人員接手試產(chǎn)及量產(chǎn)作業(yè)的種子團(tuán)隊(duì)，推動(dòng)新竹寶山和高雄廠于 2024年同步南北試產(chǎn)、2025年量產(chǎn)。 ? 從1971的10000nm制程到5nm，從5nm向3nm、2nm發(fā)展和演進(jìn)，芯片制造領(lǐng)域制程工藝的角逐從來(lái)未曾停歇，到現(xiàn)在2nm芯片大戰(zhàn)已經(jīng)全面打響。 ? 先進(jìn)制程工藝演
2023-08-20 08:32:07
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目前，蘋(píng)果、高通、聯(lián)發(fā)科等世界知名廠商已與臺(tái)積電能達(dá)成緊密合作，預(yù)示臺(tái)積電將繼續(xù)增加 5nm產(chǎn)能至該節(jié)點(diǎn)以滿足客戶需求，這標(biāo)志著其在3nm制程領(lǐng)域已經(jīng)超越競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星及英特爾。
2024-03-19 14:09:0356 大量的協(xié)調(diào)和溝通。需要一種將各個(gè)部分更緊密地結(jié)合在一起以促進(jìn)更好協(xié)作的方法。因此，臺(tái)積電開(kāi)發(fā)了開(kāi)放式創(chuàng)新平臺(tái)，或稱OIP。他們很早就開(kāi)始了這項(xiàng)工作，剛開(kāi)始這項(xiàng)工作時(shí)， 65 nm 還是前沿工藝。今天
2024-03-13 16:52:37
(20ms延時(shí))，支持彩色手寫(xiě)
更低的功耗，更長(zhǎng)的續(xù)航
先進(jìn)制程，保證高性能的同時(shí)帶來(lái)更低功耗
低功耗待機(jī)模式(3.8V @0.6mA左右@LP4X)
更強(qiáng)的智能化擴(kuò)展
支持6TOPSNPU，更多算子
2024-03-12 13:45:25
中，經(jīng)常會(huì)用到一種叫混頻器的東西，它就是利用三角函數(shù)的積化和差的原理來(lái)實(shí)現(xiàn)上/下變頻（和就是上變頻，處理后的信號(hào)頻率提高了；差就是下變頻，處理后的信號(hào)頻率下降了），而模電當(dāng)中的混頻器常常是由模擬乘法器來(lái)
2024-03-01 08:43:43
臺(tái)中科學(xué)園區(qū)已初步規(guī)劃A14和A10生產(chǎn)線，將視市場(chǎng)需求決定是否新增2nm制程工藝。
2024-01-31 14:09:34241 臺(tái)積電的2nm技術(shù)是3nm技術(shù)的延續(xù)。一直以來(lái)，臺(tái)積電堅(jiān)定地遵循著每一步一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)的演進(jìn)策略，穩(wěn)扎穩(wěn)打，不斷突破。
2024-01-25 14:14:16100 近日，有報(bào)道稱臺(tái)積電已決定將其最先進(jìn)的1nm制程代工廠選址在嘉義科學(xué)園區(qū)，總投資額超萬(wàn)億新臺(tái)幣。對(duì)于這一傳聞，臺(tái)積電方面表示，選擇設(shè)廠地點(diǎn)是一個(gè)復(fù)雜的決策過(guò)程，需要綜合考慮諸多因素。
2024-01-23 15:20:39401 據(jù)消息人士透露，臺(tái)積電已經(jīng)決定將其1nm制程廠選址在嘉義科學(xué)園區(qū)。為了滿足這一先進(jìn)制程技術(shù)的需求，臺(tái)積電已向相關(guān)管理局提出了100公頃的用地需求。
