阿爾卡特朗訊宣布攜手中國移動推出創(chuàng)新型靈云無線系列全新產(chǎn)品。針對中國這一全球最大的移動業(yè)務市場，該產(chǎn)品將幫助中國移動加速在全國范圍內(nèi)部署4G TD-LTE 技術，以滿足用戶快速增長的對移動視頻與數(shù)據(jù)業(yè)務的需求。
2013-02-25 22:41:35
884 半導體大廠已相繼投入研發(fā)更穩(wěn)定、高效率的替代材料。其中，鍺（Ge）和三五族（III-V）元素可有效改善電晶體通道的電子遷移率，提升芯片效能與省電效益，已被視為產(chǎn)業(yè)明日之星。
2013-03-15 09:11:281142 4月14日凌晨消息，據(jù)彭博社報道，有熟知內(nèi)情的消息人士稱，諾基亞正在與阿爾卡特-朗訊展開有關收購后者部分業(yè)務的高級談判，目的是增強其電信設備業(yè)務以及更好地與愛立信展開競爭。
2015-04-15 10:55:50605 諾基亞166億美元收購阿爾卡特-朗訊，諾基亞是將咸魚翻身，還是萬劫不復，還有待時間來檢驗。
2015-04-16 09:25:311221 IBM和三星昨日宣布他們將涉足半導體材料、制造以及其他技術的基礎研發(fā)。
2011-01-15 08:03:44492 
意法半導體布局第三代半導體多年，是推動氮化鎵、碳化硅等發(fā)展商用的主要廠商之一。在氮化鎵方面，2018年意法半導體宣布與CEA Tech旗下研究所Leti合作研發(fā)硅基氮化鎵功率切換元件制造技術
2020-02-24 08:57:483655 請教下以前的[半導體技術天地]哪里去了
2020-08-04 17:03:41
半導體技術是如何變革汽車設計產(chǎn)業(yè)的？
2021-02-22 09:07:43
半導體材料市場構(gòu)成：在半導體材料市場構(gòu)成方面，大硅片占比最大，占比為32.9%。其次為氣體，占比為14.1%，光掩膜排名第三，占比 為12.6%，其后：分別為拋光液和拋光墊、光刻膠配套試劑、光刻膠、濕化學品、建設靶材，比分別為7.2%、6.9%、 6.1%、4%和3%。
2021-01-22 10:48:36
半導體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長久的歷史。宰二十世紀初，就曾出現(xiàn)過點接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應用，是半導體材料開始受到重視。1947年鍺點接觸三極管制成，成為半導體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
半導體材料的導電性對某些微量雜質(zhì)極敏感。純度很高的半導體材料稱為本征半導體，常溫下其電阻率很高，是電的不良導體。在高純半導體材料中摻入適當雜質(zhì)后，因為雜質(zhì)原子提供導電載流子，使材料的電阻率大為
2013-01-28 14:58:38
好像***最近去英國還專程看了華為英國公司的石墨烯研究，搞得國內(nèi)好多石墨烯材料的股票大漲，連石墨烯內(nèi)褲都跟著炒作起來了~~小編也順應潮流聊聊半導體材料那些事吧。
2019-07-29 06:40:11
進口日本半導體硅材料呆料，硅含量高，其中有些硅圓片，打磨減薄后可以成為硅晶圓芯片的生產(chǎn)材料。聯(lián)系方式：沈女士（***）
2020-01-06 09:59:44
半導體制冷片是利用半導體材料的Peltier效應而制作的電子元件，當直流電通過兩種不同半導體材料串聯(lián)成的電偶時，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負熱阻的制冷技術，其特點是無運動部件，可靠性也比較高。半導體制冷片的工作原理是什么？半導體制冷片有哪些優(yōu)缺點？
2021-02-24 09:24:02
摘要 : 導讀：ASEMI半導體這個品牌自打建立以來，就一直不間斷在研發(fā)半導體各類元器件，在半導體的制程和原理上可謂已經(jīng)是精益求精，今天ASEMI半導體要和大家一起分享的，就是這個半導體的制程導讀
2018-11-08 11:10:34
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍寶石硅（SoS）等工藝技術給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡向
2019-07-05 08:13:58
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍寶石硅（SoS）等工藝技術給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡向長期
2019-08-20 08:01:20
半導體材料半導體的功能分類集成電路的四大類
2021-02-24 07:52:52
閾值叫死區(qū)電壓，硅管約0.5V，鍺管約0.1V。（硅和鍺是制造晶體管最常用的兩種半導體材料，硅管較多，鍺管較少）也就是我們在二極管整流得時候理想是，整個周期都是導通的，但是由于死區(qū)電壓的存在，實際上并不是全部導通的，當半導體電壓
