VCE的 dv/dt造成的電流注到柵極驅(qū)動(dòng)回路中的風(fēng)險(xiǎn)，避免使器件重新偏置為傳導(dǎo)狀態(tài)，從而導(dǎo)致多個(gè)產(chǎn)生Eoff的開關(guān)動(dòng)作。ZVS和ZCS拓?fù)湓?b class="flag-6" style="color: red">降低MOSFET 和 IGBT的關(guān)斷損耗方面很有優(yōu)勢(shì)。不過
2018-08-27 20:50:45
和器件特性相關(guān)的三個(gè)主要
功率開關(guān)損耗—導(dǎo)通
損耗、
傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷
損耗進(jìn)行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復(fù)特性是決定
MOSFET 或 IGBT導(dǎo)通
開關(guān)損耗的主要因素，討論二極管恢復(fù)性能對(duì)于硬
開關(guān)拓?fù)?/div>
2021-06-16 09:21:55
一些參數(shù)進(jìn)行探討，如硬開關(guān)和軟開關(guān)ZVS(零電壓轉(zhuǎn)換) 拓?fù)渲械?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)損耗，并對(duì)電路和器件特性相關(guān)的三個(gè)主要功率開關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷損耗進(jìn)行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復(fù)特性是決定
2020-06-28 15:16:35
可大大降低開關(guān)損耗。順便提一下，PrestoMOS的“Presto”是源于表示“急板”的音樂速度用語。開發(fā)旨在trr高速化的FN系列，是為了使逆變器電路和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路的損耗更低，并通過免除外置二極管
2018-11-28 14:27:08
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開通損耗嗎？柵極電阻的值會(huì)在開通過程中影響與漏極相連的二極管嗎？
2023-05-16 14:33:51
，提高開關(guān)的速度，從而降低開關(guān)損耗，但是過高的開關(guān)速度會(huì)引起EMI的問題。（2）提高柵極驅(qū)動(dòng)電壓也可以提高開關(guān)的速度，降低開關(guān)損耗。同時(shí)，高的柵極驅(qū)動(dòng)電壓會(huì)增加驅(qū)動(dòng)損耗，特別是輕載的時(shí)候，對(duì)效率
2017-03-06 15:19:01
過程中的開關(guān)損耗。開關(guān)損耗內(nèi)容將分成二次分別講述開通過程和開通損耗，以及關(guān)斷過程和和關(guān)斷損耗。功率MOSFET及驅(qū)動(dòng)的等效電路圖如圖1所示，RG1為功率MOSFET外部串聯(lián)的柵極電阻，RG2為功率
2017-02-24 15:05:54
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，列出了開通延時(shí)、開通上升時(shí)間，關(guān)斷延時(shí)和關(guān)斷下降時(shí)間，作者經(jīng)常和許多研發(fā)的工程師保持技術(shù)的交流，在交流的過程中，發(fā)現(xiàn)有些工程師用這些參數(shù)來評(píng)估功率MOSFET的開關(guān)損耗
2016-12-16 16:53:16
矛盾的參數(shù)，為了減小導(dǎo)通電阻，就必須增加硅片面積；硅片面積增加，寄生的電容也要增加，因此對(duì)于一定的面積硅片，只有采用新的工藝技術(shù)，才能減小的寄生的電容。通常功率MOSFET的開關(guān)損耗主要與米勒電容、即
2016-10-10 10:58:30
要提高開關(guān)電源的效率，就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面：開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這些損耗通常會(huì)在有損元器件中同時(shí)出現(xiàn)，下面將分別討論。 01與功率
2020-08-27 08:07:20
功率損耗。圖5 所示MOSFET 的漏源電壓( VDS)和漏源電流(IDS)的關(guān)系圖可以很好地解釋MOSFET 在過渡過程中的開關(guān)損耗，從上半部分波形可以看出VDS和tSW(ON)期間電壓和電流發(fā)生瞬變，MOSFET 的電容進(jìn)行充電、放電。?? 圖5 所示，( VDS )降到最終導(dǎo)通狀態(tài)(=ID ×
2021-12-29 07:52:21
