2012ARM嵌入式研討會(huì)報(bào)道 - 22nm工藝普及速度又創(chuàng)新高

據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道稱(chēng)，三星電子旗下的3納米工藝良品比例仍是一個(gè)問(wèn)題。報(bào)道中僅提及了“3nm”這一籠統(tǒng)概念，并沒(méi)有明確指出具體的工藝類(lèi)型。知情者透露，盡管有部分分析師認(rèn)為其已經(jīng)超過(guò)60%

瑞薩日前宣布，公司已基于STT-MRAM的電路技術(shù)開(kāi)發(fā)出具有快速讀寫(xiě)能力的測(cè)試芯片。該MCU 測(cè)試芯片采用 22 納米工藝制造，包括一個(gè) 10.8Mbit嵌入式 MRAM 存儲(chǔ)單元陣列。

梯隊(duì)的廠商們還在成熟工藝上穩(wěn)扎穩(wěn)打。 ? 早在兩年前，我們還會(huì)將28nm視作成熟工藝以及先進(jìn)工藝的分水嶺。但隨著3nm的推出，以及即將到來(lái)的2nm，成熟工藝的定義已經(jīng)發(fā)生了變化，分水嶺已然換成了T2和T3晶圓廠不愿投入的7nm/8nm工藝

中國(guó)化學(xué)與物理電源行業(yè)協(xié)會(huì)最新統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，2023年中國(guó)鋰離子電池的出口額創(chuàng)下了歷史新高。在2023年的1-12月期間，中國(guó)鋰離子電池累積出口額達(dá)到了650.07億美元，與2022年同期的508.76億美元相比，同比增長(zhǎng)了驚人的27.8%。

在熊本縣菊陽(yáng)町，臺(tái)積電、索尼和日本電裝聯(lián)合開(kāi)發(fā)了一個(gè)12英寸晶圓加工基地，該基地應(yīng)用12nm、16nm和22nm至28nm技術(shù)，預(yù)計(jì)月底建成。此外，其量產(chǎn)時(shí)間已定為2024年第四期。

目前，臺(tái)積電已完成與日本的一項(xiàng)聯(lián)合建設(shè)晶圓廠協(xié)議，預(yù)計(jì)在今年2月24日舉行投產(chǎn)慶典。日本的這處晶圓廠使用12nm、16nm、22nm及28nm等先進(jìn)制程工藝，自啟動(dòng)以來(lái)進(jìn)展順利，引來(lái)業(yè)界廣泛關(guān)注。

2nm工藝是臺(tái)積電采用的革新性GAA（Gate-All-Around）技術(shù)，在相同功耗下相比當(dāng)前最先進(jìn)的N3E工藝，速度提升10%至15%，或在相同速度下功耗降低25%至30%。這一突破將大大提升蘋(píng)果設(shè)備的性能，并延長(zhǎng)電池使用時(shí)間。

例如，盡管iPhone 15 Pro已發(fā)布四個(gè)月，A17 Pro仍在使用臺(tái)積電專(zhuān)有的3nm工藝。根據(jù)MacRumors的報(bào)告，這一趨勢(shì)似乎仍將延續(xù)至2nm工藝。

臺(tái)積電的12寸晶圓的平均售價(jià)（ASP）在2023年第四季仍舊上漲至6,611美元，年增達(dá)到22%。

封神旗艦Find X7系列于1月12日10點(diǎn)全面開(kāi)售，全渠道開(kāi)售5分鐘銷(xiāo)量是上一代的402%，成績(jī)?cè)?b class="flag-6" style="color: red">創(chuàng)新高。Find X7標(biāo)準(zhǔn)版包括海闊天空、大漠銀月、包括煙云紫、星空黑四款全新配色，3,999

據(jù)悉，臺(tái)積電自2022年12月份起開(kāi)始量產(chǎn)3nm工藝，然而由于成本考量，第一代3納米工藝僅由蘋(píng)果使用。其他如聯(lián)發(fā)科、高通等公司則選擇了4nm工藝。

這座晶圓廠于2022年4月開(kāi)始新建，大樓主結(jié)構(gòu)已完工，且辦公室部分區(qū)域也在今年8月啟用。將生產(chǎn)N28 28nm級(jí)工藝芯片，這是日本目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝。22ULP工藝也會(huì)在這里生產(chǎn)，但注意它不是22nm，而是28nm的一個(gè)變種，專(zhuān)用于超低功耗設(shè)備。