2024-01-23 15:15:27894 鑒于掩膜版制作技術(shù)難度大，故我國(guó)在 130nm 及其以下制程節(jié)點(diǎn)對(duì)國(guó)外進(jìn)口的依賴程度較深。據(jù)蘇州工業(yè)園區(qū)一網(wǎng)通辦公布的信息，江蘇路芯半導(dǎo)體科技是蘇州路行維遠(yuǎn)、蘇州產(chǎn)業(yè)基金和睿興投資三家機(jī)構(gòu)聯(lián)手打造的
2024-01-19 14:09:08428 得益于2nm制程項(xiàng)目的順利推進(jìn)，寶山、高雄新晶圓廠的建造工程正有序進(jìn)行。臺(tái)中科學(xué)園區(qū)已初步確定了A14與A10生產(chǎn)線的布局，具體是否增設(shè)2nm制程工藝將根據(jù)市場(chǎng)需求再定。
2024-01-16 09:40:51217 請(qǐng)問(wèn) AD2S1210 上電后，不編程，會(huì)輸出一個(gè)默認(rèn)的激勵(lì)頻率嗎？
2024-01-15 06:30:35
數(shù)字可調(diào)、倍頻程、帶通調(diào)諧3 dB帶寬：9%±2%拒絕（20 dB）：遠(yuǎn)離fCENTER 19%離散濾波器組的單芯片更換緊湊型10 mm×10 mm LGA封裝ADMV8505ACCZ 是一種射頻
2024-01-04 19:27:45
隨著GPU、CPU等高性能芯片不斷對(duì)芯片制程提出了更高的要求，突破先進(jìn)制程技術(shù)壁壘已是業(yè)界的共同目標(biāo)。目前放眼全球，掌握先進(jìn)制程技術(shù)的企業(yè)主要為臺(tái)積電、三星、英特爾等大廠。
2024-01-04 16:20:16313 
在用AD7195 時(shí)發(fā)現(xiàn)，他會(huì)產(chǎn)生一種聲音很小的高頻聲,這是什么原因產(chǎn)生的？
2023-12-22 08:28:25
12 月 14 日消息，臺(tái)積電在近日舉辦的 IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）的小組研討會(huì)上透露，其 1.4nm 級(jí)工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開(kāi)。同時(shí)，臺(tái)積電重申，2nm 級(jí)制程將按計(jì)劃于 2025
2023-12-18 15:13:18191 我使用AD9854觀察它的上電默認(rèn)狀態(tài)，發(fā)現(xiàn)Pin20（I/O UD CLK）更新時(shí)鐘只會(huì)輸出一段時(shí)間，過(guò)一會(huì)之后就會(huì)輸出高電平，這是為什么？經(jīng)過(guò)計(jì)算它的頻率和高電平時(shí)間都對(duì)。
2023-12-18 08:00:05
受美國(guó)對(duì)高端設(shè)備出口限制影響，中國(guó)大陸轉(zhuǎn)向成熟制程（28納米及以上）領(lǐng)域，預(yù)計(jì)2027年在此類制程上產(chǎn)能達(dá)到39%。
2023-12-15 14:56:35337 此外，對(duì)于臺(tái)積電的1.4nm制程技術(shù)，媒體預(yù)計(jì)其名稱為A14。從技術(shù)角度來(lái)看，A14節(jié)點(diǎn)可能不會(huì)運(yùn)用垂直堆疊互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（CFET）技術(shù)。
2023-12-15 10:23:12264 1. 臺(tái)積電首次提及 1.4nm 工藝技術(shù)，2nm 工藝按計(jì)劃 2025 年量產(chǎn) ? 臺(tái)積電在近日舉辦的 IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）的小組研討會(huì)上透露，其 1.4nm 級(jí)工藝制程研發(fā)已經(jīng)