2021-09-03 07:21:43
寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學和電學性能成為繼第一代元素半導體硅（Si）和第二代化合物半導體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導體
2019-06-25 07:41:00
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術，瞄準主流消費
2018-02-12 15:11:38
的射頻器件越來越多，即便集成化仍然很難控制智能手機的成本。這跟功能機時代不同，我們可以將成本做到很低，在全球市場都能夠保證低價。但如果到了5G時代，需要的器件越來越多，價格越來越高。半導體材料硅基氮化鎵
2017-07-18 16:38:20
光源。該問題的一種解決方案是硅與 III-V 族半導體的混合集成。在混合集成中，III-V 族半導體鍵合在 SOI 波導電路的頂部。有源光子功能（光發(fā)射、放大）由 III-V 材料執(zhí)行，而無源功能
2021-07-08 13:14:11
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：III-V族半導體納米線結(jié)構(gòu)的光子學特性編號：JFSJ-21-075作者：炬豐科技 摘要：III-V 族半導體納米線 (NW) 由于其沿納米線軸對電子和光子
2021-07-09 10:20:13
0.000001 至 0.1% 的摻雜劑即可使半導體材料達到有用的電阻率范圍。半導體的這種特性允許在材料中創(chuàng)建具有非常精確電阻率值的區(qū)域。文章全部詳情，請加V獲?。篽lknch/xzl1019如有侵權，請聯(lián)系作者刪除
2021-07-01 09:38:40
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN 半導體材料與器件手冊編號：JFSJ-21-059III族氮化物半導體的光學特性介紹III 族氮化物材料的光學特性顯然與光電應用直接相關，但測量光學特性
2021-07-08 13:08:32
`書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：在硅上生長的 InGaN 基激光二極管的腔鏡的晶圓制造編號：JFSJ-21-034作者：炬豐科技 摘要：在硅 (Si) 上生長的直接帶隙 III-V
2021-07-09 10:21:36
提供專業(yè)、高效、技術支持與服務。此外還可為有需求的長三角及周邊客戶提供短時間內(nèi)到達現(xiàn)場維修技術服務。 0010-04926應用材料半導體配件的分類及性能： ?。?）元素半導體。元素半導體是指單一
2020-03-26 15:40:25
上海貝爾阿爾卡特BSC詳解（內(nèi)部資料）
2013-07-11 19:50:24
上海貝爾阿爾卡特BSC詳解（內(nèi)部資料）2
2013-07-11 21:54:48
、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的內(nèi)型。P-普通管、V-微波管、W-穩(wěn)壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關
2021-05-25 08:01:53
1、GaAs半導體材料可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類，元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
半導體晶圓（晶片）的直徑為4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤，在制造過程中可承載非本征半導體。它們是正（P）型半導體或負（N）型半導體的臨時形式。硅晶片是非常常見的半導體晶片，因為硅
2021-07-23 08:11:27
、磁阻元件、磁敏二極管、磁敏三極管等。主要材料有銻化銦、砷化銦、鍺和硅等。這類器件的優(yōu)點是結(jié)構(gòu)簡單，體積小，易于集成化，耐沖擊，頻響寬（從直流到微波），動態(tài)范圍大，而且可以實現(xiàn)無接觸檢測，不存在磨損，抗污染，不產(chǎn)生火花，使用安全，壽命長，因此它在測量技術、自動控制和信息處理等方面有廣泛的應用。
2019-09-10 10:42:32
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導體生產(chǎn)中采用的主要半導體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導體工作溫度。此外，SiC 的導熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導通電
2023-02-21 16:01:16
