2021 年，JEDEC 宣布發(fā)布 JESD79-5 DDR5 SDRAM 標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)志著行業(yè)向 DDR5 dual-inline memory modules （DIMM） 的過渡。
2024-03-17 09:50:37
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DDR 代表雙倍數(shù)據(jù)速率double data rate，GDDR 代表圖形雙倍數(shù)據(jù)速率graphics double data rate。
2024-03-17 09:24:53234 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR2、DDR3和DDR3L內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器TPS51216數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 13:58:12
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《適用于DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4且具有VTTREF緩沖基準(zhǔn)的TPS51206 2A峰值灌電流/拉電流DDR終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 13:53:030 該內(nèi)存速度高達(dá)5600MT/s，并可同時(shí)兼容5200和4800 MT/s。據(jù)詳情頁介紹，其工作電壓僅為1.1V，相較于DDR4 3200內(nèi)存，性能提升幅度為1.5倍，且將于本月底開始出貨。
2024-03-13 11:43:0589 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51916完整DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4存儲器電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 11:24:340 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4內(nèi)存電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 11:13:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 10:16:450 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）對便攜儲能行業(yè)來說，2023年是烈火烹油的一年，行業(yè)競爭激烈，加上儲能裝機(jī)超預(yù)期，碳酸鋰價(jià)格下降以及電芯產(chǎn)能過剩帶動的電芯價(jià)格下降。讓整個眾多相關(guān)從業(yè)者愁云慘淡，行業(yè)也亟需找到新的市場來市場庫存與過剩的產(chǎn)能，而替代汽柴油發(fā)電機(jī)或?qū)⑹窍乱粋€儲能市場的爆點(diǎn)。
2024-03-11 00:15:422721 2024年，在碳酸鋰價(jià)格下降、產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程無明顯進(jìn)展的“內(nèi)憂外患”下，鈉離子電池產(chǎn)業(yè)投融資環(huán)境收緊。
2024-03-08 10:02:32343 
而作為一款給力的主板，映泰A620MH Aurora為M-ATX板型設(shè)計(jì)，具備雙DDR5內(nèi)存插槽；同時(shí)搭配了瑞昱RTL8111H千兆網(wǎng)卡以及ALC897音頻芯片。
2024-03-01 13:51:57158 瀾起科技近日在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)分享了關(guān)于DDR5內(nèi)存子代RCD芯片的最新動態(tài)。據(jù)瀾起科技預(yù)測，DDR5第二子代RCD芯片的需求將在2024年超過第一子代RCD芯片。更進(jìn)一步，DDR5第三子代RCD芯片
2024-02-02 10:27:35232 DDR一致性測試的操作步驟? DDR（雙數(shù)據(jù)率）一致性測試是對DDR內(nèi)存模塊進(jìn)行測試以確保其性能和可靠性。在進(jìn)行DDR一致性測試時(shí)，需要遵循一系列的操作步驟，以保證測試的準(zhǔn)確性和完整性。下面將詳細(xì)
2024-02-01 16:24:52206 動力電池價(jià)格下降主要原因?yàn)樵牧?b class="flag-6" style="color: red">下降及動力電池工藝改進(jìn)帶來的成本下降。
