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電子發(fā)燒友網(wǎng)>市場(chǎng)分析>美光NAND閃存市占率新突破,首次超過(guò)20%

美光NAND閃存市占率新突破,首次超過(guò)20%

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2024-03-22 10:54:1513

三星擬將這類芯片漲價(jià)20%!

來(lái)源:滿天芯,謝謝 編輯:感知芯視界 Link 據(jù)韓媒報(bào)道,三星計(jì)劃在本月至下月同主要移動(dòng)端、PC 端、服務(wù)器端客戶就NAND閃存價(jià)格重新談判,目標(biāo)漲價(jià)15~20%。經(jīng)歷一年多的供過(guò)于求之后,三星
2024-03-19 09:31:57115

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2024-03-18 15:28:49350

三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20%

三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價(jià)格過(guò)低;在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計(jì)劃與客戶就NAND閃存價(jià)格重新談判,目標(biāo)價(jià)位是漲價(jià)15%—20%。
2024-03-14 15:35:22217

三星西安NAND廠開(kāi)工率回升至70%

三星電子,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè),近期在其位于中國(guó)西安的NAND閃存工廠實(shí)現(xiàn)了開(kāi)工率的顯著回升,從去年的低谷20-30%提升至目前的70%。這一變化不僅反映了三星電子對(duì)市場(chǎng)趨勢(shì)的敏銳洞察和快速響應(yīng),也凸顯了中國(guó)智能手機(jī)市場(chǎng)回暖以及全球半導(dǎo)體庫(kù)存調(diào)整對(duì)產(chǎn)業(yè)鏈上游的積極影響。
2024-03-14 12:32:26317

鎧俠提升NAND閃存產(chǎn)能利用率

據(jù)最新報(bào)道,全球領(lǐng)先的NAND閃存制造商鎧俠已決定重新審視其先前的減產(chǎn)策略,并計(jì)劃在本月內(nèi)將開(kāi)工率提升至90%。這一策略調(diào)整反映出市場(chǎng)需求的變化和公司對(duì)于行業(yè)發(fā)展的積極預(yù)期。
2024-03-07 10:48:35263

俠提升NAND產(chǎn)能 行業(yè)影響及業(yè)界觀點(diǎn)

潘建成表示,群聯(lián)當(dāng)前正面臨供應(yīng)短缺問(wèn)題,若NAND閃存制造商以合理價(jià)格提供穩(wěn)定的供應(yīng),將有助于緩解群聯(lián)的困境。他認(rèn)為,原廠擴(kuò)大產(chǎn)能,有利于維護(hù)NAND市場(chǎng)秩序,使價(jià)格合理回歸,否則過(guò)高的漲勢(shì)會(huì)打壓下游廠商需求。
2024-03-05 14:05:0481

鎧俠終止減產(chǎn)或致NAND芯片市場(chǎng)再動(dòng)蕩

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行動(dòng)計(jì)劃》 深圳提出在鴻蒙原生應(yīng)用發(fā)展上的具體目標(biāo):在2024年內(nèi)實(shí)現(xiàn)深圳鴻蒙原生應(yīng)用數(shù)量全國(guó)總量10%以上;深圳主要垂域?qū)崿F(xiàn)鴻蒙原生應(yīng)用全覆蓋;鴻蒙開(kāi)發(fā)課程進(jìn)入深圳主要高校和培訓(xùn)機(jī)構(gòu),取得
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【市場(chǎng)】FPGA最大的是哪家?

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江波龍首顆自研NAND閃存問(wèn)世

江波龍首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash于近日問(wèn)世。該產(chǎn)品采用BGA132封裝,支持Toggle DDR模式,數(shù)據(jù)訪問(wèn)帶寬可達(dá)400MB/s,將有望應(yīng)用于eMMC、SSD等產(chǎn)品上。
2024-02-01 15:08:48361

正點(diǎn)原子emmc和nand的區(qū)別

)和NANDNAND Flash Memory)。 eMMC是一種嵌入式多媒體控制器,它為移動(dòng)設(shè)備(如智能手機(jī)和平板電腦)提供了一種高性能的存儲(chǔ)解決方案。它包括一個(gè)閃存控制器、一個(gè)NAND閃存芯片和一些
2024-01-08 13:51:46597

什么是SD NAND存儲(chǔ)芯片? SD NAND與TF卡的區(qū)別

什么是SD NAND?它俗稱貼片式T卡,貼片式TF卡,貼片式SD卡,貼片式內(nèi)存卡,貼片式閃存卡,貼片式卡...等等。雖然SD NAND 和TF卡稱呼上有些類似,但是SD NAND和TF卡有著本質(zhì)上的區(qū)別。
2024-01-06 14:35:57861

什么是SD NAND存儲(chǔ)芯片?

