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多晶硅價(jià)格還將緩慢下行

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太陽(yáng)能發(fā)電選單晶還是多晶硅

電源電路DIY制作
學(xué)習(xí)電子知識(shí)發(fā)布于 2023-08-24 21:47:13

開(kāi)關(guān)電源常用的開(kāi)關(guān)管有哪些類型?

(IGBT)、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)和雙極型晶體管(BJT)等。 一、多晶硅多晶硅管即非晶硅管,是AM-OLED顯示屏、太陽(yáng)能電池板和電感熱水器等應(yīng)用領(lǐng)域中常見(jiàn)的一類開(kāi)關(guān)管。多晶硅管的優(yōu)點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、價(jià)格低廉、工作穩(wěn)
2023-08-18 14:07:132241

半導(dǎo)體下行 碳化硅熱度卻愈演愈烈

在半導(dǎo)體行業(yè)的下行周期中,也并非一片低迷之聲,碳化硅就是萎靡之勢(shì)中的一個(gè)反例。
2023-08-17 14:27:151085

多晶體的塑性變形與細(xì)晶強(qiáng)化簡(jiǎn)析

實(shí)際使用的材料多由多晶體組成,多晶體材料是由許多取向不同的小單晶體,即晶粒組成的。晶粒和晶粒之間的過(guò)渡區(qū)域就稱為晶界
2023-08-11 10:20:381077

上游價(jià)格波動(dòng)不止,光伏電池利潤(rùn)還能維持多久?

2023年上半年以多晶硅致密料、單晶硅片M10、單晶PERC電池片M10為例,價(jià)格分別下降71.43%、51.97%、34.26%。 年內(nèi)多晶硅致密料最高價(jià)位于2月,硅片最高價(jià)位于4月中旬,電池
2023-07-17 15:34:51639

【周評(píng)】終端觀望情緒走弱,光伏上下游價(jià)格集體反彈?

多晶硅 本周多晶硅復(fù)投料價(jià)格61-70元/千克,致密料價(jià)格58-67元/千克,多晶硅價(jià)格大穩(wěn)小動(dòng)。 隨著6月底多筆萬(wàn)噸大單簽訂多晶硅生產(chǎn)企業(yè)庫(kù)存壓力顯著減少,市場(chǎng)價(jià)格觸底言論盛行,多家貿(mào)易商進(jìn)場(chǎng)囤貨
2023-07-14 16:15:57191

剛宣布138億募資計(jì)劃!硅片巨頭大降價(jià)

從市場(chǎng)形勢(shì)來(lái)看,“硅片雙寡頭”紛紛大舉調(diào)降硅片報(bào)價(jià),也在業(yè)界意料之中。畢竟,上游多晶硅價(jià)格在5-6月份再次出現(xiàn)大幅下跌,僅6月份的跌幅就超過(guò)40%。光伏產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品價(jià)格全線下滑,硅片實(shí)際上成交均價(jià)也低于公示的報(bào)價(jià)。因此,下調(diào)報(bào)價(jià)也是情理之中的事情。
2023-07-13 16:15:55315

2023半程已過(guò)硅料價(jià)格觸底?下半年硅料、硅片市場(chǎng)展望

2023年上半年,國(guó)內(nèi)光伏市場(chǎng)“劇烈動(dòng)蕩”,在市場(chǎng)各個(gè)主材環(huán)節(jié)過(guò)剩的大背景下,光伏上游價(jià)格出現(xiàn)“雪崩”,SMM價(jià)格追蹤顯示截至6月30日,國(guó)內(nèi)多晶硅價(jià)格較上半年高點(diǎn)跌幅達(dá)到72.2%,182mm硅片
2023-07-13 15:02:291519

IGBT輸出IV溫度特性介紹

IGBT單胞結(jié)構(gòu)參數(shù):溝道長(zhǎng)度4.3μm,溝道寬度2E4μm,多晶硅區(qū)半寬度13μm,窗口區(qū)半寬度12μm
2023-07-05 10:40:22585

硅通孔TSV-Through-Silicon Via

編者注:TSV是通過(guò)在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通;TSV技術(shù)通過(guò)銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充,實(shí)現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互聯(lián),這項(xiàng)技術(shù)是目前唯一的垂直電互連技術(shù),是實(shí)現(xiàn)3D先進(jìn)封裝的關(guān)鍵技術(shù)之一。
2023-07-03 09:45:342001

可控與中繼的區(qū)別#硬聲創(chuàng)作季

可控
或許發(fā)布于 2023-06-27 18:19:14

單相可控的使用方法#硬聲創(chuàng)作季

可控
或許發(fā)布于 2023-06-27 18:14:01

9.6 多晶硅薄膜材料

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:42:09

9.5 非晶薄膜材料(下)

jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:41:04

離子注入技術(shù)在MOSFET單元陣列之間和連接方面的應(yīng)用

在DRAM生產(chǎn)中,離子注入技術(shù)被應(yīng)用于減少多晶硅和硅襯底之間的接觸電阻,這種工藝是利用高流量的P型離子將接觸孔的硅或多晶硅進(jìn)行重?fù)诫s。
2023-06-19 09:59:27317

為什么氮化鎵比更好?

氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶,是指電子從原子核軌道上脫離出來(lái)所需要的能量,氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev,是的 3 倍多,所以說(shuō)氮化鎵擁有寬禁帶特性(WBG)。 的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16

單晶硅和多晶硅的區(qū)別

什么是單晶硅,什么是多晶硅,二者究竟是怎么形成的,單晶硅和多晶硅有什么區(qū)別,多晶矽與單晶硅的主要差異體現(xiàn)在物理性質(zhì)方面,主要包括力學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)等方面,下面具體來(lái)了解下。
2023-06-12 16:44:423975

多晶硅內(nèi)摻雜物的擴(kuò)散效應(yīng)

當(dāng)晶體管尺寸縮小時(shí),多晶硅內(nèi)摻雜物的擴(kuò)散效應(yīng)可能會(huì)影響器件的性能。
2023-06-11 09:09:19727

多晶硅和單晶硅光伏板哪個(gè)好

單晶硅光伏板和多晶硅光伏板都是太陽(yáng)能電池板的類型,其主要區(qū)別在于材料。   單晶硅光伏板是由單個(gè)晶體制成的硅片組成。該類型的太陽(yáng)能電池板具有較高的轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性,因此在太陽(yáng)能發(fā)電領(lǐng)域中應(yīng)用較為廣泛。但是,制造過(guò)程成本較高,價(jià)格較貴。
2023-06-08 16:04:414914

基于反型層電荷的模型

BSIM5模型從基本的一維MOSFET物理學(xué)出發(fā),推導(dǎo)出基本的電荷和通道電流方程,然后將其擴(kuò)展到準(zhǔn)二維和三維情況,包括短通道、窄通道、多晶硅耗盡和量子力學(xué)效應(yīng)。
2023-06-08 09:01:57860

晶片濕法刻蝕方法

硅的堿性刻蝕液:氫氧化鉀、氫氧化氨或四甲基羥胺(TMAH)溶液,晶片加工中,會(huì)用到強(qiáng)堿作表面腐蝕或減薄,器件生產(chǎn)中,則傾向于弱堿,如SC1清洗晶片或多晶硅表面顆粒,一部分機(jī)理是SC1中的NH4OH
2023-06-05 15:10:011596

【周評(píng)】組件大幅走跌,光伏市場(chǎng)價(jià)格混戰(zhàn)!P-N出現(xiàn)同價(jià)!

多晶硅 晶7元/千克,多晶硅致密料主流價(jià)格110-123元/千克,多晶硅價(jià)格指數(shù)106.23元/千克。 多晶硅價(jià)格再度走跌,多晶硅庫(kù)存持續(xù)走高目前已經(jīng)逼近13萬(wàn)大關(guān),硅片價(jià)格的走跌一定程度加速
2023-06-05 09:53:13918

SMM硅基光伏晨會(huì)紀(jì)要(工業(yè)硅、多晶硅、電池片、組件、光伏玻璃)

審核編輯?黃宇
2023-06-05 09:52:18153

SMM硅基光伏晨會(huì)紀(jì)要(多晶硅、電池片、光伏膠膜、光伏玻璃、逆變器)

審核編輯?黃宇
2023-06-01 09:38:20245

5.5太陽(yáng)能級(jí)多晶硅的物理冶金制備

半導(dǎo)體
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-01 00:07:55

單向可控的如何使用#硬聲創(chuàng)作季

可控
也許吧發(fā)布于 2023-05-31 11:22:21

SMM硅基光伏晨會(huì)紀(jì)要(硅石、工業(yè)硅、多晶硅、硅片......)

審核編輯?黃宇
2023-05-31 10:04:53149

EPON系統(tǒng)的上行及下行分別采用哪種數(shù)據(jù)傳輸方式?

EPON系統(tǒng)的上行及下行分別采用哪種數(shù)據(jù)傳輸方式?
2023-05-16 14:59:06

半導(dǎo)體工藝設(shè)備之單晶爐工藝流程

單晶爐,全自動(dòng)直拉單晶生長(zhǎng)爐,是一種在惰性氣體(氮?dú)?、氦氣為主)環(huán)境中,用石墨加熱器將多晶硅多晶材料熔化,用直拉法生長(zhǎng)無(wú)錯(cuò)位單晶的設(shè)備。
2023-05-16 09:48:515624

MP3V5050GP測(cè)量密閉容器時(shí),輸出ADC一直在緩慢下降是為什么?

