非易失性存儲(chǔ)器芯片又可分為快閃存儲(chǔ)器 (Flash Memory) 與只讀存儲(chǔ)器 (Read-Only Memory)。其中,快閃存儲(chǔ)器又可以分為 NAND 存儲(chǔ)和 NOR 存儲(chǔ)。
2024-03-22 10:54:1513 來(lái)源:滿天芯,謝謝 編輯:感知芯視界 Link 據(jù)韓媒報(bào)道,三星計(jì)劃在本月至下月同主要移動(dòng)端、PC 端、服務(wù)器端客戶就NAND閃存價(jià)格重新談判,目標(biāo)漲價(jià)15~20%。經(jīng)歷一年多的供過(guò)于求之后,三星
2024-03-19 09:31:57115 年報(bào)顯示,公司營(yíng)業(yè)收入首次突破4000億元大關(guān),達(dá)4009億元,同比增長(zhǎng) 22.01%;歸母凈利潤(rùn)為441億元,同比增長(zhǎng)43.58%。
2024-03-18 15:28:49350 三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價(jià)格過(guò)低;在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計(jì)劃與客戶就NAND閃存價(jià)格重新談判,目標(biāo)價(jià)位是漲價(jià)15%—20%。
2024-03-14 15:35:22217 三星電子,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè),近期在其位于中國(guó)西安的NAND閃存工廠實(shí)現(xiàn)了開(kāi)工率的顯著回升,從去年的低谷20-30%提升至目前的70%。這一變化不僅反映了三星電子對(duì)市場(chǎng)趨勢(shì)的敏銳洞察和快速響應(yīng),也凸顯了中國(guó)智能手機(jī)市場(chǎng)回暖以及全球半導(dǎo)體庫(kù)存調(diào)整對(duì)產(chǎn)業(yè)鏈上游的積極影響。
2024-03-14 12:32:26317 據(jù)最新報(bào)道,全球領(lǐng)先的NAND閃存制造商鎧俠已決定重新審視其先前的減產(chǎn)策略,并計(jì)劃在本月內(nèi)將開(kāi)工率提升至90%。這一策略調(diào)整反映出市場(chǎng)需求的變化和公司對(duì)于行業(yè)發(fā)展的積極預(yù)期。
2024-03-07 10:48:35263 潘建成表示,群聯(lián)當(dāng)前正面臨供應(yīng)短缺問(wèn)題,若NAND閃存制造商以合理價(jià)格提供穩(wěn)定的供應(yīng),將有助于緩解群聯(lián)的困境。他認(rèn)為,原廠擴(kuò)大產(chǎn)能,有利于維護(hù)NAND市場(chǎng)秩序,使價(jià)格合理回歸,否則過(guò)高的漲勢(shì)會(huì)打壓下游廠商需求。
2024-03-05 14:05:0481 據(jù)統(tǒng)計(jì),鎧俠是全球第二大NAND芯片制造商,市場(chǎng)份額約為15%-20%,緊隨其后的是韓國(guó)的三星。面對(duì)之前NAND報(bào)價(jià)持續(xù)下跌的困境,鎧俠率先采取了減產(chǎn)策略,幅度達(dá)到了三成。
2024-03-05 09:23:51143 行動(dòng)計(jì)劃》
深圳市提出在鴻蒙原生應(yīng)用發(fā)展上的具體目標(biāo):在2024年內(nèi)實(shí)現(xiàn)深圳市鴻蒙原生應(yīng)用數(shù)量占全國(guó)總量10%以上;深圳市主要垂域?qū)崿F(xiàn)鴻蒙原生應(yīng)用全覆蓋;鴻蒙開(kāi)發(fā)課程進(jìn)入深圳市主要高校和培訓(xùn)機(jī)構(gòu),取得
2024-03-04 21:42:55
如題,了解頭部企業(yè)
2024-03-02 15:53:42
前言 NAND Flash 和 NOR Flash是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出 NOR Flash 技術(shù),徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統(tǒng)天下
2024-03-01 17:08:45158 NAND閃存作為如今各種電子設(shè)備中常見(jiàn)的非易失性存儲(chǔ)器,存在于固態(tài)硬盤(SSD)、USB閃存驅(qū)動(dòng)器和智能手機(jī)存儲(chǔ)等器件。而隨著電腦終端、企業(yè)存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)中心、甚至汽車配件等應(yīng)用場(chǎng)景要求的多樣化
2024-02-05 18:01:17418 江波龍首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash于近日問(wèn)世。該產(chǎn)品采用BGA132封裝,支持Toggle DDR模式,數(shù)據(jù)訪問(wèn)帶寬可達(dá)400MB/s,將有望應(yīng)用于eMMC、SSD等產(chǎn)品上。