NAND介紹   什么是SD NAND?它俗稱貼片式T卡,貼片式TF卡,貼片式SD卡,貼片式內(nèi)存卡,貼片式閃存卡,貼片式卡...等等。雖然SD NAND 和TF卡稱呼上有些類似,但是SD NAND和TF
2024-01-05 17:54:39

DRAM、NAND閃存漲價(jià)意愿非常強(qiáng)烈

NAND產(chǎn)品中,同樣代表市場(chǎng)行情的256Gb TLC,第四季度單價(jià)為1.85美元左右,相比三季度上漲12%。
2023-12-26 13:54:3199

NAND Flash和NOR Flash的區(qū)別

NAND Flash和NOR Flash是兩種常見(jiàn)的閃存類型。
2023-11-30 13:53:20734

提高3D NAND閃存存儲(chǔ)密度的四項(xiàng)基本技術(shù)

增加3D(三維)NAND閃存密度的方法正在發(fā)生變化。這是因?yàn)橹С謧鹘y(tǒng)高密度技術(shù)的基本技術(shù)預(yù)計(jì)將在不久的將來(lái)達(dá)到其極限。2025 年至 2030 年間,新的基礎(chǔ)技術(shù)的引入和轉(zhuǎn)化很可能會(huì)變得更加普遍。
2023-11-30 10:20:26243

韓國(guó)SKMP開(kāi)發(fā)出高厚度KrF光刻膠助力3D NAND閃存制造

據(jù)報(bào)道,韓國(guó)SK集團(tuán)于2020年斥資400億韓元收購(gòu)當(dāng)?shù)劐\湖石化的電子材料業(yè)務(wù),收購(gòu)后成立的新子公司SK Materials Performance(SKMP)已開(kāi)發(fā)出一種高厚度KrF光刻膠,并通過(guò)了SK海力士的性能驗(yàn)證,這將有利于SK海力士3D NAND閃存的技術(shù)開(kāi)發(fā)。
2023-11-29 17:01:56433

伏逆變器淺析及選型參考

全社會(huì)用電量的比重達(dá)到11%左右,后續(xù)逐年提高,確保2025年非化石能源消費(fèi)一次能源消費(fèi)的比重達(dá)到20%左右。2022年8月,工業(yè)和信息化部辦公廳等三部門印發(fā)《關(guān)于促進(jìn)伏產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈協(xié)同發(fā)展的通知
2023-11-21 16:07:04

傳Marvell裁撤中國(guó)臺(tái)灣NAND Flash控制IC團(tuán)隊(duì)

目前,Marvell以自主開(kāi)發(fā)或外包的方式,為掌握nand閃存ic市場(chǎng)而展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)。因此,Marvell在企業(yè)市場(chǎng)上的運(yùn)營(yíng)受到了影響,Marvell正在縮小相關(guān)團(tuán)隊(duì)。
2023-11-17 10:28:48362

NAND出貨減少,拖累鎧俠Q3營(yíng)收大減38%

鎧俠公司為應(yīng)對(duì)存儲(chǔ)芯片價(jià)格的持續(xù)下跌,從2022年10月開(kāi)始采取了將晶片減產(chǎn)30%的措施。2023年q3的nand閃存價(jià)格將比q2上漲5%至9%,出貨量將比前一個(gè)月減少10至14%。以美元為準(zhǔn),nand閃存價(jià)格將比前一個(gè)月上漲0至4%。
2023-11-15 10:17:03335

存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲已從DRAM擴(kuò)大到NAND閃存 明年上半年預(yù)計(jì)上漲超過(guò)10%

但是,存儲(chǔ)芯片大企業(yè)的價(jià)格已經(jīng)出現(xiàn)上漲跡象。還有外電報(bào)道說(shuō),已經(jīng)從dram開(kāi)始的存儲(chǔ)器價(jià)格上升趨勢(shì)正在擴(kuò)大到nand閃存。
2023-11-13 14:53:28487

