深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司，技術(shù)骨干來(lái)自清華大學(xué)和韓國(guó)延世大學(xué)，掌握第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件國(guó)際領(lǐng)先的工藝，和第五代超快恢復(fù)功率二極管技術(shù)。薩科微slkor（www.slkormicro.com
2024-03-15 11:22:07
氮化鎵（GaN）基材料被稱為第三代半導(dǎo)體，其光譜范圍覆蓋了近紅外、可見(jiàn)光和紫外全波段，在光電子學(xué)領(lǐng)域有重要的應(yīng)用價(jià)值。
2024-03-08 10:32:39
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將大幅調(diào)整，將有一連串人事新布局，兩位資深副總米玉杰、侯永清將增加不同領(lǐng)域歷練，第三代接班梯隊(duì)正式成軍。 魏哲家未來(lái)接任董事長(zhǎng)兼總裁，成為繼創(chuàng)辦人張忠謀后，臺(tái)積電擁有參與公司決策方針和統(tǒng)帥三軍大權(quán)的第二人。 據(jù)調(diào)查，臺(tái)積電首波
2024-03-04 08:56:47294 2月27日，第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地在寶安區(qū)啟用，由深圳市重投天科半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“重投天科”）建設(shè)運(yùn)營(yíng)，預(yù)計(jì)今年襯底和外延產(chǎn)能達(dá)25萬(wàn)片
2024-02-29 14:09:14234 總計(jì)投資32.7億元人民幣的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地是中共廣東省委和深圳市委重點(diǎn)關(guān)注的項(xiàng)目之一，同時(shí)也是深圳全球招商大會(huì)的重點(diǎn)簽約項(xiàng)目。
2024-02-28 16:33:34336 Intel Xeon?可擴(kuò)展處理器（第三代）Intel?Xeon?可擴(kuò)展處理器（第三代）針對(duì)云、企業(yè)、HPC、網(wǎng)絡(luò)、安全和IoT工作負(fù)載進(jìn)行了優(yōu)化，具有8到40個(gè)強(qiáng)大的內(nèi)核和頻率范圍、功能和功率級(jí)別
2024-02-27 11:58:54
Intel Xeon?金牌處理器（第三代）Intel? Xeon?金牌處理器（第三代）支持高內(nèi)存速度和增加內(nèi)存容量。Intel? Xeon?金牌處理器具有更高性能、先進(jìn)的安全技術(shù)以及內(nèi)置工作負(fù)載加速
2024-02-27 11:57:49
Intel Xeon?鉑金處理器（第三代）Intel? Xeon?鉑金處理器（第三代）是安全、敏捷、數(shù)據(jù)中心的基礎(chǔ)。這些處理器具有內(nèi)置AI加速、先進(jìn)的安全技術(shù)和出色的多插槽處理性能，設(shè)計(jì)用于任務(wù)關(guān)鍵
2024-02-27 11:57:15
在清潔能源、電動(dòng)汽車的發(fā)展趨勢(shì)下，近年來(lái)第三代半導(dǎo)體碳化硅和氮化鎵受到了史無(wú)前例的關(guān)注，市場(chǎng)以及資本都在半導(dǎo)體行業(yè)整體下行的階段加大投資力度，擴(kuò)張規(guī)模不斷擴(kuò)大。在過(guò)去的2023年，全球第三代半導(dǎo)體
2024-02-18 00:03:002542 服務(wù)范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分立器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊。檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)l AEC-Q101分立器件認(rèn)證l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
AEC-Q101認(rèn)證試驗(yàn)廣電計(jì)量在SiC第三代半導(dǎo)體器件的AEC-Q認(rèn)證上具有豐富的實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)，為您提供專業(yè)可靠的AEC-Q101認(rèn)證服務(wù)，同時(shí)，我們也開(kāi)展了間歇工作壽命（IOL）、HAST
2024-01-29 21:35:04
近日，廣東致能科技團(tuán)隊(duì)與西安電子科技大學(xué)廣州研究院/廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心郝躍院士、張進(jìn)成教授團(tuán)隊(duì)等等合作攻關(guān)，通過(guò)采用廣東致能科技有限公司的薄緩沖層AlGaN / GaN外延片，基于廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心中試平臺(tái)，成功在6英寸藍(lán)寶石襯底上實(shí)現(xiàn)了1700V GaN HEMTs器件。