2023-12-14 11:16:00733 AD7710上電后DRDY引腳的電平值一直為低電平。在反復(fù)做讀取操作時(shí)，DRDY、SDATA的電平值始終沒(méi)有變化。IO口模擬時(shí)序時(shí)的電平保持時(shí)間為20us。
請(qǐng)問(wèn)有什么原因會(huì)導(dǎo)致這樣的情況產(chǎn)生？
附原理圖：
2023-12-08 08:22:00
從數(shù)據(jù)手冊(cè)看，AD9643芯片有兩種管腳定義方式， 平行的LVDDS 和 多氧化(日/日/日/日)LVDS 。請(qǐng)問(wèn)AD9643BCPZ-250屬于哪一種管腳定義方式？
2023-12-06 06:54:17
臺(tái)積電3nm制程家族在2024年有更多產(chǎn)品線，除了當(dāng)前量產(chǎn)的N3E之外，明年再度推出N3P及N3X等制程，讓3nm家族成為繼7nm家族后另一個(gè)重要生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)。
2023-12-05 10:25:06117 據(jù)供應(yīng)鏈消息透露，臺(tái)積電計(jì)劃真正降低其7nm制程的價(jià)格，降幅約為5%至10%。這一舉措的主要目的是緩解7nm制程產(chǎn)能利用率下滑的壓力。
2023-12-01 16:46:23508 三星已將4nm制程良率提升到了70%左右，并重點(diǎn)在汽車芯片方面尋求突破。特斯拉已經(jīng)將其新一代FSD芯片交由三星生產(chǎn)，該芯片將用于特斯拉計(jì)劃于3年后量產(chǎn)的Hardware 5（HW 5.0）計(jì)算機(jī)。
2023-12-01 10:33:451052 
AO4421（VBA2658）是VBsemi一種P溝道MOS型晶體管，封裝為SOP8。它的產(chǎn)品參數(shù)包括：最大耐壓為-60V，最大漏極電流為-6A，漏源電阻RDS(ON)為50mΩ（在10V
2023-11-29 16:42:21
DRAM制造技術(shù)進(jìn)入10nm世代（不到20nm世代）已經(jīng)過(guò)去五年了。過(guò)去五年，DRAM技術(shù)和產(chǎn)品格局發(fā)生了巨大變化。因此，本文總結(jié)和更新了DRAM的產(chǎn)品、發(fā)展和技術(shù)趨勢(shì)。
2023-11-25 14:30:15536 
目前臺(tái)積電正迅速擴(kuò)大海外生產(chǎn)能力，在美國(guó)亞利桑那州、日本熊本市建設(shè)工廠，并宣布了在德國(guó)建廠的計(jì)劃。臺(tái)積電在亞利桑那州第一座晶圓廠此前計(jì)劃延期，預(yù)計(jì)2025年上半年將開(kāi)始量產(chǎn)4nm工藝；第二座晶圓廠預(yù)計(jì)將于2026年開(kāi)始生產(chǎn)3nm制程芯片。
2023-11-23 16:26:48321 在閱讀AD4084-2手冊(cè)中發(fā)現(xiàn)其增益帶寬積有GBP 和-3dB 兩種，而且在GBP中標(biāo)明Av=100時(shí)為15.9MHz,在-3dB中Av=1，卻只有13.9MHz。問(wèn)題如下：
1.兩個(gè)增益帶寬積
2023-11-20 08:13:43
請(qǐng)提供下CSU34F20的demo包，郵箱：1412637680@qq.com
我使用的38f的demo燒錄到34f，uart一直無(wú)法動(dòng)作，有大佬可以解決嗎？
2023-11-16 17:24:17