去的三十年里，III-V 技術（GaAs 和InP）已經(jīng)逐漸擴大到這個毫米波范圍中。新近以來，由于工藝尺寸持續(xù)不斷地減小，硅技術已經(jīng)加入了這個“游戲”。在本文中，按照半導體特性和器件要求，對可用
2019-07-31 07:43:42
法國研究機構(gòu)CEA-Leti開發(fā)出可用于提供交通運輸數(shù)據(jù)的新工具，包括一個可讓通勤使用者佩戴的腕帶型穿戴式應力監(jiān)測器，以及與其搭配的智能手機應用程序(App)，可用于偵測佩戴者所使用的交通運輸方式，并評估使用者的決定對于環(huán)境的影響。
2020-08-19 07:39:54
高性能、高能效硅解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)日前在臺北舉行的第七屆靜電放電保護技術研討會上，針對如何防止靜電放電(ESD) 所帶來的損失，從元件、制造和系統(tǒng)三個層級
2019-05-30 06:50:43
文章主要介紹了當前射頻集成電路研究中的半導體技術和CAD技術，并比較和討論了硅器件和砷化鎵器件、射頻集成電路CAD和傳統(tǒng)電路CAD的各自特點。近年來，無線通信市場的蓬勃發(fā)展，特別是移動電話、無線
2019-07-05 06:53:04
。作為全球FTTH接入解決方案領導者，阿爾卡特朗訊提出了新型的低成本網(wǎng)絡運維解決方案。這個方案基于阿爾卡特朗訊最新的嵌入式PON光鏈路層監(jiān)測技術。將OTM和OTDR嵌入到光收發(fā)模塊上，從而實現(xiàn)對光
2019-08-12 07:32:26
文/編譯楊碩王家農(nóng)在網(wǎng)絡無處不在、IP無處不在和無縫移動連接的總趨勢下，國際半導體技術路線圖(ITRS)項目組在他們的15年半導體技術發(fā)展預測中認為，隨著技術和體系結(jié)構(gòu)推進“摩爾定律”和生產(chǎn)力極限
2019-07-24 08:21:23
，這改善了晶體管性能，且降低了器件功耗。3. III-V族材料上柵堆疊：Intel、Sematech等已在討論在未來設計中采用InGaAs/高k界面。這種方法也能改善性能降低功耗。4. 量子阱
2014-01-04 09:52:44
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
、日本等國家和組織啟動了至少12項研發(fā)計劃，總計投入研究經(jīng)費達到6億美元。借助各國***的大力支持，自從1965年第一支GaAs晶體管誕生以來，化合物半導體器件的制造技術取得了快速的進步，為化合物半導體
2019-06-13 04:20:24
模塊化，按最初的定義是把兩個或兩個以上的電力半導體芯片按一定的電路結(jié)構(gòu)相聯(lián)結(jié)，用RTV、彈性硅凝膠、環(huán)氧樹脂等保護材料，密封在一個絕緣的外殼內(nèi)，并且與導熱底板相絕緣而成的。
2019-11-11 09:02:31
聚光型太陽能電池主要材料是[砷化鎵](GaAs)，也就是三五族(III-V)材料，一般硅晶材料只能夠吸收太陽光譜中400～1,100nm波長之能量，而聚光型不同于硅晶圓太陽能技術，透過多接面化合物
2019-10-15 09:12:19
化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的化合物半導體材料和以石墨烯為代表的碳基材料。了解每種新型材料及其應用在技術成熟度曲線的位置，對我們研發(fā)、投資切入有著極其重要的意義。作為
2017-02-22 14:59:09
蘇州華林科納半導體設備技術有限公司成立于2008年3月，投資4500萬元。主要從事半導體、太陽能、FPD領域濕制程設備的設計、研發(fā)、生產(chǎn)及銷售；同時代理半導體、太陽能、FPD領域其它國外設備，負責
2015-04-02 17:26:21
的核心單元都和半導體有著極為密切的關連。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，而硅更是各種半導體材料中，在商業(yè)應用上最具有影響力的一種?！ ?b class="flag-6" style="color: red">半導體材料很多，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類
2016-11-27 22:34:51
，元素半導體指硅、鍺單一元素形成的半導體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導體。隨著無線通信的發(fā)展，高頻電路應用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
高阻硅材料進口半導體單晶硅、高阻硅片，有n型、p型、本征硅片，晶向〈111〉、〈100〉、〈110〉，直徑1～8寸的單拋硅片、雙拋硅片、氧化硅片，超平硅片、超薄硅片、超厚硅片，異型硅片，電阻率30000Ω.Cm，詳細參數(shù)來電咨詢，也可根據(jù)用戶要求生產(chǎn)。歡迎垂詢，***.