2024-02-01 15:08:48361 )和NAND(NAND Flash Memory)。 eMMC是一種嵌入式多媒體控制器,它為移動(dòng)設(shè)備(如智能手機(jī)和平板電腦)提供了一種高性能的存儲(chǔ)解決方案。它包括一個(gè)閃存控制器、一個(gè)NAND閃存芯片和一些
2024-01-08 13:51:46597 什么是SD NAND?它俗稱貼片式T卡,貼片式TF卡,貼片式SD卡,貼片式內(nèi)存卡,貼片式閃存卡,貼片式卡...等等。雖然SD NAND 和TF卡稱呼上有些類似,但是SD NAND和TF卡有著本質(zhì)上的區(qū)別。
2024-01-06 14:35:57861 NAND介紹
什么是SD NAND?它俗稱貼片式T卡,貼片式TF卡,貼片式SD卡,貼片式內(nèi)存卡,貼片式閃存卡,貼片式卡...等等。雖然SD NAND 和TF卡稱呼上有些類似,但是SD NAND和TF
2024-01-05 17:54:39
NAND產(chǎn)品中,同樣代表市場(chǎng)行情的256Gb TLC,第四季度單價(jià)為1.85美元左右,相比三季度上漲12%。
2023-12-26 13:54:3199 NAND Flash和NOR Flash是兩種常見(jiàn)的閃存類型。
2023-11-30 13:53:20734 增加3D(三維)NAND閃存密度的方法正在發(fā)生變化。這是因?yàn)橹С謧鹘y(tǒng)高密度技術(shù)的基本技術(shù)預(yù)計(jì)將在不久的將來(lái)達(dá)到其極限。2025 年至 2030 年間,新的基礎(chǔ)技術(shù)的引入和轉(zhuǎn)化很可能會(huì)變得更加普遍。
2023-11-30 10:20:26243 據(jù)報(bào)道,韓國(guó)SK集團(tuán)于2020年斥資400億韓元收購(gòu)當(dāng)?shù)劐\湖石化的電子材料業(yè)務(wù),收購(gòu)后成立的新子公司SK Materials Performance(SKMP)已開(kāi)發(fā)出一種高厚度KrF光刻膠,并通過(guò)了SK海力士的性能驗(yàn)證,這將有利于SK海力士3D NAND閃存的技術(shù)開(kāi)發(fā)。
2023-11-29 17:01:56433 全社會(huì)用電量的比重達(dá)到11%左右,后續(xù)逐年提高,確保2025年非化石能源消費(fèi)占一次能源消費(fèi)的比重達(dá)到20%左右。2022年8月,工業(yè)和信息化部辦公廳等三部門印發(fā)《關(guān)于促進(jìn)光伏產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈協(xié)同發(fā)展的通知
2023-11-21 16:07:04
目前,Marvell以自主開(kāi)發(fā)或外包的方式,為掌握nand閃存ic市場(chǎng)而展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)。因此,Marvell在企業(yè)市場(chǎng)上的運(yùn)營(yíng)受到了影響,Marvell正在縮小相關(guān)團(tuán)隊(duì)。
2023-11-17 10:28:48362 鎧俠公司為應(yīng)對(duì)存儲(chǔ)芯片價(jià)格的持續(xù)下跌,從2022年10月開(kāi)始采取了將晶片減產(chǎn)30%的措施。2023年q3的nand閃存價(jià)格將比q2上漲5%至9%,出貨量將比前一個(gè)月減少10至14%。以美元為準(zhǔn),nand閃存價(jià)格將比前一個(gè)月上漲0至4%。
2023-11-15 10:17:03335 但是,存儲(chǔ)芯片大企業(yè)的價(jià)格已經(jīng)出現(xiàn)上漲跡象。還有外電報(bào)道說(shuō),已經(jīng)從dram開(kāi)始的存儲(chǔ)器價(jià)格上升趨勢(shì)正在擴(kuò)大到nand閃存。
2023-11-13 14:53:28487 2021年至2027年,以百萬(wàn)計(jì)為單位的NAND晶圓復(fù)合年均增長(zhǎng)率(CAGR)為3%(見(jiàn)圖3),其中,汽車應(yīng)用增長(zhǎng)最快,CAGR為20%;其次則是數(shù)據(jù)中心,其CAGR為13%。
2023-11-06 12:38:24395 奇瑞集團(tuán)10月份銷售汽車200,313輛,同比增長(zhǎng)50.8%;單月銷量首次突破20萬(wàn)輛,再次刷新紀(jì)錄。近4個(gè)月以來(lái),奇瑞集團(tuán)已連續(xù)跨越15萬(wàn)、17萬(wàn)、19萬(wàn)和20萬(wàn)的單月銷量新臺(tái)階。1-10月份
2023-11-06 09:52:23198 三星采取此舉的目的很明確,希望通過(guò)此舉逆轉(zhuǎn)整個(gè)閃存市場(chǎng),穩(wěn)定NAND閃存價(jià)格,并實(shí)現(xiàn)明年上半年逆轉(zhuǎn)市場(chǎng)等目標(biāo)。