據(jù)悉，2024年臺(tái)積電的第二代3nm工藝（稱(chēng)為N3E）有望得到更廣泛運(yùn)用。此前只有蘋(píng)果有能力訂購(gòu)第一代N3B高端晶圓。經(jīng)過(guò)解決工藝難題及提升產(chǎn)量后，臺(tái)積電推出經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的3nm版型，吸引更多企業(yè)采用。

在當(dāng)前的形勢(shì)下業(yè)界共識(shí)是，如何在沒(méi)有先進(jìn)工藝的情況下發(fā)展市場(chǎng)上最需要的成熟工藝、打造特色工藝，并結(jié)合架構(gòu)創(chuàng)新、先進(jìn)封裝等，實(shí)現(xiàn)芯片性能的系統(tǒng)級(jí)提升。在第29屆中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)2023年會(huì)暨廣州

英特爾的Intel 20A和Intel 18A工藝已經(jīng)開(kāi)始流片，意味著量產(chǎn)階段已經(jīng)不遠(yuǎn)。而2nm工藝和1.8nm工藝的先進(jìn)程度無(wú)疑已經(jīng)超過(guò)了三星和臺(tái)積電的3nm工藝。

12 月 14 日消息，臺(tái)積電在近日舉辦的 IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）的小組研討會(huì)上透露，其 1.4nm 級(jí)工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開(kāi)。同時(shí)，臺(tái)積電重申，2nm 級(jí)制程將按計(jì)劃于 2025

　1至10月份期間，我國(guó)光伏新增裝機(jī)達(dá)142.56GW，同比增幅高達(dá)145%，創(chuàng)下歷史新高。現(xiàn)如今，全國(guó)新增發(fā)電容量有超過(guò)一半源自于光伏發(fā)電。王勃華指出，全球清潔能源的投資已連續(xù)八年超過(guò)化石能源。

1. 臺(tái)積電首次提及 1.4nm 工藝技術(shù)，2nm 工藝按計(jì)劃 2025 年量產(chǎn) ? 臺(tái)積電在近日舉辦的 IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）的小組研討會(huì)上透露，其 1.4nm 級(jí)工藝制程研發(fā)已經(jīng)

芯片的7nm工藝我們經(jīng)常能聽(tīng)到，但是7nm是否真的意味著芯片的尺寸只有7nm呢？讓我們一起來(lái)看看吧！

引入不同的氣態(tài)化學(xué)物質(zhì)進(jìn)行的，這些化學(xué)物質(zhì)通過(guò)與基材反應(yīng)來(lái)改變表面。IC最小特征的形成被稱(chēng)為前端制造工藝（FEOL），本文將集中簡(jiǎn)要介紹這部分，將按照如下圖所示的 22 nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)制造 FinFET 的工藝流程，解釋了 FEOL 制造過(guò)程中最重要的工藝步驟。

舉辦。在全球汽車(chē)行業(yè)人士的共同關(guān)注與期待之下，本屆展會(huì)重回上海，以亮眼的數(shù)據(jù)與精彩的內(nèi)容為行業(yè)奉上一場(chǎng)年終盛宴。除了參展商數(shù)量重返高位，現(xiàn)場(chǎng)觀眾人數(shù)更是打破展會(huì)歷年記錄，國(guó)際參與程度亦達(dá)到新高度，展會(huì)對(duì)于汽車(chē)行業(yè)科技創(chuàng)新的深度挖掘與全面呈現(xiàn)贏得業(yè)內(nèi)高度贊譽(yù)。

3nm工藝剛量產(chǎn)，業(yè)界就已經(jīng)在討論2nm了，并且在調(diào)整相關(guān)的時(shí)間表。2nm工藝不僅對(duì)晶圓廠來(lái)說(shuō)是一個(gè)重大挑戰(zhàn)，同樣也考驗(yàn)著EDA公司，以及在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)芯片的客戶。

今天分享另一篇網(wǎng)上流傳很廣的22nm 平面 process flow. 有興趣的可以與上一篇22nm gate last FinFET process flow 進(jìn)行對(duì)比學(xué)習(xí)。 言歸正傳，接下來(lái)介紹平面工藝最后一個(gè)節(jié)點(diǎn)22nm process flow。