一、開關(guān)損耗包括開通損耗和關(guān)斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導(dǎo)通時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗；關(guān)斷損耗是指功率管從導(dǎo)通到截止時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗。二、開關(guān)損耗原理分析：(1)、非理想的開關(guān)管在開通時(shí)，開關(guān)
2021-10-29 07:10:32
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）組成的類型，也有僅以SiC-MOSFET組成的類型。與Si-IGBT功率模塊相比，開關(guān)損耗大大降低處理大電流的功率模塊中，Si的IGBT與FRD
2018-12-04 10:14:32
討論。與功率開關(guān)有關(guān)的損耗功率開關(guān)是典型的開關(guān)電源內(nèi)部最主要的兩個(gè)損耗源之一。損耗基本上可分為兩部分：導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。導(dǎo)通損耗是當(dāng)功率器件已被開通，且驅(qū)動(dòng)和開關(guān)波形已經(jīng)穩(wěn)定以后，功率開關(guān)處于導(dǎo)
2019-09-23 08:00:00
使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 （MOSFET） 能夠以比 IGBT 更高的頻率進(jìn)行開關(guān)，通過降低電阻和開關(guān)損耗來提高效率
2022-11-02 12:02:05
COOLMOS的開關(guān)時(shí)間約為常 規(guī)MOSFET的1/2；開關(guān)損耗降低約50%。關(guān)斷時(shí)間的下降也與COOLMOS內(nèi)部低柵極電阻（＜1Ω＝有關(guān)?！ ?、抗雪崩擊穿能力與SCSOA 目前，新型
2023-02-27 11:52:38
產(chǎn)生的。傳導(dǎo)損耗與占空比有直接關(guān)系。當(dāng)電流較高一側(cè)的MOSFET打開后，負(fù)載電流就會(huì)從其中通過。漏源通道電阻(RDSON)產(chǎn)生的功率耗散可以用公式1表示：其中D == 占空比對(duì)于LM2673這樣的非同
2018-08-30 14:59:56
如圖片所示，為什么MOS管的開關(guān)損耗（開通和關(guān)斷過程中）的損耗是這樣算的，那個(gè)72pF應(yīng)該是MOS的輸入電容，2.5A是開關(guān)電源限制的平均電流
2018-10-11 10:21:49
本帖最后由 小小的大太陽 于 2017-5-31 10:06 編輯
MOS管的導(dǎo)通損耗影響最大的就是Rds，而開關(guān)損耗好像不僅僅和開關(guān)的頻率有關(guān)，與MOS管的結(jié)電容，輸入電容，輸出電容都有關(guān)系吧？具體的關(guān)系是什么？有沒有具體計(jì)算開關(guān)損耗的公式？
2017-05-31 10:04:51
，可以降低Eon損耗，并提供分離的開關(guān)引腳，可以將Eon損耗降低60%以上。它采用非常高效的Trench Field Stop II技術(shù)構(gòu)建，并針對(duì)具有低導(dǎo)通電壓和最小化開關(guān)損耗優(yōu)勢(shì)的高速開關(guān)進(jìn)行了優(yōu)化
2020-07-07 08:40:25
限度降低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗）、如何最大限度降低柵極損耗、如何降低系統(tǒng)寄生效應(yīng)的影響、如何減小導(dǎo)通電阻等問題。首先，考慮到關(guān)斷能量、導(dǎo)通能量、米勒效應(yīng)等都會(huì)影響開關(guān)行為。通過降低柵極電阻（RG）或者在關(guān)閉
2019-07-09 04:20:19
時(shí)間trr快（可高速開關(guān)）?trr特性沒有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發(fā)揮的優(yōu)勢(shì)。大幅降低開關(guān)損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復(fù)時(shí)間trr。右側(cè)的圖表為
2019-03-27 06:20:11
參數(shù)進(jìn)行探討，如硬開關(guān)和軟開關(guān)ZVS (零電壓轉(zhuǎn)換) 拓?fù)渲械?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)損耗，并對(duì)電路和器件特性相關(guān)的三個(gè)主要功率開關(guān)損耗—導(dǎo)通損耗、傳導(dǎo)損耗和關(guān)斷損耗進(jìn)行描述。此外，還通過舉例說明二極管的恢復(fù)特性是決定
2017-04-15 15:48:51
本帖最后由 張飛電子學(xué)院魯肅 于 2021-1-30 13:21 編輯
本文詳細(xì)分析計(jì)算功率MOSFET開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子
2021-01-30 13:20:31
MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對(duì)其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗
2019-09-25 07:00:00
極、柵極/ 源極及漏極/源極電容。這些電容會(huì)在器件中產(chǎn)生開關(guān)損耗，因?yàn)樵诿看?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)時(shí)都要對(duì)它們充電。MOSFET的開關(guān)速度因此被降低，器件效率也下降。為計(jì)算開關(guān)過程中器件的總損耗，設(shè)計(jì)人員必須計(jì)算開通
2019-09-04 07:00:00
注到柵極驅(qū)動(dòng)回路中的風(fēng)險(xiǎn)，避免使器件重新偏置為傳導(dǎo)狀態(tài)，從而導(dǎo)致多個(gè)產(chǎn)生Eoff的開關(guān)動(dòng)作。ZVS和ZCS拓?fù)湓?b class="flag-6" style="color: red">降低MOSFET 和 IGBT的關(guān)斷損耗方面很有優(yōu)勢(shì)。不過ZVS的工作優(yōu)點(diǎn)在IGBT中
2019-03-06 06:30:00
討論。與功率開關(guān)有關(guān)的損耗功率開關(guān)是典型的開關(guān)電源內(nèi)部最主要的兩個(gè)損耗源之一。損耗基本上可分為兩部分：導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。導(dǎo)通損耗是當(dāng)功率器件已被開通，且驅(qū)動(dòng)和開關(guān)波形已經(jīng)穩(wěn)定以后，功率開關(guān)處于導(dǎo)
2019-09-02 08:00:00
。設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)然而，SiC MOSFET 技術(shù)可能是一把雙刃劍，在帶來改進(jìn)的同時(shí)，也帶來了設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。在諸多挑戰(zhàn)中，工程師必須確保：以最優(yōu)方式驅(qū)動(dòng) SiC MOSFET，最大限度降低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。最大
2017-12-18 13:58:36
雙極晶體管 (IGBT)。然而，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有比IGBT更高的開關(guān)頻率，不僅可以通過降低電阻和開關(guān)損耗提高效率，還可以增加功率和電流密度。在EV牽引
2022-11-03 07:38:51
SiC-MOSFET的量產(chǎn)。SiC功率模塊已經(jīng)采用了這種溝槽結(jié)構(gòu)的MOSFET，使開關(guān)損耗在以往SiC功率模塊的基礎(chǔ)上進(jìn)一步得以降低。右圖是基于技術(shù)規(guī)格書的規(guī)格值，對(duì)1200V/180A的IGBT模塊、采用第二代
2018-11-27 16:37:30
充電器時(shí)的損耗降低情況① 與使用Si快速恢復(fù)二極管（Si FRD）的IGBT相比，開關(guān)損耗降低67%② 與損耗比IGBT更低的Super Junction MOSFET（SJ-MOSFET）相比
2022-07-27 10:27:04
4開關(guān)損耗測(cè)試結(jié)果圖六、總結(jié)開關(guān)損耗測(cè)試對(duì)于器件評(píng)估非常關(guān)鍵，通過專業(yè)的電源分析插件，可以快速有效的對(duì)器件的功率損耗進(jìn)行評(píng)估，相對(duì)于手動(dòng)分析來說，更加簡(jiǎn)單方便。對(duì)于MOSFET來說，I2R的導(dǎo)通損耗計(jì)算公式是最好的選擇。
2021-11-18 07:00:00
壞該開關(guān)器件?！ ∮捎谟?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)存在以上缺點(diǎn)，限制了開關(guān)器件工作頻率的提高，在軟開關(guān)技術(shù)出來之前，功率開關(guān)器件的開關(guān)損耗是很大的。為了彌補(bǔ)硬開關(guān)工作的不足，提出了軟開關(guān)技術(shù)?！ ≤?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)技術(shù)的原理 所謂
2019-08-27 07:00:00
，為了保證控制環(huán)路的穩(wěn)定性，無論有多少相位，都會(huì)自動(dòng)穩(wěn)定內(nèi)部數(shù)字控制環(huán)路，而這正是以前的模擬技術(shù)所無法實(shí)現(xiàn)的?！ D5 ,柵極驅(qū)動(dòng)的數(shù)值（VGD）改變時(shí)，RDSon就會(huì)變化，但是開關(guān)損耗降低。 可變柵極
2018-11-29 17:00:15