2024-01-25 10:17:24365 
第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為代表。第三代半導(dǎo)體材料主 要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、硒化鋅（ZnSe）等，因其禁帶寬度較大，又被 稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。
2024-01-23 10:06:04259 
據(jù)云塔科技消息，1月15日，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院孫海定教授牽頭的國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新合作”重點(diǎn)專項(xiàng)“基于第三代半導(dǎo)體氮化鎵和氮化鈧鋁異質(zhì)集成射頻微系統(tǒng)芯片研究”項(xiàng)目啟動(dòng)會(huì)暨實(shí)施方案論證會(huì)在云塔科技（安努奇）舉行。
2024-01-23 09:56:16448 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/劉靜）在新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等新興領(lǐng)域的需求帶動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)近幾年高速增長(zhǎng)。盡管今年半導(dǎo)體經(jīng)濟(jì)不景氣，機(jī)構(gòu)投資整體更理性下，第三代半導(dǎo)體企業(yè)的融資仍加速狂飆
2024-01-09 09:14:331408 
第三代半導(dǎo)體以此特有的性能優(yōu)勢(shì)，在半導(dǎo)體照明、新能源汽車、新一代移動(dòng)通信、新能源并網(wǎng)、高速軌道交通等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。2020年9月，第三代半導(dǎo)體被寫入“十四五”規(guī)劃，在技術(shù)、市場(chǎng)與政策的三力驅(qū)動(dòng)下，近年來(lái)國(guó)內(nèi)涌現(xiàn)出多家第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域龍頭公司。
2024-01-04 16:13:36430 近日，華大半導(dǎo)體旗下中電化合物有限公司榮獲“中國(guó)第三代半導(dǎo)體外延十強(qiáng)企業(yè)”稱號(hào)，其生產(chǎn)的8英寸SiC外延片更是一舉斬獲“2023年度SiC襯底/外延最具影響力產(chǎn)品獎(jiǎng)”。這一榮譽(yù)充分體現(xiàn)了中電化合物在第三代半導(dǎo)體外延領(lǐng)域的卓越實(shí)力和領(lǐng)先地位。
2024-01-04 15:02:23523 石金科技近日宣布將募集3.5億元資金，用于多個(gè)關(guān)鍵項(xiàng)目的發(fā)展。這些項(xiàng)目涵蓋了補(bǔ)充公司流動(dòng)資金、建設(shè)石金（西安）研發(fā)中心及生產(chǎn)基地、光伏關(guān)鍵輔材集成服務(wù)生產(chǎn)以及第三代半導(dǎo)體熱場(chǎng)及材料的生產(chǎn)。
2024-01-03 16:09:22456 近期，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)知名媒體與產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)“行家說(shuō)三代半”主辦的“2023年行家極光獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)典禮在深圳正式拉開(kāi)帷幕，數(shù)家SiC&GaN企業(yè)代表參加，共同見(jiàn)證第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的風(fēng)采。
2023-12-27 10:47:55225 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）在我們談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">第三代半導(dǎo)體的時(shí)候，常說(shuō)的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT（高電子
2023-12-27 09:11:361219 的分析與展望。 ? Cambridge GaN Devices（CGD）?是一家無(wú)晶圓廠環(huán)?？萍?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體公司，開(kāi)發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。 ? CGD由劍橋大學(xué)
2023-12-26 14:15:215612 