2024-01-22 15:05:09104 DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大？怎么選擇更好？ DDR6和DDR5是兩種不同的內(nèi)存技術(shù)，它們各自在性能、功耗、帶寬等方面都有不同的特點(diǎn)。下面將詳細(xì)比較這兩種內(nèi)存技術(shù)，以幫助你選擇更適合
2024-01-12 16:43:052848 特斯拉打響2024年第一降 Model 3后輪驅(qū)動煥新版價(jià)格下降1.55萬 就在23年特斯拉銷量被比亞迪反超后似乎特斯拉開始著急了，24年開年沒幾天就開啟卷卷卷模式，特斯拉又搞降價(jià)。今天據(jù)特斯拉官方
2024-01-12 16:08:52467 硬件世界拉斯維加斯現(xiàn)場報(bào)道：CES 2024大展期間，雷克沙帶來了豐富的存儲方案，涵蓋SSD、內(nèi)存、存儲卡等，包括頂級的PCIe 5.0 SSD、DDR5高頻內(nèi)存。
2024-01-12 10:32:27282 
初始化 DDR2 內(nèi)存之后，嘗試往內(nèi)存空間寫入 256MBytes 大小的數(shù)據(jù)，發(fā)現(xiàn)寫進(jìn)去的數(shù)據(jù)并不全對，有很多數(shù)據(jù)會有錯，不知道這個又是因?yàn)槭裁丛蛞鸬?，那要是以后從外部存儲上?Copy 程序到
2024-01-04 21:56:29
LPDDR5和DDR5是兩種不同類型的內(nèi)存，它們在時(shí)序和性能方面有一些差異。盡管它們都是最新一代的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，但它們面向不同的應(yīng)用場景，并且在設(shè)計(jì)上有一些不同。 首先，讓我們來了解一下LPDDR5
2024-01-04 10:22:061155 關(guān)于2023年第三季度毛利率增長原因，瀾起科技指出，主要是因?yàn)?DDR5內(nèi)存接口芯片出貨量占比提升，特別是 DDR5 第二子代 RCD 芯片出貨量及其占比顯著提升。
2024-01-03 13:52:11270 在最為重要的內(nèi)存顆粒上，根據(jù)軟件檢測，這款內(nèi)存采用了編號為“H5CG48AEBDX018”的SK海力士A-die顆粒，與市面上大部分DDR5 7600、DDR5 8000等高速率內(nèi)存使用的顆粒相同，這也意味著該內(nèi)存可能具備優(yōu)秀的超頻潛力。
2024-01-02 14:37:01192 
沿和下降沿均能傳輸數(shù)據(jù)的方式，從而有效提高了數(shù)據(jù)傳輸速率。而多片DDR菊花鏈拓?fù)溥B接是一種常見的連接方式，被廣泛應(yīng)用在電子設(shè)備中，如計(jì)算機(jī)內(nèi)存模塊、顯卡等。 在多片DDR菊花鏈拓?fù)溥B接中，數(shù)據(jù)通過芯片之間的時(shí)鐘和數(shù)據(jù)線傳輸，菊花鏈
2023-12-29 13:54:29278 DDR加終端匹配電阻和不加信號質(zhì)量的區(qū)別? DDR（雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率）是一種常用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的高速數(shù)據(jù)傳輸技術(shù)。在DDR中，終端匹配電阻和信號質(zhì)量是對于數(shù)據(jù)傳輸穩(wěn)定性至關(guān)重要的兩個方面。下面將詳細(xì)
2023-12-29 13:54:22316 在DDR4年代，芝奇與阿斯加特成功完成逆襲，從原先的落落無名轉(zhuǎn)變?yōu)槿缃袷艿綇V大DIY玩家追捧的內(nèi)存廠商。
2023-12-29 10:41:00247 
時(shí)鐘頻率：可通過倍頻技術(shù)升級的核心頻率。時(shí)鐘頻率可以理解為IO Buffer的實(shí)際工作頻率，DDR2中時(shí)鐘頻率為核心頻率的2倍，DDR3 DDR4中時(shí)鐘頻率為核心頻率的4倍。
2023-12-25 18:18:471188 
的引腳介紹
DDR內(nèi)存條的引腳數(shù)，取決于內(nèi)存條的類型和規(guī)格。以下是一些常見的 DDR內(nèi)存條類型和它們的引腳數(shù) ：
DDR1內(nèi)存條，184引腳（92針對每側(cè)）
DDR2內(nèi)存條，240引腳（120針對每側(cè)
2023-12-25 14:02:58
的引腳介紹
DDR內(nèi)存條的引腳數(shù)，取決于內(nèi)存條的類型和規(guī)格。以下是一些常見的 DDR內(nèi)存條類型和它們的引腳數(shù) ：
DDR1內(nèi)存條，184引腳（92針對每側(cè)）
DDR2內(nèi)存條，240引腳（120針對每側(cè)
2023-12-25 13:58:55
影馳20周年紀(jì)念版星曜DDR5-7200 24GB內(nèi)存采用了海力士M-Die顆粒，其超頻潛力可與SK海力士的A-Die顆粒相媲美。