2018-01-22 11:49:03
阿爾卡特－朗訊 2008校園招聘 筆試題
第一部分是通信類題目1、信道編碼的作用2、中國移動SMS短信的原理3、repeater、bridge、router 區(qū)別4、最近2－3年通信領域的發(fā)
2009-01-07 08:21:11
41 阿爾卡特的GSM基本原理教材:
2009-06-19 17:32:0144 ?? 阿爾卡特集團在全球市場上是固網(wǎng)話音通信、移動通信、寬帶數(shù)據(jù)和光傳輸?shù)确矫鎸＜?。發(fā)展傳統(tǒng)的話音和數(shù)據(jù)業(yè)務的同時，阿爾卡特很早投入了下一代網(wǎng)絡的研究和開發(fā)
2009-06-25 14:25:2830 阿爾卡特BSC維護手冊:BSC維護操作手冊 B71 Evolium BSC維護手冊1.1 準備工作注意：當BSC軟件版本為B7.2時，必須使用對應的操作維護終端進行維護操作。此外，還需要對應
2010-03-19 08:45:3420 阿爾卡特軟交換產(chǎn)品VOIP數(shù)據(jù)創(chuàng)建過程成都通信建設工程局 王璽 薛恒飛 郵政編碼 611130[摘要] 本文通過對阿爾卡特移動軟交換設備在VOIP數(shù)據(jù)如何創(chuàng)建過程的介紹，簡要介
2010-05-16 01:39:226 PTN技術主要有兩個個，即T-MPLS和PBT。
其中T-MPLS經(jīng)由阿爾卡特朗訊、愛立信、
2010-09-03 16:08:4972 半導體世界是平的--記貝爾實驗室終止半導體研究
貝爾實驗室?guī)滋烨白C實了關于該公司退出芯片研究業(yè)務的消息。
貝爾實驗室，現(xiàn)已成為阿爾卡特-朗訊公司的一
2008-09-03 09:33:20434 在今年2月巴塞羅那的移動世界大會上，美國運營商VerizonWireless宣布了構(gòu)建美國首個LTE網(wǎng)絡的規(guī)劃，并選擇了阿爾卡特朗訊作為其惟一全面提供LTE、ePC和IMS端到端系統(tǒng)的供應商，支持
2009-06-16 14:00:45619 近日，阿爾卡特宣布以3.2億美金收購北電旗下WCDMA業(yè)務及其相關資產(chǎn)。
根據(jù)協(xié)議，阿爾卡特將收購北電旗下OSIRIS品牌的WCDMA業(yè)務，主要包括北電WCDMA無線產(chǎn)品、相關資產(chǎn)和專
2009-06-20 09:54:38351 III-V族化合物,III-V族化合物是什么意思
III-V族化合物半導體;III-V group elements compound semiconductor 分子式：CAS號：
2010-03-04 12:16:163788 阿爾卡特朗訊宣布推出新型無線接入網(wǎng)絡解決方案lightRadio，該解決方案徹底顛覆了現(xiàn)有的移動及寬帶基礎架構(gòu)，顯著簡化了移動網(wǎng)絡結(jié)構(gòu)。
2011-02-21 11:56:18873 爾卡特品牌國內(nèi)首款Android平臺手機年內(nèi)上市。阿爾卡特2011年將加大開發(fā)高性價比智能手機，推出更多新型娛樂社交型的互聯(lián)網(wǎng)手機，布局UMTS等3G制式。
2011-02-25 10:26:21655 阿爾卡特朗訊今天早間宣布，該公司的中國旗艦公司——上海貝爾已完成了TD-LTE規(guī)模外場準入測試
2011-03-26 09:27:35705 阿爾卡特朗訊OmniAccess AP60和61（OAW-AP60和OAW-AP61）是無線密集部署的理想 選擇，它們是單頻802.11a或b/g AP，提供了高容量、性能和覆蓋能力。通過與阿爾卡特 朗訊OmniAccess無線交換機配合，