2023-11-03 17:21:111214 值得注意的是,信達(dá)證券此前援引行業(yè)消息稱,近日三星向客戶公布Q4官價(jià),MobileDRAM合約價(jià)環(huán)比漲幅預(yù)估將擴(kuò)大至11%-25%;NAND Flash方面,UFS4.0漲幅約2%左右,eMCP、uMCP漲幅不等,平均漲幅20%以上,最高漲幅高達(dá)66%。
2023-11-03 15:54:34370 根據(jù)近日三星向客戶公布的四季度官價(jià),移動(dòng)DRAM合約價(jià)環(huán)比漲幅在11%-25%左右。NAND閃存方面,UFS4.0漲幅約2%,eMCP、uMCP漲幅不等,平均漲幅20%以上,最高漲幅高達(dá)66%。
2023-11-03 15:37:32281 這是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體業(yè)界多名消息人士透露的。據(jù)悉,三星繼本季度將nand閃存價(jià)格上調(diào)10%至20%后,還決定明年第1、2季度也按季度上調(diào)20%。這是為了穩(wěn)定nand型價(jià)格和實(shí)現(xiàn)明年上半年市場(chǎng)逆轉(zhuǎn)目標(biāo)而采取的措施。
2023-11-03 12:22:311025 ds18b20的分辨率是什么意思??
2023-11-03 07:42:59
據(jù)多名半導(dǎo)體業(yè)界消息人士稱,三星繼本季度將nand閃存價(jià)格上調(diào)10至20%后,決定明年第一季度和第二季度也分別上調(diào)20%。三星電子正在努力穩(wěn)定nand閃存價(jià)格,試圖在明年上半年逆轉(zhuǎn)市場(chǎng)。
2023-11-02 10:35:01523 51單片機(jī)中unsigned short占多少字節(jié)
2023-10-27 07:02:12
從2024年第四季度開(kāi)始,DRAM和NAND閃存的價(jià)格將全面上漲,這已經(jīng)導(dǎo)致國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器下游企業(yè)的閃存采購(gòu)成本上漲了近20%,而內(nèi)存采購(gòu)成本上漲了約30%。
2023-10-17 17:13:49793 中芯國(guó)際方面表示:“nand閃存憑借較高的單元密度和存儲(chǔ)器密度、快速使用和刪除速度等優(yōu)點(diǎn),已成為廣泛使用在閃存上的結(jié)構(gòu)?!蹦壳爸饕糜跀?shù)碼相機(jī)等的閃存卡和mp3播放器。
2023-10-17 09:46:07265 三星決定升級(jí)西安工廠的原因大致有兩個(gè)。第一,在nand閃存市場(chǎng)尚未出現(xiàn)恢復(fù)跡象的情況下,在nand閃存市場(chǎng)保持世界領(lǐng)先地位。受從去年年底開(kāi)始的it景氣低迷和半導(dǎo)體景氣低迷的影響,三星nand的銷量增加,從而使虧損擴(kuò)大。
2023-10-16 14:36:00832 據(jù)韓國(guó)貿(mào)易部16日公布的資料顯示,韓國(guó)9月份的nand閃存出口額比去年同期增加了5.6%,但8月份減少了8.9%。存儲(chǔ)器半導(dǎo)體業(yè)界的另一個(gè)支柱——3.3354萬(wàn)dram的出口在同期減少了24.6%。這比上個(gè)月的35.2%有所減少。
2023-10-16 14:17:21244 根據(jù)專利摘要,本發(fā)明實(shí)際公開(kāi)了nand閃存芯片的測(cè)試樣本,測(cè)試樣本由多個(gè)相同的樣本區(qū)域組成,每個(gè)樣本區(qū)域包含多個(gè)相鄰的數(shù)據(jù)塊。相鄰的幾個(gè)數(shù)據(jù)塊會(huì)測(cè)試不同的擦除次數(shù)。在多個(gè)相同的樣本區(qū)域中,任意兩個(gè)相鄰的樣本區(qū)域之間的間隔預(yù)先設(shè)定相鄰數(shù)據(jù)塊的數(shù)量。
2023-10-13 09:47:33313 目前,NOR FLASH和NAND FLASH是市場(chǎng)上主要的非易失性閃存技術(shù),但是據(jù)我了解,還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00471 避難是在智能手機(jī)、電腦、數(shù)據(jù)中心等使用儲(chǔ)存裝置“nand閃存”的企業(yè),由于存儲(chǔ)器市場(chǎng)的需求減少,企業(yè)紛紛減產(chǎn),因此預(yù)計(jì)到2024年以后需求才會(huì)恢復(fù)。
2023-09-22 10:13:24683 業(yè)內(nèi)人士說(shuō):“nand閃存價(jià)格將比dram快反彈”,“nand閃存供應(yīng)商們的赤字繼續(xù)擴(kuò)大,因此銷售價(jià)格正在接近生產(chǎn)成本,供應(yīng)商們?yōu)榱司S持運(yùn)營(yíng),擴(kuò)大減產(chǎn),價(jià)格停止下跌,反彈率領(lǐng)的”。
