先進汽車技術論壇:最新汽車設計技術的討論

去年，電動汽車的發(fā)展速度比預期的要快。自動駕駛技術已經(jīng)從短期優(yōu)先目標推向長期目標，但與 AV 搶先的競爭依然激烈。高級汽車技術論壇將提供有關最新汽車設計趨勢的主題演講、小組討論、技術演示和教程，包括多管齊下地開發(fā)具有自動化功能的節(jié)能先進電動汽車。

汽車行業(yè)正在參加汽車電氣化和汽車自動化的競賽。為了使電動汽車能夠更快地充電，汽車電力電子設計人員需要寬帶隙半導體材料 (GaN/SiC) 和能夠滿足電動汽車效率和功率密度要求的新型動力總成架構。為了保護環(huán)境，限制溫室氣體排放至關重要。

第一天將由 McLaren Applied 電氣化主管 Steve Lambert、EPC 首席執(zhí)行官 Alex Lidow 和華威大學 PGC Consultancy 創(chuàng)始人 Peter Gammon 發(fā)表演講。Stephen Lambert 將探討效率對這些指標的影響和重要性。

汽車動力總成技術的最新進展加速了雙 48 V/12 V 總線架構在輕度混合動力汽車中的使用，該架構可降低 8-15% 的油耗。48 V 總線的可用性還可以支持更重的負載，如空調、更快的機艙加熱，以及使用 48 V 鋰離子電池更快、更平穩(wěn)的啟動。正如 Lidow 的演講中所展示的，GaN-on-Si 功率器件是最適合該應用的半導體。

Peter Gammon 將分析 SiC 為何優(yōu)于硅同行、汽車逆變器中 SiC 技術的現(xiàn)狀以及 SiC 芯片生產(chǎn)的經(jīng)濟性。

GaN、SiC、動力總成、充電站

第二天，UnitedSiC/Qorvo 功率器件總工程師 Anup Bhalla 將談論?SiC?，并以題為?“使用最新 SiC FET 技術改進車載充電器性能”的開場白介紹 SiC 。碳化硅 FET 已經(jīng)在車載充電器 (OBC) 電路中確立了自己的地位，尤其是當電池工作電壓超過 500V 時。這些器件的低功率損耗允許在此應用中使用通孔和表面貼裝封裝。Bhalla 將檢查這些封裝選項的相對熱性能，并展示 TO247-4L 和 D2PAK-7L 選項在 6.6KW 和 11KW 充電器中的可行性。

開幕后，德州儀器汽車系統(tǒng)系統(tǒng)工程營銷總監(jiān) Ryan Manack 和 Wolfspeed 首席技術官兼聯(lián)合創(chuàng)始人 John Palmour 將分別以以下標題談論 GaN/BMS 和 SiC：?“通往電動汽車之路采用：GaN、BMS 和集成動力系統(tǒng)”——“用碳化硅推動更綠色的未來”

第三天，我們將分析?充電站。英飛凌科技全球應用經(jīng)理 Elisabeth Preuss 將發(fā)表題為?“對下一代快速電動汽車充電器的展望”的開幕式。

隨著市場上電動汽車數(shù)量的不斷增長以及政府要求到 2050 年將汽車排放量降至零的壓力，對更高效的充電解決方案的需求日益增長。正如各種消費者研究表明的那樣，電動汽車的接受程度在很大程度上取決于高效快速充電基礎設施的可用性。配備強大直流充電器的超大功率電動汽車充電站將是未來市場的答案。因此，電動汽車的充電時間可以達到為傳統(tǒng)汽車加油的水平。在開幕式上，英飛凌將更深入地了解半導體技術如何推動電動汽車快速充電進入未來。

然后，兩個主題演講將討論電動汽車的無線充電并展望充電基礎設施的未來：?“電動汽車無線充電之路”，由 Eggtronic 首席執(zhí)行官兼首席技術官 Igor Spinella 撰寫；??ABB Power Conversion 工業(yè)部門負責人 Gopal Mitra 和 ABB Power Conversion 電動汽車充電業(yè)務全球業(yè)務發(fā)展經(jīng)理 Daan Nap 的“電動化我們的移動性：不斷發(fā)展的 EV 用例如何推動充電基礎設施創(chuàng)新” 。

最后，將有兩個小組進行討論。一個小組將包括與主題演講者和觀眾的問答環(huán)節(jié)，而另一個小組將徹底檢查寬帶隙材料的各個方面。電動汽車和混合動力電動汽車正在尋找既高效又具有成本效益的電力轉換解決方案。與硅相比，寬帶隙半導體提供卓越的性能。在與 Nexperia、onsemi 和 STMicroelectronics 的小組討論中，我們將討論主要挑戰(zhàn)以及 GaN/SiC 可以為汽車行業(yè)帶來哪些好處。

審核編輯 黃昊宇