS)是一種快速、低溫、節(jié)能、環(huán)保的材料制備新技術(shù)，可用來(lái)制備金屬、陶瓷、納米材料、非晶材料、復(fù)合材料、梯度材料等
2023-07-16 23:06:19
蝕刻是一種從材料上去除的過(guò)程?；砻嫔系囊环N薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時(shí)在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183 
蝕刻是一種從材料上去除的過(guò)程?；砻嫔系囊环N薄膜基片。當(dāng)掩碼層用于保護(hù)特定區(qū)域時(shí)在晶片表面，蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03190 
行業(yè)簡(jiǎn)介：微弧氧化(MAO)又稱(chēng)微等離子體氧化(MPO)、陽(yáng)極火花沉積(ASD)或火花放電陽(yáng)極氧化(ANOF),還有人稱(chēng)之為等離子體增強(qiáng)電化學(xué)表面陶瓷化(PECC)。該技術(shù)的基本原理及特點(diǎn)是：在普通
2023-07-11 14:27:42
上海伯東美國(guó) KRi 考夫曼離子源 KDC 40 應(yīng)用于雙腔室高真空等離子 ALD 系統(tǒng), 實(shí)現(xiàn)小規(guī)模試驗(yàn)中 2-4 英寸硅片等半導(dǎo)體襯底表面的清潔, 確保樣品表面清潔無(wú)污染, 滿(mǎn)足 TiN, ZnO, Al2O3, TiO2 等制備.
2023-07-07 14:55:44439 
隨著集成電路互連線(xiàn)的寬度和間距接近3pm，鋁和鋁合金的等離子體蝕刻變得更有必要。為了防止蝕刻掩模下的橫向蝕刻，我們需要一個(gè)側(cè)壁鈍化機(jī)制。盡管AlCl和AlBr都具有可觀的蒸氣壓，但大多數(shù)鋁蝕刻的研究
2023-06-27 13:24:11318 
近日，Nano Letters（《納米快報(bào)》）在線(xiàn)發(fā)表武漢大學(xué)高等研究院梁樂(lè)課題組和約翰霍普金斯大學(xué)Ishan Barman課題組關(guān)于高效構(gòu)建等離子增強(qiáng)NV色心的納米器件研究進(jìn)展，他們利用自下向上的DNA自組裝方法開(kāi)發(fā)了一種混合型獨(dú)立式等離子體納米金剛石
2023-06-26 17:04:52396 
CMOS和MEMS制造技術(shù)，允許相對(duì)于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實(shí)用性。這種化學(xué)性質(zhì)非常有用，但是當(dāng)存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻時(shí)，這就成了問(wèn)題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻速率以及橫向或分層膜的蝕刻速率降低，濕法化學(xué)也會(huì)有問(wèn)題。
2023-06-26 13:32:441053 
、2116、1080，下表為各種PP片、樹(shù)脂含量、厚度一覽表：
三、蝕刻制程的線(xiàn)路偏差
PCB線(xiàn)路制程，一般會(huì)經(jīng)過(guò)貼膜-曝光-顯影-蝕刻-退膜這幾道工序，線(xiàn)路蝕刻工序則會(huì)影響最終的線(xiàn)寬，從而影響阻抗
2023-06-25 10:25:55
、2116、1080，下表為各種PP片、樹(shù)脂含量、厚度一覽表：
三、蝕刻制程的線(xiàn)路偏差
PCB線(xiàn)路制程，一般會(huì)經(jīng)過(guò)貼膜-曝光-顯影-蝕刻-退膜這幾道工序，線(xiàn)路蝕刻工序則會(huì)影響最終的線(xiàn)寬，從而影響阻抗
2023-06-25 09:57:07
離子束蝕刻 (Ion beam etch) 是一種物理干法蝕刻工藝。由此，氬離子以約1至3keV的離子束輻射到表面上。由于離子的能量，它們會(huì)撞擊表面的材料。晶圓垂直或傾斜入離子束，蝕刻過(guò)程是絕對(duì)
2023-06-20 09:48:563989 
上海伯東美國(guó)?KRi?考夫曼公司大口徑射頻離子源?RFICP 380, RFICP 220 成功應(yīng)用于 12英寸和 8英寸?IBE 離子束蝕刻機(jī), 實(shí)現(xiàn) 300mm 和 200mm 硅片蝕刻, 刻蝕
2023-06-15 14:58:47665 
器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開(kāi)發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)。近年來(lái)，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù)，它基于連續(xù)的、自限性的表面反應(yīng)。ALE是一種蝕刻技術(shù)，允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續(xù)反應(yīng)。
2023-06-15 11:05:05526 
交流電源板過(guò)載防護(hù)高電壓氣體放電管 氣體放電管- GDT /氣體等離子體避雷器 2R3600ML5 Gas Discharge