面對(duì)美國(guó)對(duì)中國(guó)芯片行業(yè)的制約，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展戰(zhàn)略備受關(guān)注。據(jù)澎湃新聞報(bào)道，中芯國(guó)際原副總裁、俄羅斯工程院外籍院士李偉在最近的一場(chǎng)半導(dǎo)體行業(yè)中小企業(yè)創(chuàng)新發(fā)展論壇上表示，與其投入大量資金來(lái)突破2納米技術(shù)，或許更應(yīng)優(yōu)先發(fā)展國(guó)產(chǎn)化的20納米到90納米芯片技術(shù)。
2023-11-13 14:45:29524 
全套的西門(mén)子控制系統(tǒng)，電機(jī)也是西門(mén)子的變頻電機(jī)（非貝得，2920rpm,48nm）。
因?yàn)樵O(shè)備本身裝有扭矩，轉(zhuǎn)速傳感器。電機(jī)工作轉(zhuǎn)速2000轉(zhuǎn)，輸出扭矩到20nm左右時(shí)，大概有50轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速下降。當(dāng)
2023-11-09 07:33:19
2023~2027年全球晶圓代工成熟制程（28nm及以上）及先進(jìn)制程（16nm及以下）產(chǎn)能比重大約維持在7:3。中國(guó)大陸由于致力推動(dòng)本土化生產(chǎn)等政策與補(bǔ)貼，擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度最為積極，預(yù)估中國(guó)大陸成熟制程產(chǎn)能
2023-11-02 09:58:23304 
現(xiàn)在市面上常見(jiàn)的ARM架構(gòu)分為兩種一種是M系列另外一種是A系列，這兩種有什么區(qū)別啊，用的時(shí)候他們一般分別用在什么地方啊。
2023-10-26 07:00:09
2nm芯片什么時(shí)候出 2nm芯片什么時(shí)候出這個(gè)問(wèn)題目前沒(méi)有相關(guān)官方的報(bào)道，因此無(wú)法給出準(zhǔn)確的回答。根據(jù)網(wǎng)上的一些消息臺(tái)積電于6月16日在2022年度北美技術(shù)論壇上首次宣布，將推出下一代先進(jìn)工藝制程
2023-10-19 17:06:18799 可以容納更多的晶體管在同樣的芯片面積上，從而提供更高的集成度和處理能力。此外，較小的節(jié)點(diǎn)尺寸還可以降低電路的功耗，提供更高的能效?？梢哉f(shuō)，2nm芯片代表了制程工藝的最新進(jìn)展和技術(shù)創(chuàng)新。 2nm芯片什么時(shí)候量產(chǎn) 2nm芯片什么時(shí)候量產(chǎn)這
2023-10-19 16:59:161958 新參考流程采用臺(tái)積電 N4PRF 制程，提供了開(kāi)放、高效的射頻設(shè)計(jì)解決方案
2023-10-10 18:22:21457 IAR中的sizeof是一種運(yùn)算符嗎？是怎么實(shí)現(xiàn)的？
2023-10-08 06:44:50
據(jù)悉，臺(tái)積電第一個(gè)3nm制程節(jié)點(diǎn)N3于去年下半年開(kāi)始量產(chǎn)，強(qiáng)化版3nm（N3E）制程預(yù)計(jì)今年下半年量產(chǎn)，之后還會(huì)有3nm的延伸制程，共計(jì)將有5個(gè)制程，包括：N3、N3E、N3P、N3S以及N3X。
2023-09-26 17:00:43823 蘋(píng)果已經(jīng)發(fā)布了基于臺(tái)積電3nm制程的A17 Pro處理器。最近，有消息稱，高通的下一代5G旗艦芯片也將采用臺(tái)積電3nm制程，并預(yù)計(jì)會(huì)在10月下旬公布，成為臺(tái)積電3nm制程的第三個(gè)客戶，可能是高通驍龍8 Gen3。
2023-09-26 16:51:311406 制程的小尺寸可以實(shí)現(xiàn)更高的晶體管密度，讓芯片在相同尺寸內(nèi)集成更多的晶體管，從而提供更好的性能和速度。然而，制程的大小并不是唯一衡量芯片性能的因素。三星的5nm，也未必就一定比英特爾的7nm強(qiáng)。