NAND閃存市場(chǎng)分析 閃存控制器行業(yè)玩家分析

2021年至2027年,以百萬(wàn)計(jì)為單位的NAND晶圓復(fù)合年均增長(zhǎng)率(CAGR)為3%(見(jiàn)圖3),其中,汽車應(yīng)用增長(zhǎng)最快,CAGR為20%;其次則是數(shù)據(jù)中心,其CAGR為13%。
2023-11-06 12:38:24395

奇瑞集團(tuán)10月銷量同比增長(zhǎng)50.8% 單月銷量首次突破20萬(wàn)輛

奇瑞集團(tuán)10月份銷售汽車200,313輛,同比增長(zhǎng)50.8%;單月銷量首次突破20萬(wàn)輛,再次刷新紀(jì)錄。近4個(gè)月以來(lái),奇瑞集團(tuán)已連續(xù)跨越15萬(wàn)、17萬(wàn)、19萬(wàn)和20萬(wàn)的單月銷量新臺(tái)階。1-10月份
2023-11-06 09:52:23198

三星計(jì)劃NAND閃存芯片每個(gè)季度漲價(jià)20%

三星采取此舉的目的很明確,希望通過(guò)此舉逆轉(zhuǎn)整個(gè)閃存市場(chǎng),穩(wěn)定NAND閃存價(jià)格,并實(shí)現(xiàn)明年上半年逆轉(zhuǎn)市場(chǎng)等目標(biāo)。
2023-11-03 17:21:111214

逐季調(diào)漲20%!存儲(chǔ)巨頭NAND芯片漲至明年

值得注意的是,信達(dá)證券此前援引行業(yè)消息稱,近日三星向客戶公布Q4官價(jià),MobileDRAM合約價(jià)環(huán)比漲幅預(yù)估將擴(kuò)大至11%-25%;NAND Flash方面,UFS4.0漲幅約2%左右,eMCP、uMCP漲幅不等,平均漲幅20%以上,最高漲幅高達(dá)66%。
2023-11-03 15:54:34370

三星計(jì)劃明年一季度與二季度再次逐季調(diào)漲20%

根據(jù)近日三星向客戶公布的四季度官價(jià),移動(dòng)DRAM合約價(jià)環(huán)比漲幅在11%-25%左右。NAND閃存方面,UFS4.0漲幅約2%,eMCP、uMCP漲幅不等,平均漲幅20%以上,最高漲幅高達(dá)66%。
2023-11-03 15:37:32281

三星NAND擬進(jìn)一步漲價(jià),明年一、二季度將逐季調(diào)漲20%

這是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體業(yè)界多名消息人士透露的。據(jù)悉,三星繼本季度將nand閃存價(jià)格上調(diào)10%至20%后,還決定明年第1、2季度也按季度上調(diào)20%。這是為了穩(wěn)定nand型價(jià)格和實(shí)現(xiàn)明年上半年市場(chǎng)逆轉(zhuǎn)目標(biāo)而采取的措施。
2023-11-03 12:22:311025

請(qǐng)問(wèn)ds18b20的分辨是什么意思?

ds18b20的分辨是什么意思??
2023-11-03 07:42:59

三星喊NAND季季漲價(jià)20% 幅度超預(yù)期有利群聯(lián)、威剛等運(yùn)營(yíng)

 據(jù)多名半導(dǎo)體業(yè)界消息人士稱,三星繼本季度將nand閃存價(jià)格上調(diào)10至20%后,決定明年第一季度和第二季度也分別上調(diào)20%。三星電子正在努力穩(wěn)定nand閃存價(jià)格,試圖在明年上半年逆轉(zhuǎn)市場(chǎng)。
2023-11-02 10:35:01523

51單片機(jī)中unsigned short多少字節(jié)?

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2023-10-27 07:02:12

第四季度DRAM和NAND全面漲價(jià),成本上漲約30%

從2024年第四季度開(kāi)始,DRAM和NAND閃存的價(jià)格將全面上漲,這已經(jīng)導(dǎo)致國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器下游企業(yè)的閃存采購(gòu)成本上漲了近20%,而內(nèi)存采購(gòu)成本上漲了約30%。
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中芯國(guó)際“NAND閃存器件及其形成方法”專利獲授權(quán)

中芯國(guó)際方面表示:“nand閃存憑借較高的單元密度和存儲(chǔ)器密度、快速使用和刪除速度等優(yōu)點(diǎn),已成為廣泛使用在閃存上的結(jié)構(gòu)?!蹦壳爸饕糜跀?shù)碼相機(jī)等的閃存卡和mp3播放器。
2023-10-17 09:46:07265

