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中科院微電子所22納米 CMOS工藝研發(fā)取得突破

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近日,北京航空航天大學與微電子所聯(lián)合成功制備國內(nèi)首個80納米自旋轉移矩磁隨機存儲器芯片(STT-MRAM)器件。STT-MRAM是一種極具應用潛力的下一代新型存儲器解決方案。
2017-05-09 01:07:311345

中科院WSN講義 時間同步

中科院WSN講義 時間同步
2017-10-24 09:10:0312

微電子所在SiC MOSFET器件研制方面的進展

近日,中科院微電子研究所微波器件與集成電路研究室(四室)碳化硅電力電子器件研究團隊在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進展,成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET
2017-11-08 15:14:3637

三張圖了解微電子所在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進展

近日,中科院微電子研究所微波器件與集成電路研究室(四室)碳化硅電力電子器件研究團隊在SiC MOSFET器件研制方面取得重要進展,成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET器件。
2018-04-20 11:33:001922

中科院微電子成功研發(fā)30Gsps 6bit超高速ADC和DAC

日前,中科院微電子所成功研發(fā)出超高采樣率、寬頻帶的30Gsps 6bit超高速模擬數(shù)字轉換器(ADC)和數(shù)字模擬轉換器(DAC),成功大幅縮短了與先進國家的技術差距,為我國在該領域擺脫國外技術壁壘
2018-06-07 08:57:004468

中科院微電子所專訪:連接實驗室與產(chǎn)業(yè)化的“最后一公里”

中國科學院微電子研究所作為國內(nèi)微電子領域布局最完整的綜合研究與開發(fā)機構,同時也代表了我國集成電路產(chǎn)業(yè)的核心競爭力?,F(xiàn)如今中科院微電所在成都雙流建立西南產(chǎn)業(yè)基地,以“立足成都,服務西南,輻射全國”為戰(zhàn)略方針,共同推動國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新與發(fā)展。
2018-06-05 15:18:283828

中科院集成電路創(chuàng)新研究院落戶昆山

7月22日,加快新舊動能轉換、推動高質量發(fā)展的昆山迎來里程碑式突破:昆山市政府與中科院微電子所及協(xié)鑫集團合作建設、投資約310億元的功率射頻半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新基地項目正式簽約。
2018-07-25 14:04:456787

思立微電子在MEMS超聲技術上取得突破,在10MHz頻點轉換效率可達1.5%

日前,上海思立微電子在MEMS超聲技術上歷時兩年的潛心研發(fā),取得突破性進展。其自主研發(fā)的超聲換能器已通過系列性能測試,在10MHz頻點轉換效率可達1.5%,表現(xiàn)出優(yōu)異的性能,并已應用到下一代超聲指紋識別芯片的研發(fā)中。
2018-09-30 09:00:193546

看國產(chǎn)22nm光刻機如何制造10納米芯片

中科院理化技術研究所許祖彥院士等驗收組專家一致表示,該光刻機在365納米光源波長下,單次曝光最高線寬分辨力達到22納米。
2018-12-01 09:29:4513312

新思科技攜手中科院微電子所成立EUV光刻仿真聯(lián)合實驗室

基于EUV的光刻仿真及應用,致力提高中國EUV研發(fā)能力并共同培養(yǎng)該領域尖端人才。該聯(lián)合實驗室得到了北京市科學技術委員會國際科技合作專項的支持。 中科院微電子所所長葉甜春、中科院微電子所科技處處長李平、中科院微電子所計算光刻研發(fā)
2018-12-03 07:39:01502

中科院集成電路創(chuàng)新研究院落戶青島高新區(qū) 未來將加快項目推進并將相關產(chǎn)業(yè)做大做強

29日上午,中科院集成電路創(chuàng)新研究院青島研發(fā)基地簽約儀式在市政府辦公樓舉行,中科院微電子所、青島高新區(qū)、青島市科技局三方共同簽署協(xié)議。山東省青島市委副書記、市長孟凡利出席簽約儀式,并會見了中科院副院長相里斌一行。
2019-04-30 17:06:425746

重大突破!中科院成功獲得流體金屬氫

近日,中科院合肥物質科學研究院固體所極端環(huán)境量子物質中心團隊在極端高溫高壓條件下成功獲得了氫和氘的金屬態(tài),這是固體所量子中心研究團隊繼成功合成流體金屬氮之后在輕質元素高壓研究上取得的又一重要突破。
2019-12-02 11:33:432818

中科院宣布研發(fā)出簡易制備低維半導體器件的方法 可隨意“畫出”各種需要的芯片

中科院今天宣布,國內(nèi)學者研發(fā)出了一種簡單的制備低維半導體器件的方法——用“納米畫筆”勾勒未來光電子器件,它可以“畫出”各種需要的芯片。
2020-03-11 16:28:333185