即便頻率高達(dá)7200MHz，內(nèi)存時(shí)序依舊被壓制在36-46-46-116 CR2，電壓則是1.4V。
2023-12-21 15:53:31120 
如今，各行業(yè)正在加速向DDR5新紀(jì)元邁進(jìn)，無論是PC、筆記本電腦還是人工智能，都對DDR5有強(qiáng)烈的需求。隨著內(nèi)存市場需求的回暖，內(nèi)存芯片供應(yīng)商們已著手在今年第 4 季度全面拉高 DDR5 產(chǎn)能，逐步取代現(xiàn)今的 DDR4。2024年，DDR5作為一款高附加值的DRAM，將繼續(xù)受到業(yè)界各大廠商的青睞。
2023-12-13 14:31:41304 
通過在時(shí)鐘上升沿和下降沿的同時(shí)傳輸數(shù)據(jù)，實(shí)現(xiàn)了比傳統(tǒng)SDRAM更高的傳輸速率。目前，市場上主要有DDR、DDR2、DDR3、DDR4等幾代DDR內(nèi)存。
2023-12-11 09:27:49320 追風(fēng)A60采用新一代DDR5內(nèi)存規(guī)格，相較DDR4，性能提升接近1倍。高配6000MHz頻率實(shí)現(xiàn)DDR4 3200MHz的1.6倍傳輸速度和1.9倍傳輸帶寬，讓用戶在使用臺電內(nèi)存條時(shí)獲得更快速、更流暢的電腦體驗(yàn)。
2023-12-05 15:52:49403 
為滿足對高效內(nèi)存性能日益增長的需求，DDR5相比其前身DDR4實(shí)現(xiàn)了性能的大幅提升，具體為傳輸速度更快、能耗更低、穩(wěn)定性提高、內(nèi)存密度更大和存取效率提高等。
2023-12-05 10:50:40211 
據(jù)報(bào)道，臺積電的成熟工程的價(jià)格下降，實(shí)際上只是降低了部分光掩模的費(fèi)用，并沒有降低委托生產(chǎn)的價(jià)格。此外，真正下降的是7納米工藝，價(jià)格下降幅度為5%至10%，取決于顧客的投入量。
2023-11-30 15:00:48572 隨著DDR5信號速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大，DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯誤的風(fēng)險(xiǎn)也隨之增加，為進(jìn)一步改善內(nèi)存信道，糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯誤，DDR5引入了片上ECC技術(shù)，將ECC集成到DDR5芯片內(nèi)部，提高可靠性并降低風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)還能降低缺陷率。
2023-11-30 14:49:31106 
對于ddr5市場的發(fā)展，威剛表示，現(xiàn)階段觀察到需求端春燕來臨，主要來自pc，隨著顧客需求的明顯好轉(zhuǎn)和pc內(nèi)存內(nèi)容的提高，明年上半年ddr5將超過ddr4，形成黃金交叉。目前在現(xiàn)貨市場上，ddr5的單價(jià)比ddr4高4-50%，從威強(qiáng)的情況來看，ddr5比重的上升有助于總利潤率。
2023-11-24 10:38:38217 存儲器一般來說可以分為內(nèi)部存儲器(內(nèi)存)，外部存儲器(外存)，緩沖存儲器(緩存)以及閃存這幾個大類。內(nèi)存也稱為主存儲器，位于系統(tǒng)主機(jī)板上，可以同CPU直接進(jìn)行信息交換。
2023-11-04 17:53:251406 
trendforce的分析師敖國鋒表示，從8、9月份開始，內(nèi)存價(jià)格出現(xiàn)了逆轉(zhuǎn)，甚至從第四季度開始，許多手機(jī)的季度訂價(jià)確實(shí)開始上升，大約在10%到15%之間。
2023-11-03 09:44:35204 ? 研華推出 SQRAM DDR5 5600 系列工業(yè)內(nèi)存。該系列緊跟計(jì)算機(jī)內(nèi)存全新風(fēng)潮，支持DDR5， 數(shù)據(jù)傳輸速度高達(dá)5600MT/s 。SQRAM 5600 系列的速度快如閃電，帶寬從 8GB
2023-11-02 16:26:56537 
DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開始對兩者有了更多的關(guān)注。 DDR
2023-10-30 09:22:003885 在集中削減DDR4產(chǎn)量的同時(shí)，主要DRAM芯片制造商正在迅速轉(zhuǎn)向利潤更高的DDR5生產(chǎn)。預(yù)計(jì)到2023年底，他們的DDR5內(nèi)存bit銷售額合計(jì)將占bit銷售額總額的30-40%。
2023-10-29 15:59:48603 