三星西安工廠將引進(jìn)236層NAND芯片生產(chǎn)設(shè)備

 三星決定升級(jí)西安工廠的原因大致有兩個(gè)。第一,在nand閃存市場(chǎng)尚未出現(xiàn)恢復(fù)跡象的情況下,在nand閃存市場(chǎng)保持世界領(lǐng)先地位。受從去年年底開(kāi)始的it景氣低迷和半導(dǎo)體景氣低迷的影響,三星nand的銷量增加,從而使虧損擴(kuò)大。
2023-10-16 14:36:00832

韓國(guó)NAND閃存芯片出口額恢復(fù)增長(zhǎng)

據(jù)韓國(guó)貿(mào)易部16日公布的資料顯示,韓國(guó)9月份的nand閃存出口額比去年同期增加了5.6%,但8月份減少了8.9%。存儲(chǔ)器半導(dǎo)體業(yè)界的另一個(gè)支柱——3.3354萬(wàn)dram的出口在同期減少了24.6%。這比上個(gè)月的35.2%有所減少。
2023-10-16 14:17:21244

兆易創(chuàng)新“一種NAND閃存芯片的測(cè)試樣本”專利獲授權(quán)

 根據(jù)專利摘要,本發(fā)明實(shí)際公開(kāi)了nand閃存芯片的測(cè)試樣本,測(cè)試樣本由多個(gè)相同的樣本區(qū)域組成,每個(gè)樣本區(qū)域包含多個(gè)相鄰的數(shù)據(jù)塊。相鄰的幾個(gè)數(shù)據(jù)塊會(huì)測(cè)試不同的擦除次數(shù)。在多個(gè)相同的樣本區(qū)域中,任意兩個(gè)相鄰的樣本區(qū)域之間的間隔預(yù)先設(shè)定相鄰數(shù)據(jù)塊的數(shù)量。
2023-10-13 09:47:33313

NAND FLASH與NOR FLASH的技術(shù)對(duì)比

目前,NOR FLASH和NAND FLASH是市場(chǎng)上主要的非易失性閃存技術(shù),但是據(jù)我了解,還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00471

NAND Flash廠鎧俠擬裁員 鼓勵(lì)提前退休

避難是在智能手機(jī)、電腦、數(shù)據(jù)中心等使用儲(chǔ)存裝置“nand閃存”的企業(yè),由于存儲(chǔ)器市場(chǎng)的需求減少,企業(yè)紛紛減產(chǎn),因此預(yù)計(jì)到2024年以后需求才會(huì)恢復(fù)。
2023-09-22 10:13:24683

NAND Flash第四季價(jià)格有望止跌回升,最高上漲5%

業(yè)內(nèi)人士說(shuō):“nand閃存價(jià)格將比dram快反彈”,“nand閃存供應(yīng)商們的赤字繼續(xù)擴(kuò)大,因此銷售價(jià)格正在接近生產(chǎn)成本,供應(yīng)商們?yōu)榱司S持運(yùn)營(yíng),擴(kuò)大減產(chǎn),價(jià)格停止下跌,反彈率領(lǐng)的”。
2023-09-11 14:56:17508

淺析NAND閃存工藝

閃存芯片是非揮發(fā)存儲(chǔ)芯片,廣泛用于電子產(chǎn)品,特別是如數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器、手機(jī)、全球定位系統(tǒng)(GPS)、高端筆記本電腦和平板電腦等移動(dòng)電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)應(yīng)用。
2023-09-11 09:32:31833

沒(méi)有SPI-Nand, NAND無(wú)法啟動(dòng)怎么解決?

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2023-09-06 06:24:06

請(qǐng)問(wèn)nuc980裸機(jī)程序超過(guò)1個(gè)block如何下載到spi nand

nuc980裸機(jī)程序超過(guò)1個(gè)block如何下載到spi nand?
2023-09-04 06:59:21

請(qǐng)問(wèn)N9H20有沒(méi)有同時(shí)使用SD卡和NAND的范例?