電容的充電。驅(qū)動(dòng)電流能力越高，電容的充放電速度就越快。拉灌大量電荷的能力可以降低功率損耗和畸變。（傳導(dǎo)損耗是另一種FET開關(guān)損耗，傳導(dǎo)損耗取決于內(nèi)部電阻或FET的RDS(on)值，其中，隨著電流
2022-11-14 06:52:10
開關(guān)管MOSFET的功耗分析MOSFET的損耗優(yōu)化方法及其利弊關(guān)系
2020-12-23 06:51:06
如何更加深入理解MOSFET開關(guān)損耗？Coss產(chǎn)生開關(guān)損耗與對(duì)開關(guān)過程有什么影響？
2021-04-07 06:01:07
使功率耗散最小的器件。這個(gè)器件應(yīng)該具有均衡的阻性和開關(guān)損耗。使用更小（更快）的MOSFET所增加的阻性損耗將超過它在開關(guān)損耗方面的降低，而更大（RDS（ON）更低）的器件所增加的開關(guān)損耗將超過它對(duì)于阻
2021-01-11 16:14:25
算法，可根據(jù)負(fù)載功率因子在不同扇區(qū)內(nèi)靈活放置零電壓矢量，與傳統(tǒng)的連續(xù)調(diào)制SVPWM相比，在增加開關(guān)頻率的同時(shí)減小了開關(guān)電流。仿真結(jié)果也表明這種方法有著最小的開關(guān)損耗。
2019-10-12 07:36:22
和計(jì)算開關(guān)損耗，并討論功率MOSFET導(dǎo)通過程和自然零電壓關(guān)斷過程的實(shí)際過程，以便電子工程師了解哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET開關(guān)損耗1，通過過程中的MOSFET開關(guān)損耗功率M...
2021-10-29 08:43:49
與齊納二極管并聯(lián)，與漏源端子并聯(lián)。在雪崩期間，現(xiàn)代MOSFET可以耗散很多，但不建議讓零件連續(xù)雪崩，而只能在接通等過載情況下。雪崩是產(chǎn)生EMI的隨機(jī)過程?！ ?、Rdson，開關(guān)損耗 標(biāo)準(zhǔn)硅MOSFET
2023-02-20 16:40:52
MOSFET通過降低開關(guān)損耗和具有頂部散熱能力的DaulCool功率封裝技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)更高的工作頻率,從而能夠獲得更高的功率密度?！ ±硐?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān) 在典型的同步降壓開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中,MOSFET作為開關(guān)使用時(shí)
2012-12-06 14:32:55
動(dòng)態(tài)恒流區(qū)、一段穩(wěn)定時(shí)間的米勒平臺(tái)恒流區(qū)，此時(shí)MOSFET均工作于放大狀態(tài)，這也可以理解：MOSFET在開關(guān)過程中，跨越恒流區(qū)（放大區(qū)），是MOSFET產(chǎn)生開關(guān)損耗的直接原因。
2016-11-29 14:36:06
功率MOSFET的Coss會(huì)產(chǎn)生開關(guān)損耗，在正常的硬開關(guān)過程中，關(guān)斷時(shí)VDS的電壓上升，電流ID對(duì)Coss充電，儲(chǔ)存能量。在MOSFET開通的過程中，由于VDS具有一定的電壓，那么Coss中儲(chǔ)能
2017-03-28 11:17:44
碳化硅（SiC）等寬帶隙技術(shù)為功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員開辟了一系列新的可能性。與現(xiàn)有的IGBT器件相比，SiC顯著降低了導(dǎo)通和關(guān)斷損耗，并改善了導(dǎo)通和二極管損耗。對(duì)其開關(guān)特性的仔細(xì)分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
的圖像。圖1：開關(guān)損耗讓我們先來看看在集成高側(cè)MOSFET中的開關(guān)損耗。在每個(gè)開關(guān)周期開始時(shí)，驅(qū)動(dòng)器開始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個(gè)時(shí)段
2018-08-30 15:47:38
。在此期間，電感電流通過輸出電容、負(fù)載和正向偏置二極管。負(fù)載電流流過二極管產(chǎn)生的功率耗散可以用公式2表示：其中VF是選定二極管的正向電壓降。除了集成MOSFET與環(huán)流二極管中的傳導(dǎo)損耗，電感器中也有傳導(dǎo)
2018-06-07 10:17:46
，在這兩種情況下估算時(shí)間t3作為MOSFET的上升和下降時(shí)間，您可使用等式4估算開關(guān)損耗：開關(guān)損耗取決于頻率和輸入電壓。因此，輸入電壓和開關(guān)頻率較高時(shí)，總效率相對(duì)降低。在輕負(fù)載時(shí)，LM2673非同步降壓
2018-06-05 09:39:43