三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝

近日，一家日本廠商發(fā)布了一種全新的SiC晶圓劃片工藝，與傳統(tǒng)工藝相比，這項(xiàng)技術(shù)可將劃片速度提升100倍，而且可以幫助SiC廠商增加13%的芯片數(shù)量。

2023深圳高交會(huì)今日盛大開(kāi)幕，數(shù)據(jù)顯示有超過(guò)100個(gè)國(guó)家和地區(qū)組團(tuán)，4000多家企業(yè)參會(huì)參展，展覽總面積達(dá)50萬(wàn)平方米，為歷史上規(guī)模最大，參展國(guó)家和地區(qū)的組團(tuán)數(shù)量也創(chuàng)新高。

FinFET立體晶體管技術(shù)是Intel 22nm率先引用的，這些年一直是半導(dǎo)體制造工藝的根基，接下來(lái)在Intel 20A、臺(tái)積電2nm、三星3nm上，都將轉(zhuǎn)向全環(huán)繞立體柵極晶體管。

2nm芯片什么時(shí)候出 2nm芯片什么時(shí)候出這個(gè)問(wèn)題目前沒(méi)有相關(guān)官方的報(bào)道，因此無(wú)法給出準(zhǔn)確的回答。根據(jù)網(wǎng)上的一些消息臺(tái)積電于6月16日在2022年度北美技術(shù)論壇上首次宣布，將推出下一代先進(jìn)工藝制程

可以容納更多的晶體管在同樣的芯片面積上，從而提供更高的集成度和處理能力。此外，較小的節(jié)點(diǎn)尺寸還可以降低電路的功耗，提供更高的能效?？梢哉f(shuō)，2nm芯片代表了制程工藝的最新進(jìn)展和技術(shù)創(chuàng)新。 2nm芯片什么時(shí)候量產(chǎn) 2nm芯片什么時(shí)候量產(chǎn)這

來(lái)源：滿天芯 編輯：感知芯視界 Link 近日，文曄公布最新一季財(cái)報(bào)。受惠客戶需求優(yōu)預(yù)期，文曄第三季營(yíng)收 1672.6 億元新臺(tái)幣，季增 42%，年增 7%，毛利率 3.03%，季減0.55 個(gè)百分點(diǎn)，年減 0.16 個(gè)百分點(diǎn)，營(yíng)益率1.35%，季減 0.39 個(gè)百分點(diǎn)，年減 0.53 個(gè)百分點(diǎn)，稅后純益 12.8 億元新臺(tái)幣，季增 33%，年減 38%。 細(xì)分各應(yīng)用，文曄第三季仍以手機(jī)為主，營(yíng)收比重達(dá) 28.8%，數(shù)據(jù)中心及服務(wù)器比重激增至 23.7%，通訊也有 12.4%，工業(yè)與儀器 8.6%、汽車(chē)電子 7.1%、消費(fèi)性及其

，一板多用，滿足多方位的開(kāi)發(fā)需求。 盤(pán)古22K開(kāi)發(fā)板詳情 盤(pán)古22K開(kāi)發(fā)板（MES22GP）是基于紫光同創(chuàng)40nm工藝的Logos系列PGL22G芯片的一套全新的國(guó)產(chǎn)FPGA開(kāi)發(fā)套件。開(kāi)發(fā)板電源采用

的大部分時(shí)間里，用于制造芯片的工藝節(jié)點(diǎn)的名稱(chēng)是由晶體管柵極長(zhǎng)度的最小特征尺寸（以納米為單位）或最小線寬來(lái)指定的。350nm工藝節(jié)點(diǎn)就是一個(gè)例子。

Plus、iPhone 15 Pro/Max 四款型號(hào)，全系靈動(dòng)島、USB-C 口，其中 15/Plus 將采用A16 芯片、6GB 內(nèi)存，15 Pro/Max 則采用最新的 3nm 工藝 A17

如何設(shè)定NM1200為48M CPU Clock

的架構(gòu)，常見(jiàn)的有x86和x64。 指令集：如SSE、AVX等，用于拓展CPU的功能。 微架構(gòu)：如NetBurst、K10等，表示CPU內(nèi)部的具體實(shí)現(xiàn)。 制造工藝：如22nm、14nm等，表示CPU制造過(guò)程中的最小尺寸。 查看CPU處理器參數(shù)可以通過(guò)Intel官網(wǎng)或CPU-Z等工具實(shí)現(xiàn)。