隨著數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載所需cpu核心數(shù)量的增加，對更高內(nèi)存帶寬和容量的要求增加，克服了“內(nèi)存墻”問題，優(yōu)化了總擁有費(fèi)用。美光公司的 1β DDR5 DRAM 可以進(jìn)一步擴(kuò)展性能，支持?jǐn)?shù)據(jù)中心和客戶端平臺之間的人工智能（ai）訓(xùn)練和推理
2023-10-13 10:55:04615 遇到一個比較有意思的問題。一個朋友問我說：他的電腦內(nèi)存壞了，想換一條新的內(nèi)存，換DDR5內(nèi)存條是不是更好？看了他的配置之后，電腦使用的是DDR4的條子。顯然這是不能換的。
2023-10-10 11:18:13605 
摘要：本文將對DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的比較，分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場景。通過對比這兩種內(nèi)存技術(shù)，為讀者在購買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時(shí)提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:101088 DDR4 3200和3600是內(nèi)存模塊的頻率標(biāo)準(zhǔn)，表示其頻率值，具有以下差異
2023-09-26 15:24:188969 我們在買DDR內(nèi)存條的時(shí)候，經(jīng)常會看到這樣的標(biāo)簽DDR3-1066、DDR3-2400等，這些名稱都有什么含義嗎？請看下表。
2023-09-26 11:35:331922 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有最大1Gb DDR2 SDRAM的SAMA5D2 SIP MPU.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 10:11:120 相對于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化，比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計(jì)為中間稍微突出，邊緣變矮的形狀，在中央的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)以平滑曲線過渡，這樣的設(shè)計(jì)可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:441478 
三星公司計(jì)劃在下半年再次削減DRAM制程的產(chǎn)能，而今年以來這一減產(chǎn)主要針對DDR4。業(yè)界普遍預(yù)期，三星的目標(biāo)是在今年年底之前將庫存水平降至合理水平。這一減產(chǎn)舉措可能會導(dǎo)致DDR4市場價(jià)格上漲，而目前
2023-09-15 17:42:08996 DDR3帶寬計(jì)算之前，先弄清楚以下內(nèi)存指標(biāo)。
2023-09-15 14:49:462497 
在全默認(rèn)設(shè)置的情況下，影馳HOF OC Lab幻跡S DDR5 8000內(nèi)存的工作速率為DDR5 4800，延遲設(shè)定為40-40-40-76，因此在這個設(shè)置下它的內(nèi)存性能并不突出，與普通的DDR5 4800內(nèi)存相當(dāng)。
2023-09-15 10:40:42750 
2022年第四季度DRAM行業(yè)營收環(huán)比下降超過三成，跌幅超過2022年第三季度。2022年第四季度DDR4內(nèi)存價(jià)格環(huán)比下降23-28%，DDR5內(nèi)存價(jià)格下降30%-35%。2022年第四季度DRAM
2023-09-12 17:52:44758 
瀾起科技還介紹說，根據(jù)存儲接口芯片的價(jià)格規(guī)律，一般來說，新一代產(chǎn)品由于技術(shù)和性能升級，其起銷價(jià)格會比上一代有所提高，上一代產(chǎn)品的售價(jià)會逐漸降低。為了保持存儲接口芯片產(chǎn)品的平均售價(jià)，使用了持續(xù)的重復(fù)世代。與ddr4代相比，ddr5內(nèi)存接口芯片的初期銷售價(jià)格大幅上漲。
2023-09-07 14:43:34705 調(diào)查公司techinsights預(yù)測，從2023年開始到2028年為止，即使全世界智能手表產(chǎn)品的平均銷售價(jià)格下降，銷售量也會持續(xù)增加，全世界智能手表的收益也會增加。全球智能手表進(jìn)口到2024年將增長7%，預(yù)計(jì)到2028年市場規(guī)模將達(dá)到350億美元。
2023-08-24 10:24:25859 
DDR4 3200和DDR4 3600是兩種常見的內(nèi)存頻率規(guī)格，它們在性能上會有一定的差別，但差別大小取決于具體的應(yīng)用場景和系統(tǒng)配置。