2011-03-29 09:56:410 近日,明尼蘇達州 ST PAUL 和紐約 ARMONK 聯(lián)合報道：3M 公司和 IBM 公司日前宣布將共同研發(fā)一種新的粘接材料，用來把半導體封裝成密集的疊層硅片“塔”(towers)。兩家公司的目標是創(chuàng)制一種
2011-09-14 09:04:32787 日前，阿爾卡特朗訊宣布推出增強型寬帶產(chǎn)品，以進一步推進超高速寬帶業(yè)務的發(fā)展。采用率先實現(xiàn)商用的VDSL2矢量化技術，阿爾卡特朗訊將幫助運營商大幅提升現(xiàn)有銅線接入網(wǎng)絡的速
2011-10-10 10:02:14748 日前，阿爾卡特朗訊推出一套全新的方案，幫助企業(yè)通訊系統(tǒng)實現(xiàn)云架構(gòu)遷移，滿足服務商、系統(tǒng)集成商及渠道商實現(xiàn)統(tǒng)一通信及服務需求，實現(xiàn)基于云架構(gòu)的應用型通信服務。
2013-03-27 15:11:37905 阿爾卡特朗訊（巴黎證交所與紐約證交所：ALU）和美國高通技術公司（NASDAQ：QCOM）今日宣布，計劃聯(lián)合開發(fā)小型基站，旨在增強3G、4G和WiFi網(wǎng)絡，改善住宅和企業(yè)環(huán)境中的無線連接。
2013-08-03 10:14:01791 手機設計開發(fā)必備阿爾卡特手機電路圖原理圖U8S，感興趣的可以下載看看！
2015-10-29 17:20:3215 全球網(wǎng)絡與通信市場研究機構(gòu)Dell’Oro發(fā)布 “2015年第4季度全球無線局域網(wǎng)WLAN市場報告”，報告顯示，ALE（以阿爾卡特朗訊企業(yè)通信為品牌）2015年第4季度在無線局域網(wǎng)WLAN市場同比和環(huán)比增長率均表現(xiàn)出色，領跑市場水平。
2016-04-15 17:45:38854 ALE，以阿爾卡特朗訊企業(yè)通信為品牌，日前宣布阿爾卡特朗訊Rainbow?現(xiàn)已正式面世，這是一個基于云的創(chuàng)新型管理平臺，能夠?qū)⑵髽I(yè)用戶、業(yè)務聯(lián)系人和系統(tǒng)連接在一起。通過Rainbow，員工能夠提高協(xié)作性和生產(chǎn)力，突破企業(yè)邊界的限制。
2016-12-05 14:29:30990 晶元光電總經(jīng)理周銘俊博士在“上游芯片技術創(chuàng)造下游應用新局面”發(fā)表了題為《實現(xiàn)III-V光電創(chuàng)新，推動未來智能生活》的主題演講。
2018-06-14 15:36:133885 橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵（GaN）功率開關器件制造技術。
2018-09-30 14:36:333921 以諾基亞收購阿爾卡特朗訊中雙方專利技術領域情況為例來看，諾基亞在通信這塊以無線寬帶為主，而阿爾卡特朗訊除了無線還有IP/固網(wǎng)寬帶、超寬帶等，收購阿爾卡特朗訊正好可以彌補諾基亞的產(chǎn)品布局。除此之外，阿爾卡特朗訊在北美市場做得非常好，而諾基亞正好在這一市場相對薄弱，兩家地域發(fā)展優(yōu)勢可以互補。
2018-10-24 10:14:0924442 Yole電力電子技術與市場分析師Ana Villamor與意法半導體功率RF和GaN產(chǎn)品部經(jīng)理Filippo Di Giovanni會面，討論意法半導體與CEA-Leti在GaN研發(fā)方面的合作情況，以及未來幾年功率GaN路線圖。
2018-12-24 15:14:275745 涉及機構(gòu)不僅包括傳統(tǒng)功率半導體垂直整合廠商（IDM）——英飛凌、意法半導體，模擬/混合信號集成電路IDM——X-FAB，還包括科研機構(gòu)——法國原子能委員會與電子信息技術實驗室（CEA-Leti