2023年(杭州)電機(jī)智造與創(chuàng)新應(yīng)用峰會(huì)將于9月22日在杭州錢(qián)塘皇冠假日酒店舉行。本次展商都有哪些企業(yè)呢?趕緊來(lái)一睹為快吧! 為了進(jìn)一步整合國(guó)內(nèi)優(yōu)質(zhì)資源，激發(fā)創(chuàng)新活力，促進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制以及設(shè)計(jì)創(chuàng)業(yè)

40nm工藝的Logos系列PGL22G芯片的一套全新的國(guó)產(chǎn)FPGA開(kāi)發(fā)套件。開(kāi)發(fā)板電源采用圣邦微SGM61032解決方案，HDMI 接口采用宏晶微 MS7200方案，更大程度實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化。預(yù)留 HDMI

M21 模組基于北云科技新一代 22nm 制程高性能車(chē)規(guī)級(jí) GNSS SOC 芯片 Alice 研制內(nèi)置高精度測(cè)量引擎、導(dǎo)航引擎、慣性導(dǎo)航單元以及功能安全引擎,符合 ASIL B 功能安全等級(jí),支持

據(jù)臺(tái)灣《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，據(jù)消息人士透露，臺(tái)積電提出的從2023年第三季度開(kāi)始到2024年第二季度為止的8英寸生產(chǎn)能力價(jià)格因生產(chǎn)量將大幅減少，8英寸平均生產(chǎn)能力利用率降至60%以下。

據(jù)臺(tái)灣《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，據(jù)消息人士透露，臺(tái)積電提出的從2023年第三季度開(kāi)始到2024年第二季度為止的8英寸生產(chǎn)能力價(jià)格因生產(chǎn)量將大幅減少，8英寸平均生產(chǎn)能力利用率降至60%以下。

和晶晨s905的幾個(gè)方面的區(qū)別，來(lái)幫助大家更好地了解它們。 1. 工藝制程 全志h616采用的是28nm工藝制程，而晶晨s905則采用的是22nm的工藝制程。雖然差距不算太大，但是制程越小，芯片的性能和功耗就會(huì)更好。因此，在功耗、熱量方面，晶晨s905更勝一籌。 2. 處理器架

就來(lái)詳細(xì)探討rk3566和rk3399的區(qū)別。 一、生產(chǎn)工藝 在生產(chǎn)工藝方面，rk3566采用了22nm工藝，相比之下，rk3399采用了28nm的技術(shù)，rk3566在制程、功耗和性能方面都更加卓越

處理器最初發(fā)布了B版本，隨后又發(fā)布了C版本。這兩個(gè)版本有什么區(qū)別？下面將介紹一些關(guān)鍵的區(qū)別。 1. 工藝 最主要的區(qū)別是制造工藝。RK3566的B版本采用的是12nm工藝，而C版本采用的是22nm工藝。這意味著C版本具有更低的功耗和更高的穩(wěn)定性，但成本也更高。 2. 性能 由于工藝和硬件的不

。RK3568采用22nm工藝制造，具有改進(jìn)的功率效率和性能。 當(dāng)談到將RK3568與i5處理器進(jìn)行比較時(shí)，答案并不簡(jiǎn)單。i5處理器已經(jīng)存在了好幾代，它們?cè)诩軜?gòu)、時(shí)鐘速度、緩存大小和其他功能方面各不相同。因此

根據(jù)外媒報(bào)道，據(jù)稱(chēng)臺(tái)積電新的3nm制造工藝的次品率約為30%。不過(guò)根據(jù)獨(dú)家條款，該公司僅向蘋(píng)果收取良品芯片的費(fèi)用！