芯聯(lián)集成已全力挺進(jìn)第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)，自2021年起投入碳化硅MOSFET芯片及模組封裝技術(shù)的研究開(kāi)發(fā)與產(chǎn)能建設(shè)。短短兩年間，芯聯(lián)集成便已成功實(shí)現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新的三次重大飛躍，器件性能與國(guó)際頂級(jí)企業(yè)齊肩，并且已穩(wěn)定實(shí)現(xiàn)6英寸5000片/月碳化硅MOSFET芯片的大規(guī)模生產(chǎn)。
2023-12-26 10:02:38247 點(diǎn)擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！ ?泰克科技? ?“2023 行家極光獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)典禮于12月14日在深圳隆重舉行，數(shù)百家SiCGaN企業(yè)代表出席了本次活動(dòng)，共同見(jiàn)證了第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的風(fēng)采。 業(yè)內(nèi)
2023-12-21 17:40:02266 
半導(dǎo)體材料目前已經(jīng)發(fā)展至第三代。傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律，逐漸不適應(yīng)于半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展需求，砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半導(dǎo)體也因而誕生。
2023-12-21 15:12:20820 
家 SiC、GaN 企業(yè)代表來(lái)共同見(jiàn)證第三代半導(dǎo)體的蓬勃發(fā)展。Nexperia（安世半導(dǎo)體）榮獲權(quán)威認(rèn)證，將「SiC年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)」與「中國(guó)GaN 功率器件十強(qiáng)」兩項(xiàng)大獎(jiǎng)收入囊中，展現(xiàn)了其作為基礎(chǔ)半導(dǎo)體全球領(lǐng)導(dǎo)者的強(qiáng)大實(shí)力與深耕三代半領(lǐng)域的決心。
2023-12-21 11:37:25681 近日，國(guó)星光電作為A級(jí)單位參編發(fā)布的《2023碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》和《2023氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》在行家說(shuō)2023碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇上正式發(fā)布，并在行家極光獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮上成功斬獲“年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)”。
2023-12-19 10:27:38378 12月14日，第三代半導(dǎo)體行家極光獎(jiǎng)在深圳重磅揭曉，派恩杰半導(dǎo)體榮膺“中國(guó)SiC器件Fabless十強(qiáng)企業(yè)”稱號(hào)。
2023-12-15 10:57:45466 。 海內(nèi)外第三代半導(dǎo)體及相關(guān)領(lǐng)域的知名專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)導(dǎo)、投資機(jī)構(gòu)代表參與大會(huì)。中科院、北京大學(xué)、香港科技大學(xué)、英諾賽科、三安光電等科研院所、企業(yè)代表圍繞第三代半導(dǎo)體技術(shù)、應(yīng)用，深入探討交流最新技術(shù)進(jìn)展與發(fā)展趨勢(shì)，分享前沿研究成果。 是德
2023-12-13 16:15:03241 
以GaN為代表的第三代半導(dǎo)體具有高擊穿電場(chǎng)，高電子飽和速度，高頻和高功率等特性，在射頻和電力電子器件領(lǐng)域具有巨大的性能優(yōu)勢(shì)。
2023-12-09 10:28:39747 
—AMD加強(qiáng)廣受好評(píng)的第三代EPYC CPU產(chǎn)品組合，為支持主要業(yè)務(wù)基礎(chǔ)設(shè)施的服務(wù)器提供性能和能效— —包括Cisco、Dell Technologies、Gigabyte、HPE、Lenovo
2023-11-11 10:37:54934 2023年10月25日 - 2023全國(guó)第三代半導(dǎo)體大會(huì)今日在深圳寶安格蘭云天國(guó)際酒店四樓會(huì)議廳隆重開(kāi)幕。本屆大會(huì)由今日半導(dǎo)體主辦，吸引了來(lái)自全國(guó)各地的400多家企業(yè)參與，共同探討第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)和應(yīng)用前景。