請(qǐng)問(wèn)N9H20有沒(méi)有同時(shí)使用SD卡和NAND的范例? 我想把SD卡里面的文件拷貝到NAND里面去。
2023-09-04 06:32:06

三星將在2024年升級(jí)NAND設(shè)備供應(yīng)鏈

三星業(yè)績(jī)近期表現(xiàn)非常差,三星為了增強(qiáng)NAND閃存競(jìng)爭(zhēng)力計(jì)劃在2024年升級(jí)其NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈。
2023-08-30 16:10:02192

TTL逆變器和NAND門實(shí)驗(yàn)研究

20世紀(jì)60年代首次生產(chǎn)出集成邏輯門以來(lái),各種數(shù)字邏輯電路技術(shù)層出不窮。本次實(shí)驗(yàn)將研究晶體管-晶體管邏輯(TTL)電路逆變器(非門)和2輸入NAND門配置。
2023-08-28 16:36:23531

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存

超過(guò) 300 層;采用雙層堆棧架構(gòu)。 而SK海力士則計(jì)劃在2025 年上半年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)的321層NAND 閃存。
2023-08-21 18:30:53281

三星計(jì)劃暫停平澤工廠部分NAND閃存生產(chǎn)

三星已經(jīng)減少了主要nand閃存生產(chǎn)基地的晶圓投入額。這就是韓國(guó)的平澤、華城和中國(guó)的西安。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,三星的nand閃存產(chǎn)量可能會(huì)減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業(yè)績(jī)中,由于市場(chǎng)持續(xù)低迷,三星電子正式公布了存儲(chǔ)器減產(chǎn)計(jì)劃。
2023-08-16 10:23:58423

SK海力士發(fā)布全球首款321層NAND!

SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存,成為業(yè)界首家開(kāi)發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品,并介紹了開(kāi)發(fā)進(jìn)展情況。
2023-08-10 16:01:47704

三星或提高512Gb NAND閃存晶圓報(bào)價(jià) 漲幅為15%

據(jù)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道,三星提出的512gb nand閃存晶片單價(jià)為1.60美元,比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示,由于上下nand閃存的庫(kù)存緩慢,很難說(shuō)服上調(diào)價(jià)格。
2023-08-02 11:56:24762

pSLC 閃存介紹:高性能和耐久性的閃存解決方案

在當(dāng)今科技時(shí)代,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求急劇增長(zhǎng),NAND閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲(chǔ)解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來(lái),虛擬SLC(pSLC)閃存技術(shù)的引入,為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域帶來(lái)了新的創(chuàng)新。本文將探討pSLC閃存
2023-08-02 08:15:35790

pSLC閃存的原理、優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用

在當(dāng)今科技時(shí)代,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求急劇增長(zhǎng),NAND 閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲(chǔ)解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來(lái),虛擬 SLC(pSLC)閃存技術(shù)的引入,為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域帶來(lái)了新的創(chuàng)新。本文將探討 pSLC 閃存的原理、優(yōu)勢(shì)以及在不同領(lǐng)域中的應(yīng)用。
2023-08-01 11:15:471559

【貼片SD Card介紹】貼片式tf卡/SD NAND/SD2.0協(xié)議

官方網(wǎng)站:深圳雷龍發(fā)展有限公司 目前雷龍發(fā)展代理的 SD NAND 已可在立創(chuàng)商城搜索到,其詳情頁(yè)也附有手冊(cè)。 芯片簡(jiǎn)介 芯片外觀及封裝 實(shí)拍圖: ? 根據(jù)官方文檔介紹,此款芯片采用 LGA-8
2023-07-28 16:23:18

全球第一SSD誕生:QLC閃存70年寫不死

SK海力士收購(gòu)Intel NAND閃存業(yè)務(wù)重新組建的Solidigm公司非常活躍,最近披露了其近期NAND、SSD規(guī)劃路線圖,預(yù)計(jì)2023年上半年陸續(xù)落地。
2023-07-24 17:06:29902

芯科普 | 一文了解 NAND 閃存技術(shù)的發(fā)展演變

對(duì) NAND 存儲(chǔ)器的需求也大幅增加。從移動(dòng)或便攜式固態(tài)硬盤到數(shù)據(jù)中心,從企業(yè)固態(tài)硬盤再到汽車配件, NAND 閃存的應(yīng)用領(lǐng)域和使用場(chǎng)景愈發(fā)多樣化,各種要求也隨之出現(xiàn),常見(jiàn)的譬如更高的讀寫速度、最大化的存儲(chǔ)容量、更低的功耗和更低的成本等等
2023-07-24 14:45:03424