8月8日消息，據(jù)外媒報(bào)道，臺(tái)積電新的3nm制造工藝的次品率約為30%，但根據(jù)獨(dú)家條款，該公司僅向蘋(píng)果收取良品芯片的費(fèi)用！

iQOO 11S突破上限，紅魔8S Pro+再創(chuàng)新高……

IDO-IPC3528鴻蒙邊緣計(jì)算網(wǎng)關(guān)基于RK3568研發(fā)設(shè)計(jì)，采用22nm先進(jìn)工藝制程，四核A55 CPU，主頻高達(dá)2.0GHz，支持高達(dá)8GB高速LPDDR4，1T算力NPU，4K H.265/H264硬解碼；視頻輸出接口HDMI2.0，雙千兆以太網(wǎng)，工業(yè)互聯(lián)接口CAN/RS232/RS485。

Intel將在下半年發(fā)布的Meteor Lake酷睿Ultra處理器將首次使用Intel 4制造工藝，也就是之前的7nm，但是Intel認(rèn)為它能達(dá)到4nm級(jí)別的水平，所以改了名字。

營(yíng)收大幅下降，同比下降22%至469.15億美元，三星半導(dǎo)體部門(mén)（包括內(nèi)存、SoC和代工業(yè)務(wù)）的營(yíng)收下降至298.6億美元，同比下降48%，業(yè)務(wù)虧損34億美元。作為三星收益報(bào)告的一部分，該公司還透露其第三款3nm(GAAFET)芯片已開(kāi)始生產(chǎn)：“得益于3nm工藝的穩(wěn)定，我們的第三款

如果工藝制程繼續(xù)按照摩爾定律所說(shuō)的以指數(shù)級(jí)的速度縮小特征尺寸，會(huì)遇到兩個(gè)阻礙，首先是經(jīng)濟(jì)學(xué)的阻礙，其次是物理學(xué)的阻礙。 經(jīng)濟(jì)學(xué)的阻礙是，隨著特征尺寸縮小，由于工藝的復(fù)雜性設(shè)計(jì)規(guī)則的復(fù)雜度迅速增大，導(dǎo)致芯片的成本迅速上升。

近幾年，芯片產(chǎn)業(yè)越來(lái)越火熱，一些行業(yè)內(nèi)的術(shù)語(yǔ)大家也聽(tīng)得比較多了。那么工藝節(jié)點(diǎn)、制程是什么，"7nm" 、"5nm"又是指什么？

世亞智博會(huì)|2023世亞數(shù)字科技創(chuàng)新博覽會(huì),最新高科技產(chǎn)品企聚北京

目前三星在4nm工藝方面的良率為75%，稍低于臺(tái)積電的80%。然而，通過(guò)加強(qiáng)對(duì)3nm技術(shù)的發(fā)展，三星有望在未來(lái)趕超臺(tái)積電。

RK3568四核64位Cortex-A55處理器，采用全新ARM v8.2-A架構(gòu)主頻最高可達(dá)2.0GHz，效能有大幅提升;采用22nm先進(jìn)工藝，具有低功耗高性能的特點(diǎn)

英特爾獨(dú)立運(yùn)作代工部門(mén)IFS后，將向三方開(kāi)放芯片制造加工服務(wù)，可能是為了吸引客戶，英特爾日前發(fā)布了全新的16nm制程工藝。

，推動(dòng)建立協(xié)同發(fā)展的良性智能芯片生態(tài)。 人工智能芯片的研發(fā)，支持人工智能芯片在智慧城市管理、互聯(lián)網(wǎng)語(yǔ)言處理、元宇宙等各種場(chǎng)景的應(yīng)用。要想打造世界級(jí)人工智能高地，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，優(yōu)化產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新機(jī)制，需要投入大量宣傳提

泄漏功率仍然是HKMG(High-K Metal Gate)一個(gè)主要問(wèn)題。從下圖看出，在28nm的High-K Metal Gate Stack中，leakage power仍然在總功耗中占據(jù)主導(dǎo)地位。

電池保護(hù)IC（Integrated Circuit）的納米工藝并沒(méi)有固定的規(guī)定或標(biāo)準(zhǔn)。電池保護(hù)IC的制造工藝通常與集成電路制造工藝一樣，采用從較大的微米級(jí)工藝（如180nm、90nm、65nm等）逐漸進(jìn)化到更先進(jìn)的納米級(jí)工藝（如45nm、28nm、14nm等）。

RK3568是瑞芯微出品的一款定位中高端的通用型SoC，采用22nm先進(jìn)制程工藝，集成4核 arm 架構(gòu) A55 處理器和 Mali G52 2EE 圖形處理器，支持4K解碼和1080P編碼。