2023-11-06 09:45:31235 近日，國(guó)星光電LED器件封裝及其應(yīng)用產(chǎn)品項(xiàng)目傳來(lái)新進(jìn)展。
2023-11-03 14:19:35418 氮化鎵（GaN）被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料，今天金譽(yù)半導(dǎo)體帶大家來(lái)簡(jiǎn)單了解一下，這個(gè)材料有什么厲害的地方。
2023-11-03 10:59:12663 
功率器件：Power Integrations推出的PowiGaN技術(shù)是業(yè)界首款GaN-on-Sapphire功率IC，已經(jīng)在手機(jī)快充上大量出貨。國(guó)內(nèi)蘇州捷芯威也推出了藍(lán)寶石基氮化鎵高壓保護(hù)開(kāi)關(guān)器件，單管耐壓2000V
2023-10-18 15:59:20
1 近年來(lái)，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體材料成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)熱點(diǎn)之一。
2023-10-16 14:45:06694 隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子領(lǐng)域正在發(fā)生著深刻的變化。在這個(gè)變化中，第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）技術(shù)成為了焦點(diǎn)，其對(duì)于充電器的性能和效率都帶來(lái)了革命性的影響。
在傳統(tǒng)的硅基材料中，電力電子器件
2023-10-11 16:30:48250 第三代寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN在新能源和射頻領(lǐng)域已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模商用。與第一代和第二代半導(dǎo)體相比，第三代半導(dǎo)體具有許多優(yōu)勢(shì)，這些優(yōu)勢(shì)源于新材料和器件結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新。
2023-10-10 16:34:28295 
本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體芯片的制作和半導(dǎo)體芯片封裝的詳細(xì)資料概述
2023-09-26 08:09:42
西安電子科技大學(xué)表示，該項(xiàng)目竣工后，將具備6至8英寸氮化鎵晶片生長(zhǎng)、工程準(zhǔn)備、密封測(cè)試等整個(gè)工程的研發(fā)和技術(shù)服務(wù)能力。接著革新中心是第三代半導(dǎo)體技術(shù)公共服務(wù)平臺(tái)和產(chǎn)業(yè)，圍繞國(guó)家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重大戰(zhàn)略需求為中心，5g通信、新能源汽車等領(lǐng)域的、芯片和微系統(tǒng)模塊的開(kāi)展關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)。
2023-09-25 11:20:56840 86面板墻插是我國(guó)普通家庭用電最常見(jiàn)的一種電力接口，當(dāng)第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率器件遇上86面板墻插，會(huì)帶來(lái)怎樣的新驚喜呢？
2023-09-25 10:34:20667 
行業(yè)協(xié)會(huì)指導(dǎo)，深圳市人民政府聯(lián)合中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)集成電路設(shè)計(jì)分會(huì)、“核高基”國(guó)家科技重大專項(xiàng)總體專家組主辦。繼21日上午的高峰論壇成功舉辦后，汽車芯片與第三代半導(dǎo)體應(yīng)用論壇作為本屆峰會(huì)亮點(diǎn)正式開(kāi)啟。 ? 當(dāng)前，隨著汽車四化時(shí)代來(lái)臨，汽車產(chǎn)業(yè)迎來(lái)更大風(fēng)口，
2023-09-25 09:09:35521 
隨著全球進(jìn)入物聯(lián)網(wǎng)、5G、綠色能源和電動(dòng)汽車時(shí)代，能夠充分展現(xiàn)高電壓、高溫和高頻能力、滿足當(dāng)前主流應(yīng)用需求的寬禁帶半導(dǎo)體高能量轉(zhuǎn)換效率半導(dǎo)體材料開(kāi)始成為市場(chǎng)寵兒，開(kāi)啟了第三代半導(dǎo)體的新紀(jì)元。
2023-09-22 15:40:41476 
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，它突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制，成為第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料性能優(yōu)勢(shì)引領(lǐng)功率器件新變革。