2023-09-12 15:34:3321655 艾思荔電芯高頻振動(dòng)試驗(yàn)臺(tái)利用緩沖可變裝置，可產(chǎn)生廣范的任意作用時(shí)間之半正弦波脈沖; 可作包裝箱的等效落下實(shí)驗(yàn); 試驗(yàn)條件的設(shè)定與自動(dòng)控制都是利用電腦與控制裝置操作; 具有防止二次沖擊制動(dòng)機(jī)構(gòu),試驗(yàn)
2023-09-08 17:11:08
（EUV）光刻技術(shù)，此制程標(biāo)榜可讓產(chǎn)品的每瓦效能又提升約20%。后續(xù)該公司還要持續(xù)推進(jìn)到Intel 3制程，預(yù)計(jì)今年下半年可準(zhǔn)備量產(chǎn)，Intel 20A與18A制程則規(guī)劃分別于明年上、下半年進(jìn)入準(zhǔn)備量產(chǎn)階段。
2023-09-08 15:28:55748 請(qǐng)問(wèn)哪位有NM1820的電調(diào)驅(qū)動(dòng)方案的代碼工程文件，能分享一下嗎？謝謝，最好是有代碼的解釋哈。
2023-09-06 08:04:17
如何設(shè)定NM1200為48M CPU Clock
2023-09-06 07:59:15
從晶體管效能來(lái)看，消息人士指出，Intel 4效能落在臺(tái)積電5至7納米間；Intel 20A的效能則介于2和3納米；至于18A（1.8納米）則可想成臺(tái)積電2納米的升級(jí)版（2nm+），這也讓先進(jìn)制程之爭(zhēng)將在2納米時(shí)更加白熱化。
2023-09-01 14:55:32395 Interconnector）的縮寫(xiě) ，是生產(chǎn)印刷電路板的一種（技術(shù)）。使用微盲埋孔技術(shù)的一種線路分布密度比較高的電路板。HDI專為小容量用戶設(shè)計(jì)的緊湊型產(chǎn)品。HDI板一般采用積層法制造，同時(shí)采用疊孔、電鍍填孔
2023-08-28 13:55:03
電源就顯得尤為重要。
光積電戶外電源作為一種可靠、效率高的便攜式電力解決方案，成為醫(yī)用應(yīng)急用電的保障。在災(zāi)害或緊急情況下，醫(yī)用設(shè)備需要穩(wěn)定的電力供應(yīng)以保證病患的生命安全。光積電戶外電源具備豐富的電力
2023-08-22 18:03:15
一、什么是pSLC
pSLC（Pseudo-Single Level Cell）即偽SLC，是一種將MLC/TLC改為SLC的一種技術(shù)，現(xiàn)Nand Flash基本支持此功能，可以通過(guò)指令控制MLC
2023-08-11 10:48:34
該芯片是臺(tái)積電的一款130nm通用芯片，實(shí)現(xiàn)了以下功能：
?ARM1176JZF核心
?2級(jí)緩存控制器（L2CC）
?CoreSight ETM11
?支持TrustZone、CoreSight
2023-08-02 11:23:01
高速先生成員--黃剛
每當(dāng)來(lái)一個(gè)比較新的概念時(shí)，高速先生總是非常的喜歡，隨之而來(lái)的求知欲也會(huì)爆發(fā)個(gè)小宇宙。其實(shí)問(wèn)題的來(lái)源是我們公司的北京分部的資深設(shè)計(jì)工程師，北京分部本身也是我司全國(guó)20多個(gè)分部
2023-07-31 14:54:34
如果工藝制程繼續(xù)按照摩爾定律所說(shuō)的以指數(shù)級(jí)的速度縮小特征尺寸，會(huì)遇到兩個(gè)阻礙，首先是經(jīng)濟(jì)學(xué)的阻礙，其次是物理學(xué)的阻礙。 經(jīng)濟(jì)學(xué)的阻礙是，隨著特征尺寸縮小，由于工藝的復(fù)雜性設(shè)計(jì)規(guī)則的復(fù)雜度迅速增大，導(dǎo)致芯片的成本迅速上升。