近日，臺(tái)積電業(yè)務(wù)發(fā)展高級(jí)副總裁張凱文在日本橫濱舉行的新聞發(fā)布會(huì)上表示，臺(tái)積電目前正在日本和美國(guó)建廠，其中日本熊本工廠將重點(diǎn)推出12nm/16nm和22nm/28nm生產(chǎn)線。

? 今年1-6月，長(zhǎng)城汽車(chē)銷(xiāo)售52萬(wàn)輛，新能源車(chē)型銷(xiāo)售9.3萬(wàn)輛，同比增長(zhǎng)47%； 智能新能源新產(chǎn)品密集上市，新能源銷(xiāo)量與占比逐月攀升，6月銷(xiāo)售超2.6萬(wàn)輛，占比突破25%，皆創(chuàng)歷史新高； 全新

外媒在報(bào)道中提到，根據(jù)公布的計(jì)劃，三星電子將在2025年開(kāi)始，采用2nm制程工藝量產(chǎn)移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用所需的芯片，2026年開(kāi)始量產(chǎn)高性能計(jì)算設(shè)備的芯片，2027年則是利用2nm制程工藝開(kāi)始量產(chǎn)汽車(chē)所需的芯片。

蘋(píng)果股價(jià)創(chuàng)新高 市值逼近3萬(wàn)億美元 蘋(píng)果股價(jià)創(chuàng)新高；科技巨頭蘋(píng)果股價(jià)截至周三收盤(pán)升至創(chuàng)紀(jì)錄高位，蘋(píng)果市值再一次接近3萬(wàn)億美元。周三蘋(píng)果股價(jià)收于189.25美元，市值達(dá)到2.98萬(wàn)億美元。 盡管

隨著工藝節(jié)點(diǎn)的不斷發(fā)展（現(xiàn)在普遍是28nm,22nm,16nm,14nm,甚至有的都在做7nm）,芯片的性能需求越來(lái)越高，規(guī)模也越來(lái)越大

分別為18.46%、14.49%、18.66%。在制程方面，安凱微主流產(chǎn)品采用40nm 和 22nm 工藝制程，且已經(jīng)開(kāi)始12nm FinFET 工藝設(shè)計(jì)的研發(fā)工作。

企業(yè)集體參展，4 天展期共接待 140 個(gè)國(guó)家與地區(qū)的專(zhuān)業(yè)觀眾達(dá) 207,681 人，同比 2022 年上升了 61.9%。不僅展會(huì)規(guī)模與人氣創(chuàng)新疫情以來(lái)的歷史新高，同時(shí)本屆 GILE 還發(fā)力拓展海外

開(kāi)箱大吉#紫光同創(chuàng)PGL22G關(guān)鍵特性評(píng)估板@盤(pán)古22K開(kāi)發(fā)板 開(kāi)箱教程來(lái)啦！詳細(xì)教程手把手來(lái)教啦！#紫光盤(pán)古系列開(kāi)發(fā)板@盤(pán)古22K開(kāi)發(fā)板 基于紫光同創(chuàng)40nm工藝的FPGA主控芯片（Logos系列

日本半導(dǎo)體(芯片)制造設(shè)備銷(xiāo)售額續(xù)揚(yáng)，增幅雖縮小、不過(guò)持續(xù)突破3,000億日?qǐng)A大關(guān)，2023年1-5月期間的銷(xiāo)售額創(chuàng)下同期歷史新高。

盡管英特爾的第14代酷睿尚未發(fā)布，但第15代酷睿（代號(hào)Arrow Lake）已經(jīng)曝光。新的酷睿系列產(chǎn)品將改為酷睿Ultra系列，并使用臺(tái)積電的3nm工藝，預(yù)計(jì)會(huì)有顯著的性能提升。

跪求新唐NM1200和NM1330詳細(xì)的數(shù)據(jù)手冊(cè)

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? ? 中芯國(guó)際，作為當(dāng)前我國(guó)技術(shù)最為先進(jìn)，工藝最為成熟的芯片半導(dǎo)體代工廠商，堪稱(chēng)是當(dāng)下國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)“全村的希望”。盡管面臨著技術(shù)的限制和先進(jìn)光刻機(jī)設(shè)備的禁運(yùn)，中芯國(guó)際卻依然在自主研發(fā)與創(chuàng)新