2023-09-19 15:55:20893 
? 新能源汽車和光伏、儲(chǔ)能設(shè)施在全球加速普及，為第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件產(chǎn)業(yè)的落地提供了前所未有的契機(jī)。 長(zhǎng)電科技厚積薄發(fā)定位創(chuàng)新前沿，多年來(lái)面向第三代半導(dǎo)體功率器件
2023-09-19 10:20:38379 9月15日，東科半導(dǎo)體（安徽）股份有限公司與北京大學(xué)共同組建的第三代半導(dǎo)體聯(lián)合研發(fā)中心正式揭牌成立。由北京大學(xué)科學(xué)研究部謝冰部長(zhǎng)及馬鞍山市委書記袁方共同為北大-東科聯(lián)合研發(fā)中心揭牌。圖左為袁方書
2023-09-19 10:07:33452 
能與成本?未來(lái)有何發(fā)展目標(biāo)?...... 前言： 憑借功率密度高、開(kāi)關(guān)速度快、抗輻照性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材料被廣泛應(yīng)用于電力電子、光電子學(xué)和無(wú)線通信等領(lǐng)域，以提高設(shè)備性能和效率，并成為當(dāng)前半導(dǎo)
2023-09-18 16:48:02365 新能源汽車和光伏,儲(chǔ)能設(shè)施在全球加速普及,為第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)的落地提供了前所未有的契機(jī)。長(zhǎng)電科技厚積薄發(fā)定位創(chuàng)新前沿,多年來(lái)面向第三代半導(dǎo)體功率器件開(kāi)發(fā)
2023-09-18 16:11:25261 材料領(lǐng)域中，第一代、第二代、
第三代沒(méi)有“一代更比一代好”的說(shuō)法。氮化鎵、碳化硅等材料在國(guó)外一般稱為寬禁帶
半導(dǎo)體。 將氮化鎵、氮化鋁、氮化銦
及其混晶材料制成氮化物
半導(dǎo)體，或?qū)⒌?、砷化鎵、磷化銦制?/div>
2023-09-12 16:19:271932 
氮化鎵（GaN）是一種非常堅(jiān)硬且機(jī)械性能非常穩(wěn)定的寬禁帶半導(dǎo)體材料。由于具有更高的擊穿強(qiáng)度、更快的開(kāi)關(guān)速度、更高的熱導(dǎo)率和更低的導(dǎo)通電阻，GaN基功率器件明顯優(yōu)于硅基器件。
GaN晶體可以在各種
2023-09-08 15:11:18535 
意法半導(dǎo)體的第三代BlueNRG2.4 GHz Radio IP符合藍(lán)牙SIG核心規(guī)范5.2版本要求，兼具出色的射頻性能和極長(zhǎng)的電池壽命。BlueNRG-LP SoC適用于點(diǎn)對(duì)多點(diǎn)連接和藍(lán)牙SIG
2023-09-08 06:57:13
睿生光電與半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)制造商z智誠(chéng)實(shí)業(yè)合作，展示了axi系統(tǒng)的應(yīng)用程序和x-ray數(shù)字平面顯示器系列。該公司使用的pact檢測(cè)設(shè)備使用了特殊光學(xué)引擎，用于面板級(jí)封裝（plp）檢測(cè)和化合物硅電石第三代檢測(cè)。
2023-09-07 14:31:40486 氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料
?氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，是研制微電子器件、光電子器件的新型材料
2023-09-04 10:16:40541 
據(jù)錫山經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)消息，芯動(dòng)第三代半導(dǎo)體模塊將在測(cè)試項(xiàng)目主體上蓋屋頂，10月土木工程竣工，12月底投產(chǎn)。凱威特斯半導(dǎo)體設(shè)備配件再制造事業(yè)已經(jīng)完成了第一次竣工和第二次主體屋頂工程，計(jì)劃于今年12月竣工，2024年3月批量生產(chǎn)。
2023-08-31 09:25:07447 據(jù)融合資產(chǎn)消息，此次融資后融合資產(chǎn)將在芯片生產(chǎn)線、家具用、工商能源儲(chǔ)存、充電包、新能源汽車等多個(gè)領(lǐng)域展開(kāi)合作，幫助建設(shè)第三代半導(dǎo)體智能電力模塊生產(chǎn)線。
2023-08-30 09:24:55228 。
同時(shí)，為滿足第三代半導(dǎo)體企業(yè)對(duì)封測(cè)環(huán)節(jié)的需求，誠(chéng)聯(lián)愷達(dá)、忱芯科技、恩歐西、科瑞杰、中科同志、華特力科、德圖科技等功率器件封測(cè)技術(shù)及設(shè)備品牌同時(shí)亮相，共同演繹下一代電力電子器件封裝趨勢(shì)
2023-08-24 11:49:00
隨著科技的不斷進(jìn)步，新的半導(dǎo)體材料正在為整個(gè)電子行業(yè)帶來(lái)深刻的變革。在這場(chǎng)技術(shù)革命的前沿，第三代半導(dǎo)體材料嶄露頭角。與前兩代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體在高溫、高壓、高頻等應(yīng)用環(huán)境中展現(xiàn)出了更為出色的性能。從材料分類的角度來(lái)看，第三代半導(dǎo)體材料主要可以分為以下四類。