2023-08-22 14:45:0528246 的內(nèi)存速度和更低的功耗。 LPDDR4和LPDDR4X的主要區(qū)別在于功耗上的優(yōu)化。 LPDDR4內(nèi)存 LPDDR4內(nèi)存是一種第四代低功耗DDR內(nèi)存，是DDR4和DDR3的改進(jìn)版本。該內(nèi)存的最大優(yōu)點(diǎn)是速度
2023-08-21 17:16:445949 PL341內(nèi)存控制器是一款高性能、面積優(yōu)化的DDR2 SDRAM內(nèi)存控制器，兼容高級微控制器總線架構(gòu)(AMBA)AXI協(xié)議。
有關(guān)AXI協(xié)議的詳細(xì)說明，請參閱AMBA AXI協(xié)議規(guī)范。
本節(jié)總結(jié)了周期模型的功能與硬件的功能，以及周期模型的性能和準(zhǔn)確性。
2023-08-12 06:01:49
DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們在電氣特性和引腳布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2512789 CoreLink DDR2動態(tài)存儲器控制器(DMC-341)技術(shù)參考手冊
2023-08-02 15:28:28
隨著制程工藝的進(jìn)步，DRAM內(nèi)存芯片也面臨著CPU/GPU一樣的微縮難題，解決辦法就是上EUV光刻機(jī)，但是設(shè)備實(shí)在太貴，現(xiàn)在還要榨干DUV工藝最后一滴，DDR5內(nèi)存有望實(shí)現(xiàn)單條1TB。
2023-07-31 17:37:07875 
的工作原理 DDR芯片內(nèi)存的工作原理可以分為兩部分， 一部分是時(shí)序，一部分是數(shù)據(jù)傳輸 。 控制DDR內(nèi)存的時(shí)序，是由內(nèi)存控制器控制的，它負(fù)責(zé)管理內(nèi)存的讀寫操作。內(nèi)存控制器會向DDR內(nèi)存發(fā)送時(shí)鐘信號，這個時(shí)鐘信號被稱為 系統(tǒng)時(shí)鐘 。 DDR內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸，是通過前沿和下降沿來實(shí)現(xiàn)的
2023-07-28 13:12:061877 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-24 09:50:470 由于人工智能需求激增，HBM和DDR5的價(jià)格和需求不斷增長。
2023-07-21 18:13:27415 DDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器”。DDR是一種技術(shù)，中國大陸工程師習(xí)慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM，而在中國臺灣以及歐美，工程師習(xí)慣用DRAM來稱呼。
2023-07-16 15:27:103362 
今天我們測試的這款芝奇幻鋒戟Z5 RGB DDR5內(nèi)存，在1.35V的電壓上就上到了7200MHz高頻，時(shí)序也控制在CL36-46-46-115 CR2，并且單條容量達(dá)到了24GB。
2023-06-26 10:39:41869 
本設(shè)計(jì)筆記顯示了用于工作站和服務(wù)器的高速內(nèi)存系統(tǒng)的雙倍數(shù)據(jù)速率 （DDR） 同步 DRAM （SDRAM）。使用MAX1864 xDSL/電纜調(diào)制解調(diào)器電源，電路產(chǎn)生等于并跟蹤VREF的終止電壓（VTT）。
2023-06-26 10:34:36549 
這里介紹兩種方式改善帶有ECC的奇數(shù)負(fù)載的DDR2信號質(zhì)量。一種不需要改變拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，另一種需要對拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)整。
2023-06-15 17:39:34474 
★ DDR內(nèi)存條治具六大特點(diǎn) 有哪些呢？
讓凱智通小編為你解答~
①通用性高：只需換顆粒限位框，即可測試尺寸不同的顆粒；
②操作省力方便：采用手動翻蓋滾軸式結(jié)構(gòu)，相比同類產(chǎn)品減少磨損，達(dá)到更高的機(jī)械
2023-06-15 15:45:22
業(yè)界對DDR5 DRAM的市場預(yù)期不太樂觀。
2023-06-05 10:36:31302 
倚天710支持支持最先進(jìn)的DDR5 DRAM，為云計(jì)算和HPC提供巨大的內(nèi)存帶寬。
2023-05-30 15:09:002017 
和筆記本。內(nèi)存模組的類型決定了所需的內(nèi)存接口芯片和內(nèi)存模組配套芯片。 ? ? ? 內(nèi)存進(jìn)入 DDR5 新世代，標(biāo)準(zhǔn)升級拉動相關(guān)芯片需求。與 DDR4 相比， DDR5 的優(yōu)勢可簡單地概括為： （ 1）速度