2023-07-31 10:41:15710 
近幾年，芯片產(chǎn)業(yè)越來(lái)越火熱，一些行業(yè)內(nèi)的術(shù)語(yǔ)大家也聽(tīng)得比較多了。那么工藝節(jié)點(diǎn)、制程是什么，"7nm" 、"5nm"又是指什么？
2023-07-28 17:34:335639 
據(jù)臺(tái)媒援引消息人士報(bào)道，由于需要應(yīng)對(duì) AI 浪潮，臺(tái)積電將改變高雄建廠計(jì)劃，計(jì)劃由原先的“成熟制程”更改為更先進(jìn)的 2nm 制程，預(yù)計(jì) 2025 年下半年量產(chǎn)，且相關(guān)建廠規(guī)劃也將在近期宣布。
2023-07-22 16:32:55888 一篇拆解報(bào)告，稱比特微電子的Whatsminer M56S++礦機(jī)所用的AISC芯片采用的是三星3nm GAA制程工藝。這一發(fā)現(xiàn)證實(shí)了三星3nm GAA技術(shù)的商業(yè)化應(yīng)用。
2023-07-21 16:03:571012 據(jù)了解，臺(tái)積電已將高雄廠敲定2nm計(jì)劃向經(jīng)濟(jì)部及高雄市政府提報(bào)，希望政府協(xié)助后續(xù)供水及供電作業(yè)。因2nm制程將采用更耗電的極紫外光（ＥＵＶ）微影設(shè)備，耗電量比位于南科的3nm更大，臺(tái)積電高雄廠改為直接切入2nm計(jì)劃，是否得重做環(huán)境影響差異分析，將成各界關(guān)注焦點(diǎn)。
2023-07-18 15:19:48682 
消費(fèi)電子市場(chǎng)持續(xù)疲軟、人工智能火熱的大環(huán)境下，晶圓制造廠商積極瞄準(zhǔn)高性能芯片，2nm先進(jìn)制程之爭(zhēng)愈演愈烈。
2023-07-17 18:24:151620 英特爾獨(dú)立運(yùn)作代工部門(mén)IFS后，將向三方開(kāi)放芯片制造加工服務(wù)，可能是為了吸引客戶，英特爾日前發(fā)布了全新的16nm制程工藝。
2023-07-15 11:32:58757 IP_數(shù)據(jù)表(I-20):FPD-Link Transmitter for TSMC 28nm HPC
2023-07-06 20:18:39
2 外媒在報(bào)道中提到，根據(jù)公布的計(jì)劃，三星電子將在2025年開(kāi)始，采用2nm制程工藝量產(chǎn)移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用所需的芯片，2026年開(kāi)始量產(chǎn)高性能計(jì)算設(shè)備的芯片，2027年則是利用2nm制程工藝開(kāi)始量產(chǎn)汽車所需的芯片。
2023-06-30 16:55:07458 FEI-Centrios線路修補(bǔ)設(shè)備可以更高效地根據(jù)客戶需求，完成鋁制程及銅制程芯片，市場(chǎng)大部鋁制程及銅制程(90nm,55nm,40nm,28nm,14nm，10nm以下)均可以施工。 季豐電子
2023-06-20 11:21:30526 跪求新唐NM1200和NM1330詳細(xì)的數(shù)據(jù)手冊(cè)
2023-06-15 08:57:31
探針臺(tái)的主要用途是為半導(dǎo)體芯片的電參數(shù)測(cè)試提供一個(gè)測(cè)試平臺(tái)，探針臺(tái)可吸附多種規(guī)格芯片，并提供多個(gè)可調(diào)測(cè)試針以及探針座，配合測(cè)量?jī)x器可完成集成電路的電壓、電流、電阻以及電容電壓特性曲線等參數(shù)檢測(cè)
2023-05-31 10:29:33