2023-08-21 09:33:071580 
第三代半導(dǎo)體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，用于高壓、高溫、高頻場(chǎng)景。廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、工控等領(lǐng)域。因此第三代半導(dǎo)體研究主要是集中在材料特征研究，本文主要是研究碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。
2023-08-11 10:17:54915 
近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開(kāi)。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.casmita.com）、第三代
2023-08-07 14:37:37337 
近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開(kāi)。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.casmita.com）、第三代
2023-08-07 11:50:29515 
近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開(kāi)。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.casmita.com）、第三代
2023-08-04 18:10:231756 
近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開(kāi)。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，西安電子科技
2023-08-04 11:28:56920 
來(lái)源：內(nèi)容轉(zhuǎn)自公眾號(hào)21tech（News-21），作者：李強(qiáng)。于代輝英飛凌科技高級(jí)副總裁英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部大中華區(qū)負(fù)責(zé)人減碳趨勢(shì)下的節(jié)能、高效需求同樣給第三代半導(dǎo)體的登場(chǎng)搭好了舞臺(tái)。過(guò)去
2023-07-06 10:07:54367 
半導(dǎo)體是當(dāng)今世界的基石，幾乎每一項(xiàng)科技創(chuàng)新都離不開(kāi)半導(dǎo)體的貢獻(xiàn)。過(guò)去幾十年，硅一直是半導(dǎo)體行業(yè)的主流材料。然而，隨著科技的發(fā)展和應(yīng)用需求的增加，硅材料在一些方面已經(jīng)無(wú)法滿足需求，這促使第三代半導(dǎo)體
2023-07-05 10:26:131322 
在電源與能源應(yīng)用領(lǐng)域，意法半導(dǎo)體將展示一款采用MASTERGAN和ST－ONEHP的140W 智能電源適配器。其中MASTERGAN在一個(gè)單一封裝內(nèi)整合了意法半導(dǎo)體第三代氮化鎵（GaN）功率晶體管和改進(jìn)的柵極驅(qū)動(dòng)器。
2023-06-30 16:33:45475 據(jù)藍(lán)色空港消息，先進(jìn)半導(dǎo)體制造項(xiàng)目主要從事第三代半導(dǎo)體功率器件的設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造、功率器件clip先進(jìn)工程包裝、電力驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品應(yīng)用方案的開(kāi)發(fā)和銷售。該項(xiàng)目總投資8億元，分三期建設(shè)，一期投資2億元，計(jì)劃建設(shè)6條clip先進(jìn)包裝生產(chǎn)線。
2023-06-27 10:31:18602 據(jù)公告，此次建設(shè)的第三代半導(dǎo)體輸出配件生產(chǎn)項(xiàng)目位于湖北省武漢市東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)，總投資額約為60億元，包括36億元股權(quán)融資和24億元銀行貸款。構(gòu)筑第3代半導(dǎo)體外延、晶片制造、組裝測(cè)試等生產(chǎn)線的該事業(yè)，將具備能夠生產(chǎn)6英寸硅晶片及外延36萬(wàn)個(gè)、輸出配件模塊6100萬(wàn)個(gè)的能力。
2023-06-27 09:54:38539 ）系統(tǒng)級(jí)封裝技術(shù)成為當(dāng)前關(guān)鍵的半導(dǎo)體先進(jìn)封裝技術(shù)，若兩者結(jié)合，又將會(huì)為半導(dǎo)體下游應(yīng)用帶來(lái)什么樣的“新火花”呢？ ? 近日，國(guó)星光電應(yīng)邀出席2023集邦咨詢第三代半導(dǎo)體前沿趨勢(shì)研討會(huì)，并發(fā)表了《GaN的SIP封裝及其應(yīng)用》主題演講，圍繞氮化鎵的SIP封裝及應(yīng)