一文了解NAND閃存技術(shù)的發(fā)展演變

隨著游戲產(chǎn)業(yè)和數(shù)據(jù)中心的蓬勃發(fā)展,全球 NAND 市場(chǎng)正呈擴(kuò)張之勢(shì)。而由于新冠疫情的爆發(fā),人們更多選擇遠(yuǎn)程辦公和在線課程,對(duì)數(shù)據(jù)中心和云服務(wù)器的需求隨之增長(zhǎng)
2023-07-24 14:42:48808

拐彎突破美國(guó)禁令!長(zhǎng)江存儲(chǔ)神秘閃存曝光

長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)將3D NAND閃存做到了232層堆疊,存儲(chǔ)密度15.47Gb每平方毫米,而且傳輸速度高達(dá)2400MT/s,妥妥的世界第一,結(jié)果被美國(guó)一直禁令給攔住了,死死限制在128層,但我們肯定不會(huì)坐以待斃。
2023-07-20 09:44:311233

基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25%

基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個(gè)UFS 4.0移動(dòng)存儲(chǔ)解決方案,采用了232層3D TLC NAND閃存;速度提升很大,可以達(dá)到最高
2023-07-19 19:02:21864

蘋果閃存和固態(tài)硬盤的區(qū)別 固態(tài)硬盤為什么不建議分區(qū)

蘋果閃存和SSD都基于閃存技術(shù),但存在一些細(xì)微差別。蘋果閃存是專為蘋果產(chǎn)品而開(kāi)發(fā)的,使用NAND(非易失性閃存)芯片技術(shù),而SSD可以是通用的,采用不同類型的閃存芯片,如NAND、MLC(多級(jí)單元)或TLC(三級(jí)單元)。
2023-07-19 15:21:372102

NAND閃存加速度,推動(dòng)Multi-Die驗(yàn)證新范式

NAND閃存,所有主要閃存制造商都在積極采用各種方法來(lái)降低閃存的每位成本,同時(shí)創(chuàng)造出適用于各種應(yīng)用的產(chǎn)品。閃存制造商還在積極展開(kāi)研究,期望能夠擴(kuò)展3D NAND閃存的垂直層數(shù)。雖然15nm似乎是NAND閃存目前能夠達(dá)到的最小節(jié)點(diǎn),但開(kāi)發(fā)者
2023-07-18 17:55:02486

各家3D NAND技術(shù)大比拼 被壟斷的NAND閃存技術(shù)

隨著密度和成本的飛速進(jìn)步,數(shù)字邏輯和 DRAM 的摩爾定律幾乎要失效。但是在NAND 閃存領(lǐng)域并非如此,與半導(dǎo)體行業(yè)的其他產(chǎn)品不同,NAND 的成本逐年大幅下降。
2023-07-18 10:13:351203

NAND閃存內(nèi)部結(jié)構(gòu)解析

NAND閃存是一種電壓原件,靠其內(nèi)存電壓來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:211444

三星:2030年3D NAND將進(jìn)入1000層以上

 三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開(kāi)發(fā)計(jì)劃,預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND,其層數(shù)可達(dá)到280層
2023-07-04 17:03:291744

NAND芯片是用于哪些領(lǐng)域 NAND和SSD的區(qū)別

閃存存儲(chǔ)設(shè)備:NAND芯片作為主要的閃存存儲(chǔ)媒介,被廣泛用于固態(tài)硬盤(SSD)、USB閃存驅(qū)動(dòng)器、內(nèi)存卡(如SD卡、MicroSD卡)和閃存盤等。
2023-06-28 16:25:495201

開(kāi)放NAND閃存接口ONFI介紹

本文轉(zhuǎn)自公眾號(hào),歡迎關(guān)注 開(kāi)放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開(kāi)放NAND閃存接口.是一個(gè)由100多家
2023-06-21 17:36:325865

蘋果手表首次突破5000萬(wàn)臺(tái),累計(jì)銷量2.29億塊

  據(jù)市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)watch faces公布的最新數(shù)據(jù)顯示,蘋果公司的蘋果手表到2022年的年銷量達(dá)5390萬(wàn)部,首次突破5000萬(wàn)臺(tái)。
2023-06-15 10:19:221065

淺談400層以上堆疊的3D NAND的技術(shù)

3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元,具備卓越的精度,可支持在更小的空間內(nèi),容納更高的存儲(chǔ)容量,從而有效節(jié)約成本、降低能耗,以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:561727

求助,nuc980裸機(jī)程序超過(guò)1個(gè)block如何下載到spi nand?

