DDR5重新下跌 內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格未見回暖

業(yè)界對(duì)DDR5 DRAM的市場預(yù)期不太樂觀。

根據(jù)TrendForce最新公布的每周內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格，DDR5芯片的現(xiàn)貨價(jià)格已經(jīng)重回下跌趨勢(shì)，導(dǎo)致整體現(xiàn)貨價(jià)格沒有回暖跡象。

DRAM現(xiàn)貨市場：

DDR5芯片現(xiàn)貨價(jià)格再次震蕩下行，DDR4、DDR3產(chǎn)品現(xiàn)貨價(jià)格繼續(xù)呈逐日遞增跌勢(shì)。現(xiàn)貨市場整體還未出現(xiàn)價(jià)格反彈的跡象。

近期，部分買家尋求小批量訂單的報(bào)價(jià)，但這種需求并沒有產(chǎn)生足夠的動(dòng)力來擴(kuò)大整體成交量。目前，多數(shù)貿(mào)易商普遍認(rèn)為現(xiàn)貨價(jià)格已接近底部，但由于需求前景不樂觀，仍處于被動(dòng)備貨狀態(tài)。

主流芯片（即DDR4 1Gx8 2666MT/s）現(xiàn)貨均價(jià)由上周的1.543美元下跌0.97%至本周的1.528美元。

NAND Flash現(xiàn)貨市場：

供應(yīng)商供應(yīng)減少，效能顯現(xiàn)，目前市場已達(dá)成共識(shí)，價(jià)格無法再進(jìn)一步下跌。盡管交易量尚未相應(yīng)放大，但現(xiàn)貨價(jià)格整體開始企穩(wěn)。512Gb TLC 晶圓本周下跌 0.49%，至 1.420 美元。

盡管市場沒有回暖，但大廠的步伐沒有停止。SK海力士宣布，已完成現(xiàn)有DRAM中最為微細(xì)化的第五代10納米級(jí)（1b）技術(shù)研發(fā)，并將適用其技術(shù)的DDR5服務(wù)器DRAM提供于英特爾公司（Intel）開始了“英特爾數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)器認(rèn)證程序（The Intel Data CenterCertified memory program）”。

此程序是英特爾的服務(wù)器用第四代至強(qiáng)可擴(kuò)展平臺(tái)（ Intel Xeon Scalable platform）所采用的存儲(chǔ)器產(chǎn)品兼容性的正式認(rèn)證流程。

SK海力士向英特爾提供的DDR5 DRAM產(chǎn)品運(yùn)行速度高達(dá)6.4Gbps（每秒6.4千兆比特），公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了目前市面上DDR5 DRAM的最高速度。與DDR5 DRAM初期階段的試制品相比，數(shù)據(jù)處理速度提升了33%。

另外，公司在此次1b DDR5 DRAM上采用了“HKMG（High-K Metal Gate）”工藝，與1a DDR5 DRAM相比功耗減少了20%以上。

SK海力士強(qiáng)調(diào)：“通過1b技術(shù)的研發(fā)成功，將可向全球客戶供應(yīng)高性能與高效能功耗比兼?zhèn)涞腄RAM產(chǎn)品?！?/p>

SK海力士DRAM開發(fā)擔(dān)當(dāng)副社長金鍾煥說道：“就如于公司在今年1月將第四代10納米級(jí)（1a）DDR5服務(wù)器DRAM適用到英特爾第四代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器（4thGen Intel Xeon Scalable processors），并在業(yè)界首次獲得認(rèn)證，此次1bDDR5 DRAM產(chǎn)品驗(yàn)證也會(huì)成功完成?！?/p>

他又說到：“有預(yù)測稱從今年下半年起存儲(chǔ)器市場狀況將得到改善，公司將以1b工藝量產(chǎn)等業(yè)界最高的DRAM競爭力水平加速改善今年下半年業(yè)績。又計(jì)劃在明年上半年將最先進(jìn)的1b工藝擴(kuò)大適用于LPDDR5T和HBM3E產(chǎn)品?！?/p>

另外，SK海力士表示，為了將已完成一輪兼容性驗(yàn)證的1a DDR5DRAM適用于英特爾下一代至強(qiáng)可擴(kuò)展平臺(tái)的追加認(rèn)證流程也正在同步進(jìn)行中。