2023-06-26 09:52:52362 領(lǐng)域的熱點(diǎn)。
如圖1所示，GaN材料作為第三代半導(dǎo)體材料的核心技術(shù)之一，具有禁帶寬度高、擊穿場(chǎng)強(qiáng)大、電子飽和速度高等優(yōu)勢(shì)。由GaN材料制成的GaN器件具有擊穿電壓高、開(kāi)關(guān)速度快、寄生參數(shù)低等優(yōu)良特性
2023-06-25 15:59:21
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
升級(jí)到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
近年來(lái)，隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和計(jì)算機(jī)應(yīng)用范圍的不斷擴(kuò)大，半導(dǎo)體技術(shù)變得愈加重要。在半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展歷程中，第三代半導(dǎo)體技術(shù)的出現(xiàn)為半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展帶來(lái)了新的變革。
2023-06-20 16:55:22611 
國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（以下簡(jiǎn)稱“國(guó)創(chuàng)中心”）獲批建設(shè)兩年以來(lái)，瞄準(zhǔn)國(guó)家和產(chǎn)業(yè)發(fā)展全局的創(chuàng)新需求，以關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)為核心使命，進(jìn)一步推動(dòng)我國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，形成立足長(zhǎng)三角、輻射全國(guó)的技術(shù)融合點(diǎn)和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新的輻射源。
2023-06-19 14:55:451660 GaN功率半導(dǎo)體帶來(lái)AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
隨著全球宏觀環(huán)境的逐步恢復(fù)，SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)于2023年邁向新的發(fā)展高峰，值此之際，TrendForce集邦咨詢于6月15日在在深圳舉辦了“2023第三代半導(dǎo)體前沿趨勢(shì)研討會(huì)”，匯聚
2023-06-16 15:37:32964 隨著全球宏觀環(huán)境的逐步恢復(fù)，SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)于2023年邁向新的發(fā)展高峰，持續(xù)攪動(dòng)新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)電源、通訊基站等高壓高功率應(yīng)用領(lǐng)域的一池春水。 ? 值此之際
2023-06-16 09:38:26487 
當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體中的碳化硅功率器件，在導(dǎo)通電阻、阻斷電壓和結(jié)電容方面，顯著優(yōu)于傳統(tǒng)硅功率器件。因此，碳化硅功率器件取代傳統(tǒng)硅基功率器件已成為行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)。面對(duì)當(dāng)前行業(yè)發(fā)展新趨勢(shì)，威邁斯等新能源汽車
2023-06-15 14:22:38357 
日前，2023中關(guān)村論壇“北京（國(guó)際）第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展論壇”上，科技部黨組成員、副部長(zhǎng)相里斌表示，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體具有優(yōu)異的性能，在信息通信、軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源汽車等領(lǐng)域有巨大的市場(chǎng)。
2023-06-15 11:14:08313 元旭半導(dǎo)體天津生產(chǎn)基地有新的第三代半導(dǎo)體光電芯片研發(fā)中心和裝備了生產(chǎn)線晶片材料、芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、芯片包裝以及測(cè)試等多個(gè)重要產(chǎn)業(yè)鏈鏈接積聚著，新一代Micro-LED半導(dǎo)體集成顯示器垂直整合制造重點(diǎn)開(kāi)展的。
2023-06-09 11:29:15903 第三代半導(dǎo)體設(shè)備 第三代半導(dǎo)體設(shè)備主要為SiC、GaN材料生長(zhǎng)、外延所需的特種設(shè)備，如SiC PVT單晶生長(zhǎng)爐、CVD外延設(shè)備以及GaN HVPE單晶生長(zhǎng)爐、MOCVD外延設(shè)備等。