2023-09-11 14:56:17508 閃存芯片是非揮發(fā)存儲(chǔ)芯片,廣泛用于電子產(chǎn)品,特別是如數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器、手機(jī)、全球定位系統(tǒng)(GPS)、高端筆記本電腦和平板電腦等移動(dòng)電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)應(yīng)用。
2023-09-11 09:32:31833 沒(méi)有SPI-Nand, NAND 無(wú)法啟動(dòng)
2023-09-06 06:24:06
nuc980裸機(jī)程序超過(guò)1個(gè)block如何下載到spi nand?
2023-09-04 06:59:21
請(qǐng)問(wèn)N9H20有沒(méi)有同時(shí)使用SD卡和NAND的范例?
我想把SD卡里面的文件拷貝到NAND里面去。
2023-09-04 06:32:06
三星業(yè)績(jī)近期表現(xiàn)非常差,三星為了增強(qiáng)NAND閃存競(jìng)爭(zhēng)力計(jì)劃在2024年升級(jí)其NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈。
2023-08-30 16:10:02192 自20世紀(jì)60年代首次生產(chǎn)出集成邏輯門以來(lái),各種數(shù)字邏輯電路技術(shù)層出不窮。本次實(shí)驗(yàn)將研究晶體管-晶體管邏輯(TTL)電路逆變器(非門)和2輸入NAND門配置。
2023-08-28 16:36:23531 超過(guò) 300 層;采用雙層堆棧架構(gòu)。 而SK海力士則計(jì)劃在2025 年上半年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)的321層NAND 閃存。
2023-08-21 18:30:53281 三星已經(jīng)減少了主要nand閃存生產(chǎn)基地的晶圓投入額。這就是韓國(guó)的平澤、華城和中國(guó)的西安。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,三星的nand閃存產(chǎn)量可能會(huì)減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業(yè)績(jī)中,由于市場(chǎng)持續(xù)低迷,三星電子正式公布了存儲(chǔ)器減產(chǎn)計(jì)劃。
2023-08-16 10:23:58423 SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存,成為業(yè)界首家開(kāi)發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品,并介紹了開(kāi)發(fā)進(jìn)展情況。
2023-08-10 16:01:47704 據(jù)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道,三星提出的512gb nand閃存晶片單價(jià)為1.60美元,比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示,由于上下nand閃存的庫(kù)存緩慢,很難說(shuō)服上調(diào)價(jià)格。
2023-08-02 11:56:24762 在當(dāng)今科技時(shí)代,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求急劇增長(zhǎng),NAND閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲(chǔ)解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來(lái),虛擬SLC(pSLC)閃存技術(shù)的引入,為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域帶來(lái)了新的創(chuàng)新。本文將探討pSLC閃存
2023-08-02 08:15:35790 在當(dāng)今科技時(shí)代,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求急劇增長(zhǎng),NAND 閃存技術(shù)作為一種關(guān)鍵的非易失性存儲(chǔ)解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來(lái),虛擬 SLC(pSLC)閃存技術(shù)的引入,為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域帶來(lái)了新的創(chuàng)新。本文將探討 pSLC 閃存的原理、優(yōu)勢(shì)以及在不同領(lǐng)域中的應(yīng)用。
2023-08-01 11:15:471559 官方網(wǎng)站:深圳市雷龍發(fā)展有限公司
目前雷龍發(fā)展代理的 SD NAND 已可在立創(chuàng)商城搜索到,其詳情頁(yè)也附有手冊(cè)。
芯片簡(jiǎn)介
芯片外觀及封裝
實(shí)拍圖:
?