功率器件損耗主要分為哪幾類？什么叫柵極電荷？開關(guān)損耗和柵極電荷有什么關(guān)系？
2021-06-18 08:54:19
新技術(shù)就可通過降低RDS（ON）和柵極電荷（Qg），最大限度地減少傳導(dǎo)損耗和提高開關(guān)性能。這樣，MOSFET就能應(yīng)對(duì)開關(guān)過程中的高速電壓瞬變（dv/dt）和電流瞬變（di/dt），甚至可在更高的開關(guān)頻率下
2011-08-17 14:18:59
請(qǐng)您介紹一下驅(qū)動(dòng)器源極引腳是如何降低開關(guān)損耗的。首先，能否請(qǐng)您對(duì)使用了驅(qū)動(dòng)器源極引腳的電路及其工作進(jìn)行說明？Figure 4是具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路示例。它與以往驅(qū)動(dòng)電路
2020-07-01 13:52:06
產(chǎn)生效果相反的兩種反饋電壓，分別控制 MOSFET 柵源電壓的上升和下降時(shí)間，因此降低功率回路中的 di/dt。然而，這樣通常會(huì)增加開關(guān)損耗，因此并非理想方法 [8]，[9]。功率級(jí)寄生電容公式 1
2020-11-03 07:54:52
圖1：開關(guān)損耗讓我們先來看看在集成高側(cè)MOSFET中的開關(guān)損耗。在每個(gè)開關(guān)周期開始時(shí)，驅(qū)動(dòng)器開始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容。在首個(gè)時(shí)段（圖
2022-11-16 08:00:15
電流能力越高，電容的充放電速度就越快。拉灌大量電荷的能力可以降低功率損耗和畸變。（傳導(dǎo)損耗是另一種FET開關(guān)損耗，傳導(dǎo)損耗取決于內(nèi)部電阻或FET的RDS(on)值，其中，隨著電流通過，F(xiàn)ET也會(huì)耗散
2019-08-07 04:45:12
在升壓變換器中利用新型MOSFET減少開關(guān)損耗
摘要：升壓變換器通常應(yīng)用在彩色監(jiān)視器中。為提高開關(guān)電源的效率，設(shè)計(jì)
2009-07-20 16:03:00
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理解功率MOSFET的開關(guān)損耗
本文詳細(xì)分析計(jì)算開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知道哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并
2009-10-25 15:30:593320 MOSFET才導(dǎo)通，因此同步MOSFET是0電壓導(dǎo)通ZVS，而其關(guān)斷是自然的0電壓關(guān)斷ZVS，因此同步MOSFET在整個(gè)開關(guān)周期是0電壓的開關(guān)ZVS，開關(guān)損耗非常小，幾乎可以忽略不計(jì)，所以同步MOSFET只有RDS(ON)所產(chǎn)生的導(dǎo)通損耗，選取時(shí)只需要考慮RDS（ON）而不需要考慮Crss的值。
2012-04-12 11:04:2359180 
為了有效解決金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動(dòng)應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開關(guān)損耗失效問題，通過對(duì)MOSFET 柵極電荷、極間電容的闡述和導(dǎo)通過程的解剖，定位了MOSFET 開關(guān)損耗的來源，進(jìn)而為緩啟動(dòng)電路設(shè)計(jì)優(yōu)化，減少MOSFET的開關(guān)損耗提供了技術(shù)依據(jù)。
2016-01-04 14:59:05
38 使用示波器測(cè)量電源開關(guān)損耗。
2016-05-05 09:49:380 MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測(cè)試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對(duì)開關(guān)損耗的測(cè)量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上，PFC MOSFET的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗(yàn)反復(fù)摸索，那么該如何量化評(píng)估呢？
2017-11-10 08:56:426345 1、CCM 模式開關(guān)損耗
CCM 模式與 DCM 模式的開關(guān)損耗有所不同。先講解復(fù)雜 CCM 模式，DCM 模式很簡(jiǎn)單了。
2018-01-13 09:28:578163 
工藝技術(shù)，可以在給
定 RDS(ON) 值的情況下實(shí)現(xiàn)低 QG，從而獲得較低的品
質(zhì)因數(shù) （Figure of Merit， FOM）。 MCP87130 的低
FOM 與低 RG 相結(jié)合，可以支持高效率的功率轉(zhuǎn)換，并