在探討半導(dǎo)體行業(yè)時(shí)，我們經(jīng)常會(huì)聽(tīng)到兩個(gè)概念：晶圓尺寸和工藝節(jié)點(diǎn)。本文將為您解析8寸晶圓以及5nm工藝這兩個(gè)重要的概念。

BK7256是一顆采用22nm工藝制程，高度集成wifi+ble的低功耗音視頻芯片，可用于實(shí)時(shí)遠(yuǎn)程音視頻傳輸和iot智能中控驅(qū)屏應(yīng)用

綜合能源服務(wù)站創(chuàng)新高峰論壇 6月1日，全國(guó)第22個(gè)“安全生產(chǎn)月”正式開(kāi)啟，在此背景下，聚焦能源安全的第二屆中國(guó)石油石化綜合能源服務(wù)站創(chuàng)新高峰論壇于中國(guó)青島盛大啟幕。漢威科技集團(tuán)攜能源服務(wù)站安全

服務(wù)站創(chuàng)新高峰論壇在山東青島拉開(kāi)帷幕。本次論壇圍繞“綠色、智慧、創(chuàng)新、賦能”的主題，聚焦綜合能源服務(wù)站的建設(shè)、應(yīng)用、運(yùn)營(yíng)和數(shù)字化轉(zhuǎn)型。其中，我國(guó)領(lǐng)先的物聯(lián)網(wǎng)企業(yè)漢威科技集團(tuán)就在論壇期間圍繞“加油站安全建設(shè)”

瑞芯微RK3568芯片是一款定位中高端的通用型SOC，采用22nm制程工藝，搭載一顆四核Cortex-A55處理器和Mali G52 2EE 圖形處理器。RK3568 支持4K 解碼和 1080P

SPC5644的wafer有多少nm？

IDO-SBC3568-V1是一款基于RK3568的工控主板，采用22nm先進(jìn)工藝制程，四核A55 CPU，主頻高達(dá)2.0GHz，支持高達(dá)8GB高速LPDDR4，1T算力NPU ，4K H.265/H264硬解碼；

3nm 時(shí)代來(lái)臨了！Cadence 在 2023 年 TSMC 北美技術(shù)研討會(huì)期間發(fā)布了面向臺(tái)積電 3nm 工藝（N3E）的 112G 超長(zhǎng)距離（112G-ELR）SerDes IP 展示，這是

Arasan Chip Systems是移動(dòng)和物聯(lián)網(wǎng)SoC半導(dǎo)體IP的領(lǐng)先供應(yīng)商，今天宣布立即推出用于GF 22nm SoC設(shè)計(jì)的第二代MIPI D-PHY IP。

處理器采用22nm工藝，主頻高達(dá)2.0GHz；支持藍(lán)牙、Wi-Fi、音頻、視頻和攝像頭等功能，擁有豐富的擴(kuò)展接口，支持多種視頻輸入輸出接口，配置雙千兆自適應(yīng)RJ45以太網(wǎng)口，可滿足NVR、工業(yè)網(wǎng)關(guān)等多網(wǎng)口

? 第十三屆松山湖中國(guó)IC創(chuàng)新高峰論壇今日繼續(xù)在廣東東莞松山湖凱酒店舉行，本屆活動(dòng)繼續(xù)由中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)IC設(shè)計(jì)分會(huì)（ICCAD）、芯原微電子、松山湖管委會(huì)主辦，東莞松山湖集成電路設(shè)計(jì)服務(wù)中心

，2022年臺(tái)積電晶圓出貨量達(dá)1530萬(wàn)片（約當(dāng)12英寸晶圓），營(yíng)收及凈利均創(chuàng)新高。受惠于去年獲利創(chuàng)新高，臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音、總裁魏哲家2022年年薪均突破6億元新臺(tái)幣（約合人民幣1.4億元）大關(guān)，年增六成！ 財(cái)報(bào)顯示，2022年臺(tái)積電營(yíng)收獲利創(chuàng)下新高，

1300NM 金屬封裝工藝是指采用金屬外殼作為封裝殼體或底座，在其內(nèi)部安裝芯片或基板并進(jìn)行鍵合連接，外引線通過(guò)金屬-玻璃（或陶瓷）組裝工藝穿過(guò)金屬外殼，將內(nèi)部元件的功能引出、外部電源信號(hào)等輸人的一種電子