中科院核心電子材料取得突破,國產(chǎn)CPU或將全部盤活

最近中科院傳來喜訊,中國在核心電子材料技術上取得了巨大的突破,成功研發(fā)出了硅-石墨烯-鍺復合材料晶體管,這種未來芯片的核心材料讓電磁波在內(nèi)的傳播延遲被縮短1000倍。
2020-03-14 15:09:032437

新型納米反應器為鋰硫電池設計取得突破

中科院大連化學物理研究所(DICP)的劉健教授和吳忠?guī)浗淌陬I導的研究小組開發(fā)出了Fe1-xS修飾的介孔碳球作為鋰硫電池陰極的納米反應器。
2020-04-19 08:58:131707

中科院大連化物所研發(fā)出介孔納米反應器,為鋰金屬電池開辟新道路

近日,由中科院大連化學物理研究所(DICP)的劉健教授和吳忠?guī)浗淌陬I導的研究小組開發(fā)出了用Fe 1-x S修飾的介孔碳球作為鋰電反應器的納米反應器。硫磺電池正極。該納米反應器展示出優(yōu)異的多硫化物催化活性和循環(huán)穩(wěn)定性。這項研究于4月16日發(fā)表在《先進能源材料》上。
2020-04-20 15:13:173136

比科奇與微電子所達成戰(zhàn)略合作協(xié)議

中科院微電子所副總工程師梁利平研究員表示:“小基站在5G商用和下一步網(wǎng)絡建設中正在扮演著越來越重要的角色,同時其產(chǎn)業(yè)化也離不開新一代芯片和器件的支持。
2020-07-08 14:25:151638

中科院研發(fā)射頻負離子束源獲得重大突破,推動核聚變事業(yè)

近日,中科院合肥物質科學研究院等離子體物理研究所在自主發(fā)展聚變工程技術即研發(fā)射頻負離子束源方面取得重要進展,實現(xiàn)了穩(wěn)定可重復的百秒量級強流負離子束引出。
2020-08-06 15:43:13904

中科院微電子所整體專利質量居于全球第一,超越了Intel等企業(yè)

企業(yè)的技術研發(fā)實力時,國內(nèi)媒體比較喜歡談論的是專利數(shù)量全球第一,其實這種說法是不準確的,這僅是指標之一,更重要的指標是專利質量。 媒體報道指出中國眾多企業(yè)或機構當中,最受人關注的卻是中科院微電子所,這是第一家在專利質量方面居于全球前
2020-11-12 09:34:212844

中科院微電子所:圍繞集成電路產(chǎn)業(yè)鏈開展科研布局

目前,微電子所每年平均發(fā)表學術論文300多篇,每年申請和授權專利約400項,已累計申請專利超過6000項,授權專利超過3100項,成為促進集成電路技術和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要力量。
2020-12-01 16:37:012117

中科院5nm激光光刻加工方法被誤讀

近日,《財經(jīng)》雜志發(fā)文澄清了一個關于中科院光刻技術突破ASML的誤讀傳言。 事情可以追溯至今年7月,中國科學院官網(wǎng)上發(fā)布了一則研究進展相關消息,中科院蘇州所聯(lián)合國家納米中心在《納米快報》(Nano
2020-12-02 11:07:041974

中科院微電子所周玉梅談芯片“卡脖子”問題

3月7日,全國政協(xié)委員、中國科學院微電子所副所長周玉梅在第二場委員通道上,直面公眾關注的芯片“卡脖子”問題!
2021-03-08 09:44:034342

中科院納米能源所開發(fā)摩擦納米發(fā)電機,可收集全向水波能

近日,中科院北京納米能源與系統(tǒng)研究所等機構的研究人員開發(fā)了一種用于全向水波能收集的摩擦納米發(fā)電機。該設備可以通過共振效應實現(xiàn)對不同頻率水波能的有效收集,并在水波測試中獲得了良好的實驗結果。5月26
2021-05-29 14:47:411858

中科院團隊先進光源技術研發(fā)與測試平臺近日驗收

記者20日從中國科學院高能物理研究所(中科院高能所)獲悉,北京懷柔科學城“先進光源技術研發(fā)與測試平臺(PAPS)項目”近日通過性能工藝驗收,經(jīng)過4年努力,該所PAPS項目團隊已成功建成為建設國際最高
2021-06-25 15:17:374037

國內(nèi)首次實現(xiàn)晶圓級亞百納米ST-MRAM存儲器件制備

近日中科院微電子所集成電路先導工藝研發(fā)中心在STT-MRAM器件與集成技術研究領域取得了階段性進展。
2022-01-26 19:41:352

國產(chǎn)RISCV芯片取得突破發(fā)展 性能可媲美ARM架構芯片

據(jù)悉中科院計算所開發(fā)的第一代核心“雁棲湖”在去年7月流片,采用28納米工藝生產(chǎn),以性能測試軟件SPEC CPU2006得出它的性能達到了10納米工藝生產(chǎn)的驍龍835水平,如此性能讓人震驚。
2022-04-19 14:36:235573