降低開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗。
2018-06-29 11:23:002 逆變器的功率密度，探討了采用軟開關(guān)技術(shù)的碳化硅 MOSFET 逆變器。 比較了不同開關(guān)頻率下的零電壓開關(guān)三相逆變器及硬開關(guān)三相逆變器的損耗分布和關(guān)鍵無源元件的體積， 討論了逆變器效率和關(guān)鍵無源元件體積與開關(guān)頻率之間的關(guān)系。 隨著開關(guān)頻率從數(shù)十 kHz 逐漸提升至數(shù)百
2018-10-08 08:00:0029 一個(gè)高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達(dá)95％，而開關(guān)電源的損耗大部分來自開關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測(cè)量開關(guān)器件的損耗，對(duì)于效率分析是非常關(guān)鍵的。那我們?cè)撊绾螠?zhǔn)確測(cè)量開關(guān)損耗呢？
2019-06-26 15:49:45721 一個(gè)高質(zhì)量的開關(guān)電源效率高達(dá)95%，而開關(guān)電源的損耗大部分來自開關(guān)器件（MOSFET和二極管），所以正確的測(cè)量開關(guān)器件的損耗，對(duì)于效率分析是非常關(guān)鍵的。那我們?cè)撊绾螠?zhǔn)確測(cè)量開關(guān)損耗呢？
2019-06-27 10:22:081926 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供如何正確評(píng)估功率MOSFET的開關(guān)損耗？資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-01 08:49:1511 功率MOSFET的開關(guān)損耗分析。
2021-04-16 14:17:0248 一、開關(guān)損耗包括開通損耗和關(guān)斷損耗兩種。開通損耗是指功率管從截止到導(dǎo)通時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗；關(guān)斷損耗是指功率管從導(dǎo)通到截止時(shí)所產(chǎn)生的功率損耗。二、開關(guān)損耗原理分析：(1)、非理想的開關(guān)管在開通時(shí)，開關(guān)
2021-10-22 10:51:0611 和計(jì)算開關(guān)損耗，并討論功率MOSFET導(dǎo)通過程和自然零電壓關(guān)斷過程的實(shí)際過程，以便電子工程師了解哪個(gè)參數(shù)起主導(dǎo)作用并了解MOSFET. 更深入地MOSFET開關(guān)損耗1，通過過程中的MOSFET開關(guān)損耗功率M...
2021-10-22 17:35:5953 的圖像。
圖1：開關(guān)損耗
讓我們先來看看在集成高側(cè)MOSFET中的開關(guān)損耗。在每個(gè)開關(guān)周期開始時(shí)，驅(qū)動(dòng)器開始向集成MOSFET的柵極供應(yīng)電流。從第1部分，您了解到MOSFET在其終端具有寄生電容
2022-01-21 17:01:12831 
如今的開關(guān)電源技術(shù)很大程度上依托于電源半導(dǎo)體開關(guān)器件，如MOSFET和IGBT。這些器件提供了快速開關(guān)速度，能夠耐受沒有規(guī)律的電壓峰值。同時(shí)在On或Off狀態(tài)下小號(hào)的功率非常小，實(shí)現(xiàn)了很高的轉(zhuǎn)化效率
2021-11-23 15:07:571095 近日，東芝研發(fā)出新款4.5-kV雙柵極反向傳導(dǎo)注入增強(qiáng)型柵極晶體管（RC-IEGT）。經(jīng)測(cè)試證實(shí)，相比于傳統(tǒng)單柵極結(jié)構(gòu)，該產(chǎn)品在導(dǎo)通關(guān)斷時(shí)的總功耗（開關(guān)損耗）可降低24%。
2022-06-30 17:09:381097 功耗是傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗的總和，傳導(dǎo)損耗也稱為靜態(tài)損耗。另一方面，開關(guān)損耗也稱為動(dòng)態(tài)損耗。
2022-07-26 17:30:032675 
MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開關(guān)。例如N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，當(dāng)VGS電壓達(dá)到MOSFET的開啟電壓時(shí)，MOSFET導(dǎo)通等同開關(guān)導(dǎo)通，有IDS通過，實(shí)現(xiàn)功率轉(zhuǎn)換。
2022-11-28 15:53:05666 開關(guān)過程中，穿越線性區(qū)（放大區(qū)）時(shí)，電流和電壓產(chǎn)生交疊，形成開關(guān)損耗。其中，米勒電容導(dǎo)致的米勒平臺(tái)時(shí)間，在開關(guān)損耗中占主導(dǎo)作用。