光刻技術(shù)簡(jiǎn)單來(lái)講，就是將掩膜版圖形曝光至硅片的過(guò)程，是大規(guī)模集成電路的基礎(chǔ)。目前市場(chǎng)上主流技術(shù)是193nm沉浸式光刻技術(shù)，CPU所謂30nm工藝或者22nm工藝指的就是采用該技術(shù)獲得的電路尺寸。

4月18日下午，2023中國(guó)智慧門(mén)店創(chuàng)新高峰論壇暨智慧零售百城行重慶站在重慶金科大酒店隆重召開(kāi)，活動(dòng)以 “智匯山城 慧聚高質(zhì)” 為主題，匯聚了200多名零售智能信息化、數(shù)字經(jīng)濟(jì)領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)、專(zhuān)家學(xué)者

我國(guó)智能光伏應(yīng)用持續(xù)升級(jí)，產(chǎn)業(yè)各環(huán)節(jié)產(chǎn)量又創(chuàng)新高。根據(jù)光伏行業(yè)規(guī)范公告企業(yè)信息和行業(yè)協(xié)會(huì)預(yù)測(cè)的數(shù)據(jù)來(lái)看，全國(guó)多晶硅、組件產(chǎn)量同比增長(zhǎng)均超過(guò)60%，晶硅電池產(chǎn)品出口同比增長(zhǎng)超過(guò)156%。作為全尺寸

此次采用全新22nm工藝生產(chǎn)的首顆MCU，擴(kuò)展了瑞薩廣受歡迎的基于32位Arm Cortex-M內(nèi)核的RA產(chǎn)品家族。該新型無(wú)線MCU支持低功耗藍(lán)牙5.3 (BLE)，并集成了軟件定義無(wú)線電（SDR）。

臺(tái)積電的16nm有多個(gè)版本，包括16nm FinFET、16nm FinFET Plus技術(shù)（16FF +）和16nm FinFET Compact技術(shù)（16FFC）。

搞定2nm工藝需要至少3方面的突破，一個(gè)是技術(shù)，一個(gè)是資金，一個(gè)是市場(chǎng)，在技術(shù)上日本是指望跟美國(guó)的IBM公司合作，后者前兩年就演示過(guò)2nm工藝，但I(xiàn)BM的2nm工藝還停留在實(shí)驗(yàn)室級(jí)別，距離量產(chǎn)要很遠(yuǎn)。

4月8日，北京集特智能參加了2023中國(guó)·鶴壁信息技術(shù)自主創(chuàng)新高峰論壇。此次論壇由河南省互聯(lián)網(wǎng)信息辦公室、河南省工業(yè)和信息化廳、河南省商務(wù)廳、河南省密碼管理局、河南省行政審批政務(wù)信息管理局、龍芯中科

瑞薩電子今日宣布推出基于 22nm 制程的首顆微控制器（MCU）。通過(guò)采用先進(jìn)工藝技術(shù)，提供卓越性能，并通過(guò)降低內(nèi)核電壓來(lái)有效降低功耗。先進(jìn)的工藝技術(shù)還提供更豐富的集成度（比如 RF 等），能夠在更小的裸片面積上實(shí)現(xiàn)相同的功能，從而實(shí)現(xiàn)了外設(shè)和存儲(chǔ)的更高集成度。

下圖顯示了Intel的第6代晶體管（6T）SRAM尺寸縮小時(shí)間表，以及多晶硅柵刻蝕技術(shù)后從90nm到22nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)6TSRAM單元的SEM圖像俯視視圖。可以看出，SRAM的布局從65nm節(jié)點(diǎn)已發(fā)生

本文轉(zhuǎn)發(fā)自團(tuán)結(jié)報(bào)團(tuán)結(jié)網(wǎng)的同名文章 3月27日至28日，全國(guó)人大常委會(huì)副委員長(zhǎng)、民革中央主席鄭建邦率民革中央調(diào)研組赴深圳圍繞“深港共建全球科技創(chuàng)新高地”開(kāi)展調(diào)研。民革中央副主席劉家強(qiáng)、陳星鶯，民革中央