2019-02-25 11:13:214712 和資源，嘗試提高電池管理系統(tǒng)（BMS）。但是，沒人考慮過將BMS、充電器和逆變器直接整合至一個電池組內(nèi)。據(jù)外媒報道，位于法國格勒諾布爾（Grenoble）的研究機構(gòu)法國原子能委員會電子與信息技術實驗室（CEA－Leti）卻提出了該想法
2020-10-05 10:07:00355 據(jù)麥姆斯咨詢報道，近日，CEA-Leti在2020年美國西部光電展針對其最新推出的光聲光譜探測器，發(fā)表了題為《微型光聲探測器：突破集成在硅片上的中紅外光聲光譜技術極限》的論文，該探測器具有較強的抗噪聲干擾能力、高靈敏度以及高選擇性。
2020-02-19 09:19:532732 近日阿爾卡特推出了一款入門級的新機，Alcatel 3L。這款阿爾卡特3L將于2021年3月開售，在歐洲各地的零售價為149歐元，該機是TCL在CES上公布的最貴的阿爾卡特手機。
2021-01-12 14:52:541766 書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：III-V的光子學特性 編號：JFKJ-21-215 作者：炬豐科技 摘要 ? ???III-V型半導體納米線已顯示出巨大的潛力光學、光電和電子器件的構(gòu)建
2023-04-19 10:03:0093 
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：III-V集成光子的制備 編號：JFKJ-21-212 作者：炬豐科技 摘要 ? 本文主要研究集成光子的制備工藝。基于III-V半導體的器件，?這項工作涵蓋
2023-04-19 10:04:00130 
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：III-V族化學-機械拋光工藝開發(fā) 編號：JFKJ-21-214 作者：炬豐科技 摘要 ? III-V材料與絕緣子上硅平臺的混合集成是一種很有前景的技術
2023-04-18 10:05:00151 
為了減小對臺積電的依賴，美日雙方開始聯(lián)手研發(fā)半導體技術，近日據(jù)報道稱，日本計劃最早在2025年啟動半導體制造基地，并與美國聯(lián)手生產(chǎn)2nm制程技術。 目前全球半導體加工領域最先進的企業(yè)是中國臺灣
2022-06-16 14:43:131445 半導體。例如，砷化鎵(GaAs)是二元III-V化合物，它是第三列的鎵(Ga)和第五列的砷(As)的組合。三元化
合物可以由三個不同列的元素形成，例如，碲化汞銦(HgIn 2 Te 4)，一種II-III-VI化合物。它們也可以由兩列中的元素形成，例如砷化鋁鎵
(Al xGa 1- xAs)，這是
2023-02-27 14:46:243 CEA-Leti創(chuàng)下5.1至7.7 Gbps的LiFi通信速度世界紀錄
2023-06-02 09:10:48298 
點擊藍字·關注我們HCCL?！Y訊快報！圖片來源：Lifitechnews官網(wǎng)法國格勒諾布爾的CEA-Leti宣布，他們利用單個GaN藍色微型發(fā)光二極管（LED）在可見光通信（VLC）中實現(xiàn)
2023-06-08 14:23:30319 
來源：Silicon Semiconductor 該成果確立了在工業(yè)平臺（包括最先進的BEOL）上制造高性能硅CMOS器件的可行性，且不影響底層的性能。 CEA-Leti在IEDM 2023上描述
2023-12-28 16:14:08226
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