根據(jù)官方文檔介紹,此款芯片采用 LGA-8
2023-07-28 16:23:18
SK海力士收購(gòu)Intel NAND閃存業(yè)務(wù)重新組建的Solidigm公司非常活躍,最近披露了其近期NAND、SSD規(guī)劃路線圖,預(yù)計(jì)2023年上半年陸續(xù)落地。
2023-07-24 17:06:29902 對(duì) NAND 存儲(chǔ)器的需求也大幅增加。從移動(dòng)或便攜式固態(tài)硬盤到數(shù)據(jù)中心,從企業(yè)固態(tài)硬盤再到汽車配件, NAND 閃存的應(yīng)用領(lǐng)域和使用場(chǎng)景愈發(fā)多樣化,各種要求也隨之出現(xiàn),常見(jiàn)的譬如更高的讀寫速度、最大化的存儲(chǔ)容量、更低的功耗和更低的成本等等
2023-07-24 14:45:03424 隨著游戲產(chǎn)業(yè)和數(shù)據(jù)中心的蓬勃發(fā)展,全球 NAND 市場(chǎng)正呈擴(kuò)張之勢(shì)。而由于新冠疫情的爆發(fā),人們更多選擇遠(yuǎn)程辦公和在線課程,對(duì)數(shù)據(jù)中心和云服務(wù)器的需求隨之增長(zhǎng)
2023-07-24 14:42:48808 長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)將3D NAND閃存做到了232層堆疊,存儲(chǔ)密度15.47Gb每平方毫米,而且傳輸速度高達(dá)2400MT/s,妥妥的世界第一,結(jié)果被美國(guó)一直禁令給攔住了,死死限制在128層,但我們肯定不會(huì)坐以待斃。
2023-07-20 09:44:311233 基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個(gè)UFS 4.0移動(dòng)存儲(chǔ)解決方案,采用了232層3D TLC NAND閃存;速度提升很大,可以達(dá)到最高
2023-07-19 19:02:21864 蘋果閃存和SSD都基于閃存技術(shù),但存在一些細(xì)微差別。蘋果閃存是專為蘋果產(chǎn)品而開(kāi)發(fā)的,使用NAND(非易失性閃存)芯片技術(shù),而SSD可以是通用的,采用不同類型的閃存芯片,如NAND、MLC(多級(jí)單元)或TLC(三級(jí)單元)。
2023-07-19 15:21:372102 NAND閃存,所有主要閃存制造商都在積極采用各種方法來(lái)降低閃存的每位成本,同時(shí)創(chuàng)造出適用于各種應(yīng)用的產(chǎn)品。閃存制造商還在積極展開(kāi)研究,期望能夠擴(kuò)展3D NAND閃存的垂直層數(shù)。雖然15nm似乎是NAND閃存目前能夠達(dá)到的最小節(jié)點(diǎn),但開(kāi)發(fā)者
2023-07-18 17:55:02486 隨著密度和成本的飛速進(jìn)步,數(shù)字邏輯和 DRAM 的摩爾定律幾乎要失效。但是在NAND 閃存領(lǐng)域并非如此,與半導(dǎo)體行業(yè)的其他產(chǎn)品不同,NAND 的成本逐年大幅下降。
2023-07-18 10:13:351203 NAND閃存是一種電壓原件,靠其內(nèi)存電壓來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:211444 三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開(kāi)發(fā)計(jì)劃,預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND,其層數(shù)可達(dá)到280層
2023-07-04 17:03:291744 閃存存儲(chǔ)設(shè)備:NAND芯片作為主要的閃存存儲(chǔ)媒介,被廣泛用于固態(tài)硬盤(SSD)、USB閃存驅(qū)動(dòng)器、內(nèi)存卡(如SD卡、MicroSD卡)和閃存盤等。
2023-06-28 16:25:495201 本文轉(zhuǎn)自公眾號(hào),歡迎關(guān)注 開(kāi)放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開(kāi)放NAND閃存接口.是一個(gè)由100多家