2023-06-03 09:57:01787 
氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體器件，憑借其優(yōu)異的性能，在PD快充領(lǐng)域被廣泛使用。
2023-06-02 16:41:13330 
2022年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)連續(xù)高增長(zhǎng)，進(jìn)入調(diào)整周期。與此形成對(duì)比，在新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等需求帶動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)保持高速發(fā)展，全球化供應(yīng)鏈體系正在形成，競(jìng)爭(zhēng)格局逐步確立，產(chǎn)業(yè)步入快速
2023-05-30 14:15:56534 
前言 ??????? 2022年，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)終結(jié)連續(xù)高增長(zhǎng)，進(jìn)入調(diào)整周期。與此形成對(duì)比，在新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等需求帶動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)保持高速發(fā)展，全球化供應(yīng)鏈體系正在形成，競(jìng)爭(zhēng)格局逐步
2023-05-30 09:40:59568 
、新能源汽車、智能電網(wǎng)、5G通信射頻等市場(chǎng)的發(fā)展，具有較大的發(fā)展前景；從分立器件原材料看，隨著氮化鎵和碳化硅等第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)用，半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)逐步向高端應(yīng)用市場(chǎng)推進(jìn)。隨著我國(guó)分立器件企業(yè)產(chǎn)品
2023-05-26 14:24:29
所謂第三代半導(dǎo)體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見(jiàn)的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁（AIN）、氧化鋅（ZnO）和金剛石等，其中
2023-05-18 10:57:361018 、更高的電壓驅(qū)動(dòng)能力、更小的尺寸、更高的效率和更高速的散熱能力，可滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對(duì)高溫高頻、高功率、高輻射等惡劣環(huán)境條件的要求。目前最流行的WBG材料是SiC和GaN，它們的帶隙分別達(dá)到3.3eV和3.4eV，屬于新興的半導(dǎo)體材料。
2023-05-18 09:49:24524 
第95期什么是寬禁帶半導(dǎo)體？半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導(dǎo)體是以碳化硅
2023-05-06 10:31:461675 
第三代半導(dǎo)體以及芯片的核心材料
2023-05-06 09:48:442620 
半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導(dǎo)體是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN
2023-05-05 17:46:226173 
第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。
2023-04-04 14:46:2912684 ，芯片支撐系統(tǒng)”模式布局第三代半導(dǎo)體 SiC 功率模塊以及系統(tǒng)應(yīng)用，基于STPAK 封裝的SiC 模塊取得了非常不錯(cuò)的市場(chǎng)成績(jī)。而且中科意創(chuàng)成功研發(fā)了國(guó)內(nèi)首臺(tái)ASIL-D最高功能安全等級(jí)的SiC電機(jī)控制器，并獲得了國(guó)內(nèi)首張ASIL-D產(chǎn)品認(rèn)證證書。 對(duì)
2023-03-24 18:24:394106 氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體材料，在電力電子器件、大功率射頻器件、短波長(zhǎng)光電器件以及5G通訊等領(lǐng)域具有硅半導(dǎo)體無(wú)法比擬的優(yōu)勢(shì)。然而，散熱問(wèn)題是制約其發(fā)展和應(yīng)用的瓶頸。通常氮化鎵需要氮化鋁（AlN）作為過(guò)渡層連接到具有高導(dǎo)熱系數(shù)的襯底上。
2023-03-24 10:37:04570 已全部加載完成
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