2023-05-29 14:07:381359 
、時(shí)序和可編程參數(shù)。DFI 適用于所有 DRAM 協(xié)議，包括 DDR4、DDR3、DDR2、DDR、LPDDR4、LPDDR3、LPDDR2 和 LPDDR。
2023-05-26 15:27:314564 
應(yīng)用處理器
ARM Cortex的高級實(shí)現(xiàn)?-A8核心，針對最低功耗進(jìn)行了優(yōu)化。
i.MX53xD處理器采用ARM Cortex?-A8核心，其工作時(shí)鐘速度高達(dá)1.2千兆赫。
它提供DDR2
2023-05-11 11:04:19
DDR4內(nèi)存模塊支持單個64位通道(如果考慮ECC，則為72位通道)。相比之下，DDR5內(nèi)存模塊配備了兩個獨(dú)立的32位通道(40位ECC)。
2023-05-08 10:27:441330 內(nèi)存是數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器以及個人計(jì)算機(jī)等技術(shù)發(fā)展的重要組成。目前內(nèi)存的發(fā)展是由DDR技術(shù)路線引導(dǎo)，TE Connectivity(以下簡稱“TE”)經(jīng)歷了DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的迭代
2023-05-06 17:33:421392 
將 DDR4 內(nèi)存添加到 imx8mp
2023-04-20 10:59:17
DDR5在服務(wù)器市場的滲透率正在進(jìn)一步提高，進(jìn)入放量期。
2023-04-15 10:23:171778 ls1046a ddr 內(nèi)存 8G 升級到 16G 硬件和軟件需要哪些改動 ..?
2023-04-10 06:21:57
的生產(chǎn)成本不斷降低。此外，鋰電池的產(chǎn)量也不斷增加，這也導(dǎo)致價(jià)格下降。預(yù)計(jì)未來幾年，鋰電池價(jià)格將繼續(xù)下降。 1、鋰電池價(jià)格與技術(shù)的關(guān)系 鋰電池的價(jià)格和技術(shù)緊密相關(guān)。隨著鋰電池技術(shù)的不斷進(jìn)步，其性能和質(zhì)量得到了顯
2023-04-07 10:03:421458 
DDR內(nèi)存1代已經(jīng)淡出市場，直接學(xué)習(xí)DDR3 SDRAM感覺有點(diǎn)跳躍；如下是DDR1、DDR2以及DDR3之間的對比。
2023-04-04 17:08:472867 
我們使用 10*MT40A1G16 獲得 16GB 內(nèi)存，一個 ddr 控制器連接 8GB。三個問題：1)在codewarrior ddr config上，我們應(yīng)該選擇什么dram類型？NoDimm
2023-04-03 07:24:21
IP CORE DDR2 SDRAM XO2
2023-03-30 12:02:09
SITE LICENSE DDR2 SDRAM ECP3
2023-03-30 12:01:46
SITE LICENSE DDR2 SDRAM ECP2
2023-03-30 12:01:46
SITE LICENSE DDR2 SDRAM ECP2M
2023-03-30 12:01:46
IP CORE DDR2 SDRAM XO2
2023-03-30 12:01:19
IP CORE DDR2 SDRAM CTLR ECP2M
2023-03-30 12:01:17
IP CORE DDR2 SDRAM CTLR ECP3
2023-03-30 12:01:16
IP CORE DDR2 SDRAM CTLR ECP2
2023-03-30 12:01:16
IP CORE DDR2 SDRAM CTLR SC/SCM
2023-03-30 12:01:16
的操作，但我仍然無法訪問內(nèi)存區(qū)域。我是如何一步一步粗略地做到這一點(diǎn)的：初始化 DDR 控制器 1 和 2 -> 為每個控制器開啟 TZC 網(wǎng)守 -> 應(yīng)用內(nèi)存區(qū)域信息 -> 設(shè)置操作
2023-03-29 07:58:56
DDR內(nèi)存電源控制器
2023-03-28 21:13:19
各家的Intel 600、700系列主板都已陸續(xù)更新BIOS，搭檔12代、13代酷睿，可以順利使用24GB、48GB內(nèi)存，AMD平臺呢？
2023-03-27 14:27:49294 我一直在研究 BL2 上的 DDR 驅(qū)動程序，并注意到 *** 設(shè)置了對內(nèi)存區(qū)域的訪問，在研究 CW 腳本時(shí)也是如此。是否需要初始化 *** 才能訪問 DDR 內(nèi)存？我知道它不需要 MMU，但它與 TZ 一樣嗎？
2023-03-27 07:13:46
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