三星電子也正式宣布，采用12nm級(jí)工藝的DDR5 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)開啟了量產(chǎn)模式。這種新型內(nèi)存芯片單顆容量可以達(dá)到16Gb(2GB)，最高速度可達(dá)7.2Gbps(等效頻率7200MHz)，這相當(dāng)于每秒鐘可以處理兩個(gè)30GB超高清電影。與之前的產(chǎn)品相比，12nm DDR5的功耗降低了多達(dá)23％，同時(shí)晶圓生產(chǎn)率提高了20％，這將對(duì)服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的節(jié)能減排產(chǎn)生明顯的貢獻(xiàn)。值得一提的是，12nm級(jí)工藝的DDR5 DRAM內(nèi)存芯片的開發(fā)基于一種新型高K材料，該材料可以提高電池電容并使數(shù)據(jù)信號(hào)出現(xiàn)明顯的電位差，從而更易于準(zhǔn)確地區(qū)分。此外，三星還在降低工作電壓和噪聲方面取得了新的成果。

美光則在1月19日宣布推出新一代DDR5內(nèi)存模塊，產(chǎn)品覆蓋DDR5-5200/5600，最高擁有48GB容量的版本。據(jù)悉，美光新一代DDR5內(nèi)存可以支持5200MT/s和5600MT/s的數(shù)據(jù)傳輸速率，以及1.1V電壓下的CL46延遲，同時(shí)兼容AMDEXPO和英特爾XMP 3.0配置文件。該模塊在與英特爾處理器兼容上性能提升了49%，配置最高可達(dá)48GB。美光的新DDR5存儲(chǔ)模塊已在英特爾處理器芯片上完成了認(rèn)證。美光還與AMD在奧斯汀建立聯(lián)合服務(wù)器實(shí)驗(yàn)室，以縮短存儲(chǔ)芯片的驗(yàn)證周期。楊俊剛指出，從合作對(duì)象來看，三大存儲(chǔ)芯片廠商在DDR5方面主要與英特爾和超威半導(dǎo)體服務(wù)器處理芯片供應(yīng)商合作，能夠高效提升處理器芯片和存儲(chǔ)器芯片之間的兼容性。

DDR5作為新一代DRAM存儲(chǔ)技術(shù)，與DDR4相比在傳輸速率和容量方面出現(xiàn)較大突破。因此，廠商搶先布局DDR5，是構(gòu)筑自身DRAM技術(shù)優(yōu)勢(shì)的戰(zhàn)略需求。

但業(yè)界對(duì)DDR5 DRAM的市場預(yù)期不能太過樂觀。受到全球經(jīng)濟(jì)前景不明朗、市場持續(xù)低迷、客戶庫存水位較高等因素影響，服務(wù)器DRAM市場的復(fù)蘇速度將低于預(yù)期。Omdia預(yù)計(jì)，今年服務(wù)器DRAM中采用DDR5DRAM芯片的速度將比預(yù)期的要慢。此前，市場預(yù)計(jì)DDR5將占據(jù)服務(wù)器DRAM市場的28%，但當(dāng)前這一數(shù)字已被調(diào)整為13%。Omdia的數(shù)據(jù)顯示，2023年第一季度，DDR5 DRAM將僅占服務(wù)器DRAM市場的3%，第二季度為8%，這一比例將在第三季度躍升至15%，在第四季度將達(dá)到24%。

Server DRAM預(yù)估DDR5第一季價(jià)格跌幅約18~23%，略高于DDR4，但DDR5第一季度導(dǎo)入率僅約10%，故Server DRAM價(jià)格下跌幅度主要還是由DDR4決定，預(yù)估跌幅約15%~20%。

目前存儲(chǔ)器市場主要表現(xiàn)為市場需求疲軟、庫存仍處于高位，導(dǎo)致內(nèi)存芯片價(jià)格下滑，存儲(chǔ)器廠商整體營收下降。目前，市場下滑趨勢(shì)還未達(dá)到終點(diǎn)，預(yù)計(jì)將持續(xù)一段時(shí)間。專家認(rèn)為，這對(duì)DDR5 DRAM的市場滲透速度有較大影響。此外，由于目前DDR5成本較高，主要應(yīng)用領(lǐng)域是對(duì)算力要求較大的數(shù)據(jù)中心、元宇宙、人工智能等領(lǐng)域的服務(wù)器產(chǎn)品，目前DRAM市場主流產(chǎn)品還是以DDR4為主，DDR5替代DDR4產(chǎn)品還需要一定時(shí)間。

審核編輯：劉清