2023-06-14 17:30:02
為了提供更優(yōu)良的靜電完整性，三維(3D)設(shè)計(jì)（如全圍柵(GAA)場(chǎng)電子晶體管(FET )）預(yù)計(jì)將在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)中被采用。3D MOS架構(gòu)為蝕刻應(yīng)用帶來(lái)了一系列挑戰(zhàn)。雖然平面設(shè)備更多地依賴(lài)于各向異性蝕刻，但是3D設(shè)備在不同材料之間具有高選擇性，需要更多的各向異性蝕刻能力。
2023-06-14 11:03:531779 
等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個(gè)必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會(huì)實(shí)質(zhì)上改變蝕刻特性。在小型單個(gè)芯片上制造氮化鎵（GaN）設(shè)備，通常會(huì)導(dǎo)致晶圓的成本上升。在本研究中，英思特通過(guò)鋁基和硅基載流子來(lái)研究蝕刻過(guò)程中蝕刻速率、選擇性、形貌和表面鈍化的影響。
2023-05-30 15:19:54452 
納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過(guò)硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學(xué)。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
金屬銀鍍PTFE涂層等離子處理是指在金屬鍍銀進(jìn)行PTFE涂層，并在PTFE涂層上進(jìn)行等離子處理的一種表面處理技術(shù)。該技術(shù)可以使金屬表面具有一定的耐腐蝕性、耐磨性和耐高溫性，同時(shí)還可以提高金屬表面的潤(rùn)滑性和粘附性。
2023-05-25 15:54:14513 
微孔利用光和物質(zhì)的相互作用來(lái)獲得獨(dú)特的性質(zhì)，特別是，當(dāng)用紫外光、可見(jiàn)光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時(shí)，金屬微孔結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出強(qiáng)烈的共振。然而，用于制造微孔的技術(shù)是耗時(shí)的，并且需要昂貴的設(shè)備和專(zhuān)業(yè)人員。因此，英思特開(kāi)發(fā)了一種通過(guò)濕化學(xué)蝕刻硅襯底來(lái)制造微孔的方法。
2023-05-25 13:47:51846 
PTFE表面等離子改性是一種有效的技術(shù)手段，可以改變PTFE表面的性質(zhì)，增加其在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用。通過(guò)引入親水基團(tuán)、改善表面形貌、形成致密的氟化物膜等方式，可以提高PTFE表面的粘附性、潤(rùn)濕性、抗腐蝕性、耐磨性、生物相容性和電性能。
2023-05-19 10:45:39628 
蝕刻可能是濕制程階段最復(fù)雜的工藝，因?yàn)橛泻芏嘁蛩貢?huì)影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻率就會(huì)變化，因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動(dòng)化方法來(lái)維護(hù)蝕刻化學(xué)，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575 
一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作抗蝕刻 圖形電鍍之金屬抗蝕層如鍍覆金、鎳、錫鉛合金
2023-05-18 16:23:484918 在天體物理學(xué)中，有許多天體都具有強(qiáng)大的磁場(chǎng)，例如恒星、行星和黑洞。這些天體周?chē)ǔＳ写罅康?b class="flag-6" style="color: red">等離子體，例如恒星風(fēng)、行星際介質(zhì)和吸積盤(pán)。
2023-05-17 09:24:16452 10: 考夫曼型離子源 Gridded 系列最小型號(hào)的離子源. 適用于集成在小型的真空設(shè)備中, 例如預(yù)清洗, 離子濺射, 離子蝕刻. 在
2023-05-11 16:02:30
曼品牌離子源, 推出 RF2100ICP Plasma Source 射頻等離子體源及配套控制器, RF2100 等離子體放電, RFICP 在 2MHz, 電子
2023-05-11 14:57:22
100 緊湊設(shè)計(jì), 適用于離子濺鍍和離子蝕刻. 小尺寸設(shè)計(jì)但是可以輸出 >400 mA 離子流. 考夫曼型離子源 RFICP 100 源直徑19cm 安裝在10”C
2023-05-11 14:28:30
離子源 RFICP 220 高能量柵極離子源, 適用于離子濺鍍, 離子沉積和離子蝕刻. 在離子束濺射工藝中, 射頻離子源 RFICP 220 配有離子光學(xué)元件, 可以