2023-06-21 17:36:325865 據(jù)市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)watch faces公布的最新數(shù)據(jù)顯示,蘋果公司的蘋果手表到2022年的年銷量達(dá)5390萬(wàn)部,首次突破5000萬(wàn)臺(tái)。
2023-06-15 10:19:221065 3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元,具備卓越的精度,可支持在更小的空間內(nèi),容納更高的存儲(chǔ)容量,從而有效節(jié)約成本、降低能耗,以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:561727 nuc980裸機(jī)程序超過(guò)1個(gè)block如何下載到spi nand?
2023-06-13 08:18:28
238層NAND閃存作為世界上最小體積的芯片,生產(chǎn)效率比上一代的176層提升了34%,成本競(jìng)爭(zhēng)力得到了大幅改善。
2023-06-11 14:32:54492 內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲(chǔ)單元是bit,用戶可以隨機(jī)訪問(wèn)任何一個(gè)bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲(chǔ)單元是頁(yè)(Page)(可以看到,NAND型閃存的頁(yè)就類似硬盤的扇區(qū),硬盤的一個(gè)扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001982 NAND 存儲(chǔ)器制造商三星和 SK 海力士已尋求將 NAND 閃存價(jià)格提高 3%-5% 以試探市場(chǎng)反應(yīng),并表示 NAND 閃存的價(jià)格已降至可變成本以下。 ? 2. 日媒:蘋果Vision Pro 給電子
2023-06-09 12:01:041114 SK海力士收購(gòu)Intel NAND閃存業(yè)務(wù)重組而來(lái)的Solidigm,就發(fā)布了一款QLC閃存的企業(yè)級(jí)產(chǎn)品P5-D5430,可以說(shuō)是QLC SSD的一個(gè)代表作。
2023-06-09 10:41:43489 sk海力士表示:“以238段nand閃存為基礎(chǔ),開(kāi)發(fā)了智能手機(jī)和pc用客戶端ssd (client ssd)解決方案產(chǎn)品,并于5月開(kāi)始批量生產(chǎn)。該公司通過(guò)176層、238層的產(chǎn)品,在成本、性能、品質(zhì)等方面確保了世界最高的競(jìng)爭(zhēng)力。
2023-06-08 10:31:531564 任何人都可以幫助我面對(duì)像 lpc4337 閃存中的 sector13 一樣無(wú)法將超過(guò) 8K 的數(shù)據(jù)寫入 64k 的問(wèn)題嗎?即使是 64K 容量的扇區(qū)在閃存寫入期間也只允許 8k 數(shù)據(jù)。
如果我提供
2023-06-08 06:39:37
全行業(yè)正在努力將 3D 引入 DRAM。采用 3D X-DRAM 僅涉及利用當(dāng)前成熟的 3D NAND 工藝,這與學(xué)術(shù)論文提出和內(nèi)存行業(yè)研究的許多將 DRAM 遷移到 3D 的替代方案不同。
2023-05-30 11:13:46324 自20世紀(jì)60年代首次生產(chǎn)出集成邏輯門以來(lái),各種數(shù)字邏輯電路技術(shù)層出不窮。本次實(shí)驗(yàn)將研究晶體管-晶體管邏輯(TTL)電路逆變器(非門)和2輸入NAND門配置。
2023-05-29 14:19:23395 NAND閃存上的位密度隨著時(shí)間的推移而變化。早期的NAND設(shè)備是單層單元(SLC)閃存。這表明每個(gè)閃存單元存儲(chǔ)一個(gè)位。使用多層單元(MLC),閃存可以為每個(gè)單元存儲(chǔ)兩個(gè)或更多位,因此位密度會(huì)增加
2023-05-25 15:36:031193 我想知道是否有人在 RT1052 或類似的東西上使用過(guò) NAND FLASH。