nuc980裸機(jī)程序超過(guò)1個(gè)block如何下載到spi nand
2023-06-13 08:18:28

SK海力士宣布量產(chǎn)世界最高238層4D NAND閃存

238層NAND閃存作為世界上最小體積的芯片,生產(chǎn)效率比上一代的176層提升了34%,成本競(jìng)爭(zhēng)力得到了大幅改善。
2023-06-11 14:32:54492

NAND閃存特點(diǎn)及決定因素

內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲(chǔ)單元是bit,用戶可以隨機(jī)訪問(wèn)任何一個(gè)bit的信息。而NAND閃存的基本存儲(chǔ)單元是頁(yè)(Page)(可以看到,NAND閃存的頁(yè)就類似硬盤的扇區(qū),硬盤的一個(gè)扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001982

今日看點(diǎn)丨三星醞釀 NAND 存儲(chǔ)晶圓漲價(jià);臺(tái)積電先進(jìn)封測(cè)六廠正式啟用

NAND 存儲(chǔ)器制造商三星和 SK 海力士已尋求將 NAND 閃存價(jià)格提高 3%-5% 以試探市場(chǎng)反應(yīng),并表示 NAND 閃存的價(jià)格已降至可變成本以下。 ? 2. 日媒:蘋果Vision Pro 給電子
2023-06-09 12:01:041114

QLC閃存 D5-P5430的基本規(guī)格、性能表現(xiàn)

SK海力士收購(gòu)Intel NAND閃存業(yè)務(wù)重組而來(lái)的Solidigm,就發(fā)布了一款QLC閃存的企業(yè)級(jí)產(chǎn)品P5-D5430,可以說(shuō)是QLC SSD的一個(gè)代表作。
2023-06-09 10:41:43489

SK海力士量產(chǎn)世界最高238層4D NAND閃存

sk海力士表示:“以238段nand閃存為基礎(chǔ),開(kāi)發(fā)了智能手機(jī)和pc用客戶端ssd (client ssd)解決方案產(chǎn)品,并于5月開(kāi)始批量生產(chǎn)。該公司通過(guò)176層、238層的產(chǎn)品,在成本、性能、品質(zhì)等方面確保了世界最高的競(jìng)爭(zhēng)力。
2023-06-08 10:31:531564

無(wú)法將超過(guò)8K的數(shù)據(jù)寫入64k閃存扇區(qū)怎么辦?

任何人都可以幫助我面對(duì)像 lpc4337 閃存中的 sector13 一樣無(wú)法將超過(guò) 8K 的數(shù)據(jù)寫入 64k 的問(wèn)題嗎?即使是 64K 容量的扇區(qū)在閃存寫入期間也只允許 8k 數(shù)據(jù)。 如果我提供
2023-06-08 06:39:37

3D-NAND 閃存探索將超過(guò)300層

全行業(yè)正在努力將 3D 引入 DRAM。采用 3D X-DRAM 僅涉及利用當(dāng)前成熟的 3D NAND 工藝,這與學(xué)術(shù)論文提出和內(nèi)存行業(yè)研究的許多將 DRAM 遷移到 3D 的替代方案不同。
2023-05-30 11:13:46324

TTL逆變器和NAND

20世紀(jì)60年代首次生產(chǎn)出集成邏輯門以來(lái),各種數(shù)字邏輯電路技術(shù)層出不窮。本次實(shí)驗(yàn)將研究晶體管-晶體管邏輯(TTL)電路逆變器(非門)和2輸入NAND門配置。
2023-05-29 14:19:23395

NAND閃存 – 多芯片系統(tǒng)驗(yàn)證的關(guān)鍵元件

NAND閃存上的位密度隨著時(shí)間的推移而變化。早期的NAND設(shè)備是單層單元(SLC)閃存。這表明每個(gè)閃存單元存儲(chǔ)一個(gè)位。使用多層單元(MLC),閃存可以為每個(gè)單元存儲(chǔ)兩個(gè)或更多位,因此位密度會(huì)增加
2023-05-25 15:36:031193

如何在帶有spi的iMX RT 1052上使用NAND閃存?

我想知道是否有人在 RT1052 或類似的東西上使用過(guò) NAND FLASH。 因?yàn)槲以噲D將它包含在我的 PCB 中而且我看到 RT1052 支持它但我沒(méi)有看到任何關(guān)于它的示例。
2023-05-18 06:53:45

MCU Boot Utility是否支持此串行NAND?