PCA2129的wafer有多少nm？
2023-05-29 08:50:39
SPC5644的wafer有多少nm？
2023-05-25 08:46:07
1040nm光纖飛秒激光器Chromacity 1040 Chromacity 1040是一種輸出1040nm固定波長(zhǎng)的光纖飛秒激光器，可在近紅外
2023-05-24 09:39:35
一種簡(jiǎn)單的報(bào)錯(cuò)設(shè)計(jì)，可在次基礎(chǔ)上增加。
沖突
阻擋
重復(fù)
不在工位
不在崗
計(jì)時(shí)不準(zhǔn)
范圍外
強(qiáng)停
其它
2023-05-20 20:07:57
需求變化，臺(tái)積電28nm設(shè)備訂單全部取消！
對(duì)于這一消息，臺(tái)積電方面表示，相關(guān)制程技術(shù)與時(shí)間表依客戶需求及市場(chǎng)動(dòng)向而定，目前正處法說(shuō)會(huì)前緘默期，不便多做評(píng)論，將于法說(shuō)會(huì)說(shuō)明。
目前28nm工藝代工市場(chǎng)
2023-05-10 10:54:09
、345nm、355nm、365nm、370nm、375nm、385nm、395nm）
金屬外殼常采用鋼、銅、鋁、柯伐合金等材料，表面電鎮(zhèn)一定厚度的鎳層或鎳-金層，其良好的封裝氣密性可以保護(hù)芯片不妥外界環(huán)境因素的影響。
2023-05-09 17:10:53
1300NM
金屬封裝工藝是指采用金屬外殼作為封裝殼體或底座，在其內(nèi)部安裝芯片或基板并進(jìn)行鍵合連接，外引線通過(guò)金屬-玻璃（或陶瓷）組裝工藝穿過(guò)金屬外殼，將內(nèi)部元件的功能引出、外部電源信號(hào)等輸人的一種電子
2023-05-09 11:23:07
請(qǐng)問(wèn)一下PADS 2007 Layout怎樣放置間距一樣的同一種元件呢？
2023-04-28 16:28:20
最強(qiáng)品牌排名中，臺(tái)積電位列第一。
Brand Finance通過(guò)計(jì)算品牌價(jià)值，以及透過(guò)市場(chǎng)環(huán)境、股東權(quán)益、商業(yè)表現(xiàn)等諸多指標(biāo)，評(píng)估品牌的相對(duì)強(qiáng)度。最終，臺(tái)積電以品牌分?jǐn)?shù)78.9分的最高分，成為半導(dǎo)體
2023-04-27 10:09:27
會(huì)所有的物理，但是別人慫恿的話，你可能會(huì)懷疑牛頓。今天，你什么也不會(huì)，但你相信牛頓了。這就是為啥拿到高級(jí)電工證的會(huì)被電打死。雖然他操作都會(huì)，也有理論支持，但并不信任這個(gè)理論。有一天就會(huì)失誤。但發(fā)明它
2023-04-20 16:06:24
） ，采用臺(tái)積電 28nm 工藝，搭載 64 位四核 RISC-V CPU，工作頻率 1.5GHz，2MB 的二級(jí)緩存。JH7110 集成 3DGPU、H.264 / H.265 視頻編解碼 IP 及 ISP IP，是一款多媒體處理器。轉(zhuǎn)自ithome
2023-04-20 14:56:55
臺(tái)積電的16nm有多個(gè)版本，包括16nm FinFET、16nm FinFET Plus技術(shù)（16FF +）和16nm FinFET Compact技術(shù)（16FFC）。
2023-04-14 10:58:15636 親愛(ài)的團(tuán)隊(duì)，我的客戶希望在 Wayland/Weston 支持下具有遠(yuǎn)程控制能力。你能推薦一種控制 Linux (Yocto) 的方法，比如 anydesk 嗎？
2023-03-31 06:56:47
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