因?yàn)槲以噲D將它包含在我的 PCB 中而且我看到 RT1052 支持它但我沒(méi)有看到任何關(guān)于它的示例。
2023-05-18 06:53:45
我試圖讓 RT1052 從外部 QSPI NAND 閃存 W25N01GVZEIG 啟動(dòng)。我們選擇了RT1050參考手冊(cè)中提到的這個(gè)NAND flash。我還附上了數(shù)據(jù)表。
我還使用 NXP MCU
2023-05-12 07:55:18
Semiconductor。 ? X-NAND ? 相信去年的閃存峰會(huì)上,除了鎧俠、SK海力士、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、三星等大廠所做的技術(shù)分享外,大家也都注意到了這家名為NEO Semiconductor的初創(chuàng)企業(yè)。這是一家專為NAND閃存和DRAM內(nèi)存開(kāi)發(fā)創(chuàng)新架構(gòu)的廠商,其去年推出的X-NAND第二代技術(shù),允許3D NAND閃存
2023-05-08 07:09:001982 - 我的任務(wù)是找出根本原因并解決基于 imx28 的定制設(shè)計(jì)板中的問(wèn)題。
- imx28 無(wú)法從 NAND 啟動(dòng)并進(jìn)入 USB 恢復(fù)模式。
- 將 NAND 閃存更改為不同的 NAND 閃存后
2023-04-27 06:50:47
我正在嘗試啟動(dòng) IMX6ULL NAND 閃存。供您參考,我使用 buildroot 2018_11_4 成功啟動(dòng)了 IMX6ULL NAND 閃存。(uboot 4.15 和 linux 4.15
2023-04-20 07:55:17
對(duì)于我們的項(xiàng)目,我們將 QSPI 閃存連接到以下引腳: 而我們的板子會(huì)使用qspi flash作為默認(rèn)的啟動(dòng)源,不會(huì)有任何其他的啟動(dòng)設(shè)備。在此配置中,我們應(yīng)該如何處理 BOOT_CFG 引腳?從
2023-04-17 08:50:47
眾所周知,鎧俠公司發(fā)明了NAND Flash。公司憑借其領(lǐng)先的三維(3D)垂直閃存單元結(jié)構(gòu)BiCS FLASH,讓公司閃存的密度在市場(chǎng)中名列前茅。與此同時(shí),鎧俠還是第一個(gè)設(shè)想并準(zhǔn)備將SLC技術(shù)成功遷移到MLC、再?gòu)腗LC遷移到TLC、現(xiàn)在又從TLC遷移到QLC的行業(yè)參與者。
2023-04-14 09:17:03796 的答案。當(dāng)答案超過(guò) 20 個(gè)字節(jié)長(zhǎng)時(shí),我收到警告消息:W (591392) BT_GATT:屬性值太長(zhǎng),將被截?cái)酁?20特征是這樣定義的(超過(guò) 20 個(gè)字節(jié))。[任務(wù)藍(lán)牙
2023-04-14 07:49:06
今天,魅族正式發(fā)布了魅族 20 系列新品,包括:魅族 20、魅族 20 Pro 以及“超大杯”魅族 20 INFINITY 無(wú)界版。此次新品全系搭載了第二代驍龍8移動(dòng)平臺(tái),不僅擁有強(qiáng)悍的性能,在顯示、影像、通信等方面也實(shí)現(xiàn)了全方位突破,它究竟會(huì)給我們帶來(lái)哪些驚喜呢?一起來(lái)看下。
2023-03-31 09:31:191940 我們之前見(jiàn)過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來(lái)了,理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 大家好, 我正在研究 IMXRT1176,我對(duì)內(nèi)存使用有一些疑問(wèn): XIP 是否通過(guò) QSPI 支持 NAND 閃存?如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動(dòng),則加載程序必須將應(yīng)用程序復(fù)制到
2023-03-29 07:06:44
評(píng)論
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