中科院研制2nm芯片有重大突破

中科院里每一位生物學家都是在拼搏,在許多人的拼搏下在我國芯片技術的獲得了突破,生產(chǎn)制造出了在我國的2納米技術芯片,這一個檔次的芯片全稱之為豎直納米技術環(huán)珊電子管。
2022-06-24 09:26:4913036

中科院宣布2nm芯片光刻機是關鍵 中科院研發(fā)成功2nm光刻機

就在我們在自己研制芯片得不到進展,國外的芯片被斷供的困局中,中科院傳來了一則振奮人心的消息:中科院的研究人員表示已經(jīng)突破了設計2nm芯片的瓶頸,成功地掌握了設計2nm芯片的技術,只要機器到位,就能實現(xiàn)量產(chǎn)。
2022-06-30 09:27:42238076

DPU發(fā)展的四個關鍵問題

由中國計算機學會CCF主辦的首屆芯片大會在南京成功舉辦,中科院計算所孫凝暉院士、中科院微電子所劉明院士、浙江大學吳漢明等五位院士出席大會
2022-08-04 09:56:52799

揭示碳納米管器件和電路單粒子效應機理

國家空間科學中心空間天氣學國家重點實驗室陳睿副研究員、韓建偉研究員團隊與北京大學電子學院張志勇教授課題組、中科院微電子所李博研究員課題組合作,針對碳納米管晶體管和靜態(tài)隨機存儲器單元
2022-11-16 11:19:32645

微電子所等在超強抗輻射碳納米管器件與電路研究中取得進展

新一代航天器對宇航芯片的性能和抗輻射能力提出了更高要求。碳納米管器件的柵控效率高、驅動能力強,是后摩爾時代最具發(fā)展?jié)摿Φ陌雽w技術之一,并具有較強的空間應用前景。 中國科學院微電子研究所抗輻照器件
2022-12-02 16:49:282655

微電子所在晶體管器件物理領域取得重要進展

針對此問題,微電子所劉明院士團隊制備了基于p型和n型有機分子構成的單晶電荷轉移界面的晶體管器件,探究了電荷轉移界面以及柵氧界面電場的相互作用對晶體管工作時載流子及電導分布特性的影響。
2023-01-13 15:19:38370

中國研發(fā)團隊在SOT-MRAM取得重要進展

據(jù)“中科院微電子研究所”消息,為了更好地解決SOT-MRAM的刻蝕技術難題以實現(xiàn)SOT-MTJ的高密度片上集成,同時研究不同的刻蝕工藝對器件磁電特性的影響,中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發(fā)
2023-03-10 09:40:12561

中科院納米能源所:研發(fā)手術中用于體內(nèi)血壓監(jiān)測的組織黏合壓電軟傳感器

傳感新品 【中科院納米能源所:研發(fā)手術中用于體內(nèi)血壓監(jiān)測的組織黏合壓電軟傳感器】 手術期間患者生命體征對醫(yī)生了解病人狀態(tài)十分重要。特別是血壓監(jiān)測在手術中起著關鍵作用,可以幫助醫(yī)生及時調(diào)整治療方案
2023-05-30 08:37:14385

中科院微電子所:在表面等離激元光纖生化傳感器方面取得重要進展

傳感新品 【中科院微電子所:在表面等離激元光纖生化傳感器方面取得重要進展】 表面等離激元共振(SPR)光纖生化傳感器因其體積小、抗干擾、高靈敏度、無標記、可實現(xiàn)遠端檢測等優(yōu)勢,在生化傳感、即時現(xiàn)場
2023-06-02 08:39:43618

逍遙科技與微電子所硅光子平臺合作,實現(xiàn)PIC Studio與PDK集成

中國科學院微電子研究所硅光子平臺基于微電子所先導中心成熟的8英寸CMOS工藝線,該CMOS工藝線支撐開發(fā)了成套硅光工藝和器件,制定了設計規(guī)則和工藝規(guī)范,并形成了PDK。
2023-06-07 14:38:03786

中科院微電子所:在納米森林柔性濕度傳感器及其應用研究方面取得新進展

傳感新品 【中科院微電子所:在納米森林柔性濕度傳感器及其應用研究方面取得新進展】 目前,各種電氣設備和系統(tǒng),從照明開關到公共場所的電梯或銀行提款機,其控制與操作一般采用觸摸方式完成,然而,這種傳統(tǒng)
2023-06-30 08:47:42626

中科院微電子所研發(fā)電子皮膚傳感器不僅能敏銳感受壓力,還知道摩擦力大小

傳感新品 【中科院微電子所研發(fā)電子皮膚傳感器不僅能敏銳感受壓力,還知道摩擦力大小】 近日,中國科學院上海高等研究院研究員曾祥瓊領銜的團隊,在基于碳材料的3D打印柔性觸覺傳感器件的研究中取得重要進展
2023-07-01 08:42:341003

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