2023-05-11 14:09:08
減薄晶片有四種主要方法，(1)機(jī)械研磨，(2)化學(xué)機(jī)械平面化，(3)濕法蝕刻(4)等離子體干法化學(xué)蝕刻(ADP DCE)。四種晶片減薄技術(shù)由兩組組成：研磨和蝕刻。為了研磨晶片，將砂輪和水或化學(xué)漿液結(jié)合起來(lái)與晶片反應(yīng)并使之變薄，而蝕刻則使用化學(xué)物質(zhì)來(lái)使基板變薄。
2023-05-09 10:20:06979 其實(shí)不同顏色的PCB，它們的制造的材料、制造工序都是一樣的，包括敷銅層的位置也是一樣的，經(jīng)過(guò)蝕刻工藝后就在PCB上留下了最終的布線(xiàn)，例如下圖這塊剛經(jīng)過(guò)蝕刻工藝的PCB，敷銅走線(xiàn)就是原本的銅色，而PCB基板略顯微黃色。
2023-05-09 10:02:431699 
芯片等離子活化技術(shù)是一種物理處理技術(shù)，通過(guò)改變材料表面的化學(xué)性質(zhì)、物理性質(zhì)和機(jī)械性能，實(shí)現(xiàn)對(duì)材料的表面處理和改性。芯片等離子活化技術(shù)具有處理效率高、處理精度高、無(wú)需添加劑、處理后材料性能穩(wěn)定和應(yīng)用范圍廣泛等優(yōu)勢(shì)。
2023-05-06 10:44:50651 
通過(guò)金徠等離子體處理，可以提高金屬表面的活性，改善金屬表面的結(jié)合力、增強(qiáng)涂層附著力等性質(zhì)，使得金屬制品的質(zhì)量和性能得到明顯的改善和提升。此外，等離子體處理還可以改善金屬表面的光潔度，使得金屬表面更加平整光滑。
2023-05-05 10:51:23526 
反應(yīng)離子蝕刻 (RIE)是一種干法蝕刻工藝，與半導(dǎo)體工業(yè)中使用的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:161253 
干法蝕刻與濕法蝕刻之間的爭(zhēng)論是微電子制造商在項(xiàng)目開(kāi)始時(shí)必須解決的首要問(wèn)題之一。必須考慮許多因素來(lái)決定應(yīng)在晶圓上使用哪種類(lèi)型的蝕刻劑來(lái)制作電子芯片，是液體（濕法蝕刻）還是氣體（干法蝕刻）
2023-04-12 14:54:331004 全硅等離子體色散效應(yīng)環(huán)形諧振器調(diào)制器具有誘人的發(fā)展前景。然而，其性能目前受限于調(diào)制深度和開(kāi)關(guān)速度之間的權(quán)衡。
2023-04-12 09:12:121594 濕法蝕刻工藝的原理是使用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高
2023-04-10 17:26:10453 
PCBA是指將PCB裸板進(jìn)行元器件的貼裝、插件并實(shí)現(xiàn)焊接的工藝過(guò)程。PCBA的生產(chǎn)過(guò)程需要經(jīng)過(guò)一道道的工序才能生產(chǎn)完成，本文就為大家介紹PCBA生產(chǎn)的各個(gè)工序?！ CBA是指在PCB裸板基礎(chǔ)上
2023-04-07 14:24:29
大家目前對(duì)于等離子光譜儀的普遍使用早已見(jiàn)怪不怪了，這種相對(duì)來(lái)說(shuō)較為細(xì)致的設(shè)備是一定要盡早的實(shí)施維修保養(yǎng)的，否則很容易就沒(méi)辦法運(yùn)用或者機(jī)械設(shè)備產(chǎn)生情況，下面大家一起來(lái)看看等離子光譜儀需要進(jìn)行哪種
2023-04-07 07:37:42124 
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導(dǎo)讀：?屏(也叫面板)，是等離子電視最重要的部件，占整機(jī)成本的六、七成。屏的好壞，直接決定著平板電視的優(yōu)劣。目前世界上只有韓國(guó)LG、三星和日本的松下等少數(shù)廠商具備等離子屏的生產(chǎn)能力，其中LG的A3生產(chǎn)線(xiàn)被公認(rèn)為最先進(jìn)的等離子生產(chǎn)線(xiàn)。很大程度上，等離子電視的選擇就是等離子屏的選擇。
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2023-03-30 15:56:10452 印刷線(xiàn)路板從光板到顯出線(xiàn)路圖形的過(guò)程是一個(gè)比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過(guò)程，本文就對(duì)其最后的一步--蝕刻進(jìn)行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886 2RM3600A6L2 氣體放電管- GDT /氣體等離子體避雷器3600Discharge 2-Electrode Arrester 5.5*6 直流擊穿電壓3600V氣體
2023-03-27 17:04:09
在濕蝕刻的情況下，隨著SiNx/SiOy層的厚度減小，剩余的SiOy層由于表面張力而坍塌，蝕刻溶液對(duì)孔的滲透變得更具挑戰(zhàn)性。
2023-03-27 10:17:49402 
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