密閉容器內(nèi)注入一定壓力(比如20Kpa)的空氣,等待一段時(shí)間(比如5秒后)穩(wěn)定下來(lái),檢測(cè)容器的壓力。發(fā)現(xiàn)輸出ADC一直在緩慢下降,不穩(wěn)定。
2023-05-16 08:33:06

LTC3524EUF#TRPBF是一款驅(qū)動(dòng)器

LTC?3524 是一款集成 BIAS 和白光 LED 功率轉(zhuǎn)換器解決方案,以用于中小尺寸的多晶硅薄膜晶體管 (TFT) 液晶 (LCD) 顯示屏。該器件采用單節(jié)鋰離子/鋰聚合物電池或任何 2.5V
2023-05-15 17:04:32

基于89C51單片機(jī)的點(diǎn)陣模擬電梯上行下行源程序

基于89C51單片機(jī)的點(diǎn)陣模擬電梯上行下行源程序
2023-05-12 17:25:021

LS1046A LSDK 20.04 longrun后IPsec下行數(shù)據(jù)不通問(wèn)題如何解決?

我們遇到了 IPSec 問(wèn)題。使用IPSec接收下行報(bào)文,一段時(shí)間后,核心層收不到報(bào)文。 我們正在嘗試調(diào)試這個(gè)問(wèn)題 我進(jìn)行了以下檢查(問(wèn)題發(fā)生前后,下行包填充率保持不變) 1. 檢查網(wǎng)絡(luò)端口
2023-05-08 07:48:45

如何計(jì)算5G下行峰值速率?

呢就是出現(xiàn)在很多LTE資料的的時(shí)頻資源圖,下面就結(jié)合該圖簡(jiǎn)單說(shuō)一下5G峰值速率計(jì)算。   二、圖說(shuō)NR下行峰值速率計(jì)算   頻域可用資源      5G NR中數(shù)據(jù)信道基本調(diào)度單位PRB定義為12個(gè)子
2023-05-05 10:05:19

光伏電站的光伏板電壓是多少

光伏電站的光伏板電壓是變化的,因?yàn)樗艿蕉鄠€(gè)因素的影響。一般來(lái)說(shuō),標(biāo)準(zhǔn)的單晶或多晶硅太陽(yáng)能電池板的額定電壓為大約 30 ~ 40 伏特。
2023-04-11 15:28:0422601

定制觸摸屏的價(jià)格貴嗎?

隨著科技的不斷發(fā)展和創(chuàng)新,觸摸屏已經(jīng)成為人們?nèi)粘I詈凸ぷ髦斜夭豢缮俚囊徊糠?。與此同時(shí),越來(lái)越多的人開(kāi)始了解和使用定制觸摸屏,以滿足不同場(chǎng)合和需求的個(gè)性化需求。那么,定制觸摸屏的價(jià)格究竟如何呢?首先
2023-04-11 11:23:35

光耦MOC3063驅(qū)動(dòng)可控

如圖所示:1.單片機(jī)給IO口發(fā)送一個(gè)高電平后光耦3063會(huì)立即導(dǎo)通還是在交流電壓的過(guò)零點(diǎn)導(dǎo)通2.如果光耦在輸入電壓的過(guò)零點(diǎn)導(dǎo)通,是否可以認(rèn)為可控兩端的電壓為零,此時(shí)可控不導(dǎo)通,那如果是這樣請(qǐng)問(wèn)這個(gè)電路可控是何時(shí)導(dǎo)通的,又是和是關(guān)斷的 。導(dǎo)通是可控T2和G極之間的電壓為多少,怎么理解
2023-04-10 21:59:00

半導(dǎo)體行業(yè)之刻蝕工藝技術(shù)

DRAM柵工藝中,在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層,然后再使用氯元素刻蝕多晶硅。
2023-04-07 09:48:162195

多晶硅蝕刻工藝講解

下圖顯示了Intel的第6代晶體管(6T)SRAM尺寸縮小時(shí)間表,以及多晶硅柵刻蝕技術(shù)后從90nm到22nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)6TSRAM單元的SEM圖像俯視視圖??梢钥闯?,SRAM的布局從65nm節(jié)點(diǎn)已發(fā)生
2023-04-03 09:39:402451

74HC40103D,653

8位同步二進(jìn)制下行計(jì)數(shù)器
2023-03-28 15:04:28

壓電致動(dòng)器與粘滑原理仿真

,所以滑塊向前運(yùn)動(dòng)  急速回零電壓,壓電致動(dòng)器快速運(yùn)動(dòng)超出反應(yīng)出現(xiàn)粘滑現(xiàn)象,所以滑塊不動(dòng),壓電片歸零  向后運(yùn)動(dòng)應(yīng)變片, 緩慢下降電壓,運(yùn)動(dòng)范圍速度不足以產(chǎn)生粘滑現(xiàn)象,所以滑塊向后運(yùn)動(dòng) 急速上升電壓
2023-03-27 17:25:52

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