2023-01-17 10:21:00978 特別是對(duì)于SiC MOSFET，柵極驅(qū)動(dòng)器IC必須將開關(guān)和傳導(dǎo)損耗（包括導(dǎo)通和關(guān)斷能量）降至最低。
2023-02-06 14:27:17387 功率半導(dǎo)體的柵極電阻選型，一般有兩個(gè)優(yōu)化目標(biāo)。一方面，選擇電阻值較小的柵極電阻，可以使得功率半導(dǎo)體的開關(guān)速度更快。這將降低開關(guān)損耗，從而降低總體損耗
2023-02-07 17:03:341312 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關(guān)損耗、2）開關(guān)頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優(yōu)勢(shì)。
2023-02-08 13:43:22673 
MOSFET和IGBT等電源開關(guān)器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。需要盡可能地降低這種開關(guān)器件產(chǎn)生的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗，但不同的應(yīng)用其降低損耗的方法也不盡相同。近年來，發(fā)現(xiàn)有一種方法可以改善
2023-02-09 10:19:18634 
－接下來，請(qǐng)您介紹一下驅(qū)動(dòng)器源極引腳是如何降低開關(guān)損耗的。首先，能否請(qǐng)您對(duì)使用了驅(qū)動(dòng)器源極引腳的電路及其工作進(jìn)行說明？Figure 4是具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路示例。
2023-02-16 09:47:49457 
從某個(gè)外企的功率放大器的測(cè)試數(shù)據(jù)上獲得一個(gè)具體的感受：導(dǎo)通損耗60W開關(guān)損耗251。大概是1:4.5 下面是英飛凌的一個(gè)例子：可知，六個(gè)管子的總功耗是714W這跟我在項(xiàng)目用用的那個(gè)150A的模塊試驗(yàn)測(cè)試得到的總功耗差不多。 導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗大概1:2
2023-02-23 09:26:4915 上一篇文章中探討了同步整流降壓轉(zhuǎn)換器的功率開關(guān)--輸出端MOSFET的傳導(dǎo)損耗。本文將探討開關(guān)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生的開關(guān)損耗。開關(guān)損耗：見文識(shí)意，開關(guān)損耗就是開關(guān)工作相關(guān)的損耗。在這里使用PSWH這個(gè)符號(hào)來表示。
2023-02-23 10:40:49623 
本文將探討功率開關(guān)MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)相關(guān)的損耗，即下圖的高邊和低邊開關(guān)的“PGATE”所示部分。柵極電荷損耗是由該例中外置MOSFET的Qg（柵極電荷總量）引起的損耗。
2023-02-23 10:40:50428 
全SiC功率模塊與現(xiàn)有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優(yōu)異性能。本文將對(duì)開關(guān)損耗進(jìn)行介紹，開關(guān)損耗也可以說是傳統(tǒng)功率模塊所要解決的重大課題。
2023-02-24 11:51:28496 
MOSFET的柵極電荷（米勒電容）以及控制IC的驅(qū)動(dòng)能力。本應(yīng)用筆記將詳細(xì)分析導(dǎo)通開關(guān)損耗以及選擇開關(guān)P溝道MOSFET的標(biāo)準(zhǔn)。
2023-03-10 09:26:35556 
的充電。驅(qū)動(dòng)電流能力越高，電容充電或放電的速度就越快。能夠源出和吸收大量電荷可最大限度地減少功率損耗和失真。（傳導(dǎo)損耗是FET中其他類型的開關(guān)損耗。傳導(dǎo)損耗由內(nèi)阻或RDS（開啟），其中 FET 的 .FET隨著電流的傳導(dǎo)而耗散功率。
2023-04-07 10:23:291234 
的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，本文以給出了使用ST碳化硅MOSFET的主要設(shè)計(jì)原則，以得到最佳性能。一，如何減少傳導(dǎo)損耗：碳化硅MOSFET比超結(jié)MOSFET要求更高的G級(jí)電壓
2022-11-30 15:28:282647 
使用SiC MOSFET時(shí)如何盡量降低電磁干擾和開關(guān)損耗
2023-11-23 09:08:34333 
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