我試圖讓 RT1052 從外部 QSPI NAND 閃存 W25N01GVZEIG 啟動(dòng)。我們選擇了RT1050參考手冊(cè)中提到的這個(gè)NAND flash。我還附上了數(shù)據(jù)表。 我還使用 NXP MCU
2023-05-12 07:55:18

8倍密度,像做3D NAND一樣做DRAM

Semiconductor。 ? X-NAND ? 相信去年的閃存峰會(huì)上,除了鎧俠、SK海力士、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、三星等大廠所做的技術(shù)分享外,大家也都注意到了這家名為NEO Semiconductor的初創(chuàng)企業(yè)。這是一家專為NAND閃存和DRAM內(nèi)存開(kāi)發(fā)創(chuàng)新架構(gòu)的廠商,其去年推出的X-NAND第二代技術(shù),允許3D NAND閃存
2023-05-08 07:09:001982

imx28無(wú)法從NAND啟動(dòng)并進(jìn)入U(xiǎn)SB恢復(fù)模式怎么解決?

- 我的任務(wù)是找出根本原因并解決基于 imx28 的定制設(shè)計(jì)板中的問(wèn)題。 - imx28 無(wú)法從 NAND 啟動(dòng)并進(jìn)入 USB 恢復(fù)模式。 - 將 NAND 閃存更改為不同的 NAND 閃存
2023-04-27 06:50:47

如何啟動(dòng)IMX6ULL NAND閃存?

我正在嘗試啟動(dòng) IMX6ULL NAND 閃存。供您參考,我使用 buildroot 2018_11_4 成功啟動(dòng)了 IMX6ULL NAND 閃存。(uboot 4.15 和 linux 4.15
2023-04-20 07:55:17

QSPI flash首次量產(chǎn)時(shí)推薦的編程方法是什么?

對(duì)于我們的項(xiàng)目,我們將 QSPI 閃存連接到以下引腳: 而我們的板子會(huì)使用qspi flash作為默認(rèn)的啟動(dòng)源,不會(huì)有任何其他的啟動(dòng)設(shè)備。在此配置中,我們應(yīng)該如何處理 BOOT_CFG 引腳?從
2023-04-17 08:50:47

鎧俠在閃存市場(chǎng)的底氣

眾所周知,鎧俠公司發(fā)明了NAND Flash。公司憑借其領(lǐng)先的三維(3D)垂直閃存單元結(jié)構(gòu)BiCS FLASH,讓公司閃存的密度在市場(chǎng)中名列前茅。與此同時(shí),鎧俠還是第一個(gè)設(shè)想并準(zhǔn)備將SLC技術(shù)成功遷移到MLC、再?gòu)腗LC遷移到TLC、現(xiàn)在又從TLC遷移到QLC的行業(yè)參與者。
2023-04-14 09:17:03796

Bluedroid如何使用超過(guò)20個(gè)字節(jié)的特性?

的答案。當(dāng)答案超過(guò) 20 個(gè)字節(jié)長(zhǎng)時(shí),我收到警告消息:W (591392) BT_GATT:屬性值太長(zhǎng),將被截?cái)酁?20特征是這樣定義的(超過(guò) 20 個(gè)字節(jié))。[任務(wù)藍(lán)牙
2023-04-14 07:49:06

魅族20系列發(fā)布:旗艦性能 全面突破

今天,魅族正式發(fā)布了魅族 20 系列新品,包括:魅族 20、魅族 20 Pro 以及“超大杯”魅族 20 INFINITY 無(wú)界版。此次新品全系搭載了第二代驍龍8移動(dòng)平臺(tái),不僅擁有強(qiáng)悍的性能,在顯示、影像、通信等方面也實(shí)現(xiàn)了全方位突破,它究竟會(huì)給我們帶來(lái)哪些驚喜呢?一起來(lái)看下。
2023-03-31 09:31:191940

什么是3D NAND閃存

我們之前見(jiàn)過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來(lái)了,理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147

XIP是否通過(guò)QSPI支持NAND閃存?

大家好, 我正在研究 IMXRT1176,我對(duì)內(nèi)存使用有一些疑問(wèn): XIP 是否通過(guò) QSPI 支持 NAND 閃存?如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動(dòng),則加載程序必須將應(yīng)用程序復(fù)制到
2023-03-29 07:06:44

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